TWI619147B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法。利用旋轉保持裝置使基板在水平姿勢下保持且旋轉。利用塗布液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板的被處理面供給塗布液。在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之前，利用第一去除液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液。在此狀態下，使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種在基板上形成塗布液之膜的基板處理裝置及基板處理方法。
在半導體製造的微影(lithography)步驟中，為了利用曝光處理而在基板上形成圖案(pattern)，係利用基板處理裝置對基板塗布阻劑液(resist liquid)等的塗布液。近年來，隨著半導體電路的高集成化，已開發出一種具有三維結構的裝置。為了製造如此的裝置，對基板塗布高黏度的塗布液以便能形成膜厚比以往更大的塗布膜。
日本特開2014-93371號公報中所記載的阻劑塗布裝置，係包括旋轉夾盤(spin chuck)、溶劑噴嘴(nozzle)及阻劑噴嘴(resist nozzle)。晶圓(wafer)能藉由旋轉夾盤而被保持於水平，以垂直延伸的旋轉軸作為中心以第一轉速旋轉，並且從溶劑噴嘴對晶圓的中心部噴出溶劑。然後，使晶圓的轉速降低至比第一轉速還小的第二轉速，並且從溶劑噴嘴對晶圓的中心部噴出溶劑。之後，藉由從阻劑噴嘴對晶圓的中心部噴出阻劑液，而進行阻劑液的旋塗(spin coating)。
在日本特開2014-93371號公報中，已記載有以下的內容：在利用上述的塗布方法對已在表面形成有凹形圖案的基板藉由高黏度的塗布液而形成塗布膜時，塗布液會遍及於凹形圖案內部，藉此能獲得優異的塗布膜。然而，在塗布液的黏度較高的情況下，在如日本特開2014-93371號公報中所記載之利用離心力的習知旋塗中，塗布液並不易在基板上擴展。為此，若不使用大量的塗布液，將會在基板上發生輻射狀的塗布不均或塗布缺陷，或塗布膜的厚度變成不均一性。
另一方面，當使用大量的塗布液進行基板處理時，就會增加基板處理的成本。如此，在塗布液的黏度較高的情況下，很難不產生上述的塗布不均、塗布缺陷及膜厚的不均一性地削減塗布液的使用量。
本發明的目的係在於提供一種不產生塗布不均、塗布缺陷及膜厚的不均一性而能夠削減塗布液的使用量的基板處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣的基板處理裝置，係在基板上形成塗布液之膜，基板處理裝置具備：旋轉保持裝置，用以使基板在水平姿勢下保持並旋轉；塗布液供給系統，其以對基板之一面供給塗布液的方式所構成；第一去除液供給系統，其以將去除塗布液的第一去除液供給至基板之一面的周緣部的方式所構成；以及控制部，用以控制塗布液供給系統及第一去除液供給系統的動作；控制部係進行以下的控制：控制塗布液供給系統，以對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之 一面供給塗布液；以及控制第一去除液供給系統，以在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之前，對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液，並且使第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
在該基板處理裝置中，係能利用旋轉保持裝置使基板在水平姿勢下保持且旋轉。能利用塗布液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之一面供給塗布液。能在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之前，利用第一去除液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液。在此狀態下，能使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
在塗布液的黏度較高的情況下，基板之中心部的塗布液的厚度會變成最大，並且基板之周緣部的塗布液的厚度會稍微變大。另一方面，基板之中心部與周緣部之間的部分的塗布液的厚度會變小。當塗布液的供給量變小時，該傾向就會變大。
即便是在如此的情況下，依據上述的構成，仍能在塗布液喪失流動性之前，從第一環狀區域的內緣朝向外緣供給第一去除液。在此情況下，能去除從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液，且能將蓄積於基板之中心部的塗布液導引至周緣部並且進行乾燥。藉此，基板之中心部的塗布液之厚度就會變小，並且基板之周緣部的塗布液之 厚度會變大。從而，可以使塗布液的厚度接近均一性。結果，不產生塗布不均、塗布缺陷及膜厚的不均一性而可以削減塗布液的使用量。
(2)控制部，亦可控制第一去除液供給系統，以在第一去除液的供給位置從第一環狀區域的外緣朝向內緣移動之後，使第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
由於在藉由第一去除液供給系統而開始供給第一去除液時能維持塗布液的流動性，所以當使開始供給第一去除液時的供給位置成為第一環狀區域的內緣時，來自基板的第一去除液的飛散量就會變大。依據上述的構成，能比使開始供給第一去除液時的供給位置成為第一環狀區域的內緣時更減低第一去除液的飛散量。藉此，可以減低因第一去除液的飛散而致使的第一去除液供給系統的汙染。
(3)控制部，亦可控制第一去除液供給系統，以使第一去除液的供給位置從第一環狀區域的外緣朝向內緣的移動速度，變得比第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣的移動速度更大。
在此情況下，第一去除液的供給位置能在短時間內朝向第一環狀區域的內緣移動。藉此，能在塗布液喪失流動性之前充分地去除已從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液。又，由於第一去除液的供給位置能以低速度從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動，所以不用超出塗布液的擴散速度就能使已蓄積於基板之中心部的塗布液充分地導引至周 緣部。結果，可以使塗布液的厚度效率佳地接近均一性。
(4)控制部，亦可控制塗布液供給系統及第一去除液供給系統，以使利用塗布液供給系統對基板之一面供給塗布液的期間和利用第一去除液供給系統對基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液的期間部分地重疊。
在此情況下，在停止藉由塗布液供給系統而致使的塗布液的供給之前能利用第一去除液供給系統來供給第一去除液。藉此，能在塗布液喪失流動性之前充分地去除已從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液。之後，藉由使已蓄積於基板之中心部的塗布液充分地導引至周緣部，就可以使塗布液的厚度效率佳地接近均一性。
(5)第一去除液供給系統，亦可一邊將第一去除液朝向斜下外方噴出一邊供給至第一環狀區域。
由於在藉由第一去除液供給系統而開始供給第一去除液時能維持塗布液的流動性，所以當將第一去除液朝向正下方噴出時，來自基板的第一去除液的飛散量就會變大。依據上述的構成，能比將第一去除液朝向正下方噴出時更減低第一去除液的飛散量。藉此，可以減低因第一去除液的飛散而致使的第一去除液供給系統的汙染。
(6)基板處理裝置，亦可更具備：第二去除液供給系統，其以將去除塗布液的第二去除液供給至基板之一面的周緣部的方式所構成；控制部係控制第二去除液供給系統，以在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之後，對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第二 環狀區域供給第二去除液；第二環狀區域的內緣係比第一環狀區域的內緣更位於外方。
在此情況下，在基板之周緣部上的第二環狀區域，並未形成有塗布液的膜。藉此，即便是在搬運基板的搬運機構夾持基板之周緣部的情況下，仍能防止塗布液的膜剝離而成為微粒子(particle)。又，由於第二環狀區域的內緣係比第一環狀區域的內緣更位於外方，所以基板上的塗布液的膜的形成區域幾乎不會被削減。藉此，可以增大為了製作製品所能夠利用的基板的區域。
(7)第一去除液供給系統及第二去除液供給系統，亦可藉由共通的去除液供給系統所構成。在此情況下，就沒有必要將第一去除液供給系統和第二去除液供給系統做個別設置。藉此，可以使基板處理裝置小型化。
(8)第一去除液及第二去除液，亦可為相同的去除液。在此情況下，就沒有必要在第一去除液和第二去除液中準備不同種類的去除液。藉此，可以減低基板處理裝置的成本。
(9)基板處理裝置，亦可更具備：洗淨機構，用以洗淨第一去除液供給系統中的第一去除液之供給部分。
由於在藉由第一去除液供給系統而開始供給第一去除液時能維持塗布液的流動性，所以第一去除液供給系統容易因來自基板的第一去除液的飛散而汙染。依據上述的構成，就能利用洗淨機構來洗淨第一去除液供給系統中的 第一去除液的供給部分。藉此，可以將第一去除液供給系統維持在潔淨狀態。
(10)基板處理裝置，亦可更具備：溶劑供給系統，其以對基板之一面供給溶劑的方式所構成；控制部，亦可控制溶劑供給系統，以在利用塗布液供給系統對基板之一面供給塗布液之前，對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之一面供給溶劑。
在此情況下，在利用塗布液供給系統對基板之一面供給塗布液時，塗布液就容易在基板的一面上擴散。藉此，可以使用更少量的塗布液在基板上形成塗布液的膜。
(11)本發明之另一態樣的基板處理方法，係在基板上形成塗布液之膜，且包括以下的步驟：利用旋轉保持裝置使基板在水平姿勢下保持且旋轉的步驟；利用塗布液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之一面供給塗布液的步驟；以及在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之前，利用第一去除液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液，且使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動的步驟。
依據該基板處理方法，就能利用旋轉保持裝置使基板在水平姿勢下保持且旋轉。能利用塗布液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之一面供給塗布液。能在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之前，利用第一去除液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部 上的第一環狀區域供給第一去除液。在此狀態下，能使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
在塗布液的黏度較高的情況下，基板之中心部的塗布液的厚度會變成最大，並且基板之周緣部的塗布液的厚度會稍微變大。另一方面，基板之中心部與周緣部之間的部分的塗布液的厚度會變小。當塗布液的供給量變小時，該傾向就會變大。
即便是在如此的情況下，依據上述的方法，仍能在塗布液喪失流動性之前，從第一環狀區域的內緣朝向外緣供給第一去除液。在此情況下，能去除從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液，且能將蓄積於基板之中心部的塗布液導引至周緣部並且進行乾燥。藉此，基板之中心部的塗布液之厚度就會變小，並且基板之周緣部的塗布液之厚度會變大。從而，可以使塗布液的厚度接近均一性。結果，不使塗布不均、塗布缺陷及膜厚的不均一性產生而可以削減塗布液的使用量。
(12)使第一去除液的供給位置移動的步驟，亦可包括以下的步驟：在使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的外緣朝向內緣移動之後，使藉由第一去除液供給系統所供給的第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
由於在藉由第一去除液供給系統而開始供給第一去除液時能維持塗布液的流動性，所以當使開始供給第一去除液 時的供給位置成為第一環狀區域的內緣時，來自基板的第一去除液的飛散量就會變大。依據上述的方法，能比使開始供給第一去除液時的供給位置成為第一環狀區域的內緣時更減低第一去除液的飛散量。藉此，可以減低因第一去除液的飛散而致使的第一去除液供給系統的汙染。
(13)第一去除液的供給位置從第一環狀區域的外緣朝向內緣的移動速度，亦可比第一去除液的供給位置從第一環狀區域的內緣朝向外緣的移動速度更大。
在此情況下，第一去除液的供給位置能在短時間內朝向第一環狀區域的內緣移動。藉此，能在塗布液喪失流動性之前充分地去除已從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液。又，由於第一去除液的供給位置能以低速度從第一環狀區域的內緣朝向外緣移動，所以不用超出塗布液的擴散速度就能使已蓄積於基板之中心部的塗布液充分地導引至周緣部。結果，可以使塗布液的厚度效率佳地接近均一性。
(14)利用塗布液供給系統對基板之一面供給塗布液的期間、和利用第一去除液供給系統對基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液的期間亦可部分地重疊。
在此情況下，在停止藉由塗布液供給系統而致使的塗布液的供給之前能利用第一去除液供給系統來供給第一去除液。藉此，能在塗布液喪失流動性之前充分地去除已從第一環狀區域的內緣供給及於外緣的塗布液。之後，藉由使已蓄積於基板之中心部的塗布液充分地導引至周緣部，就可以使塗布液的厚度效率佳地接近均一性。
(15)供給第一去除液的步驟，亦可利用第一去除液供給系統一邊將第一去除液朝向斜下外方噴出一邊供給至第一環狀區域。
由於在藉由第一去除液供給系統而開始供給第一去除液時能維持塗布液的流動性，所以當將第一去除液朝向正下方噴出時，來自基板的第一去除液的飛散量就會變大。依據上述的方法，能比將第一去除液朝向正下方噴出時更減低第一去除液的飛散量。藉此，可以減低因第一去除液的飛散而致使的第一去除液供給系統的汙染。
(16)基板處理方法，亦可更包括以下的步驟：在藉由塗布液供給系統所供給的塗布液喪失流動性之後，利用第二去除液供給系統對藉由旋轉保持裝置而旋轉的基板之周緣部上的第二環狀區域供給第二去除液的步驟；第二環狀區域的內緣係比第一環狀區域的內緣更位於外方。
在此情況下，在基板之周緣部上的第二環狀區域，並未形成有塗布液的膜。藉此，即便是在搬運基板的搬運機構夾持基板之周緣部的情況下，仍能防止塗布液的膜剝離而成為微粒子。又，由於第二環狀區域的內緣係比第一環狀區域的內緣更位於外方，所以基板上的塗布液的膜的形成區域幾乎不會被削減。藉此，可以增大為了製作製品所能夠利用的基板的區域。
10‧‧‧旋轉保持部
11‧‧‧馬達
12‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧飛散防止用的杯體
21‧‧‧開口部
22‧‧‧廢液口
23‧‧‧排氣口
24‧‧‧整流板
30‧‧‧噴嘴單元
31‧‧‧阻劑噴嘴
32、33、33a‧‧‧溶劑噴嘴
34‧‧‧邊緣沖洗噴嘴
35‧‧‧背面沖洗噴嘴
36‧‧‧噴嘴洗淨裝置
40‧‧‧控制部
100‧‧‧基板處理裝置
P1‧‧‧阻劑液供給源
P2、P3‧‧‧溶劑供給源
P4‧‧‧邊緣沖洗液供給源
P5‧‧‧背面沖洗液供給源
S0‧‧‧旋轉信號
S1‧‧‧阻劑液噴出信號
S2、S3‧‧‧溶劑噴出信號
S4‧‧‧邊緣沖洗液噴出信號
S5‧‧‧背面沖洗液噴出信號
T1‧‧‧阻劑液供給管
T2、T3、T3a、T4a‧‧‧溶劑供給管
T4‧‧‧邊緣沖洗液供給管
T5‧‧‧背面沖洗液供給管
V1至V5‧‧‧閥
V3a、V4a‧‧‧閥
W‧‧‧基板
圖1係本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略剖視圖。
圖2係顯示基板處理裝置中的基板的轉速之變化及各信號之變化的圖。
圖3係顯示膜形成步驟及膜厚控制步驟中的基板的轉速之變化及各信號之變化的圖。
圖4的(a)至(e)係顯示在基板的被處理面上調整阻劑液的厚度的過程之圖。
圖5的(a)及(b)係顯示在洗淨步驟中基板被洗淨的過程之圖。
圖6係另一實施形態的基板處理裝置的概略剖視圖。
圖7係顯示溶劑供給源與溶劑噴嘴之間的溶劑供給管之變化例的概略說明圖。
以下，係一邊參照圖式一邊針對本發明之一實施形態的基板處理裝置及基板處理方法加以說明。另外，在本實施形態中，係採用阻劑液作為塗布液。
(1)基板處理裝置
圖1係本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略剖視圖。在圖1中，基板處理裝置100為旋轉式基板處理裝置，且具備旋轉保持部10、飛散防止用的杯體(cup)20、噴嘴單元(nozzle unit)30及控制部40。旋轉保持部10係安裝於馬達11的旋轉軸12之前端，且在使基板W保持在水平姿勢的狀態下繞鉛直軸旋轉驅動。另外，在本實施形態中，基板W的直徑例如是300mm。
杯體20係以包圍由旋轉保持部10所保持的基板W之 周圍的方式所設置。在杯體20的上面側係形成有開口部21，在杯體20的下部係形成有廢液口22及複數個排氣口23。排氣口23係與工廠內的排氣設備連接。在旋轉保持部10的下方係配置有整流板24。該整流板24係具有朝向外周部往斜下方傾斜的傾斜面。
噴嘴單元30係包括阻劑噴嘴31、二個溶劑噴嘴32、33、邊緣沖洗噴嘴(edge rinse nozzle)34、背面沖洗噴嘴(back rinse nozzle)35及噴嘴洗淨裝置36。阻劑噴嘴31、溶劑噴嘴32、33及邊緣沖洗噴嘴34係設置成能夠上下動且能夠在基板W的上方位置與杯體20外的待機位置之間移動。背面沖洗噴嘴35係設置於基板W的下方。在圖1之例中，噴嘴單元30係包括二個背面沖洗噴嘴35。噴嘴洗淨裝置36係構成為能夠洗淨溶劑噴嘴33。
在基板處理時，阻劑噴嘴31及溶劑噴嘴32，係位在基板W的被處理面中的大致中心部之上方。邊緣沖洗噴嘴34係位在基板W的被處理面中的周緣部之上方。溶劑噴嘴33係位在比邊緣沖洗噴嘴34更接近基板W的被處理面中的中心部的部分之上方。
阻劑噴嘴31係透過阻劑液供給管T1來與阻劑液供給源P1連接。在阻劑液供給源P1係貯留有阻劑液。在本實施形態中，阻劑液係具有50cP至1000cP之較高黏度。在阻劑液供給管T1係夾插有閥(valve)V1。藉由閥V1被開啟，就能從阻劑液供給源P1通過阻劑液供給管T1而對阻劑噴嘴31供給阻劑液。藉此，能從阻劑噴嘴31對基板W 的被處理面供給阻劑液。
溶劑噴嘴32係透過溶劑供給管T2來與溶劑供給源P2連接。在溶劑供給源P2係貯留有溶劑。溶劑，例如是包括PGMEA(propylene glycol methyl ether acetate：丙二醇甲醚醋酸酯)、PGME(propylene glycol methyl ether：丙二醇甲醚)或環己酮(cyclohexanone)。在溶劑供給管T2係夾插有閥V2。藉由閥V2被開啟，就能從溶劑供給源P2通過溶劑供給管T2而對溶劑噴嘴32供給溶劑。藉此，能從溶劑噴嘴32對基板W的被處理面供給溶劑。
溶劑噴嘴33係透過溶劑供給管T3來與溶劑供給源P3連接。在溶劑供給源P3係貯留有與已貯留於溶劑供給源P2內的溶劑同樣的溶劑。在溶劑供給管T3係夾插有閥V3。藉由閥V3被開啟，就能從溶劑供給源P3通過溶劑供給管T3而對溶劑噴嘴33供給溶劑。藉此，能從溶劑噴嘴33對基板W的被處理面供給溶劑。
邊緣沖洗噴嘴34係透過邊緣沖洗液供給管T4來與邊緣沖洗液供給源P4連接。在邊緣沖洗液供給源P4係貯留有由與已貯留於溶劑供給源P2內的溶劑同樣的溶劑所構成的沖洗液(以下，稱為邊緣沖洗液)。在邊緣沖洗液供給管T4係夾插有閥V4。藉由開啟閥V4，就能從邊緣沖洗液供給源P4通過邊緣沖洗液供給管T4而對邊緣沖洗噴嘴34供給邊緣沖洗液。藉此，能從邊緣沖洗噴嘴34對基板W的被處理面之周緣部噴出用以去除阻劑液的膜(以下，稱為阻劑膜)的邊緣沖洗液。
背面沖洗噴嘴35係透過背面沖洗液供給管T5來與背面沖洗液供給源P5連接。在背面沖洗液供給源P5係貯留有由與已貯留於溶劑供給源P2內的溶劑同樣的溶劑所構成的沖洗液(以下，稱為背面沖洗液)。在背面沖洗液供給管T5係夾插有閥V5。藉由開啟閥V5，就能從背面沖洗液供給源P5通過背面沖洗液供給管T5而對背面沖洗噴嘴35供給背面沖洗液。藉此，能從背面沖洗噴嘴35噴出用以洗淨基板W的背面(與被處理面為相反側的面)的背面沖洗液。
阻劑噴嘴31係在以阻劑液的噴出口朝向下方的方式直立的狀態下所設置，溶劑噴嘴32係在以溶劑的噴出口朝向下方的方式直立的狀態下所設置。溶劑噴嘴33係在以溶劑的噴出口朝向斜下外方的方式傾斜的狀態下所設置，邊緣沖洗噴嘴34係在以邊緣沖洗液的噴出口朝向斜下外方的方式傾斜的狀態下所設置。背面沖洗噴嘴35係在以背面沖洗液的噴出口朝向上方的方式直立的狀態下所設置。
控制部40係藉由對馬達11提供旋轉信號S0，來控制馬達11的轉速。藉此，能控制由旋轉保持部10所保持的基板W的轉速。又，控制部40係藉由對閥V1至閥V5分別提供阻劑液噴出信號S1、溶劑噴出信號S2、溶劑噴出信號S3、邊緣沖洗液噴出信號S4及背面沖洗液噴出信號S5，來控制閥V1至閥V5的開閉。藉此，能控制阻劑液、溶劑、邊緣沖洗液及背面沖洗液的噴出時序(timing)。
(2)基板處理
針對圖1的基板處理裝置100中的基板W之處理步驟加以說明。圖2係顯示基板處理裝置100中的基板W的轉速之變化及各信號S1至S5之變化的示意圖。在圖2中，係在信號S1至S5處於低位準(low level)時，對應的閥V1至閥V5被關閉，而在信號S1至S5處於高位準(high level)時，對應的閥V1至閥V5被開啟。
如圖2所示，基板W的處理步驟係包括：膜形成步驟、膜厚控制步驟、膜乾燥步驟、洗淨步驟及乾燥步驟。在膜形成步驟中，係在基板W的被處理面上塗布有阻劑液。在膜厚控制步驟中，係進行基板W的被處理面整體中的阻劑液之分布及厚度之控制。在膜乾燥步驟中，係進行阻劑膜的膜厚之選定。在洗淨步驟中，係進行基板W的被處理面之周緣部及背面的洗淨。在乾燥步驟中，係進行基板W的乾燥。
基板W係在被處理面朝向上方的狀態下藉由旋轉保持部10所保持(參照圖1)。在初期狀態下，停止基板W的旋轉，並且各信號S1至S5係處於低位準。在膜形成步驟中，首先，溶劑噴嘴32係從待機部朝向基板W之中心部上方移動。溶劑噴出信號S2在時間點t1成為高位準。藉此，能從溶劑噴嘴32對基板W的被處理面之中心部噴出溶劑。
其次，溶劑噴出信號S2在時間點t2成為低位準。藉此，能停止來自溶劑噴嘴32的溶劑之噴出。在時間點t3開始基板W的旋轉。藉此，對基板W的被處理面之中心 部噴出的溶劑，係能利用伴同基板W之旋轉的離心力而擴散至基板W的被處理面之整體。
接著，阻劑噴嘴31係朝向基板W之中心部上方移動。阻劑液噴出信號S1在時間點t5成為高位準。藉此，能從阻劑噴嘴31對基板W的被處理面之中心部噴出阻劑液。基板W的轉速在時間點t6上升。對基板W的被處理面之中心部噴出的阻劑液係能利用伴同基板W之旋轉的離心力而擴散至基板W的被處理面整體。阻劑液噴出信號S1在時間點t12成為低位準。藉此，能停止來自阻劑噴嘴31的阻劑液之噴出。另外，在本例中，時間點t12係指比膜厚控制步驟的開始時間點t11更後面的時間點。
在膜厚控制步驟中，溶劑噴嘴33係朝向基板W之周緣部移動。基板W的轉速在時間點t11降低，並且溶劑噴出信號S3成為高位準。在此，溶劑噴嘴33係一邊噴出溶劑一邊以比較快的速度朝向基板W之中心部的方向移動。溶劑噴嘴33係在從基板W之周緣部朝向內方移動至預定的位置為止之後，一邊噴出溶劑一邊以比較慢的速度在朝向基板W之周緣部的方向移動。
藉此，在溶劑的供給位置以比較快的速度從基板W之周緣部上的環狀區域的外緣朝向內緣移動之後，溶劑的供給位置就以比較慢的速度從基板W之周緣部上的環狀區域的內緣朝向外緣移動。所謂溶劑的供給位置，係意指從溶劑噴嘴33噴出的溶劑到達基板W的被處理面的位置。溶劑噴出信號S3在時間點t13成為低位準。
在膜厚控制步驟中，已被塗布於基板W的被處理面的阻劑液係維持著流動性。因此，藉由調整環狀區域的內緣的位置及溶劑噴嘴33的移動速度，就可以控制基板W上的阻劑液之擴展，且控制基板W的被處理面整體上的阻劑液之分布及厚度。所謂阻劑液維持流動性的狀態，係意指阻劑液並未完全地乾燥，阻劑液能夠在基板W上移動的狀態。有關膜形成步驟及膜厚控制步驟的詳細內容將於後述。
在膜乾燥步驟中，基板W的轉速在時間點t21降低至例如1300rpm左右。在此狀態下，藉由持續基板W的旋轉一定期間，已塗布於基板W上的阻劑液的流動性就會喪失，而能選定阻劑膜的厚度。所謂阻劑液的流動性已喪失的狀態係指阻劑液變得無法在基板W上移動的狀態。
在洗淨步驟中，邊緣沖洗噴嘴34係朝向基板W之周緣部移動。邊緣沖洗液噴出信號S4及背面沖洗液噴出信號S5在時間點t31成為高位準。藉此，能從邊緣沖洗噴嘴34對基板W的被處理面的周緣部噴出邊緣沖洗液，並且從背面沖洗噴嘴35對基板W的背面噴出背面沖洗液。藉此，基板W的被處理面的周緣部能被邊緣沖洗液洗淨，並且基板W的背面能被背面沖洗液洗淨。
然後，基板W的轉速在時間點t32上升至例如2000rpm，並且邊緣沖洗液噴出信號S4及背面沖洗液噴出信號S5成為低位準。藉此，停止背面沖洗液的噴出及邊緣沖洗液的噴出停止。
在乾燥步驟中，已附著於基板W的邊緣沖洗液及背面 沖洗液會被甩開且從基板W去除。之後，在時間點t33停止基板W的旋轉。藉此，結束基板處理裝置100中的一系列處理。
在圖2之例中，雖然邊緣沖洗液及背面沖洗液是在時間點t31同時開始噴出，但是本發明並未被限定於此。無論先開始邊緣沖洗液及背面沖洗液的哪一個的噴出皆可。同樣地，在圖2之例中，雖然邊緣沖洗液及背面沖洗液是在時間點t32同時停止噴出，但是本發明並未被限定於此。無論先停止邊緣沖洗液及背面沖洗液的哪一個的噴出皆可。
(3)膜形成步驟及膜厚控制步驟
針對上述的膜形成步驟及膜厚控制步驟的詳細內容加以說明。圖3係顯示膜形成步驟及膜厚控制步驟中的基板W的轉速之變化及各信號S1至S3之變化的示意圖。圖4係顯示在基板W的被處理面上調整阻劑液的厚度的過程之示意圖。
如上述般，在膜形成步驟中，係在從時間點t1至時間點t2的期間，從溶劑噴嘴32對基板W噴出溶劑之後，在時間點t3開始基板W的旋轉。在此情況下，基板W的轉速係上升至例如1000rpm。藉此，被噴出至基板W上的溶劑就能擴散至基板W的被處理面的徑方向的外方。
如此，能進行對基板W的被處理面整體塗布溶劑的預潤濕(pre-wetting)處理。藉此，接著在將阻劑液塗布於基板W的被處理面時，阻劑液就容易在基板W的被處理面上擴 散。結果，可以用更少量的阻劑液在基板W上形成阻劑液之膜。基板W的轉速在時間點t4開始降低，且在經過一定時間後成為例如100rpm。
在基板W的被處理面整體塗布有溶劑之後，阻劑液噴出信號S1在時間點t5成為高位準。藉此，能從阻劑噴嘴31對基板W的被處理面的中心部噴出阻劑液。之後，基板W的轉速在時間點t6上升至例如3500rpm。藉此，已被噴出至基板W上的阻劑液會朝向基板W的被處理面的徑方向的外方擴散(參照圖4(a))。
接著，在膜厚控制步驟中，溶劑噴嘴33係朝向基板W之周緣部移動。基板W的轉速在時間點t11降低至例如1500rpm，並且溶劑噴出信號S3成為高位準。藉此，能從溶劑噴嘴33噴出溶劑。之後，阻劑液噴出信號S1在時間點t12成為低位準，停止阻劑液的噴出。如此，在本實施形態中，從阻劑噴嘴31噴出阻劑液的期間、和從溶劑噴嘴33噴出溶劑的期間會部分地重疊。溶劑噴出信號S3在時間點t13成為低位準，停止溶劑的噴出。
在時間點t11至t13中，溶劑噴嘴33係一邊噴出溶劑一邊以比較快的速度從基板W之周緣部上的環狀區域R1的外緣移動至內緣(參照圖4(b))。溶劑噴嘴33從環狀區域R1的外緣至內緣的移動時間例如為1秒。之後，溶劑噴嘴33係一邊噴出溶劑一邊以比較慢的速度從基板W之周緣部上的環狀區域R1的內緣移動至外緣(參照圖4(c)及圖4(d))。溶劑噴嘴33從環狀區域R1的內緣至外緣的移動時 間，例如為10秒。另外，環狀區域R1的徑向的寬度，例如為10mm至20mm。
已塗布於基板W上的阻劑液並未均一性地擴展。因此，在阻劑液的黏度較高，且阻劑液的噴出量較小的情況下，如圖4的(a)所示，基板W之中心部的阻劑液的厚度變成最大，並且基板W之周緣部的阻劑液的厚度變成稍微大。另一方面，在基板W之中心部與周緣部之間的部分，阻劑液的厚度則變小。於是，如圖4的(b)至(d)所示，在阻劑液的流動性喪失之前從環狀區域R1的內緣朝向外緣噴出溶劑。
在此情況下，能去除從環狀區域R1的內緣塗布及於外緣的阻劑液，且使已蓄積於基板W之中心部的阻劑液被導引至周緣部並且進行乾燥。藉此，基板W之中心部的阻劑液的厚度會變小，並且基板W之周緣部的阻劑液的厚度會變大。結果，如圖4(e)所示，可以使阻劑液的厚度接近均一性。又，可以藉由調整環狀區域R1的徑向的寬度及溶劑噴嘴33的移動速度，來控制阻劑液的整體厚度。
在膜厚控制步驟之後，依順序執行圖2的膜乾燥步驟、洗淨步驟及乾燥步驟。圖5係顯示在洗淨步驟中基板W被洗淨的過程之圖。另外，在圖5中，係省略使用背面沖洗噴嘴35的基板W的背面的洗淨處理之圖示及說明。
如圖5的(a)所示，在洗淨步驟中，阻劑液已喪失流動性之後，從邊緣沖洗噴嘴34對旋轉的基板W之周緣部上的環狀區域R2噴出邊緣沖洗液。藉此，如圖5的(b)所示， 能去除環狀區域R2的阻劑液，洗淨環狀區域R2。如此，在基板W之周緣部上的環狀區域R2未形成有阻劑液之膜。藉此，即便是在搬運基板W之未圖示的搬運機構夾持基板W之周緣部的情況下，仍能防止阻劑膜剝離而成為微粒子。
環狀區域R2的內緣係比環狀區域R1的內緣更位於外方。在本實施形態中，環狀區域R2的外緣係與環狀區域R1的外緣重疊，且環狀區域R2的徑向的寬度係比環狀區域R1的徑向的寬度更小。環狀區域R2的徑向的寬度，例如為1mm至2mm。在該構成中，基板W上的阻劑膜的形成區域係幾乎不被削減。藉此，可以增大為了製作製品所能夠利用的基板W的區域。
(4)實施例
在實施例中，係依順序地執行圖2所示的膜形成步驟、膜厚控制步驟、膜乾燥步驟、洗淨步驟及乾燥步驟，藉此在基板W上形成具有均一性之厚度的阻劑膜。另一方面，在比較例中，並不執行膜厚控制步驟，而是依順序地執行膜形成步驟、膜乾燥步驟、洗淨步驟及乾燥步驟，藉此在基板W上形成具有均一性之厚度的阻劑膜。在實施例和比較例中比較阻劑液的使用量的結果，已判明在實施例中的阻劑液的使用量能比在比較例中的阻劑液的使用量更削減40%。
(5)功效
在本實施形態的基板處理裝置100中，係在利用阻劑 噴嘴31供給至基板W的被處理面後的阻劑液喪失流動性之前，利用溶劑噴嘴33從環狀區域R1的內緣朝向外緣噴出溶劑。在此情況下，能去除已從環狀區域R1的內緣供給及於外緣的阻劑液，且使已蓄積於基板W之中心部的阻劑液導引至周緣部並且進行乾燥。藉此，基板W之中心部的阻劑液的厚度會變小，並且基板W之周緣部的阻劑液的厚度會變大。從而，可以使阻劑液的厚度接近均一性。結果，不會產生塗布不均、塗布缺陷及膜厚的不均一性而可以削減阻劑液的使用量。
又，在本實施形態中，係控制溶劑噴嘴33，以便在溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣朝向內緣移動之後，使溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣朝向外緣移動。藉此，能比將開始供給溶劑時的供給位置成為環狀區域R1的內緣時更減低溶劑的飛散量。藉此，可以減低藉由溶劑的飛散而致使的溶劑噴嘴33的汙染。
在此，溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣向內緣的移動速度，係比溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣向外緣的移動速度更大。為此，能在阻劑液喪失流動性之前充分地去除已從環狀區域R1的內緣供給及於外緣的阻劑液。又，由於溶劑的供給位置係以低速度從環狀區域R1的內緣朝向外緣移動，所以不用超出阻劑液的擴散速度就能使已蓄積於基板W之中心部的阻劑液充分地被導引至周緣部。
又，在本實施形態中，利用阻劑噴嘴31對基板W之 一面供給阻劑液的期間、和利用溶劑噴嘴33對基板W之周緣部上的環狀區域R1供給溶劑的期間係部分地重疊。在此情況下，能在阻劑液喪失流動性之前充分地去除已從環狀區域R1的內緣供給及於外緣的阻劑液。之後，藉由使已蓄積於基板W之中心部的阻劑液充分地被導引至周緣部，就可以使阻劑液的厚度效率佳地接近均一性。
再者，在本實施形態中，由於溶劑噴嘴33係一邊將溶劑朝向斜下外方吐出一邊供給至環狀區域R1，所以能比將溶劑朝向正下方噴出時更減低溶劑的飛散量。為此，可以減低因溶劑的飛散而致使的溶劑噴嘴33的汙染。又，即便是在溶劑噴嘴33已汙染的情況下，仍能利用噴嘴洗淨裝置36來洗淨溶劑噴嘴33。藉此，可以將溶劑噴嘴33維持潔淨。
(6)其他的實施形態
(a)在上述實施形態中，雖然溶劑噴嘴33和邊緣沖洗噴嘴34係個別地設置，但是本發明並未被限定於此。溶劑噴嘴33和邊緣沖洗噴嘴34亦可由共通的噴嘴所構成。
圖6係另一實施形態的基板處理裝置100的概略剖視圖。在圖6的基板處理裝置100並未設置有邊緣沖洗噴嘴34、邊緣沖洗液供給管T4、閥V4及邊緣沖洗液供給源P4。又，設置有溶劑噴嘴33a來取代溶劑噴嘴33。在圖6的基板處理裝置100中，係使用同一去除液作為溶劑及邊緣沖洗液。
溶劑噴嘴33a係在膜厚控制步驟中進行與圖1的溶劑 噴嘴33同樣的動作，且在洗淨步驟中進行與圖1的邊緣沖洗噴嘴34同樣的動作。在此情況下，由於沒有必要個別地設置溶劑噴嘴33和邊緣沖洗噴嘴34，所以可以將基板處理裝置100小型化。
圖7係顯示溶劑供給源P3與溶劑噴嘴33a之間的溶劑供給管之變化例的概略說明圖。如圖7所示，溶劑噴嘴33a係透過二個溶劑供給管T3a、T4a而連接於溶劑供給源P3。在溶劑供給管T3a、T4a係分別夾插有閥V3a、V4a。閥V3a、V4a，例如是針閥(needle valve)，可以進行流動於溶劑供給管T3a、T4a的流體的流量之微小調節。
在圖7之例中，在膜厚控制步驟中從溶劑噴嘴33a對基板W的環狀區域R1供給溶劑時，閥V3a被開啟，閥V4a被關閉。在洗淨步驟中從溶劑噴嘴33a對基板W的環狀區域R2供給作為邊緣沖洗液的溶劑時，閥V4a被開啟，閥V3a被關閉。
在閥V3a已開啟時流動於溶劑供給管T3a的溶劑的流量亦可比在閥V4a已開啟時流動於溶劑供給管T4a的溶劑的流量更大。在本例中，在閥V3a已開啟時流動於溶劑供給管T3a的溶劑的流量例如是30ml/min；而在閥V4a已開啟時流動於溶劑供給管T4a的溶劑的流量例如是15ml/min。
在該構成中係能切換：用以在膜厚控制步驟中進行溶劑之供給的溶劑供給管的路徑、和用以在洗淨步驟中供給邊緣沖洗液的溶劑供給管的路徑。膜厚控制步驟中的溶劑 的供給量係比洗淨步驟中的溶劑的供給量更大。藉此，能夠遍及於基板W的全周進行更均一性的膜厚控制。
又，在本實施形態中，雖然是使用同一去除液作為溶劑及邊緣沖洗液，但是本發明並未被限定於此。亦可使用個別不同的去除液作為溶劑及邊緣沖洗液。在此情況下，在膜厚控制步驟中係從溶劑噴嘴33a噴出溶劑，在洗淨步驟中係從溶劑噴嘴33a噴出邊緣沖洗液。
(b)在上述實施形態中，雖然溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣向內緣的移動速度較佳是比溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣向外緣的移動速度更大，但是本發明並未被限定於此。溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣向內緣的移動速度亦可與溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣向外緣之移動速度相等。或是溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣向內緣的移動速度亦可比溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣向外緣的移動速度更小。
(c)在上述實施形態中，雖然較佳是溶劑的供給位置在膜厚控制步驟的開始時間點t11位於環狀區域R1的外緣，且在溶劑的供給位置從環狀區域R1的外緣朝向內緣移動之後，從內緣朝向外緣移動，但是本發明並未被限定於此。亦可為溶劑的供給位置在膜厚控制步驟的開始時間點t11位於環狀區域R1的內緣，且溶劑的供給位置從環狀區域R1的內緣朝向外緣移動。
(d)在上述實施形態中，雖然較佳是利用阻劑噴嘴31對基板W的被處理面供給阻劑液的期間和利用溶劑噴嘴 33對基板W的環狀區域R1供給溶劑的期間係部分地重疊，但是本發明並未被限定於此。利用阻劑噴嘴31對基板W的被處理面供給阻劑液的期間和利用溶劑噴嘴33對基板W的環狀區域R1供給溶劑的期間亦可不重疊。在此情況下，係在利用阻劑噴嘴31對基板W的被處理面供給阻劑液，且停止阻劑液的供給之後，利用溶劑噴嘴33對基板W的環狀區域R1供給溶劑。
(e)在上述實施形態中，雖然溶劑噴嘴33較佳是以溶劑的噴出口朝向斜下外方的方式傾斜的狀態設置，但是本發明並未被限定於此。溶劑噴嘴33亦可以溶劑的噴出口朝向下方的方式直立的狀態設置。
同樣地，在上述實施形態中，雖然邊緣沖洗噴嘴34較佳是以邊緣沖洗液的噴出口朝向斜下外方的方式傾斜的狀態下所設置，但是本發明並未被限定於此。邊緣沖洗噴嘴34亦可以邊緣沖洗液的噴出口朝向下方的方式直立的狀態設置。
(f)在上述實施形態中，雖然較佳是在基板處理裝置100設置有噴嘴洗淨裝置36，但是本發明並未被限定於此。亦可在基板處理裝置100不設置噴嘴洗淨裝置36。
(g)在上述實施形態中，雖然較佳是在膜形成步驟中利用阻劑噴嘴31對基板W的被處理面供給阻劑液之前利用溶劑噴嘴32對基板W的被處理面供給溶劑，但是本發明並未被限定於此。亦可在膜形成步驟中利用阻劑噴嘴31對基板W的被處理面供給阻劑液之前不利用溶劑噴嘴32 對基板W的被處理面供給溶劑。在此情況下，亦可不在噴嘴單元30設置溶劑噴嘴32、閥V2、溶劑供給管T2及溶劑供給源P2。
(h)在上述實施形態中，雖然是在洗淨步驟中從邊緣沖洗噴嘴34對旋轉的基板W之周緣部上的環狀區域R2噴出邊緣沖洗液，但是本發明並未被限定於此。在沒有必要去除環狀區域R2的阻劑液的情況下，亦可在洗淨步驟中不從邊緣沖洗噴嘴34對旋轉的基板W之周緣部上的環狀區域R2噴出邊緣沖洗液。在此情況下，亦可不在噴嘴單元30設置邊緣沖洗噴嘴34、閥V4、邊緣沖洗液供給管T4及邊緣沖洗液供給源P4。
(i)在上述實施形態中，雖然溶劑供給源P2、溶劑供給源P3、邊緣沖洗液供給源P4及背面沖洗液供給源P5係作為不同個體設置，但是本發明並未被限定於此。在溶劑、邊緣沖洗液及背面沖洗液的一部分或全部為同一處理液的情況下，溶劑供給源P2、溶劑供給源P3、邊緣沖洗液供給源P4及背面沖洗液供給源P5的一部分或全部亦可設置成一體。在此情況下，由於沒有必要準備複數種類的處理液，所以可以減低基板處理裝置100的成本。
(j)在上述實施形態中，雖然基板W在膜乾燥步驟的轉速係比基板W在膜厚控制步驟的轉速更小，但是本發明並未被限定於此。基板W在膜乾燥步驟的的轉速亦可與基板W在膜厚控制步驟的轉速相等。或是，基板W在膜乾燥步驟的轉速亦可比基板W在膜厚控制步驟的轉速更大。
(7)請求項的各構成要素與實施形態的各要素的對應關係
以下，雖然是針對請求項的各構成要素與實施形態的各要素的對應之例加以說明，但是本發明並未被限定於下述之例。
在上述的實施形態中，基板W為基板之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，旋轉保持部10為旋轉保持裝置之例，阻劑噴嘴31為塗布液供給系統之例。溶劑噴嘴33及邊緣沖洗噴嘴34分別為第一去除液供給系統及第二去除液供給系統之例，控制部40為控制部之例，環狀區域R1、R2分別為第一環狀區域及第二環狀區域之例。噴嘴洗淨裝置36為洗淨機構之例，溶劑噴嘴32為溶劑供給系統之例。
作為請求項的各構成要素，亦可以使用具有請求項所記載的構成或功能的其他各種的要素。
(產業上之可利用性)
本發明係可以有效地利用於各種基板的塗布處理中。

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，係在基板上形成塗布液之膜，前述基板處理裝置具備：旋轉保持裝置，用以使基板在水平姿勢下保持並旋轉；塗布液供給系統，其以對基板之一面供給塗布液的方式所構成；第一去除液供給系統，其以將去除前述塗布液的第一去除液供給至基板之一面的周緣部的方式所構成；以及控制部，用以控制前述塗布液供給系統及前述第一去除液供給系統的動作；前述控制部係進行以下的控制：控制前述塗布液供給系統，以對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的基板之一面供給前述塗布液；以及控制前述第一去除液供給系統，以在藉由前述塗布液供給系統所供給的前述塗布液喪失流動性之前，對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的基板之前述周緣部上的第一環狀區域供給前述第一去除液，並且使前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的內緣朝向外緣移動。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係控制前述第一去除液供給系統，以在前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的前述外緣朝向前述內緣 移動之後，使前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的前述內緣朝向前述外緣移動。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係控制前述第一去除液供給系統，以便從前述第一環狀區域的前述外緣朝向前述內緣的前述第一去除液的供給位置的移動速度，變得比從前述第一環狀區域的前述內緣朝向前述外緣的前述第一去除液的供給位置的移動速度更大。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係控制前述塗布液供給系統及前述第一去除液供給系統，以使利用前述塗布液供給系統對前述基板之一面供給前述塗布液的期間和利用前述第一去除液供給系統對前述基板之前述周緣部上的前述第一環狀區域供給前述第一去除液的期間部分地重疊。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述第一去除液供給系統係一邊將前述第一去除液朝向斜下外方噴出一邊供給至前述第一環狀區域。
  6. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更具備：第二去除液供給系統，其以將去除前述塗布液的第二去除液供給至前述基板之一面的前述周緣部的方式所構成；前述控制部係控制前述第二去除液供給系統，以便在藉由前述塗布液供給系統所供給的前述塗布液喪失流動性 之後，對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的基板之前述周緣部上的第二環狀區域供給第二去除液；前述第二環狀區域的內緣係比前述第一環狀區域的前述內緣更位於外方。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述第一去除液供給系統及前述第二去除液供給系統係藉由共通的去除液供給系統所構成。
  8. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述第一去除液供給系統及前述第二去除液為相同的去除液。
  9. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更具備：洗淨機構，用以洗淨前述第一去除液供給系統中的前述第一去除液之供給部分。
  10. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更具備：溶劑供給系統，其以對基板之一面供給溶劑的方式所構成；前述控制部係控制前述溶劑供給系統，以在利用前述塗布液供給系統對前述基板之一面供給前述塗布液之前，對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的前述基板之一面供給前述溶劑。
  11. 一種基板處理方法，係在基板上形成塗布液之膜，包括以下的步驟：利用旋轉保持裝置使前述基板在水平姿勢下保持且旋轉的步驟； 利用塗布液供給系統對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的前述基板之一面供給前述塗布液的步驟；以及在藉由前述塗布液供給系統所供給的前述塗布液喪失流動性之前，利用第一去除液供給系統對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的前述基板之周緣部上的第一環狀區域供給第一去除液，且使藉由前述第一去除液供給系統所供給的前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的內緣朝向外緣移動的步驟。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中使前述第一去除液的供給位置移動的步驟，係包括以下的步驟：在使藉由前述第一去除液供給系統所供給的前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的前述外緣朝向前述內緣移動之後，使藉由前述第一去除液供給系統所供給的前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的前述內緣朝向前述外緣移動。
  13. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的前述外緣朝向前述內緣的移動速度，係比前述第一去除液的供給位置從前述第一環狀區域的內緣朝向前述外緣的移動速度更大。
  14. 如請求項11至13中任一項所記載之基板處理方法，其中利用前述塗布液供給系統對前述基板之一面供給前述塗布液的期間和利用前述第一去除液供給系統對前述基板之前述周緣部上的前述第一環狀區域供給前述第一去除液的期間係部分地重疊。
  15. 如請求項11至13中任一項所記載之基板處理方法，其中供給前述第一去除液的步驟，係利用前述第一去除液供給系統一邊將前述第一去除液朝向斜下外方噴出一邊供給至前述第一環狀區域。
  16. 如請求項11至13中任一項所記載之基板處理方法，其中更包括以下的步驟：在藉由前述塗布液供給系統所供給的前述塗布液喪失流動性之後，利用前述第二去除液供給系統對藉由前述旋轉保持裝置而旋轉的前述基板之前述周緣部上的第二環狀區域供給第二去除液的步驟；前述第二環狀區域的內緣係比前述第一環狀區域的前述內緣更位於外方。
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