JP2009259870A - 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記ウエハと同一形状を有して互いに異なる反射率を有する複数のダミーウエハから前記投影光学系の像面近傍に配置すべきダミーウエハを選択する選択部と、前記選択部によって選択されたダミーウエハを前記投影光学系の像面近傍に配置する搬送部と、前記搬送部によって前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハに、前記投影光学系を介して光を照射してダミー露光を行うように制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】図1
Description
ある時間における投影光学系108の収差量をΔFkとすると、ある時間から時間Δtだけ露光を行った後の投影光学系108の収差量ΔFk+1は、飽和量F1及び立ち上がり時の時定数TS1を用いて、以下の式2で表されるモデル式で近似される。
同様に、ある時間における投影光学系108の収差量をΔFkとすると、ある時間から時間Δtだけ露光を停止した後の投影光学系108の収差量ΔFk+1は、立ち下がり時の時定数TS2を用いて、以下の式3で表されるモデル式で近似される。
なお、時定数TS1及びTS2は、投影光学系108の熱伝達特性における時定数と等価であって、投影光学系108に固有の係数(補正係数)である。
102 光源
104 照明光学系
104a 開口絞り
104b ハーフミラー
104c フォトセンサ
106 レチクル
108 投影光学系
108a 開口絞り
110 ウエハ
112 ウエハステージ
112a 反射ミラー
114 干渉計
116 フォーカス検出部
118 収納部
120 ダミーウエハ
120a 基板
120b 光学薄膜
122 搬送部
124 光源制御
126 照明制御部
128 投影制御部
130 ステージ制御部
132 主制御部
Claims (11)
- レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記ウエハと同一形状を有して互いに異なる反射率を有する複数のダミーウエハから前記投影光学系の像面近傍に配置すべきダミーウエハを選択する選択部と、
前記選択部によって選択されたダミーウエハを前記投影光学系の像面近傍に配置する搬送部と、
前記搬送部によって前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハに、前記投影光学系を介して光を照射してダミー露光を行うように制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記選択部は、前記投影光学系の光学特性の変動を測定するためのダミー露光を行う場合には、前記複数のダミーウエハから前記ウエハの反射率に最も近い反射率を有するダミーウエハを選択することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の光学特性は、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差、球面収差及びコマ収差のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記選択部は、前記投影光学系の透過率を安定させるためのダミー露光を行う場合には、前記複数のダミーウエハから最も高い反射率を有するダミーウエハを選択することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハの反射率の変化が許容範囲であるかどうかを判定する判定部を更に有し、
前記判定部によって前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハの反射率の変化が許容範囲ではないと判定された場合には、前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハを交換することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハに照射された光のエネルギー量が許容範囲であるかどうかを判定する判定部を更に有し、
前記判定部によって前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハに照射された光のエネルギー量が許容範囲ではないと判定された場合には、前記投影光学系の像面近傍に配置されたダミーウエハを交換することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記複数のダミーウエハを収納する収納部を更に有することを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- 複数のダミーウエハは、同一の反射率を有するダミーウエハ群を含むことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系を備える露光装置における前記投影光学系の光学特性の変動を測定する測定方法であって、
前記ウエハと同一形状を有して互いに異なる反射率を有する複数のダミーウエハから前記ウエハの反射率に最も近い反射率を有するダミーウエハを前記投影光学系の像面近傍に配置する配置ステップと、
前記配置ステップで配置されたダミーウエハに、前記投影光学系を介して光を照射して、前記投影光学系の光学特性の変動を測定する測定ステップと、
を有することを特徴とする測定方法。 - レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系を備える露光装置における前記投影光学系の透過率を安定させる安定化方法であって、
前記ウエハと同一形状を有して互いに異なる反射率を有する複数のダミーウエハから最も高い反射率を有するダミーウエハを前記投影光学系の像面近傍に配置する配置ステップと、
前記投影光学系の透過率が飽和するまで、前記投影光学系を介して前記配置ステップで配置されたダミーウエハに光を照射する照射ステップと、
を有することを特徴とする安定化方法。 - 請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いてウエハを露光するステップと、
露光された前記ウエハを現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104030A JP5094517B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
US12/416,610 US7961295B2 (en) | 2008-04-11 | 2009-04-01 | Exposure apparatus, measurement method, stabilization method, and device fabrication method |
TW98111691A TWI403862B (zh) | 2008-04-11 | 2009-04-08 | 曝光設備、測量方法、安定化方法及裝置製造方法 |
US13/102,739 US9229312B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-05-06 | Exposure apparatus, measurement method, stabilization method, and device fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104030A JP5094517B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009259870A true JP2009259870A (ja) | 2009-11-05 |
JP5094517B2 JP5094517B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=41163717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008104030A Expired - Fee Related JP5094517B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7961295B2 (ja) |
JP (1) | JP5094517B2 (ja) |
TW (1) | TWI403862B (ja) |
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-
2008
- 2008-04-11 JP JP2008104030A patent/JP5094517B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-01 US US12/416,610 patent/US7961295B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-08 TW TW98111691A patent/TWI403862B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2011-05-06 US US13/102,739 patent/US9229312B2/en not_active Expired - Fee Related
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US20090257035A1 (en) | 2009-10-15 |
US7961295B2 (en) | 2011-06-14 |
US9229312B2 (en) | 2016-01-05 |
JP5094517B2 (ja) | 2012-12-12 |
TWI403862B (zh) | 2013-08-01 |
TW201007365A (en) | 2010-02-16 |
US20110212394A1 (en) | 2011-09-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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