CN116075683A - 周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质 - Google Patents

周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质 Download PDF

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Abstract

本公开说明能够高精确地处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。周缘处理装置包括：拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；第一计算部，以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置；第二计算部，基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像，计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置；设定部，基于处理基片的理论上的周缘位置，设定基片的周缘部的处理参数；和处理部，基于处理参数，处理基片的周缘部。

Description

周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质
技术领域
本公开涉及周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。
背景技术
专利文献1公开了一种周缘曝光装置。该周缘曝光装置执行以下处理：一边使基片旋转一次，一边检测基片的周缘位置的位移；以及一边使基片旋转，并且根据该位移使基片沿径向方向移动，一边使在基片表面形成的抗蚀剂膜的周缘部分曝光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平4-072614号公报
发明内容
本发明要解决的问题
本公开说明能够以良好的精度处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。
用于解决问题的手段
周缘处理装置的一例包括：拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；第一计算部，以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置；第二计算部，基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像，计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置；设定部，基于处理基片的理论上的周缘位置，设定基片的周缘部的处理参数；和处理部，基于处理参数，处理基片的周缘部。
发明效果
根据本公开的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质，能够以良好的精度处理被膜的周缘部分。
附图说明
图1是表示基片处理系统的一例的立体图。
图2是示意性地表示图1的基片处理系统的内部的侧视图。
图3是示意性地表示液处理单元的一例的侧视图。
图4是示意性地表示检查单元的一例的俯视图。
图5是示意性地表示图4的检查单元的侧视图。
图6是示意性地表示周缘曝光单元的一例的侧视图。
图7是示意性地表示曝光子单元的一例的立体图。
图8是示意性地表示偏心检测子单元的一例的侧视图。
图9是表示基片处理系统的主要部分的一例的框图。
图10(a)是表示在基准基片的表面形成的参照标记的一例的示意图，图10(b)是表示基准基片的周缘部的拍摄图像的一例的示意图。
图11是表示形成有被膜的处理基片的周缘部的拍摄图像的一例的示意图。
图12(a)是表示基片的周缘附近的放大图，图12(b)是表示被膜的周缘部分的处理宽度的指定值与处理液实际处理的被膜的周缘部分的处理宽度的对应关系的一例的曲线图。
图13是用于说明基片的周缘相对于偏心检测子单元的光轴偏移大的状态的一例的图。
图14是表示控制器的硬件构成的一例的概要图。
图15是用于说明使用了基准基片的准备处理的一例的流程图。
图16是用于说明处理基片中的下层膜的周缘处理的一例的流程图。
图17是用于说明处理基片中的抗蚀剂膜的周缘处理的一例的流程图。
图18(a)～图18(c)是用于说明在基片尺寸不均匀的情况下，以基片的周缘为基准的被膜的周缘处理的一例的图。图18(d)～图18(f)是用于说明在基片的尺寸不均匀的情况下，以基片的中心为基准的被膜的周缘处理的一例的图。
图19是用于说明掩模的偏心角的校正处理的概要图。
具体实施方式
在以下说明中，对于同一要素或具有同一功能的要素使用同一符号，省略重复的说明。
[基片处理系统]
首先，参照图1和图2说明基片处理系统1的构成。基片处理系统1包括涂覆显影装置2(周缘处理装置)、曝光装置3、控制器Ctr和操作部7。
曝光装置3构成为在与涂覆显影装置2之间交换基片W，对形成于基片W(基准基片、处理基片)的表面Wa(参照图3)的抗蚀剂膜进行曝光处理(图案曝光)。曝光装置3例如可以通过浸液曝光等方法，选择性地向抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量束。
涂覆显影装置2构成为在曝光装置3进行曝光处理之前，在基片W的表面Wa形成抗蚀剂膜R2(参照图3)等被膜(覆膜)R。涂覆显影装置2构成为在曝光处理后对抗蚀剂膜R2进行显影处理。
基片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。基片W可以具有切除了一部分的切除部。切除部例如可以是凹口(U字形、V字形等的槽)，也可以是直线状延伸的直线部(所谓的定向平面)。基片W例如可以是半导体基片(硅晶圆)、玻璃基片、掩模基片、FPD(平板显示器)基片、其他各种基片。基片W的直径例如可以是200mm～450mm左右。基片W包括成为后续基片处理的基准的基准基片W0的拍摄图像和成为实际处理对象的处理基片W1。
如图1和图2所示，涂覆显影装置2包括承载块4、处理块5和接口块6。承载块4、处理块5和接口块6可以例如在水平方向上排成一行。
承载块4包括承载站12和搬入搬出部13。承载站12以可装卸的方式支承多个载具11(收容容器)。载具11构成为以密封状态收容至少一个基片W(参照图2)。载具11包括用于使基片W出入的开闭门。
搬入搬出部13位于承载站12与处理块5之间。搬入搬出部13包括多个开闭门。在载具11被载置在承载站12上的状态下，通过载具11的开闭门和搬入搬出部13的开闭门都打开，使载具11内与搬入搬出部13内连通。如图2和图3所示，搬入搬出部13内置有搬送臂A1。搬送臂A1构成为从载具11取出基片W，将其递送到处理块5，从处理块5接收基片W，将其返回到载具11内。
如图2所示，处理块5包括处理模块PM1～PM3。
处理模块PM1构成为在基片W的表面Wa上形成下层膜R1(被膜)(参照图3)。处理模块PM1包括液处理单元U11、热处理单元U12、检查单元U13和构成为向它们搬送基片W的搬送臂A11。液处理单元U11例如可以构成为将下层膜形成用涂覆液涂覆于基片W。热处理单元U12例如可以构成为进行用于使液处理单元U11在基片W形成的涂覆膜固化而成为下层膜R1的热处理。作为下层膜，例如可以举出抗反射(SiARC)膜、SOG(旋涂玻璃)膜、SOC(旋涂碳)膜、非晶碳膜等。检查单元U13例如可以构成为检查形成有下层膜R1的基片W的各面(表面Wa、端面Wb、周缘部Wc(参照图3等))。
处理模块PM2构成为在下层膜R1上形成抗蚀剂膜R2。处理模块PM2包括液处理单元U21、热处理单元U22、检查单元U23、周缘曝光单元U24(处理部)和构成为向它们搬送基片W的搬送臂A12。液处理单元U21例如可以构成为将抗蚀剂膜形成用的涂覆液涂覆于基片W。热处理单元U22例如可以构成为进行用于使液处理单元U21在基片W形成的涂覆膜固化而成为抗蚀剂膜R2的加热处理(PAB：预施加烘焙)。检查单元U23例如可以构成为检查形成有抗蚀剂膜R2的基片W的各面(表面Wa、端面Wb、周缘部Wc(参照图3等))。周缘曝光单元U24可以构成为对抗蚀剂膜R2中的形成在基片W的周缘部分Wc的部分进行曝光。
处理模块PM3构成为对曝光后的抗蚀剂膜R2进行显影。处理模块PM3包括液处理单元U31、热处理单元U32、检查单元U33和构成为向它们搬送基片W的搬送臂A13。液处理单元U31例如可以构成为部分地去除抗蚀剂膜R2，形成抗蚀剂图案(未图示)。热处理单元U32例如可以构成为进行显影前的加热处理(PEB：曝光后烘焙)、显影处理后的加热处理(PB：后烘焙)等。检查单元U33例如可以构成为检查形成有抗蚀剂图案的基片W的各面(表面Wa、端面Wb、周缘部Wc(参照图3等))。
如图2所示，处理块5包括位于承载块4附近的搁板单元14和位于接口块6附近的搁板单元15。搁板单元14构成为调节搬入搬出部13与处理模块PM1～PM3之间的基片W的交接。搁板单元15构成为调节处理模块PM1～PM3与接口块6之间的基片W的交接。
接口块6内置有搬送臂A2，并且被配置在处理块5与曝光装置3之间。搬送臂A2构成为从搁板单元15取出基片W，将其递送到曝光装置3，从曝光装置3接收基片W，将其返回到搁板单元15。
控制器Ctr构成为部分地或整体地控制涂覆显影装置2。稍后描述控制器Ctr的细节。控制器Ctr可以构成为与曝光装置3的控制器之间收发信号，通过与曝光装置3的控制器协作，整体控制基片处理系统1。
操作部7是接受操作者(工作人员)的操作的输入装置。操作部7例如可以包括鼠标、键盘和显示操作用的操作画面的显示器。操作部7的各要素以能够通信的方式与控制器Ctr连接。操作部7和控制器Ctr可以构成一个计算机装置。操作部7将表示操作者的操作内容的输入信息输出到控制器Ctr。
[液处理单元]
接下来，参照图3更详细地说明液处理单元U11、U21、U31(处理部)。由于它们的构成是相同的，因此以下有时将它们统称为“液处理单元U1”。液处理单元U1包括旋转保持部20(保持部)、液供给部30和液供给部40(供给部)。
旋转保持部20包括旋转部21、轴22和保持部23。旋转部21基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，使轴22旋转。旋转部21例如可以是电动马达等动力源。保持部23设置在轴22的前端部。在保持部23上可以载置基片W。保持部23构成为例如通过吸附等大致水平地保持基片W。即，旋转保持部20在基片W的姿势为大致水平的状态下，使基片W围绕相对于基片W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。在图3所示的例子中，旋转保持部20以从上方看为逆时针旋转的方式，使基片W以规定转速旋转。
液供给部30构成为向基片W的表面Wa供给处理液L1。在处理模块PM1中，处理液L1是用于形成下层膜R1的涂覆液。在处理模块PM2中，处理液L1是用于形成抗蚀剂膜R2的抗蚀剂液。在处理模块PM3中，处理液L1是显影液。另外，含有抗蚀剂液的抗蚀剂材料可以是正性抗蚀剂材料，也可以是负性抗蚀剂材料。正性抗蚀剂材料是图案曝光部溶解而图案未曝光部(遮光部)残留的抗蚀剂材料。负性抗蚀剂材料是图案未曝光部(遮光部)溶解而图案曝光部残留的抗蚀剂材料。
液供给部30包括液源31、泵32、阀门33、喷嘴34、配管35和驱动机构36。液源31用作处理液L1的供给源。泵32基于来自控制器10的动作信号进行动作，从液源31吸入处理液L1，经由配管35和阀门33送出到喷嘴34。
喷嘴34以吐出口面向基片W的表面Wa的方式配置在基片W的上方。喷嘴34构成为向基片W的表面Wa吐出从泵32送出的处理液L1。配管35从上游侧依次连接液源31、泵32、阀门33和喷嘴34。驱动机构36构成为基于来自控制器Ctr的信号进行动作，使喷嘴34沿水平方向和上下方向移动。
液供给部40构成为向基片W的表面Wa供给处理液L2。在处理模块PM1中，处理液L2是用于去除下层膜R1的周缘部分的药液(例如，有机溶剂)。在处理模块PM2中，处理液L2是用于去除抗蚀剂膜R2的周缘部分的药液(例如，有机溶剂、显影液)。在处理模块PM3中，处理液L2是冲洗液。
液供给部40包括液源41、泵42、阀门43、喷嘴44、配管45和驱动机构46。液源41用作处理液L2的供给源。泵42从液源41吸入处理液L2，经由配管45和阀门43送出到喷嘴44。
喷嘴44以吐出口面向基片W的表面Wa的方式配置在基片W的上方。喷嘴44能够向基片W的表面Wa吐出将从泵42送出的处理液L2。配管45从上游侧依次连接液源41、泵42、阀门43和喷嘴44。驱动机构46构成为基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，使喷嘴44沿水平方向和上下方向移动。
驱动机构46例如从上方看，可以使喷嘴44沿着保持部23大致水平地保持的基片W的径向方向移动。在这种情况下，在基片W的径向方向上，处理液L2的着液位置变化。即，处理液L2导致的被膜的周缘部的去除宽度变化。其结果是，去除了周缘部后的被膜的边缘位置变化。
[检查单元]
接下来，参照图4和图5更详细地说明检查单元U13、U23和U33(拍摄部)。由于它们的构成是相同的，因此以下有时将它们统称为“检查单元U3”。检查单元U3包括壳体50、旋转保持子单元60、表面拍摄子单元70和周缘拍摄子单元80。这些子单元配置在壳体50内。在壳体50的一端壁形成有搬入搬出口51，用以将基片W搬入到壳体50的内部以及将基片W搬出到壳体50的外部。
旋转保持子单元60包括保持台61、驱动机构62、63和导轨64。保持台61例如是通过吸附等大致水平地保持基片W的吸附盘。
驱动机构62例如是电动马达，旋转驱动保持台61。即，驱动机构62使保持台61保持的基片W旋转。驱动机构62可以包括用于检测保持台61的旋转位置(旋转角度)的编码器。在这种情况下，能够将表面拍摄子单元70和周缘拍摄子单元80对基片W的拍摄位置与基片W的旋转位置对应起来。在基片W包含切除部的情况下，能够基于表面拍摄子单元70和周缘拍摄子单元80辨别出的该切除部和编码器检测出的旋转位置来确定基片W的姿势。
驱动机构63例如是线性致动器，使保持台61沿着导轨64移动。即，驱动机构63在导轨64的一端侧与另一端侧之间搬送保持台61保持的基片W。因此，保持台61保持的基片W能够在靠近搬入搬出口51的第一位置与靠近周缘拍摄子单元80的第二位置之间移动。导轨64在壳体50内线状地(例如，直线状地)延伸。
表面拍摄子单元70包括相机71和照明模块72。相机71包括镜头和一个拍摄元件(例如，CCD图像传感器、CMOS图像传感器等)。相机71在水平方向与照明模块72对置。即，相机71和照明模块72沿着水平方向排列。相机71和照明模块72可以沿着导轨64的延伸方向排列。
照明模块72包括半反射镜73和光源74。半反射镜73以相对于水平方向倾斜大约45°的状态配置在壳体50内。半反射镜73位于导轨64的中间部的上方。半反射镜73呈矩形状，从上方看，以与导轨64的延伸方向交叉的方式延伸。半反射镜73的长度设定得比基片W的直径大。
光源74位于半反射镜73的上方。从光源74出射的光整体通过半反射镜73，向下方(导轨64侧)照射。通过半反射镜73的光被位于半反射镜73下方的物体反射后，再次被半反射镜73反射，通过相机71的镜头，入射到相机71的拍摄元件。即，相机71能够经由半反射镜73拍摄存在于光源74的照射区域的物体。例如，当保持基片W的保持台61通过驱动机构63沿着导轨64移动时，相机71能够拍摄通过光源74的照射区域的基片W的表面Wa。相机71拍摄的拍摄图像数据被发送到控制器Ctr。
周缘拍摄子单元80包括相机81、照明模块82和反射镜部件83。相机81包括镜头和一个拍摄元件(例如，CCD图像传感器、CMOS图像传感器等)。相机81在水平方向与照明模块82对置。即，相机81和照明模块82沿着水平方向排列。
照明模块82配置在保持台61保持的基片W的上方。照明模块82包括光源84和半反射镜85。如图5所示，半反射镜85以相对于水平方向倾斜大约45°的状态配置。如图4和图5所示，反射镜部件83配置在照明模块82的下方。反射镜部件83包括由铝块构成的本体和反射面。
在保持台61保持的基片W处于第二位置的情况下，反射镜部件83的反射面与保持台61保持的基片W的端面Wb和背面侧的周缘部Wc对置。反射镜部件83的反射面相对于保持台61的旋转轴倾斜。对反射镜部件83的反射面实施镜面加工。例如，在反射面可以贴附反射镜片，可以实施镀铝，可以蒸镀铝材料。该反射面是向保持台61保持的基片W的径向方向外侧凹陷的弯曲面。
在照明模块82中，从光源84出射的光整体通过半反射镜85，向下方照射。通过半反射镜85的光的一部分在基片W的表面Wa侧的周缘部Wc反射。该反射光不面向反射镜部件83的反射面，而是进一步被半反射镜85反射后，入射到相机81的拍摄元件。
另一方面，通过半反射镜85的光的另一部分被位于半反射镜85下方的反射镜部件83的反射面反射。在保持台61保持的基片W处于第二位置的情况下，由反射镜部件83的反射面反射的反射光主要被基片W的端面Wb反射。该反射光依次被反射镜部件83的反射面和半反射镜85反射，入射到相机81的拍摄元件。
这样，来自基片W的周缘部Wd的反射光和来自基片W的端面Wb的反射光经由彼此不同的光路入射到相机81的拍摄元件。即，在保持台61保持的基片W处于第二位置的情况下，相机81构成为对基片W的表面Wa的周缘部Wc和基片W的端面Wb两者进行拍摄，生成表面Wa的周缘部Wc的拍摄图像和端面Wb的拍摄图像。由相机81拍摄的拍摄图像数据被发送到控制器Ctr。
[周缘曝光单元]
接下来，参照图6～图8更详细地说明周缘曝光单元U24。如图6所示，周缘曝光单元U24包括壳体90、旋转保持子单元100(保持部)、曝光子单元110(周缘曝光部)、偏心检测子单元120(检测部)。这些子单元配置在壳体90内。在壳体90的一端壁形成有搬入搬出口91，用以将基片W搬入到壳体90的内部，以及将基片W搬出到壳体90的外部。
如图6～图8所示，旋转保持子单元100包括保持台101、驱动机构102,103以及导轨104。保持台101例如是通过吸附等大致水平地保持基片W的吸附盘。
驱动机构102例如是电动马达，旋转驱动保持台101。即，驱动机构102使保持台101保持的基片W旋转。驱动机构102可以包括用于检测保持台101的旋转位置的编码器。在这种情况下，能够将曝光子单元110对基片W的曝光位置和偏心检测子单元120对基片W的检测位置与基片W的旋转位置对应起来。
驱动机构103例如是线性致动器，使保持台101沿着导轨104移动。即，驱动机构103在导轨104的一端侧与另一端侧之间搬送保持台101保持的基片W。因此，保持台101保持的基片W能够在靠近搬入搬出口91的第一位置与靠近曝光子单元110的第二位置之间移动。导轨104在壳体90内线状地(例如，直线状地)延伸。
如图6和图7所示，曝光子单元110位于旋转保持子单元100的上方。如图7所示，曝光子单元110包括光源111、光学系统112、掩模113和驱动机构114。光源111向下方(保持台701侧)照射包含能够使抗蚀剂膜R2曝光的波长成分的能量线(例如，紫外线)。光源111例如可以是超高压UV灯、高压UV灯、低压UV灯、准分子灯等。
光学系统112位于光源111的下方。光学系统112由至少一个透镜构成。光学系统112将来自光源111的光变换成大致平行光，照射到掩模113。掩模113位于光学系统112的下方。在掩模113形成有用于调节曝光面积的开口113a。来自光学系统112的平行光通过开口113a，照射到保持台101保持的基片W的表面Wa中的周缘部Wc。另外，当在液处理单元U31中对周缘部分被曝光的抗蚀剂膜R2供给显影液时，周缘部分被去除。
驱动机构114与掩模113连接。驱动机构114构成为基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，使掩模113在水平方向(例如，从上方看为基片W的径向方向)移动。通过由驱动机构114水平移动掩模113，对基片W的周缘部Wc的曝光宽度变化。
如图8所示，偏心检测子单元120包括投光器121、光学系统122和受光器123。在保持台101保持的基片W处于靠近曝光子单元110的第二位置的状态下，偏心检测子单元120可以配置在基片W的周缘部Wc附近。例如，投光器121、光学系统122、基片W的周缘部Wc和受光器123在上下方向按该顺序排列，使得保持台101保持的基片W的周缘部Wc位于投光器121和光学系统122与受光器123之间。
投光器121构成为向光学系统122和受光器123出射光。光学系统122由至少一个透镜构成。光学系统122将来自投光器121的光变换成大致平行光，照射到受光器123。受光器123例如是CCD图像传感器，构成为将受光状况输出到控制器Ctr。当基片W的周缘部Wc位于投光器121和光学系统122与受光器123之间时，由于来自投光器121的光被遮挡，控制器Ctr能够基于遮光的位置，检测出基片W的周缘位置。另外，偏心检测子单元120中的从受光器123到基片W的光路长度(拍摄距离)可以设定得比表面拍摄子单元70中的从相机71到基片W的光路长度(拍摄距离)短。
偏心检测子单元120例如可以在圆周方向上从基准位置(例如，切除部的位置)起角度每变化1°的360个测量位置，检测基片W的周缘位置。在基片W相对于保持台101偏心载置的情况下，当通过旋转保持子单元100旋转一次基片时，基片W的周缘位置变动。因此，控制器Ctr能够基于基片W的周缘位置的变动，计算基片W相对于保持台101的偏心量。
[控制器的功能]
如图9所示，控制器Ctr包括读取部M1、存储部M2、第一计算部M3、第二计算部M4和第三计算部M5作为功能模块。如图9所示，控制器Ctr包括宽度计算部M6、设定部M7、动作控制部M8、偏心量计算部M9、第一调节部M10和第二调节部M11作为功能模块。这些功能模块只是为了方便将控制器Ctr的功能划分成多个模块，并不一定意味着构成控制器Ctr的硬件都划分成这样的模块。各功能模块不限于通过程序的执行来实现，可以通过专用电路(例如，逻辑电路)或将其集成的集成电路(ASIC：专用集成电路)来实现。
读取部M1构成为从计算机可读记录介质RM读取程序。记录介质RM记录有用于使基片处理系统1内的各部分动作的程序。作为记录介质RM，例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘或磁光记录盘。
存储部M2构成为存储各种数据。存储部M2例如存储读取部M1从记录介质RM读出的程序、处理基片R的周缘部分时的各种数据等。存储部M2例如存储经由操作部7从操作者输入的输入信息、从检查单元U3得到的各种拍摄图像的数据、偏心检测子单元120检测出的基片W的周缘位置的数据等。从检查单元U3得到的各种拍摄图像包括基准基片W0的拍摄图像和处理基片W1的拍摄图像。
第一计算部M3构成为计算基准基片W0的理论上的周缘位置Er1(参照图10(a)所示的虚线。以下，有时简单地称为“周缘位置Er1”)。这里，“理论上的周缘位置”不同于基片W的实际的周缘位置，是指基于基片W的半径的设计尺寸d1的理论上的周缘的位置。基片W的半径的设计尺寸d1例如可以是150mm。基片W的实际的周缘位置例如因基片W自身的个体差异、基片W的周缘部Wc的加工时产生的误差等，存在与设计尺寸d1不同的情况。因此，在一个基片W的实际的周缘位置和另一基片W的实际的周缘位置会产生偏差。与此相对，理论上的周缘位置是不受这样的偏差的影响的假想位置。
第一计算部M3构成为以基准基片W0的中心为基准，计算基准基片W0的拍摄图像中的周缘位置Er1。周缘位置Er1例如由自图像数据的原点O的像素(pixel)的坐标表示。在基准基片W0的表面可以形成有参照标记RP(例如，图案、刻度、戳口等)(参照图10(a))，作为用于识别自基准基片W0的中心的距离的要素。从基准基片W0的中心到基准标记RP的距离d2[mm]被预先测量，是已知的。
作为一例，第一计算部M3可以构成为执行计算基准基片W0的拍摄图像中的参照标记RP的位置T1(像素的坐标)(参照图10(b))的第一处理。第一计算部M3可以构成为执行计算基片W的半径的设计尺寸d1与参照标记RP的实际位置(距离d2)之间的差，作为基准基片W0的拍摄图像中的大小T2(参照图10(b))的第二处理。第一计算部M3可以构成为执行基于位置T1和大小T2，计算基准基片W0的拍摄图像中的周缘位置Er1的第三处理。第一计算部M3将周缘位置Er1的计算结果输出到第二计算部M4。
第二计算部M4构成为基于周缘位置Er1和处理基片W1的拍摄图像，计算处理基片W1的理论上的周缘位置Er2(参照图11所示的虚线。以下，有时简单地称为“周缘位置Er2”)。第二计算部M4构成为计算处理基片W1的拍摄图像中的周缘位置Er2。
作为一例，第二计算部M4可以构成为执行基于处理基片W1的拍摄图像，计算处理基片W1的实际的周缘位置Ew(参照图11。以下，有时简单地称为“周缘位置Ew”)的第四处理。第二计算部M4可以构成为执行基于周缘位置Ew，计算处理基片W1的偏心状态的第五处理。在第五处理中，作为该偏心状态，可以计算处理基片W1的偏心量A和偏心角α。第二计算部M4可以构成为执行考虑处理基片W1的偏心状态，计算周缘位置Er2的第六处理。周缘位置Er2和Ew例如由自图像数据的原点O的像素(pixel)的坐标表示。第二计算部M4将周缘位置Ew的计算结果输出到宽度计算部M6。第二计算部M4将偏心量A输出到第一调节部M10。
第三计算部M5构成为基于处理基片W1的拍摄图像，计算在处理基片W1的表面Wa形成的被膜(下层膜R1、抗蚀剂膜R2等)的边缘位置Wf(参照图11。以下，有时简单地称为“边缘位置Wf”)。第三计算部M5构成为计算处理基片W1的拍摄图像中的边缘位置Wf。
作为一例，第三计算部M5可以构成为利用处理基片W1的拍摄图像的明暗差(对比度)，计算该拍摄图像上的边缘位置Wf。第三计算部M5可以在沿着基片W的圆周方向排列的多个测量位置，分别计算边缘位置Wf。例如，第三计算部M5可以在圆周方向自基准位置(例如，切除部的位置)起角度每变化1°的360个测量位置，计算边缘位置Wf。第三计算部M5可以使用存储部M2存储的检查方案，基于处理基片W1的拍摄图像来计算边缘位置Wf。第三计算部M5将边缘位置Wf的计算结果输出到宽度计算部M6。
宽度计算部M6构成为基于周缘位置Er2与边缘位置Wf之间的差量，计算处理基片W1的理论上的周缘与被膜R的边缘之间的宽度T3(差值)。宽度计算部M6可以构成为根据拍摄图像中的周缘位置Er2与边缘位置Wf之间的间隔(像素数)，计算宽度T3。宽度计算部M6可以通过将宽度T3乘以每像素的大小μ[mm/像素]，计算被膜R的周缘部分的去除宽度Wcut[mm]。宽度计算部M6将计算出的去除宽度Wcut输出到设定部M7。
另外，在液处理单元U11、U21中去除下层膜R1或抗蚀剂膜R2的周缘部分的情况下，宽度计算部M6计算出的去除宽度Wcut是下层膜R1或抗蚀剂膜R2被处理液L2去除后的大小。在周缘曝光单元U24和液处理单元U31中去除抗蚀剂膜R2的周缘部分的情况下，宽度计算部M6计算出的去除宽度Wcut是抗蚀剂膜R2的周缘部分通过周缘曝光和显影而去除后的大小。
设定部M7构成为基于周缘位置Er2，设定基片W的周缘部Wc的处理参数。处理参数可以包括例如喷嘴44在基片W的径向方向上的水平位置、喷嘴44距基片W的高度位置等。处理参数可以包括例如喷嘴44相对于基片W的角度、从喷嘴44供给的处理液L2的吐出流量(供给量)、掩模113在基片W的径向方向上的水平位置等。设定部M7可以将设定的处理参数输出到动作控制部M8。设定部M7在设定了新处理参数的情况下，可以将新处理参数存储在存储部M2中，覆盖以前的处理参数。
作为一例，设定部M7可以构成为基于从宽度计算部M6输出的去除宽度Wcut，设定处理参数。作为一例，设定部M7可以构成为通过比较去除宽度Wcut与存储部M2所存储的规定目标值(例如，去除宽度的目标值)，设定处理参数。例如，设定部M7可以设定各种处理参数，使得在下一个处理的基片W中，去除宽度Wcut与目标值之间的差变小。
在去除宽度Wcut超过目标值的情况下(在去除宽度Wcut大于目标值的情况下)，在后续的基片W的处理时，例如，可以将喷嘴44的水平位置设定在径向方向外侧，可以将喷嘴44的高度位置设定得高。在去除宽度Wcut超过目标值的情况下，在后续的基片W的处理时，例如，可以将喷嘴44的角度设定得小，使得喷嘴44的前端朝向径向方向外侧，可以将来自喷嘴44的处理液L2的吐出流量设定得小。在去除宽度Wcut超过目标值的情况下，在后续的基片W的处理时，例如，可以将掩模113的水平位置设定在径向方向外侧。
在去除宽度Wcut低于目标值的情况下(在去除宽度Wcut小于目标值的情况下)，在后续的基片W的处理时，例如，可以将喷嘴44的水平位置设定在径向方向内侧，可以将喷嘴44的高度位置设定得低。在去除宽度Wcut低于目标值的情况下，在后续的基片W的处理时，例如，可以设定喷嘴44的角度，使得该角度相对于基片W的表面Wa接近90°，可以将来自喷嘴44的处理液L2的吐出流量设定得大。在去除宽度Wcut低于目标值的情况下，在后续的基片W的处理时，例如，可以将掩模113的水平位置设定在径向方向内侧。
另外，如图12(a)所示，根据基片W的规格，存在基片W的周缘附近被倒角的情况。因此，当向该倒角部Wcf供给处理液L2时，处理液L2容易从基片W的表面Wa排出，有可能不促进处理液L2对被膜R的周缘部分的处理。另外，倒角部Wcf的水平方向的大小根据基片W会不同。
图12(b)表示在倒角部Wcf的水平方向的大小为0.3mm左右的情况下，处理液L2对被膜R的周缘部分的处理宽度的指定值Tg(目标值)与被膜R的周缘部分的实际的处理宽度的对应关系的图。另外，这里所说的处理宽度是指距基片W的理论上的周缘位置的宽度。根据图12(b)，使指定值Tg分别变化为0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.5mm，用处理液L2处理被膜R的周缘部分后，实际的处理宽度为约0.67mm、约0.8mm、约0.91mm、约1.0mm和约1.50mm。即，在指定值Tg为0.8mm以上的情况下，实际的处理宽度也为与指定值Tg大致相同的值，但在指定值Tg未满0.8mm的情况洗，实际的处理宽度变为小于指定值Tg。换句话说，在指定值Tg未满0.8mm的情况下，指定值Tg与实际的处理宽度之间产生较大偏离。
因此，在指定值Tg小于规定阈值Th1(例如，0.8mm)的情况下，设定部M7可以构成为根据上述偏离量，校正来自喷嘴44的处理液L2的供给条件。指定值Tg和阈值Th1(第二阈值)可以存储在存储部M2中，可以是例如操作者通过操作部7等输入的值。另外，可以通过用多个指定值Tg(包括阈值Th1以上的值和未满阈值Th1的值)处理被膜R的周缘部分来预先计算偏离量，将得到的偏离量存储在存储部M2中。
例如，在指定值Tg小于阈值Th1的情况下，设定部M7可以根据偏离量校正喷嘴44的水平位置，使得处理液L2向基片W的着液位置为基片W的中心侧，将校正后的喷嘴44的水平位置设定作为新处理参数。在指定值Tg小于阈值Th1的情况下，设定部M7可以根据偏离量校正喷嘴44的高度位置，使得喷嘴44接近基片W，将校正后的喷嘴44的高度位置设定作为新处理参数。在指定值Tg小于阈值Th1的情况下，设定部M7可以校正喷嘴44的角度，使得处理液L2相对于基片W的供给角度接近90°，将校正后的喷嘴44的角度设定作为新处理参数。设定部M7可以校正处理液L2的供给量(控制泵42的动作)，使得来自喷嘴44的处理液L2的吐出流量增加，将校正后的处理液L2的供给量设定作为新处理参数。
另外，即使指定值Tg为阈值Th1以上，也存在指定值Tg与实际的处理宽度不完全一致的情况。因此，设定部M7可以分别计算指定值Tg为阈值Th1以上的情况下的指定值Tg与实际的处理宽度之间的偏离量Δd1，以及指定值Tg未满阈值Th1的情况下的指定值Tg与实际的处理宽度的偏离量Δd2。设定部M7可以通过偏离量Δd1和偏离量Δd2的差，计算由于倒角部Wcf的存在而导致的净偏离量ΔD。设定部M7可以基于净偏离量ΔD，校正来自喷嘴44的处理液L2的供给条件。
动作控制部M8构成为基于从设定部M7输出的处理参数、存储部M2存储的各种处理参数(例如，用于基片处理的方案)等，生成用于处理基片W的控制信号。动作控制部M8构成为向包括液处理单元U1、曝光子单元110的基片处理系统1的各部分发送该控制信号，控制它们的动作。在设定部M7判断去除宽度Wcut超过目标值的情况下(在判断去除宽度Wcut大于目标值的情况下)，动作控制部M8可以构成为废弃作为判断对象的基片W，或生成用于再处理的控制信号。
偏心量计算部M9可以构成为从存储部M2读出偏心量检测子单元120检测到的基片W的周缘位置的数据，基于该周缘位置，计算保持台101保持的基片W的偏心状态。偏心量计算部M9例如作为该偏心状态，可以计算基片W的偏心量B和偏心角β。偏心量B和偏心角β的计算方法可以与偏心量A和偏心角α的计算方法相同。
第一调节部M10构成为根据基片W的偏心状态，调节基片W相对于保持部23或保持台101的载置位置。第一调节部M10例如可以计算抵消从第二计算部M4输出的偏心量A这样的基片W的载置位置。第一调节部M10例如生成用于在该载置位置将基片W从搬送臂A11、A12交接到保持部23或保持台101的控制信号，将该信号输出到它们。
在检查单元U13检查液处理单元U11去除了被膜R的周缘部分的一个基片W的情况下，基于检查单元U13取得的一个基片W的拍摄图像，第二计算部M4可以计算偏心量A。第一调节部M10可以生成用于一边抵消该偏心量A，一边将之后液处理单元U11要处理的基片W(这个基片W或另一基片W)从搬送臂A11向液处理单元U11的保持部23交接。第一调节部M10可以将该信号输出到搬送臂A11。
在检查单元U23检查液处理单元U21去除了被膜R的周缘部分的一个基片W的情况下，基于检查单元U23取得的一个基片W的拍摄图像，第二计算部M4可以计算偏心量A。第一调节部M10可以生成用于一边抵消该偏心量A，一边将之后液处理单元U21要处理的基片W(这个基片W或另一基片W)从搬送臂A12向液处理单元U21的保持部23交接的控制信号。第一调节部M10可以将该信号输出到搬送臂A12。
在检查单元U23拍摄周缘曝光单元U24曝光了被膜R的周缘部分、液处理单元U21去除了被膜R的周缘部分的一个基片W的情况下，基于一个基片W的该拍摄图像，第二计算部M4可以计算偏心量A。第一调节部M10可以生成用于一边抵消该偏心量A，一边将之后周缘曝光单元U24要处理的基片W(这个基片W或另一基片W)从搬送臂A12向保持台101交接的控制信号。第一调节部M10可以将该信号输出到搬送臂A12。
作为另一例，第一调节部M10可以计算抵消从偏心量计算部M9输出的偏心量B这样的基片W的载置位置。具体地，在偏心检测子单元120检测到基片W的周缘位置的情况下，偏心量计算部M9可以计算该基片W的偏心量B。第一调节部M10可以生成用于一边抵消该偏心量B，一边将之后周缘曝光单元U24要处理的基片W(这个基片W或另一基片W)从搬送臂A12向保持台101交接的控制信号。第一调节部M10可以将该信号输出到搬送臂A12。
另外，在基片W的偏心量B小于规定阈值Th2(例如，0.5mm)的情况下，偏心检测子单元120能够以极高的精度检测基片W的周缘位置。这里，基片W的偏心量B小于阈值Th2(第一阈值)的情况是指如图8所示，基片W的周缘位于偏心检测子单元120的光轴(通过光路的中心的假想轴)附近的情况。另一方面，因光的衍射现象，受光器123中的受光位置会偏移，在被检测的基片W的周缘位置产生误差。这里，基片W的偏心量B为阈值Th2以上的情况是指，基片W的周缘与偏心检测子单元120的光轴相比向外侧大大偏移(参照图13(a))，与该光轴相比向内侧大大偏移的情况(参照图13(b))。
因此，第一调节部M10可以构成为判断基片W的偏心量B是否为阈值Th2以上。第一调节部M10可以构成为在基片W的偏心量B为阈值Th2以上的情况下，根据偏心量B，调节基片W相对于保持台101的载置位置。具体地，在偏心检测子单元120检测到基片W的周缘位置的情况下，偏心量计算部M9可以计算该基片W的偏心量B。在判断出偏心量B为阈值Th2以上的情况下，第一调节部M10可以生成用于一边抵消该偏心量B，一边将之后周缘曝光单元U24要处理的基片W从搬送臂A12向保持台101交接的控制信号。第一调节部M10可以将该信号输出到搬送臂A12。
第二调节部M11可以构成为根据基片W的偏心状态，调节曝光子单元110对载置于保持台101的基片W上的被膜R的周缘部分的曝光位置。第二调节部M11例如可以生成用于以抵消从偏心量计算部M9输出的偏心量B的方式，使保持台101沿着导轨104移动的控制信号。第二调节单元M11可以将该信号输出到驱动机构103。由此，保持台101根据偏心量B，沿着导轨104前后移动。因此，对被膜R的周缘部分的曝光位置被调节，对被膜R的周缘部分的曝光宽度成为恒定。
[控制器的硬件]
控制器Ctr的硬件可以由例如一台或多台控制用的计算机构成。控制器Ctr包括电路C1作为硬件上的构成，如图14所示。电路C1可以由电路要素(circuitry)构成。电路C1可以包括处理器C2、内存C3、存储器C4、驱动器C5和输入输出端口C6。
处理器C2通过与内存C3和存储器C4中的至少一个协作以执行程序，执行经由输入输出端口C6的信号的输入输出，从而构成上述各功能模块。内存C3和存储器C4用作存储部M2。驱动器C5是分别驱动涂覆显影装置2的各种装置的电路。输入输出端口C6在驱动器C5与涂覆显影装置2的各种装置(例如，液处理单元U1、检查单元U3、周缘曝光单元U24、操作部7、搬送臂A11,A12等)之间进行信号的输入输出。
基片处理系统1可以包括一个控制器Ctr，也可以包括由多个控制器Ctr构成的控制器群(控制部)。在基片处理系统1包括控制器群的情况下，上述功能模块分别可以通过一个控制器Ctr来实现，也可以通过两个以上的控制器Ctr的组合来实现。在控制器Ctr由多台计算机(电路C1)构成的情况下，上述功能模块分别可以通过一台计算机(电路C1)来实现，也可以通过多台计算机(电路C1)的组合来实现。控制器Ctr可以具有多个处理器C2。在这种情况下，上述功能模块分别可以通过一个处理器C2来实现，也可以通过两个以上的处理器C2的组合来实现。
可以将基片处理系统1的控制器Ctr的功能的一部分设置在与基片处理系统1分开的装置中，经由网络与基片处理系统1连接，实现本实施方式的各种动作。例如，如果用一个或多个单独的装置一起实现多个基片处理系统1的处理器C2、内存C3和存储器C4的功能，则也可以远程地一并管理和控制多个基片处理系统1的信息、动作。
[基片处理方法]
接下来，参照图15～图17，对包括处理在基片W的表面Wa形成的被膜R的周缘部分的方法(周缘处理方法)的基片处理方法进行说明。以下，作为基片处理方法的一例，说明使用基准基片W0的准备处理、处理基片W1中的下层膜R1的周缘处理、处理基片W1中的抗蚀剂膜R2的周缘处理。
[使用基准基片的准备处理]
参照图10和图15说明使用基准基片W0的准备处理的一例。准备处理可以在被膜R的周缘处理之前执行，可以与被膜R的周缘处理并行执行，也可以在被膜R的周缘处理之后执行。
首先，将基准基片W0搬送到检查单元U3，取得图10(b)所示那样的基准基片W0的周缘部Wc的拍摄图像(参照图15的步骤S11)。该拍摄图像存储在存储部M2中。
接着，第一计算部M3对存储部M2存储的该拍摄图像进行图像处理，计算该拍摄图像中的参照标记RP的位置T1[像素](参照图15的步骤S12)。接着，第一计算部M3计算作为已知值的基片W的半径的设计尺寸d1与作为已知值的参照标记RP的实际位置(距离d2)之间的差，作为基准基片W0的拍摄图像中的大小T2(参照图15的步骤S13)。例如，在拍摄图像中的每像素的大小为μ[mm/pixel]的情况下，大小T2[pixel]通过以下式1计算。另外，每像素的大小是由检查单元U3中的光学系统部件的设定值、配置等确定的已知值。
T2＝(d1-d2)/μ    (1)
接着，第一计算部M3基于位置T1和大小T2，计算基准基片W0的拍摄图像中的周缘位置Er1[像素](参照图15的步骤S14)。例如，周缘位置Er1由以下式2计算。由此，准备处理完成。将周缘位置Er1从第一计算部M3输出到第二计算部M4。另外，周缘位置Er1在圆周方向的全部测量位置(角度θ)为相同的值。
Er1＝T1+T2＝T1+(d1-d2)/μ    (2)
[处理基片中的下层膜的周缘处理]
参照图11和图16，对处理基片W1中的下层膜R1的周缘处理的一例进行说明。
首先，设定部M7从存储部M2读出操作者从操作部7输入的下层膜R1的处理宽度的指定值Tg和阈值Th1，判断指定值Tg是否小于阈值Th1(参照图16的步骤S21)。在判断出指定值Tg小于阈值Th1的情况下(图16的步骤S21中的“是”)，设定部M7根据偏离量校正来自喷嘴44的处理液L2的供给条件，设定作为新的处理参数(参照图16的步骤S22)。之后，进行到后续的步骤S23。另一方面，设定部M7在判断出指定值Tg小于阈值Th1的情况下(图16的步骤S21中的“否”)，不校正处理液L2的供给条件，进行到步骤S23。
接着，在处理基片W1的表面Wa形成下层膜R1(参照图16的步骤S23)。首先，第一调节部M10控制搬送臂A11，通过搬送臂A11将处理基片W1搬送到液处理单元U11，使处理基片W1载置于保持部23。接着，动作控制部M8基于处理参数控制液处理单元U11，将喷嘴34配置在处理基片W1的上方，从喷嘴34向处理基片W1的表面Wa吐出处理液L1。由此，在处理基片W1的表面Wa形成未固化状态的下层膜R1。
接着，去除未固化状态的下层膜R1的周缘部分(参照图16的步骤S24)。首先，动作控制部M8控制液处理单元U11，使处理基片W1以规定转速旋转。在该状态下，动作控制部M8控制液处理单元U11，使用校正后的处理参数或未经过校正的存储部M2存储的处理参数(处理液L2的供给条件)，从喷嘴44向下层膜R1的周缘部分供给处理液L2。即，在按照处理参数设定了喷嘴44的水平位置、喷嘴44的高度位置、喷嘴44的角度、来自喷嘴44的处理液L2的吐出流量等的状态下，从喷嘴44向下层膜R1的周缘部分供给处理液L2(有机溶剂)。由此，下层膜R1的周缘部分被处理液L2去除。之后，处理基片W1被搬送臂A11搬送到热处理单元U12。通过在热处理单元U12中加热处理基片W1，固化下层膜R1。
接着，拍摄固化状态的下层膜R1的周缘部分(参照图16的步骤S25)。首先，控制器Ctr控制搬送臂A11，通过搬送臂A11将处理基片W1搬送到检查单元U13。接着，控制器Ctr控制检查单元U13取得图11所示那样的处理基片W1的周缘部Wc的拍摄图像。该拍摄图像存储在存储部M2中。
接着，第二计算部M4基于周缘位置Er1和处理基片W1的拍摄图像，计算处理基片W1的理论上的周缘位置Er2(参照图16的步骤S26)。首先，第二计算部M4基于处理基片W1的周缘部Wc的拍摄图像，计算处理基片W1的实际的周缘位置Ew。第二计算部M4例如可以通过关于处理基片W1的圆周方向上的多个测量位置(例如，每隔1°的360个点)的纵向方向的各个像素群，计算纵向方向上彼此相邻的像素之间的对比度，来确定周缘位置Ew(θ)作为角度θ的函数。第二计算部M4例如可以在纵向方向的像素群中，检测对比度为规定值以上的坐标，确定该坐标作为周缘位置Ew。
接着，第二计算部M4基于周缘位置Ew，计算处理基片W1的偏心状态。第二计算部M4计算处理基片W1的偏心量A和偏心角α作为偏心状态。偏心量A和偏心角α的计算方法可以利用公知的方法，但以下说明其一例。例如，在0°、90°、180°、270°这4个地方，分别用以下式3～式6计算周缘位置Er1与周缘位置Ew(θ)之间的差L0、L90、L180、L270。
L0＝Er1-Ew(0°)    (3)
L90＝Er1-Ew(90°)    (4)
L180＝Er1-Ew(180°)    (5)
L270＝Er1-Ew(270°)    (6)
在使用L0、L90、L180和L270，由以下式7和式8分别定义偏心参数t、u的情况下，可以用以下式9和式10计算偏心量A和偏心角α。
t＝(L90-L270)/2    (7)
u＝(L180-L0)/2    (8)
[数学式1]
Figure BDA0004103921760000211
[数学式2]
α＝tan-1(t/u)  (10)
另外，第二计算部M4可以进一步考虑包括从0°偏移规定角度的位置，彼此以90°间隔隔开的4个地方的测量位置处的差，来计算偏心量A和偏心角α。
接着，第二计算部M4考虑处理基片W1的偏心状态，计算周缘位置Er2。例如，使用偏心量A和偏心角α，可以用以下式11计算周缘位置Er2(θ)作为角度θ的函数。
[数学式3]
Er2(θ)＝A sin(θ+α)+Er1  (11)
接着，第三计算部M5基于处理基片W1的拍摄图像，计算在处理基片W1的表面Wa形成的下层膜R1的边缘位置Wf(参照图16的步骤S27)。第三计算部M5例如可以通过关于处理基片W1的圆周方向上的多个测量位置(例如，每隔1°的360个点)的纵向方向的各个像素群，计算纵向方向上彼此相邻的像素之间的对比度，来确定边缘位置Wf(θ)作为角度θ的函数。第三计算部M5例如可以在纵向方向的像素群中，检测对比度为规定值以上的坐标，确定该坐标作为边缘位置Wf。
接着，宽度计算部M6基于周缘位置Er2(θ)和边缘位置Wf(θ)之间的差，计算宽度T3(θ)作为角度θ的函数。即，宽度T3(θ)可以用以下式12计算。
T3(θ)＝Er2(θ)-Wf(θ)    (12)
宽度计算部M6通过将宽度T3(θ)乘以每像素的大小μ[mm/pixel]，计算下层膜R1的周缘部分的去除宽度Wcut(θ)[mm](参照图16的步骤S28)。即，去除宽度Wcut(θ)可以用以下式13计算。该去除宽度Wcut(θ)相当于从处理基片W1(θ)的理论上的周缘位置到下层膜R1(θ)的边缘位置的大小。
去除宽度Wcut(θ)＝T3(θ)/μ  (13)
接着，设定部M7基于周缘位置Er2，设定用于处理下层膜R1的周缘部分的新处理参数(参照图16的步骤S29)。设定部M7例如设定下一个处理的处理基片W1的处理参数，使得从宽度计算部M6输出的去除宽度Wcut(θ)与处理基片W1的下层膜R1的周缘部分的去除宽度的目标值之间的差变小。另外，基于新处理参数，可以再次处理同一处理基片W1，也可以处理另一处理基片W1。
接着，第一调节部M10根据处理基片W1的偏心状态，调节基片W相对于保持部23的载置位置(参照图16的步骤S30)。第一调节部M10例如可以计算抵消从第二计算部M4输出的偏心量A的处理基片W1的载置位置，控制搬送臂A11，使得用该载置位置将下一个处理的处理基片W1载置于保持部23。另外，基于该载置位置，可以将同一处理基片W1重新载置于保持部23，也可以将另一处理基片W1载置于保持部23。步骤S29的处理只要在步骤S26中计算出偏心量A之后，可以在任何时间执行。
通过以上，在处理基片W1形成下层膜R1。此外，计算针对下一个处理的处理基片W1的新处理参数和针对下一个处理的处理基片W1的保持部23的新载置位置。由此，在下一个处理的处理基片W1中，以更高的精度处理下层膜R1的周缘部分。
[处理基片中的抗蚀剂膜的周缘处理]
参照图11和图17对处理基片W1中的抗蚀剂膜R2的周缘处理的一例进行说明。
首先，在处理基片W1的表面Wa形成抗蚀剂膜R2(参照图17的步骤S31)。例如，第一调节部M10控制搬送臂A12，通过搬送臂A12将处理基片W1搬送到液处理单元U21，将处理基片W1载置于保持部23。接着，动作控制部M8基于处理参数控制液处理单元U21，将喷嘴34配置在处理基片W1的上方，从喷嘴34向处理基片W1的表面Wa吐出处理液L1。由此，在处理基片W1的表面Wa形成未固化状态的抗蚀剂膜R2。另外，抗蚀剂膜R2可以在形成有下层膜R1的处理基片W1的表面Wa形成。即，图17的步骤S31以后的处理可以在通过图16的步骤S21～S29，在处理基片W1的表面Wa形成下层膜R1之后执行。
接着，控制器Ctr控制搬送臂A12，通过搬送臂A12将处理基片W1搬送到周缘曝光单元U24，将处理基片W1载置于保持台101。接着，控制器Ctr控制周缘曝光单元U24，一边使处理基片W1旋转一次，一边通过偏心检测子单元120检测处理基片W1的周缘位置。偏心量计算部M9基于该周缘位置，计算保持台101保持的基片W的偏心状态(偏心量B和偏心角β)(参照图17的步骤S32)。偏心量B和偏心角β可以通过与偏心量A和偏心角α相同的方式计算。
接着，第一调节部M10判断偏心量B是否为阈值Th2以上(参照图17的步骤S33)。在判断出偏心量B为阈值Th2以上的情况下(图17的步骤S33中的“是”)，第一调节部M10计算抵消偏心量B的处理基片W1的载置位置，控制搬送臂A12，使得将下一个处理的处理基片W1载置于保持台101的该载置位置(参照图17的步骤S34)。另外，基于该载置位置，可以将同一处理基片W1重新载置于保持台101，也可以将另一处理基片W1载置于保持台101。之后，进行到后续的步骤S35。另一方面，在判断出偏心量B小于阈值Th2的情况下(图17的步骤S33中的“否”)，第一调节部M10不进行基于偏心量B的处理基片W1的载置位置的调剂，而进行到后续步骤S35。
接着，曝光和去除未固化状态的抗蚀剂膜R2的周缘部分(参照图17的步骤S35)。首先，动作控制部M8控制周缘曝光单元U24，一边使处理基片W1旋转，一边使用存储部M2存储的处理参数，对抗蚀剂膜R2的周缘部分进行曝光。此时，第二调节部M11通过根据偏心量B使保持台101沿着导轨104前后移动，以抵消偏心量B的方式调节对抗蚀剂膜R2的周缘部分的曝光位置。接着，通过搬送臂A12将处理基片W1搬送到液处理单元U21，将来自喷嘴44的处理液L2(显影液)供给到抗蚀剂膜R2。由此，去除抗蚀剂膜R2中的曝光了的周缘部分。之后，通过搬送臂A12将处理基片W1搬送到热处理单元U22。通过在热处理单元U22中对处理基片W1进行加热，使抗蚀剂膜R2固化。
接着，拍摄固化状态的抗蚀剂膜R2的周缘部分(参照图17的步骤S36)。步骤S36的处理可以与步骤S25同样地进行。
接着，第二计算部M4基于周缘位置Er1和处理基片W1的拍摄图像，计算处理基片W1的理论上的周缘位置Er2(参照图17的步骤S37)。步骤S37的处理可以与步骤S26同样地进行。
接着，第三计算部M5基于处理基片W1的拍摄图像，计算在处理基片W1的表面Wa形成的抗蚀剂膜R2的边缘位置Wf(参照图17的步骤S38)。步骤S38的处理可以与步骤S27同样地进行。
接着，宽度计算部M6计算抗蚀剂膜R2的周缘部分的去除宽度Wcut(θ)[mm](参照图17的步骤S39)。步骤S39的处理可以与步骤S28同样地进行。
接着，设定部M7基于周缘位置Er2，设定用于处理抗蚀剂膜R2的周缘部分的新处理参数(参照图17的步骤S40)。步骤S40的处理可以与步骤S39同样地进行。基于新处理参数，可以再次处理同一处理基片W1，也可以处理另一处理基片W1。
由此，在处理基片W1形成抗蚀剂膜R2。此外，计算针对下一个处理的处理基片W1的新处理参数和针对下一个处理的处理基片W1的保持台101的新载置位置。由此，在下一个处理的处理基片W1中，以更高的精度处理抗蚀剂膜R2的周缘部分。
[作用]
另外，由于基片W的尺寸会存在制造上的误差，因此在基片W之间，在基片W的尺寸(直径)存在偏差。例如，存在基片W的实际的周缘位置Ew小于基片W的理论上的周缘位置Er2的情况(参照图18(a)和图18(d))，周缘位置Ew与周缘位置Er2大致一致的情况(参照图18(b)和图18(e))，周缘位置Ew大于周缘位置Er2的情况(参照图18(c)和图18(f))。
在这种情况下，当以距基片W的周缘的距离为恒定的方式，以基片W的周缘位置为基准处理被膜R的周缘部分时，被膜R的面积会每基片W发生偏差。例如，如图18(a)～(c)所示，当以基片W的周缘为基准去除被膜R的周缘部分宽度a时，相对于图18(b)的被膜R，图18(a)的被膜R的面积变小，图18(c)的被膜R的面积变大。其结果是，从一片基片W能够制造的半导体产品的数量会每基片W发生偏差。
与此相对，根据上述例子，以基片W的中心为基准，基于基片W的理论上的周缘位置Er2设定处理参数。因此，例如，如图18(d)～(f)，即使基片W的尺寸有偏差，在任何基片W都形成半径b的被膜R。因此，以基片W的中心为基准处理被膜R的周缘部分，而不受基片W的径向方向的大小的偏差的影响。因此，能够高精度地处理被膜R的周缘部分。
根据上述例子，第三计算部M5利用处理基片W1的拍摄图像的明暗差(对比度)，计算该拍摄图像上的边缘位置Wf。此外，设定部M7基于从作为周缘位置Er2与边缘位置Wf之间的差的宽度T3得到的去除宽度Wcut，设定处理参数。因此，通过使用基于在处理基片W1形成的被膜R的状态设定的处理参数，能够调节下一次在基片W形成的被膜R的边缘位置Wf。
根据上述例子，设定部M7可以通过将去除宽度Wcut与存储部M2存储的规定目标值进行比较，设定处理参数。在这种情况下，能够使下一次在基片W形成的被膜R的边缘位置Wf接近规定的目标值。
根据上述例子，第一计算部M3利用在基准基片W0设置的参照标记RP，计算基准基片W0的理论上的周缘位置Er1。在这种情况下，即使基准基片W0的拍摄图像不包含基准基片W0的中心，也能够以中心为基准计算基准基片W0的理论上的周缘位置Er1。
根据上述例子，第二计算部M4考虑处理基片W1的偏心状态，计算处理基片W1的理论上的周缘位置Er2。因此，得到处理基片W1的偏心状态被降低或去除的周缘位置Er2。因此，通过使用周缘位置Er2新设定的处理参数，能够更高精度地处理被膜R的周缘部分。
根据上述例子，第一调节部M10根据基片W的偏心状态，调节基片W相对于保持部23或保持台101的载置位置。因此，通过调节基片W对保持部23或保持台101的载置位置，降低或去除基片W的偏心状态。因此，能够高精度地处理被膜R的周缘部分。
根据上述例子，在基片W的偏心量B为阈值Th2以上的情况下，第一调节部M10可以根据偏心量B，调节基片W相对于保持台101的载置位置。在这种情况下，在基片W的载置位置的误差大的状况下进行该载置位置的调整，而在误差没有那么大的状况下不进行该载置位置的调整。因此，由于抑制了该载置位置的调整的频度，因此能够实现处理多个基片W时的处理效率的提高。
根据上述例子，第二调节部M11可以根据基片W的偏心状态，调节曝光子单元110对保持台101所载置的基片W上的被膜R的周缘部分的曝光位置。在这种情况下，一边抵消基片W的偏心状态，一边进行对被膜R的周缘部分的曝光。因此，由于对被膜R的周缘部分以均匀的宽度进行曝光，因此能够更高精度地处理被膜R的周缘部分。
根据上述例子，在指定值Tg小于阈值Th1的情况下，设定部M7可以校正来自喷嘴44的处理液L2的供给条件。在这种情况下，排除了基片W的倒角部Wcf造成的影响，沿着指定值Tg处理被膜R的周缘部分。因此，能够更高精度地处理被膜R的周缘部分。
根据上述例子，设定部M7可以校正喷嘴44的水平位置、喷嘴44的高度位置、喷嘴的角度或来自喷嘴44的处理液L2的供给量，作为来自喷嘴44的处理液L2的供给条件。在这种情况下，通过控制与喷嘴44相关的各种参数，能够比较容易地校正来自喷嘴44的处理液L2的供给条件。
[变形例]
本说明书中的公开应当被认为在所有方面都是说明性的而不是限制性的。在不脱离权利要求的范围及其主旨的范围内，可以对上述例子进行各种省略、替换、修改等。
(1)根据上述例子，通过使用周缘曝光单元U24的周缘曝光和显影，去除了抗蚀剂膜R2的周缘部分。然而，与下层膜R1的周缘部分的去除同样地，可以通过经由图16的步骤S21～S30，向抗蚀剂膜R2的周缘部分供给处理液L2(有机溶剂)，来去除抗蚀剂膜R2的周缘部分。
(2)可以使用基准基片W0来校正掩模113的偏心角δ。首先，在基准基片W0的表面Wa形成抗蚀剂膜R2。接着，在整个掩模113与基准基片W0的表面Wa重合的状态下，通过掩模113对抗蚀剂膜R2进行曝光、显影。由此，在基准基片W0的表面Wa形成如图19所示那样的开口图案Rp。
接着，通过检查单元U3拍摄基准基片W0的表面Wa，取得拍摄图像。接着，例如，基于基准基片W0的表面Wa的拍摄图像，控制器Ctr计算由连接基准基片W0的中心Ow和基准基片W0的切除部的假想线与连接基准基片W0的中心Ow和开口图案Rp的中心Op的假想线规定的偏心角δ。
接着，控制部Ctr可以计算抵消计算出的偏心角δ的基片W的载置位置，控制搬送臂A12，使得将之后处理的处理基片W1载置于保持台101的该载置位置。例如，控制部Ctr在使处理基片W1旋转计算出的偏心角δ的量后，可以控制搬送臂A12，将处理基片W1载置于保持台101。由此，将处理基片W1载置于保持台101，使得处理基片W1的切除部位于连接基准基片W0的中心Ow和开口图案Rp的中心Op的假想线上。
[其他例子]
例1.周缘处理装置的一例包括：拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；第一计算部，构成为以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置；第二计算部，构成为基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像，计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置；设定部，构成为基于处理基片的理论上的周缘位置，设定基片的周缘部的处理参数；和处理部，构成为基于处理参数，处理基片的周缘部。在这种情况下，以基准基片的中心为基准，基于基准基片的理论上的周缘位置设定处理参数。因此，以基片的中心为基准处理被膜的周缘部分，而不受基片的径向方向的大小的偏差的影响。因此，能够高精度地处理被膜的周缘部分。
例2.例1的装置可以是：还包括：第三计算部，构成为基于处理基片的拍摄图像，计算在处理基片的表面形成的被膜的边缘位置，设定部构成为基于处理基片的理论上的周缘位置与被膜的边缘位置之间的差值，设定处理参数。在这种情况下，通过使用基于在处理基片形成的被膜的状态设定的处理参数，能够调节下一次在基片形成的被膜的边缘位置。
例3.在例2的装置中，设定部可以构成为通过将差值与规定的目标值进行比较，设定处理参数。在这种情况下，能够使下一次在基片形成的被膜的周缘位置接近规定的目标值。
例4.在例1～例3中任一项的装置中，第一计算部可以构成为执行：第一处理，计算在基准基片预先设定的且与基准基片的中心的距离是已知的参照标记在基准基片的拍摄图像中的位置；第二处理，计算基片的半径的设计尺寸与参照标记的实际位置之间的差，作为基准基片的拍摄图像中的大小；和第三处理，基于第一处理得到的位置和第二处理得到的大小，计算基准基片的理论上的周缘位置。在这种情况下，即使基准图像的拍摄图像不包含基准基片的中心，也能够计算以中心为基准的基准基片的理论上的周缘位置。
例5.在例1～例4中任一项的装置中，第二计算部可以构成为执行：第四处理，基于处理基片的拍摄图像，计算处理基片的周缘位置；第五处理，基于处理基片的周缘位置，计算处理基片的偏心状态；和第六处理，考虑处理基片的偏心状态，计算处理基片的理论上的周缘位置。在这种情况下，得到处理基片的偏心状态被降低或去除了的处理基片的理论上的周缘位置。因此，通过使用该周缘位置新设置的处理参数，能够更高精度地处理被膜的周缘部分。
例6.在例1～例5中任一项的装置中，可以还包括：第一调节部，构成为根据载置于处理部的保持部进行处理的基片的偏心状态，调节基片在保持部的载置位置。在这种情况下，通过调节基片在保持部的载置位置，降低或去除基片的偏心状态。因此，能够更高精度地处理被膜的周缘部分。
例7.在例6的装置中，可以是：处理部还包括检测部，检测部配置于保持部保持的基片的周缘部附近，并且构成为检测基片相对于保持部的偏心量，第一调节部构成为当偏心量为规定的第一阈值以上时，根据偏心量调节基片相对于保持部的载置位置。另外，在基片的周缘部附近配置有检测部的情况下，当基片的偏心量小于规定的第一阈值时，能够以极高的精度检测基片的周缘位置，但当基片的偏心量为该阈值以上时，存在误差变大的情况。因此，如例7那样，通过当基片的偏心量为该第一阈值以上时调节基片相对于保持部的载置位置，在误差大的状况下进行该载置位置的调整，而在误差没有那么大的状况下不进行该载置位置的调整。因此，由于抑制了该载置位置的调整的频度，因此能够实现处理多个基片时的处理效率的提高。
例8.在例1～例7中任一项的装置中，可以还包括：第二调节部，构成为根据载置于处理部的保持部进行处理的基片的偏心状态，调节对在基片的表面形成的被膜的周缘部分的曝光位置。在这种情况下，一边抵消基片的偏心状态，一边进行对被膜的周缘部分的曝光。因此，由于对被膜的周缘部分以均匀的宽度进行曝光，因此能够更高精度地处理被膜的周缘部分。
例9.在例1～例8中任一项的装置中，可以是：设定部构成为在处理液对基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的第二阈值的情况下，校正处理液的供给条件，处理部还包括：保持部，构成为可旋转地保持基片；和供给部，基于供给条件，从喷嘴向基片的周缘部供给处理液。另外，根据基片的规格，存在基片的周缘附近被倒角的情况。因此，当向基片的倒角部供给处理液时，处理液容易从基片的表面排出，有可能不促进处理液对被膜的周缘部分的处理。与此相对，在例9中，在处理液对基片的周缘部的处理宽度的指定值小于第二阈值的情况下，校正来自喷嘴的处理液的供给条件。因此，排除了基片的倒角部造成的影响，沿着目标值处理被膜的周缘部分。因此，能够更高精度地处理被膜的周缘部分。
例10.在例9的装置中，设定部可以构成为在处理液对基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的目标值的情况下：校正喷嘴的水平位置，使得处理液在基片的着液位置为基片的中心侧；校正喷嘴的高度位置，使得喷嘴接近基片；校正喷嘴的角度，使得处理液相对于基片的供给角度接近90°；或校正处理液的供给量，使得来自喷嘴的处理液的吐出流量变大。在这种情况下，通过控制与喷嘴相关的各种参数，能够比较容易地校正来自喷嘴的处理液的供给条件。
例11.周缘处理方法的一例包括：拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置；基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像，计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置；基于处理基片的理论上的周缘位置，设定基片的周缘部的处理参数；以及基于处理参数，处理基片的周缘部。在这种情况下，得到与例1的装置同样的作用效果。
例12.例11的方法可以是：还包括：基于处理基片的拍摄图像，计算在处理基片的表面形成的被膜的边缘位置，设定处理参数包括：基于处理基片的理论上的周缘位置与被膜的边缘位置之间的差值，设定处理参数。在这种情况下，得到与例2的装置同样的作用效果。
例13.在例12的方法中，设定处理参数可以包括：通过将差值与规定的目标值进行比较，设定处理参数。在这种情况下，得到与例3的装置同样的作用效果。
例14.在例11～例13中任一项的方法中，计算基准基片的理论上的周缘位置可以包括：第一处理，计算在基准基片预先设定的且与基准基片的中心的距离是已知的参照标记在基准基片的拍摄图像中的位置；第二处理，计算基片的半径的设计尺寸与参照标记的实际位置之间的差，作为基准基片的拍摄图像中的大小；和第三处理，基于第一处理得到的位置和第二处理得到的大小，计算基准基片的理论上的周缘位置。在这种情况下，得到与例4的装置同样的作用效果。
例15.在例11～例14中任一项的方法中，计算处理基片的理论上的周缘位置可以包括：第四处理，基于处理基片的拍摄图像，计算处理基片的周缘位置；第五处理，基于处理基片的周缘位置，计算处理基片的偏心状态；和第六处理，考虑处理基片的偏心状态，计算处理基片的理论上的周缘位置。在这种情况下，得到与例5的装置同样的作用效果。
例16.在例11～例15中任一项的方法中，可以还包括：根据载置于保持部进行处理的基片的偏心状态，调节基片在保持部的载置位置。在这种情况下，得到与例6的装置同样的作用效果。
例17.例16的方法可以是：处理基片的周缘部还包括：通过配置于保持部保持的基片的周缘部附近的检测部，检测基片相对于保持部的偏心量，调节基片在保持部的载置位置包括：当偏心量为规定的第一阈值以上时，根据偏心量调节基片相对于保持部的载置位置。在这种情况下，得到与例7的装置同样的作用效果。
例18.在例11～例17中任一项的方法中，可以还包括：根据载置于保持部进行处理的基片的偏心状态，调节对在基片的表面形成的被膜的周缘部分的曝光位置。在这种情况下，得到与例8的装置同样的作用效果。
例19.在例11～例18中任一项的方法中，可以是：设定处理参数包括：在处理液对基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的第二阈值的情况下，校正处理液的供给条件，处理基片的周缘部还包括：相对于构成为可旋转地保持基片的保持部载置基片；以及基于供给条件，从喷嘴向基片的周缘部供给处理液。在这种情况下，得到与例9的装置同样的作用效果。
例20.在例19的方法中，校正供给条件可以包括：在处理液对基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的目标值的情况下，校正喷嘴的水平位置，使得处理液在基片的着液位置为基片的中心侧；校正喷嘴的高度位置，使得喷嘴接近所述基片；校正喷嘴的角度，使得处理液相对于基片的供给角度接近90°；或校正处理液的供给量，使得来自喷嘴的处理液的吐出流量变大。在这种情况下，得到与例10的装置同样的作用效果。
例21.计算机可读记录介质的一例可以记录有用于使周缘处理装置执行例11～例20中任一项的方法的程序。在这种情况下，得到与例1的装置同样的作用效果。在本说明书中，计算机可读记录介质可以包括非瞬时性有形介质(non-transitory computerrecording medium)(例如，各种主存储装置或辅助存储装置)或传播信号(transitorycomputer recording medium)(例如，可以经由网络提供的数据信号)。
符号说明
1…基片处理系统、2…涂覆显影装置(周缘处理装置)、20…旋转保持部(保持部)、40…液供给部(供给部)、44…喷嘴、100…旋转保持子单元(保持部)、110…曝光子单元(周缘曝光部)、113…掩模、120…偏心检测子单元(检测部)、A11、A12…搬送臂、Ctr…控制器、Er1…基准基片的理论上的周缘位置、Er2…处理基片的理论上的周缘位置、L2…处理液、M3…第一计算部、M4…第二计算部、M5…第三计算部、M6…宽度计算部、M7…设定部、M10…第一调节部、M11…第二调节部、R…被膜、R1…下层膜(被膜)、R2…抗蚀剂膜(被膜)、RP…参照标记、U1，U11，U21，U31…液处理单元(处理部)、U24…周缘曝光单元(处理部)、U3，U13，U23，U33…检查单元(拍摄部)、W…基片、W0…基准基片、W1…处理基片、Wc…周缘部、Wf…被膜边缘位置。

Claims (21)

1.一种周缘处理装置，其特征在于，包括：
拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，所述基片包括基准基片和处理基片；
第一计算部，构成为以所述基准基片的中心为基准，计算所述基准基片的拍摄图像中的所述基准基片的理论上的周缘位置；
第二计算部，构成为基于所述基准基片的理论上的周缘位置和所述处理基片的拍摄图像，计算所述处理基片的拍摄图像中的所述处理基片的理论上的周缘位置；
设定部，构成为基于所述处理基片的理论上的周缘位置，设定所述基片的周缘部的处理参数；和
处理部，构成为基于所述处理参数，处理所述基片的周缘部。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
第三计算部，构成为基于所述处理基片的拍摄图像，计算在所述处理基片的表面形成的被膜的边缘位置，
所述设定部构成为基于所述处理基片的理论上的周缘位置与所述被膜的边缘位置之间的差值，设定所述处理参数。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：
所述设定部构成为通过将所述差值与规定的目标值进行比较，设定所述处理参数。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一计算部执行以下处理：
第一处理，计算在所述基准基片预先设定的且与所述基准基片的中心的距离是已知的参照标记在所述基准基片的拍摄图像中的位置；
第二处理，计算所述基片的半径的设计尺寸与所述参照标记的实际位置之间的差，作为所述基准基片的拍摄图像中的大小；和
第三处理，基于所述第一处理得到的位置和所述第二处理得到的大小，计算所述基准基片的理论上的周缘位置。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二计算部执行以下处理：
第四处理，基于所述处理基片的拍摄图像，计算所述处理基片的周缘位置；
第五处理，基于所述处理基片的周缘位置，计算所述处理基片的偏心状态；和
第六处理，考虑所述处理基片的偏心状态，计算所述处理基片的理论上的周缘位置。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
第一调节部，构成为根据载置于所述处理部的保持部进行处理的所述基片的偏心状态，调节所述基片在所述保持部的载置位置。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述处理部还包括检测部，所述检测部配置于所述保持部保持的所述基片的周缘部附近，并且构成为检测所述基片相对于所述保持部的偏心量，
所述第一调节部构成为当所述偏心量为规定的第一阈值以上时，根据所述偏心量调节所述基片相对于所述保持部的载置位置。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
第二调节部，构成为根据载置于所述处理部的保持部进行处理的所述基片的偏心状态，调节对在所述基片的表面形成的被膜的周缘部分的曝光位置。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述设定部构成为在所述处理液对所述基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的第二阈值的情况下，校正处理液的供给条件，
所述处理部还包括：
保持部，构成为可旋转地保持所述基片；和
供给部，基于所述供给条件，从喷嘴向所述基片的周缘部供给处理液。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述设定部构成为在由所述处理液对所述基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的目标值的情况下：
校正所述喷嘴的水平位置，使得处理液在所述基片的着液位置为所述基片的中心侧；或
校正所述喷嘴的高度位置，使得所述喷嘴接近所述基片；或
校正所述喷嘴的角度，使得所述处理液相对于所述基片的供给角度接近90°；或
校正所述处理液的供给量，使得来自所述喷嘴的处理液的吐出流量变大。
11.一种周缘处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，所述基片包括基准基片和处理基片；
以所述基准基片的中心为基准，计算所述基准基片的拍摄图像中的所述基准基片的理论上的周缘位置；
基于所述基准基片的理论上的周缘位置和所述处理基片的拍摄图像，计算所述处理基片的拍摄图像中的所述处理基片的理论上的周缘位置；
基于所述处理基片的理论上的周缘位置，设定所述基片的周缘部的处理参数；以及
基于所述处理参数，处理所述基片的周缘部。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
基于所述处理基片的拍摄图像，计算在所述处理基片的表面形成的被膜的边缘位置，
其中，设定所述处理参数包括：基于所述处理基片的理论上的周缘位置与所述被膜的边缘位置之间的差值，设定所述处理参数。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设定所述处理参数包括：
通过将所述差值与规定的目标值进行比较，设定所述处理参数。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，计算所述基准基片的理论上的周缘位置包括：
第一处理，计算在所述基准基片预先设定的且与所述基准基片的中心的距离是已知的参照标记在所述基准基片的拍摄图像中的位置；
第二处理，计算所述基片的半径的设计尺寸与所述参照标记的实际位置之间的差，作为所述基准基片的拍摄图像中的大小；和
第三处理，基于所述第一处理得到的位置和所述第二处理得到的大小，计算所述基准基片的理论上的周缘位置。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，计算所述处理基片的理论上的周缘位置包括：
第四处理，基于所述处理基片的拍摄图像，计算所述处理基片的周缘位置；
第五处理，基于所述处理基片的周缘位置，计算所述处理基片的偏心状态；和
第六处理，考虑所述处理基片的偏心状态，计算所述处理基片的理论上的周缘位置。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
根据载置于保持部进行处理的所述基片的偏心状态，调节所述基片在所述保持部的载置位置。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：
处理所述基片的周缘部还包括：通过配置于所述保持部保持的所述基片的周缘部附近的检测部，检测所述基片相对于所述保持部的偏心量，
调节所述基片在所述保持部的载置位置包括：当所述偏心量为规定的第一阈值以上时，根据所述偏心量调节所述基片相对于所述保持部的载置位置。
18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
根据载置于保持部进行处理的所述基片的偏心状态，调节对在所述基片的表面形成的被膜的周缘部分的曝光位置。
19.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：
设定所述处理参数包括：在由所述处理液对所述基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的第二阈值的情况下，校正处理液的供给条件，
处理所述基片的周缘部还包括：
相对于构成为可旋转地保持所述基片的保持部载置所述基片；以及
基于所述供给条件，从喷嘴向所述基片的周缘部供给处理液。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，校正所述供给条件包括：在处理液对所述基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的目标值的情况下，
校正所述喷嘴的水平位置，使得处理液在所述基片的着液位置为所述基片的中心侧；或
校正所述喷嘴的高度位置，使得所述喷嘴接近所述基片；或
校正所述喷嘴的角度，使得处理液相对于所述基片的供给角度接近90°；或
校正处理液的供给量，使得来自所述喷嘴的处理液的吐出流量变大。
21.一种计算机可读记录介质，其特征在于，记录有用于使周缘处理装置执行根据权利要求11所述的方法的程序。
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