JPH02297918A - 投影光学装置 - Google Patents

投影光学装置

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JPH02297918A
JPH02297918A JP1117197A JP11719789A JPH02297918A JP H02297918 A JPH02297918 A JP H02297918A JP 1117197 A JP1117197 A JP 1117197A JP 11719789 A JP11719789 A JP 11719789A JP H02297918 A JPH02297918 A JP H02297918A
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JP
Japan
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focusing characteristic
distribution
projection optical
light
optical system
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JP1117197A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Taniguchi
哲夫 谷口
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70891Temperature

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は投影光学装置、特に集積回路、液晶基板等の製
造に用いる露光装置において、投影光学系の変動に対す
る結像特性の維持を行なう制御手段を備えた投影光学装
置に関するものである。
[従来の技術] 従来の投影光学装置における投影光学系の照明光の吸収
による結像特性の変化に対しては、例えば特開昭60−
78454号あるいは特開昭63−58349号に開示
しであるように、投影光学系に入射するエネルギ(照明
光束)の蓄積を演算し、この入射エネルギに対する結像
特性の変動量を求め、例えば投影光学系内部で密封され
たレンズ室内の圧力等を変化させることにより、結像特
性を一定に保つ方法が知られている。
[発明が解決しようとする課題] 上記の如き従来の技術においては、例えば像面上の照度
センサ等で投影光学系に対する入射エネルギの総量を測
定し、それに応じた結像特性の変化量を演算して補正を
行なっていた。しかしながら、例えは露光領域を制限す
るブラインドによ・リマスクの一部のみが照明される場
合、若しくはマスクのパターン密度分布等により投影視
野内で照明光の強度分布に強弱があり得るので、照度は
像面全面において一様ではない。この場合に、投影光学
系のうち例えばマスク、もしくは結像面に近′いレンズ
エレメントでは、瞳付近のレンズエレメントとは異なり
一部のみ露光(照明)光線が通過する(第2図参照)等
の強度分布に強弱が生ずる。このため、前記レンズエレ
メントの照明光吸収による結像特性の変化量は、入射エ
ネルギ総量には単純に比例せず、また等方的でない変化
を起すので、前述の従来技術に基く測定法もしくは、結
像特性の演算法では正しい結像特性の変化が求められな
いという問題点があった。
特に、近年のパターンの微細化、さらに露光領域の広域
化により結像特性の補正精度の向上が要求されており、
上記の問題点は無視できなくなっている。
木発明は、この様な従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、投影光学系に対する照明光の強度分布等に対応した
結像特性の変動量が求められ、その結果に基き最適な結
像特性の補正を行える投影光学装置を提供することを目
的としている。
[課題を解決するための手段] 上記問題点の解決のために木発明では、所定のパターン
が形成された投影対象を所定の照射手段により照明し、
このパターンの像を19を影光学系を介して被投影基板
上に投影する投影光学装置において、前記投影光学系の
像面を複数に分割し、各分割部の照度を測定して前記照
射手段の照明光の照度分布を測定する照度分布測定手段
と、前記照射手段の照射領域の変化、若しくは前記投影
対象のパターン密度分布に起因した結像特性の変動を、
前記照度分布測定結果に基く演算により求める結像特性
演算手段と、前記結、像手段演算結果に基いて、前記投
影光学系の結像特性の補正を行う結像特性補正手段とを
備えている。
[作 用] 木発明は上記のように構成されているので、例えば被投
影対象を入れた状態、若しくは照射領域を制限した状態
等で複数の部分に分割された像面の各部分の照度を求め
ることにより、投影光学系に対する照明光が強度分布を
持つ場合の像面での照度分布を求める。
さらに、上記のような照射による結像特性の変動に対応
させるために、分割された像面の各部分それぞれに対し
て熱蓄積の演算を行ない、これに基いて像面の各部分毎
の結像特性の変動を求めることにより、像面全体の結像
特性(及びその変動量)を求める。
この結果に基き、投影光学系の結像特性の補正手段を用
いて結像特性を一定に維持するか、もしくは結像特性の
変動による影響を最小におさえる補正を行なう。
ここで、本発明においては、像面において照明光が強度
分布を持ち投影光学系が一様に照明光を吸収しない場合
の照明光吸収に基く結像特性の変化を、照明光吸収によ
る投影光学系のレンズ面内の温度上昇の分布として演算
により求めることにより上記結像特性の変化を予測して
いる。
また、像面を複数に分割して各部分の照度を計り、それ
に対応する投影光学系のレンズエレメントの平面内を上
記と同様に分割して、各部分の照明光の吸収と、各部間
の熱のやりとりを計算することにより、各部分の温度上
昇を求める。
この計算においては、実際の結像特性変化に合致させよ
うに計算のパラメータを調整すれば、結像特性の変化の
像面内の分布を予測できるため、この結果を用いて結像
特性の補正を行なう。
しかし、一般には像面全面を一様でなく、分布を持たせ
た結像特性の補正を行なうことは困難であるが、像面内
を一様に補正する方法であっても前記の予測を行なうこ
とにより、結像特性変化による像の劣化が最小になるよ
うな補正は可能であり、従来に比べ結像特性の向上が計
れる。
[実施例] 本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の実施例に係る縮小型投影露光装置(
いわゆるステッパー)の主要部を示す構成図である。本
実施例においては、補正すべき結像特性として倍率(像
面内での倍率分布を考えればディストーション)と焦点
位置(像面内での焦点位置分布を考えれば像面湾曲)と
を考える。
まず、ステッパの通常動作について簡単に説明する。光
源1からの照明光は、光軸AXに従い、ステッピング動
作に対応して該照明光を断続的に遮断するシャッタ2A
を通り光強度一様化照明系3に入射する。照明光は、こ
こで照射領域全体に亘り均一な光線束とされた後、ミラ
ー4で反射され、さらにコンデンサレンズ5を介して投
影対象であるレチクルR全面を一様に照射する。レチク
ルRは、所定の回路パターン等が描かれたマスクであり
、レチクルステージR3Tにより所定の被照明位置に固
定されている。このレチクルRを通過した照明光により
、投影光学系7を介してウェハW上に前記マスク像が結
像され、前記回路パターン等が転写される。ここで6A
は、遮光ブラインドであり、例えばレチクルR上の一部
のパターンのみを転写する場合、照明光を部分的に遮光
するのに用いられる。また、被投影基板であるウェハW
は、Z方向(光軸方向)への微動が可能なウェハホルダ
8に真空吸着されており、ざらにX方向へ移動可能なX
ステージ9X、Y方向へ移動可能なYステージ9Yによ
りXY平面を順次移動しながらステップ・アンド・リピ
ート方式で露光される。
次に、この投影光学系における結像特性補正手段の構成
を(補正手段そのものは従来技術と同様である)を説明
する。第1図において10は、コントローラであり、照
度センサ11、シャッタ制御回路2B、及び遮光ブライ
ンド6Aより情報を得て、補正後の目標値(もしくは補
正量)の算出を行なう。この算出の方法については後で
説明する。コントローラ10は算出された補正の目標値
(もしくは補正ff1)に従い倍率、または焦点位置の
補正を行う。
まず、倍率の補正について説明する。
投影レンズ系7の内部には、適当な1ケ所若しくは複数
箇所のレンズ間隔を密封した空気室13が設けられてお
り、空気室13の内部の圧力を変化させて内部の空気の
屈折率を変更することにより倍率が補正される。ここで
、コントローラ10は、投影光学系の照明光吸収によっ
て生じた倍率変動を打ち消すような空気室13の内部圧
力目標値(若しくは変動量)を算出し、圧力調節器12
に出力する。圧力調節器12は、この目標値(若しくは
変動量)に従い、ベローズポンプ、電磁弁、圧力センサ
ー等により空気室13内部の圧力を変動させて前記倍率
の補正を行なう。
次に、焦点位置の補正について説明する。
このステッパには、投影レンズ系7とウェハW間の距離
をステッパ動作に拘らず常に一定に保つ(投影レンズ系
7の変動前の焦点位置にウェハWを保持する)機構が設
けられており、この距離にオフセットを持たせることに
より焦点位置を補正する。この機構は、ハロゲンランプ
、LED等の光源、集光レンズ等からなる投光器14と
、SPD等の受光センサ、集光レンズ等からなる受光器
15とで構成されており、投光器14は、第1図のよう
にウェハWに斜め上方から光線を入射させ、その反射光
を受光器15が受光する。
ここで、ウェハWが所定位置から光軸方向にずれている
場合、反射光の受光位置のシフト1からずれ量を検出す
ることができる。このずれ1の信号はコントローラ10
に送られ、コントローラ10はウェハWが所定の位置に
来るまで、ウェハホルダ8を光軸方向(Z方向)へ駆動
する駆動系16に信号を送り、この結果、常に投影光学
系7とウェハWとの間隔を一定に保つ。
この間隔にオフセットを持たせる場合は、例えば反射光
の光路を光学素子(傾斜可能な平行平板ガラス)により
シフトさせるか、ずれ量の信号に電気的にオフセットを
持たせる方法等が考えられている。コントローラ10は
、投影光学系の照明光吸収による焦点位置変化を打ち消
すようなオフセット量を算出し、このオフセット量によ
り補正されたズレ量に従い駆動系16を駆動させる。
本実施例では、倍率と焦点位置との補正法を示したが、
像面湾曲等地の結像特性の補正も考えることができる。
また、本実施例では像面を均一に補正する方法を示した
が、像面内の照明光の強度分布に基く結像特性の変化分
布に応じて各部に個別の補正を行なう方法も考えられる
。しかし、現実問題として上記の補正を実現するのは非
常に困難であるため、結像特性の変化の分布の影響を最
も小さくなるような補正を行なうのが現実的であり、本
実施例はこの場合の説明を行なう。
補正の手段としては上記の他に、投影光学系7内部のレ
ンズエレメントを光11i1j方向へ■3動する方法、
レチクルRと投影レンズ系7の間隔を変える方法、投影
レンズ系7の上方または下方空間に2枚の密封された平
行平板ガラスを設置し、その内部の圧力を変える方法、
或いはこれら各方法の適宜組み合わせた方法等が考えら
れており、これらの方法を用いても同様である。
次に、本実施例における結像特性の変動量の演算手段に
ついて説明する。
この結像特性の変動については、実際にテストパターン
をウェハWに焼付けることにより知ることができるが、
実際の回路パターンの露光中に、この結像特性変化を知
ることはできない。結像特性の補正を行なうのに必要な
ことは、この結像特性の変化を時間ごとに予測すること
である。このため、結像特性の変動特性に対応するモデ
ルを作り、投影光学系の照明光吸収を時間を追ってその
モデルに従い計算すれば、時間ごとの結像特性(及びそ
の変動量)が演算できる。実際の結像特性変化に合致し
たモデルを考案することが重要な課題といえる。
まず、光学系の照明光吸収による結像特性の変動の発生
原因について、第2図を用いて説明を行なう。第2図は
、投影光学系7の内部を通過する光線を模式的に示した
ものである。レチクルR上の光軸AX(レチクルRの中
心部)付近のパターン25を透過した光線IL2は、投
影光学系7内上方部に配設されたレンズエレメント21
のほぼ中心部のみを通過し、[1124付近のレンズエ
レメント22ではレンズエレメント22のほぼ全面を均
一に通過した後、投影光学系7内下方部のレンズエレメ
ント23の中心付近を通ってウェハWの中心部27上に
結像する。
また、レチクルR上の周辺部付近のパターン26からの
光線ILI は、レンズエレメント21の周辺部を通過
し、レンズエレメント22ではほぼ全面を通過し、さら
にレンズエレメント23の周辺部を通過して、ウェハW
上の周辺部28に結像する。
本実施例では、結像特性のうち例えば焦点位置変化の原
因となるレンズエレメントが第2図のレンズエレメント
21とレンズエレメント22であるとする。このとき、
レンズエレメント22には均一に照明光が透過するので
、投影光学系7を通過する照明光の強度の総量に比例し
てレンズエレメント22全体が照明光を吸収して温度が
上昇する。
一方、レンズエレメント21は、第2図のようにレチク
ルRのパターン密度分布もしくは遮光ブライン・ドロA
の遮光位置により、照明光のあたる部分が限られ、もし
くは照明強度が一様でなく、レンズエレメント21内で
はその一部のみ温度が上昇するので熱分布を持つ。
従って、この投影光学系の焦点位置変動がレンズエレメ
ント21.22の温度に比例するとすれば、レンズエレ
メント21の熱分布に対応して露光エリア内での焦点位
置が各部で異なる(すなわち像面湾曲)と考えることが
できる。つまり、レンズエレメント21の温度分布のモ
デル化ができれば、焦点位置変化を予測できる。
ここで、レンズエレメント21の温度分布を時間ごとに
厳密に計算をするには、例えば有限要素法などの手段を
用いて行なうことも可能であり、これを用いてもよいが
、前記のように結像特性変動のモデルとなればよいので
、より簡単な方法でも十分である。
以下にその方法の一例を示す。
まず、投影光学系の露光エリアを幾つかのブロックに分
割する。本実施例では、正方形の露光エリアを4×4の
正方形の16コのブロックに分割している。分割する数
は多いほど精密に計算できるが、数が多いと計算量が増
えるため補正に必要な数で十分である。
まず、照度センサ11で各ブロック毎の照度測定を行な
う。これは、例えば各ブロックの面積に応じて分割され
たセンサー等を用いて、各ブロックの照度を測定するか
、あるいは各ブロックが等じ面積である場合には、ブロ
ックの面積と等し大きさを持つ照度センサをステージ上
に用意して、ステージをステップすることにより各ブロ
ック毎の照度が測定できる。この分割されたブロックに
対応させてレンズエレメント21も同様なブロック分け
を行なう。これを第3図に示す。
前記の方法で測定した像面での各ブロックの照度は、レ
チクルR上での照度分布(照度の絶対値は異なるが各ブ
ロックの比はウニへ面とレチクル面とは等じ)に対応す
る。
レンズエレメント21には、第2図に示すようにレチク
ルR上の各点から発した光線は広がって通過している。
ここで、各ブロックの大きさが光線の広がりに比べ十分
大きいときは、そのまま像面の照度分布に従い、レンズ
エレメント21の各ブロックを通過していると考えてよ
い。
しかし、例えばレンズエレメント21が投影光学系7の
瞳24に近い位置にある場合には、上記の光線の広がり
は無視できないが、この場合には照度センサ11でより
細く照度分布の情報を得て光線の広がり(N、A、等)
を計算することによりレンズエレメント21での各ブロ
ックの照度を求めることができる。
以上のように、レンズエレメント21上での照度分布が
わかれば、レンズエレメント21で吸収した熱の相互の
やりとりを計算することによりレンズエレメント21で
の温度分布が求まる。以下その方法の説明を行なう。
まず、第3図で前記のように露光エリアを正方形に81
〜B16まで分割(第3図では点線で示しである)する
ここで、問題を簡単にするために各ブロックの中心点P
I”P+6に集中して熱源が存在すると仮定する。各点
P、〜P16は、それぞれ隣りあった4点と熱のやりと
り(熱伝達)をすると考える。
ここで、端部の点、例えばPlなども外部の一定温度T
。の部分と熱のやりとりをすると考える。
2点間の熱の移動量は、2点間の温度差に比例する。ま
た、各点の温度変化率は、その点の熱移動量に比例する
。各点P1〜P16の基準温度T。からの差をT1−T
16とする。
ここで、−例としてPlについての熱のやりとりは、以
下の微分方程式で表わせる。
dT。
= L2 (Tz−L)”L+s (Ts−T+)÷2
に、。(−T+ )÷kp−1゜t ・・・・・・(1) 上式中、dTI/dtは温度T1の時間微分、K12は
P l、P 2間の熱のやりとりの定数、に15はP+
、Ps間の熱のやりとりの定数、KIOはPlと外部一
定温度T0との熱のやりとりの定数、k、はB1の照度
11の光線の熱吸収に関する定数である。同様にP2で
は、以下の式となる。
dT2 =  K、+(丁、−丁雪)十に、。(丁、−丁、)十
に23 (T3−72)t ”Kzo(−Ti)”k・’ I 2  +tt m 
(2゜このようにP、〜pHlについての式を−まとめ
のマトリックス表現で表わすと次式になる。
(3)式をPJ l−に以下のように表わす。
T ltl・八T ltl ” kpl (t+   
・・・・・・(4)(4)式は、1階の微分方程式の1
6コの連立方程式である@”rlt、の値を求めるには
、1つ1つの式をよく知られている数値解法により解く
ことができる、または、(4)式を離算値系の理論によ
り漸化式に直し、より簡単に解くことも可能である。こ
れは次式となる。
Tk、l−八’TK+ kp’I、  ・・・・・・(
5)ただし、TKはサンプルタイム△tとしたときのに
回目のTのイ直である。(シ・△txk)八’ 、kp
’は次式となる。
八°−×(△t)            ・・・・・
・(6)3.・−、a t、に、 SνX(t −T 
)dr   00.− (7)(Iは単位行列) (5)式を解くことにより、レンズエレメント21内の
時間ごとの温度分布を演算することができる。しかし、
実際には前記のように焦点位置変化に対応させなければ
いけない、このため、実際のレンズエレメント21の温
度分布が問題ではなく焦点位置変化に対応したパラメー
タklo・・・・・・・・・・・・k 18111まで
を選ばなければならない。
また、本実施例では、前記のようにレンズエレメント2
2の照明光吸収による温度上昇に基く焦点位置変化も考
慮する必要がある。第2図のようにレンズエレメント2
2は全体からの光量が均一に通過するため、パターン、
露光エリアに関係なく投影レンズ系7を通過する総量 つまり、レンズエレメント22の基準温度T。
に対する平均的な温度T L22は次式で表わせる。
(8)式も、(4)式と同様に時間ごとのTL22(シ
)を求めることができる。
像面の焦点移動は、レンズエレメント21とレンズエレ
メント22との影響の合計となる。この様子を第4図に
示す。第4図は、像面の適当な断面等を模式的に示して
いる。この例は、遮光ブラインド6Aが、6八1.6八
rのように右半分を覆っている場合である。この図にお
いて、41は照射を行なう前の像面の断面を示し、42
はレンズエレメント22の照明光吸収による焦点位置の
変化による像面の断面を表わしている。これは、前記の
ように遮光ブラインドの位置によらず光軸に対称な焦点
位置変化である。断面43は、レンズエレメント21と
レンズエレメント22との両方の照明光吸収による焦点
位置変化の像面を表わしており、斜線部がレンズエレメ
ント21の照明光吸収による変化部分を示している。
この斜線部は、照明光が照射している部分が大きく変化
し、照射してしないところの変化は小さいので、前記(
4)式、(8)式のパラメータを適当に調整して第4図
のような実際の焦点位置変化に一致させればよい。(4
)式のパラメータklo・・・・・・・・・k 181
6はレンズエレメントが軸対称ということと、k lo
+ k 01のように同じ2点間を表わすパラメータは
等しいことを考慮にいれれば決定すべきパラメータの数
は2〜3コとなる。これらのパラメータは、例えば種々
の密度分布を持つレチクルパターン、遮光ブラインドの
位置等での焦点位置の時間を追った変化のデータを集積
し、最もデータに合うようなパラメータを選択する方法
により求めることができる。
以上により、投影光学系の焦点位置(及びその変化)の
予測をした結果に基き、前記の補正値を算出する。
本実施例の補正手段は、前記のようにウェハWの光軸方
向の位置に補正を行なうものであり像面湾曲を補正する
ことはできない。ここでは、現在露光を行なっている露
光エリアの中での平均的な像面へ、ウェハWの位置を合
わせる方法で補正を行なう。例えば、露光エリアが第4
図に示すブラインド位置6月、6八「の場合、平均像面
44にウェハWの位置合わせを行なう。また、例えはこ
の後すぐにブラインド位置を変え、レチクルR全面に露
光する場合には、全面照射に対応する平均的像面45に
位置合わせ(焦点合わせ)を行なう。
一方、この投影露光装置の例えばウェハホルダ8に、ウ
ェハホルダ8を光軸に垂直な平面に対して傾きを持たせ
る機能がある場合には、さらに平均的な像面46等にウ
ェハWの位置合わせを行なうとより効果的である。この
他にも、例えばレチクルRを傾けるか、投影光学系7の
レンズエレメント(レチクル側のフィールドレンズ等)
を傾ける等の方法、あるいはこれらの組合せにより同様
の効果を得ることも可能である。
このため、コントローラ10はブラインド6Aの位置を
リニア・エンコーダもしくはポテンショメータ等でモニ
ターして最適な平均像面の計算を行なう。現在のところ
像面湾曲を有効に補正する方法は実用化されていないが
、このような方法が利用できれば、前記の方法で求めた
像面湾曲を打ち消すように補正を行なうことが望ましい
本実施例においては、レンズエレメントの温度上昇と焦
点位置とが比例する場合であったが、例えばレンズエレ
メントの温度勾配と比例する場合も考えられる。この場
合も本実施例の方法により温度分布が求まれば、同様に
必要な補正量等を計算することができる。また、本実施
例では、焦点位置変化(湾曲変化)を考えたが、全く同
様に倍率変化(ディス−ジョン変化)を考えることがで
きる。この場合も、照明光の光軸に非対称なディストー
ション変化の補正は困難であるが、例えば空気室13の
圧力を調整する方法で、露光エリア内でのディストーシ
ョンを最小に押えることは可能である。
倍率変化においてもフォーカス(焦点位置)変化の時と
同様に、照明光の光軸に非対称な変化に対しては、例え
ばレチクルRを傾けるか、投影光学系7のレンズエレメ
ントを傾ける等の方法、あるいはこれらの組合せにより
ある程度補正が可能である。
また、本実施例では、マトリクス式(4)式あるいは(
5)式を計算する必要があったが、所定の精度を保証で
きる範囲であればより簡略化することも可能である0例
えば、レンズエレメントの熱分布は外部から熱が加えら
れない時に、次第にその全面で平均化されることから、
第3図のような各ブロック間の熱のやりとりを各ブロッ
クと周囲のブロックとの平均を計算することにより求め
ることができる0例として、時刻t、のブロックB、。
の温度をT、。(1)として、Δを後の温度T、。(1
+ 十Δt)を以下の式で求める。
T、・(1+◆Δt)■ 上式でα1゜は、△を間のブロックB1゜の温度減衰率
、a、bは△を間に平均化される重み係数、Ql。(t
l)はブロックBIOへの照明光によるエネルギ、β1
oはそのエネルギ一温度上昇変換係数である。(9)式
は便宜的なものであるが、(5)式に比べ単純で計算し
やすく定数法めも簡単に行なえるためより填実的である
以上の実施例においては、変動要因となるレンズエレメ
ントを、単純にレンズエレメント21、レンズエレメン
ト22の2つと考えている。しかし、現実においてはど
のレンズエレメントが結像特性と対応しているかが問題
ではなく、結像特性の変動が説明できるモデルが作成で
きればよいので、種々の観測によって成分分離が可能な
数のレンズエレメントを想定すればよく、その数はせい
ぜい2〜3個と考えられる。
[発明の効果] 以上説明した様に本発明によれば、マスクのパターン密
度分布もしくは露光領域を制限により露光領域の一部の
みが照明される場合等、照射強度分布により照明光吸収
による結像特性の一様でない変化を、各分割された像面
に対応した照度分布を考慮に入れて計算することにより
、正確に求めることができる。
このため、投影光学装置の稲々の使用状態に応じた結像
特性変化に対応する最適な結像特性補正を行なえるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る縮小型投影露光装置の
構成図、第2図は同じく投影光学系内部の照明光の光路
を示す模式図、第3図は第2図のレンズエレメント21
の平面図、第4図は投影光学系の照明光吸収による像面
の変化を模式的に示した図である。 [主要部分の符号の説明] R・・・レチクル、W・・・ウェハ、AX・・・照明光
の光釉、6A・・・遮光ブラインド、7・・・投影レン
ズ系、8・・・ウェハホルダ、9X、Y・・・ステージ
、10・・・コントローラ、11・・・照度センサ、1
2・・・圧力調節器、13・・・空気室、14・・・投
光器、15・・・受光器(ウェハ位置検出器)、16・
・・ステージ等の駆動系、 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  所定のパターンが形成された投影対象を所定の照射手
    段により照明し、このパターンの像を投影光学系を介し
    て被投影基板上に投影する投影光学装置において、 前記投影光学系の像面を複数に分割し、各分割部の照度
    を測定して前記照射手段の照明光の照度分布を測定する
    照度分布測定手段と、 前記照射手段の照射領域の変化、若しくは前記投影対象
    のパターン密度分布に起因した結像特性の変動を、前記
    照度分布測定結果に基く演算により求める結像特性演算
    手段と、 前記結像手段演算結果に基いて、前記投影光学系の結像
    特性の補正を行う結像特性補正手段とを備えたことを特
    徴とする投影光学装置。
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