TWI637434B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

於上面(91)形成有構造體之基板(9)之處理中，於上面(91)上保持有機溶劑之液膜而以有機溶劑填滿構造體之間隙之後，進行藉由充填劑之供給而以充填劑取代該有機溶劑之處理、及除去附著於基板(9)之外緣部之充填劑之處理。將形成於防濺部(25)之內側面與基板(9)之外緣部之間的環狀之最小間隙作為環狀間隙，以前者之處理中之環狀間隙之寬度較後者之處理中之該寬度大的方式，使防濺部(25)昇降。藉此，於保持液膜時，使基板(9)之外緣部附近之氣體之流速降低，以抑制液膜之崩潰等，且於洗淨基板(9)之外緣部時，使自外緣部附近朝向環狀間隙之氣體之流速增大，以抑制自基板(9)飛濺之洗淨液等返回基板(9)。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置。
先前，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對基板實施各種各樣之處理。例如，藉由對表面上形成有光阻之圖案之基板供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之處理。於供給藥液之後，還進行對基板供給純水以除去表面之藥液之沖洗處理、及使基板高速旋轉而除去表面之純水之乾燥處理。
於基板之表面形成有多數之微細構造體要素之集合即構造體的情況下，若依序進行上述沖洗處理及乾燥處理，則於乾燥途中，會於相鄰之2個構造體要素之間形成純水之液面。於該情況下，有可能因作用在構造體要素之純水之表面張力而造成構造體要素倒塌。因此，提出有一種方法，其藉由將充填劑充填於構造體之間隙內(構造體要素之間)，且以乾式蝕刻等使固化之充填劑昇華，以防止在乾燥處理中之構造體要素之倒塌。
再者，於日本專利特開平11-87226號公報中，揭示有一種方法，其於藉由風扇過濾單元朝圍繞於基板周圍之杯體供給降流(下降氣流)之基板顯影裝置中，在朝基板供給顯影液時，停止進行吸氣排氣。根據該方法，形成於基板之主表面上之顯影液層不 會產生波動，進而可提高顯影處理之均勻性。
另外，於基板處理裝置中，在將充填劑充填於基板之表面上之構造體之間隙時，以藉由筒狀之防濺部圍繞於基板之周圍之狀態，朝表面供給充填劑。並且，為了將充填劑適宜地充填於構造體之間隙內，需要使充填劑等之液膜在基板之表面上保持一定時間。此時，因用以防止塵粒等之附著之下降氣流通過基板之外緣部與防濺部之間的間隙所引起，於基板之外緣部，可能會有流動於表面附近之氣體之流速變得過高之情形。該情況下，會產生液膜崩潰(於黏性高之充填劑中，可視作液膜之局部剝離)、或厚度之均勻性降低。
另一方面，由於附著在基板之外緣部之不要之充填劑，會汙染搬送機構，因此藉由僅對外緣部供給洗淨液而將之除去。此時，因高速旋轉基板，因此於洗淨液等之飛濺時，容易變成水霧而浮游。因此，還要求抑制此種之洗淨液等之水霧返回基板。
本發明係著眼於一種處理表面形成有構造體之基板之基板處理方法，其目的在於，在基板上保持液膜時，抑制液膜之崩潰等，並於洗淨基板之外緣部時，抑制自基板飛濺之洗淨液等返回基板。
本發明之基板處理方法，其包含以下之步驟：a)藉由設置於沿上下方向具有直徑不同之部位的筒狀之防濺部之內側的基板保持旋轉機構，以上述表面朝向上方且實質上水平之姿勢，保持表面形成有構造體之基板之步驟；b)朝上述基板之上述表面供給既定之溶劑，且於上述表面上保持上述溶劑之液膜，而以上述溶劑 填滿上述表面之上述構造體之間隙之步驟；c)朝在上述b)步驟中形成之上述液膜供給既定之處理液，且以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑之步驟；d)使上述基板旋轉，自上述基板除去上述溶劑及上述處理液之剩餘之步驟；及e)一面使上述基板旋轉，一面朝上述基板之外緣部供給既定之洗淨液，除去附著於上述外緣部之上述處理液之步驟，在上述c)步驟中以形成於上述防濺部之內側面與上述基板之上述外緣部之間的環狀之最小間隙之寬度，較上述e)步驟中之上述最小間隙之寬度大之方式，使上述防濺部相對於上述基板旋轉保持機構而相對地昇降。
根據本發明，於基板上保持液膜時，可抑制液膜之崩潰或局部剝離等。此外，於洗淨基板之外緣部時，可抑制自基板飛濺之洗淨液等返回基板。
本發明之一較佳形態中，上述c)步驟具備：c1)朝上述表面供給上述處理液之步驟；及c2)於停止上述處理液之供給之狀態下，在上述表面上保持包含上述處理液之液膜，且以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑之步驟。
該情況下，較佳為，上述處理液之比重，係較上述溶劑之比重大。
例如，於上述c1)步驟中使上述基板以第1旋轉速度旋轉，於上述c2)步驟中使上述基板以較上述第1旋轉速度低速之第2旋轉速度旋轉或使上述基板停止。
本發明之另一較佳形態中，以上述b)步驟中之上述最小間隙之寬度，較上述e)步驟中之上述最小間隙之寬度大之方式，使上述防濺部相對於上述基板旋轉保持機構而相對地昇降。
本發明之又一較佳形態中，於上述防濺部及上述基板保持旋轉機構之上方，設置有形成下降氣流之氣流形成部。
該情況下，較佳為，於上述c)步驟中藉由上述氣流形成部而形成之上述下降氣流之流量，係較上述e)步驟中之上述下降氣流之流量小。
本發明還著眼於一種處理表面形成有構造體之基板的基板處理裝置。基板處理裝置，其包含：筒狀之防濺部，其沿上下方向具有直徑不同之部位；基板保持旋轉機構，其設置於上述防濺部之內側，且以上述表面朝向上方且實質上水平之姿勢，保持表面形成有構造體之基板；溶劑供給部，其朝上述表面供給既定之溶劑；處理液供給部，其朝上述表面供給既定之處理液；洗淨液供給部，其朝上述基板之外緣部供給既定之洗淨液；昇降機構，其藉由使上述防濺部相對於上述基板保持旋轉機構而相對地昇降，變更形成於上述防濺部之內側面與上述基板之上述外緣部之間的環狀之最小間隙之寬度；及控制部，其藉由上述溶劑供給部朝上述基板之上述表面供給上述溶劑，且於上述表面上保持上述溶劑之液膜，以上述溶劑填滿上述表面之上述構造體之間隙，且於上述最小間隙之寬度為第1寬度之狀態下，藉由上述處理液供給部朝上述液膜供給上述處理液，以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑，且使上述基板旋轉，自上述基板除去上述溶劑及上述處理液之剩餘，且於上述最小間隙之寬度為較上述第1寬度小之第2寬度之狀態下，一面使上述基板旋轉，一面藉由上述洗淨液供給部朝上述基板之上述外緣部供給上述洗淨液，除去附著於上述外緣部之上述處理液。
上述之目的及其他目的、特徵、形式及長處，藉由參照所附圖式且以下進行之本發明的詳細說明，自可明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
5‧‧‧艙體
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
21‧‧‧旋轉馬達
22‧‧‧旋轉夾頭
23‧‧‧杯部
24‧‧‧取液部
25‧‧‧防濺部
26‧‧‧防濺部昇降機構
30‧‧‧藥液噴嘴
31‧‧‧純水‧溶劑噴嘴
32‧‧‧充填劑噴嘴
33‧‧‧外緣部洗淨噴嘴
34‧‧‧下部噴嘴
41‧‧‧藥液供給部
42‧‧‧純水供給部
43‧‧‧有機溶劑供給部
44‧‧‧充填劑供給部
50‧‧‧內部空間
51‧‧‧艙體底部
52‧‧‧艙體上底部
53‧‧‧艙體內側壁部
54‧‧‧艙體外側壁部
55‧‧‧艙體頂蓋部
61‧‧‧氣流形成部
62‧‧‧排氣流道
80、81、82‧‧‧液膜
91‧‧‧(基板之)上面
221‧‧‧軸
241‧‧‧基部
242‧‧‧環狀底部
243‧‧‧周壁部
251‧‧‧防濺部中央部
252‧‧‧防濺部上部
253‧‧‧防濺部下部
254‧‧‧卡合部
611‧‧‧風扇
612‧‧‧過濾器
621‧‧‧排出流量調整部
910‧‧‧構造體
911‧‧‧構造體要素
A1、A2‧‧‧下降氣流
D1~D3‧‧‧(環狀間隙之)寬度
G‧‧‧環狀間隙
J1‧‧‧中心軸
圖1為顯示基板處理裝置之構成之圖。
圖2A為顯示基板之處理流程之圖。
圖2B為顯示基板之處理流程之圖。
圖3為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖4為用以說明基板之處理之圖。
圖5為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖6為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖1為顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置1之構成之圖。基板處理裝置1之各構成要素，係藉由控制部10所控制。基板處理裝置1具備旋轉夾頭22、旋轉馬達21、杯部23及艙體5。基板保持部即旋轉夾頭22，係藉由使複數之夾持構件接觸於圓板狀之基板9之周緣，而夾持基板9。藉此，藉由旋轉夾頭22以水平之姿勢保持基板9。以下之說明中，將朝向上方之基板9之表面(主表面)91稱為「上面91」。於上面91形成有既定之構造體，該構造體包含例如直立之多個構造體要素。
於旋轉夾頭22連接有朝上下方向(鉛垂方向)延伸之軸221。軸221係垂直於基板9之上面91，且軸221之中心軸J1，係通過基板9之中心。基板旋轉機構即旋轉馬達21，係使軸221旋轉。藉此，旋轉夾頭22及基板9，以朝向上下方向之中心軸J1 為中心進行旋轉。旋轉夾頭22及旋轉馬達21，係基板保持旋轉機構。軸221及旋轉馬達21皆為中空狀，且於內部配置有後述之下部噴嘴34。
杯部23具備取液部24及防濺部25。取液部24具備基部241、環狀底部242、及周壁部243。基部241係以中心軸J1為中心之筒狀。基部241係嵌入後述之艙體內側壁部53，而被安裝於艙體內側壁部53之外側面。環狀底部242係以中心軸J1為中心之圓環板狀，且自基部241之下端部朝外側伸展。周壁部243係以中心軸J1為中心之筒狀，且自環狀底部242之外周部朝上方突出。基部241、環狀底部242、及周壁部243，較佳可作為一個構件而一體形成。
防濺部25係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且沿上下方向具有直徑不同之部位。具體而言，防濺部25具備防濺部中央部251、防濺部上部252、及防濺部下部253。防濺部中央部251，係圍繞於旋轉夾頭22之周圍之圓筒狀。防濺部上部252，係隨著自防濺部中央部251之上端部朝向上方而直徑逐漸減少之部位。防濺部下部253，係自防濺部中央部251之下端部朝取液部24之周壁部243伸展之部位。於防濺部下部253設置有在與周壁部243之間形成有微小之間隙的卡合部254。卡合部254與周壁部243，係被維持非接觸狀態。防濺部25係藉由防濺部昇降機構26而可在上下方向移動(昇降)。杯部23也可包含同心之複數個防濺部。
艙體5具備艙體底部51、艙體上底部52、艙體內側壁部53、艙體外側壁部54、及艙體頂蓋部55。艙體底部51係為板狀，且覆蓋旋轉馬達21及杯部23之下方。艙體上底部52，係以中 心軸J1為中心之大致圓環板狀。艙體上底部52，係於艙體底部51之上方，覆蓋旋轉馬達21之上方，並覆蓋旋轉夾頭22之下方。艙體內側壁部53，係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。艙體內側壁部53，係自艙體上底部52之外周部朝下方延伸至艙體底部51。艙體內側壁部53，係位於杯部23之徑向內側。
艙體外側壁部54係大致筒狀，且位於杯部23之徑向外側。艙體外側壁部54，係自艙體底部51之外周部朝上方延伸至艙體頂蓋部55之外周部。艙體頂蓋部55係為板狀，且覆蓋杯部23及旋轉夾頭22之上方。於艙體外側壁部54設置有用以將基板9搬入及搬出艙體5內之搬出入口(省略圖示)。搬出入口係藉由蓋部而被封閉，艙體5之內部空間50成為被封閉之空間。
於艙體頂蓋部55安裝有氣流形成部61。氣流形成部61係設置於防濺部25及旋轉夾頭22之上方。氣流形成部61例如為風扇過濾器單元(FFU)，且具有風扇611及過濾器612。風扇611將艙體5外之空氣經由過濾器612送入艙體5內。過濾器612例如為HEPA過濾器，用以除去空氣中之塵粒。藉由氣流形成部61，在艙體5內形成自上部朝下方之氣體(在此，為清淨空氣)之氣流、即下降氣流。也可於氣流形成部61中，藉由氮氣等形成下降氣流。藉由控制部10之控制，風扇611所具有之馬達之旋轉速度係可變。因此，可調整自氣流形成部61朝艙體5內之氣體之供給流量。
於艙體5設置有排氣流道62。排氣流道62係於艙體外側壁部54之下部開口。詳細而言，於上下方向且較防濺部25及旋轉夾頭22靠下方，排氣流道62與艙體5之內部空間50連接。艙體5內之氣體，經由排氣流道62而被朝艙體5外排出。於排氣 流道62設置有調整氣體之排出流量之排出流量調整部621。排出流量調整部621例如為排氣阻尼器。藉由控制部10之控制，排氣阻尼器之開度係可變，其可調整經由排出流量調整部621之氣體之排出流量。
基板處理裝置1，還具備藥液噴嘴30、純水‧溶劑噴嘴31、充填劑噴嘴32、外緣部洗淨噴嘴33、下部噴嘴34、藥液供給部41、純水供給部42、有機溶劑供給部43、及充填劑供給部44。藥液噴嘴30、純水‧溶劑噴嘴31、充填劑噴嘴32、及外緣部洗淨噴嘴33，例如為直管式噴嘴，各噴嘴30~33，藉由省略圖示之噴嘴移動機構，選擇性地被配置於與基板9之上面91對向之對向位置、及自上面91之上方遠離之待機位置。藥液噴嘴30、純水‧溶劑噴嘴31、及充填劑噴嘴32之對向位置，係與上面91之中央部對向之位置，外緣部洗淨噴嘴33之對向位置，係與上面91之外緣部對向之位置。噴嘴30~33之待機位置，係於水平方向自基板9分離之位置。噴嘴移動機構，也可使噴嘴30~33在上下方向進行昇降。上下方向延伸之下部噴嘴34，係配置於中空狀之軸221及旋轉馬達21之內部。下部噴嘴34之上端，係與基板9之下面之中央部對向。
藥液供給部41，係經由閥而連接於藥液噴嘴30，純水供給部42及有機溶劑供給部43，皆經由閥而連接於純水‧溶劑噴嘴31。純水供給部42還經由閥而連接於下部噴嘴34。有機溶劑供給部43還經由閥而連接於外緣部洗淨噴嘴33。充填劑供給部44，係經由閥而連接於充填劑噴嘴32。藉由藥液供給部41、純水供給部42、有機溶劑供給部43、及充填劑供給部44，分別朝基板 9供給處理液即藥液、純水、有機溶劑及充填劑。
圖2A及圖2B為顯示基板處理裝置1之基板9之處理流程之圖。於基板處理裝置1中，將氣流形成部61導通(ON)，於艙體5內形成有自上部朝下方之氣體之氣流(亦即，下降氣流)(步驟S11)。於基板處理裝置1中，原則上始終形成有下降氣流。因此，以下之處理，係與上述下降氣流之形成同步進行。此外，本處理例中，於基板9之處理中，下降氣流之流量係被設定為恆定狀態即「高」、或非恆定狀態即「低」之任一者。於步驟S11中，下降氣流之流量係被設定為「高」。經由排出流量調整部621之氣體之排出流量，也被設定為「高」。
藉由外部之搬送機構將處理對象之基板9搬入艙體5內，且以設置於防濺部25之內側之旋轉夾頭22進行保持(步驟S12)。於基板9之搬入時，藉由防濺部昇降機構26使防濺部25下降，防止搬入之基板9接觸於防濺部25(於後述之基板9之搬出中也相同)。若搬送機構朝艙體5外移動，則藉由控制部10之控制，防濺部昇降機構26使防濺部25上昇至圖3所示之位置(步驟S13)。本處理例中，於基板9之處理中，防濺部25被配置於上段、中段及下段之任一者，圖3所示之位置為中段。於配置在中段之防濺部25中，防濺部上部252之下部，係配置在與基板9相同之高度。再者，於圖3中，藉由長箭頭A1顯示流量被設定為「高」之下降氣流(於後述之圖6中也相同)。
如已述之，於圓板狀之基板9之周圍配置有大致圓筒狀之防濺部25，且兩者之中心軸一致。因此，於防濺部25之內側面與基板9之外緣部之間形成有環狀之間隙。以下之說明中，將形 成於防濺部25之內側面與基板9之外緣部之間的環狀之最小間隙(亦即，沿以中心軸J1為中心之圓周方向的兩者間之最小寬度D1之間隙連續存在於整個全周之環狀間隙)G，簡稱為「環狀間隙G」。自氣流形成部61朝向基板9之氣體，經由環狀間隙G而流入杯部23內。杯部23內之氣體，朝旋轉夾頭22之下側移動，且經由防濺部25與取液部24之間的微小間隙、即圖1之周壁部243與卡合部254之間的微小間隙，朝杯部23外流出。於艙體5之內部空間50之下部，杯部23之周圍之氣體，經由排氣流道62被朝艙體5外排出。
接著，藉由省略圖示之噴嘴移動機構，將藥液噴嘴30配置在與基板9之上面91之中央部對向之對向位置。此外，藉由旋轉馬達21開始基板9之旋轉。基板9之旋轉速度(轉速)，係被設定為較高之旋轉速度(較後述之純水保持旋轉速度高速之旋轉速度)。然後，藉由藥液供給部41使藥液經由藥液噴嘴30連續地供給於上面91(步驟S14)。上面91上之藥液，藉由基板9之旋轉而朝外緣部擴散，將藥液供給於上面91整體。此外，自外緣部飛濺之藥液，藉由防濺部25之內側面接取而被回收。藥液例如為包含稀釋氫氟酸(DHF)或氨水之洗淨用之處理液。藥液也可為被利用於基板9上之氧化膜之除去或顯影、或蝕刻等洗淨以外之處理者。
圖4為用以說明基板9之處理之圖。於圖4之上段，顯示各處理中之基板9之上面91之狀況，中段顯示下降氣流之流量，下段顯示防濺部25之位置。此外，藉由賦予與各處理之步驟相同符號之箭頭，顯示進行該處理之期間。於圖4中之上段，如與箭頭S14所示之期間對應之最左側所示，於步驟S14中，於上面 91之整體填滿藥液。藥液之供給繼續既定時間後被停止。於藥液之處理中，也可藉由噴嘴移動機構，使藥液噴嘴30在水平方向擺動。也可與步驟S14同步，藉由純水供給部42將純水經由下部噴嘴34供給於基板9之下面(於朝基板9之上面91供給處理液之其他處理中也相同)。
若完成藥液之處理，則使藥液噴嘴30朝待機位置移動，且將純水‧溶劑噴嘴31配置於對向位置。然後，藉由純水供給部42將沖洗液即純水經由純水‧溶劑噴嘴31連續地供給於上面91(步驟S15)。藉此，進行藉由純水沖洗上面91上之藥液之沖洗處理。於沖洗處理中，如圖4中之上段之左起第2部分所示，上面91整體藉由純水所覆蓋。於純水之供給中，也以較高之旋轉速度使基板9旋轉。自基板9飛濺之純水，藉由防濺部25之內側面接取後，被朝外部排出。純水之供給被繼續既定時間，且於此期間，基板9之旋轉速度逐漸被降低至較上述旋轉速度充分低之旋轉速度(以下，稱為「純水保持旋轉速度」)。純水保持旋轉速度，例如為10[rpm]，但也可為0[rpm]。於此狀態下，如圖4中之上段之左起第2部分所示，於上面91上形成且保持有純水之液膜80。於此液膜80之形成後，停止純水之供給。
於保持既定時間純水之液膜80後，以維持使基板9以純水保持旋轉速度旋轉而不變之狀態，藉由圖1之有機溶劑供給部43，使有機溶劑經由純水‧溶劑噴嘴31開始供給於上面91(步驟S16)。有機溶劑例如為IPA(異丙醇)、甲醇、乙醇、丙酮等，且表面張力較純水低。本實施形態中，作為有機溶劑，係利用IPA。然後，一面繼續此有機溶劑之供給，一面使基板9之旋轉速度自純水 保持旋轉速度逐漸增速，使基板9以較高之旋轉速度(較純水保持旋轉速度高速之旋轉速度)旋轉。藉此，上面91上之有機溶劑，立即朝外緣部擴散，而使有機溶劑取代上面91之純水。此時，如圖4中之上段之左起第3部分所示，於上面91上形成且保持有有機溶劑之薄的液膜81。表面張力低(例如，較純水及充填劑低)之有機溶劑，容易進入上面91之構造體910中相互鄰接之構造體要素911之間，構造體910之間隙，被有機溶劑填滿。再者，雖於圖4中誇張地描繪基板9上面91之構造體910之大小，但實際上卻是半導體元件之構造位準之非常微細之構造。液膜81至少具有大致覆蓋構造體910之高度之程度或其以上之厚度。供給既定量之有機溶劑而結束純水之取代後，停止有機溶劑之供給。
若完成有機溶劑之供給，與此同時藉由控制部10將氣流形成部61之下降氣流之流量的設定變更為「低」，減小為較上述藥液及純水之供給時流量小(步驟S17)。於圖5中，藉由短箭頭A2顯示流量被設定為「低」之下降氣流。實際上，排出流量調整部621(參照圖1)之氣體之排出流量之設定也被變更為「低」，設定為較上述藥液及純水之供給時之排出流量小。此外，如圖5所示，防濺部25藉由防濺部昇降機構26而被配置於上段(步驟S18)。上段係較圖3所示之位置(中段)靠上方之位置。於配置在上段之防濺部25中，防濺部中央部251之上部，係配置在與基板9相同之高度，環狀間隙G之寬度D2，較圖3所示之環狀間隙G之寬度D1大。
並且，於停止有機溶劑之供給後，與上述步驟S17、S18同時，於基板處理裝置1中，使純水‧溶劑噴嘴31朝待機位置 移動，且將充填劑噴嘴32配置在與上面91之中央部對向之對向位置。然後，於步驟S16中之保持較高之旋轉速度之狀態下，藉由處理液供給部即充填劑供給部44，使充填劑經由充填劑噴嘴32朝上面91之中央部之有機溶劑之液膜81上供給既定量(步驟S19)。供給於有機溶劑之液膜81上之充填劑，藉由基板9之旋轉，自上面91之中央部朝外周部擴散，如圖4中之上段之左起第4部分所示，於有機溶劑之液膜81上層積有充填劑之液膜82。於圖4中，對液膜中之有機溶劑的層與充填劑的層施加不同之陰影線。再者，也可於停止基板9之旋轉之狀態下，朝上面91供給充填劑，然後開始基板9之旋轉。充填劑例如包含丙烯酸樹脂等之聚合物(樹脂)。此外，充填劑之比重，係較有機溶劑(在此為IPA)大。作為充填劑之溶媒，例示有水或乙醇等。聚合物相對於該溶媒具有溶解性，例如，藉由加熱至既定溫度以上會產生交聯反應。若經過既定時間，且被供給有既定量之充填劑而形成有液膜82，則停止充填劑之供給，於基板處理裝置1中，基板9之旋轉速度，自步驟S16中之較高之旋轉速度逐漸被減速，而使基板9以較低之旋轉速度(例如，前述之純水保持旋轉速度)旋轉。
在此，上述液膜81、82，係覆蓋上面91整體之連續之液層。藉由停止充填劑之供給，於液膜81、82中，形成幾乎無基板9、構成液膜81之液體(主要為有機溶劑)、及構成液膜82之液體(主要為充填劑)之沿上面91的相對移動之狀態(所謂積液狀態，以下稱為「靜液狀態」)。於步驟S19中，於氣流形成部61之下降氣流之流量、及排出流量調整部621之氣體之排出流量小，且配置於上段之防濺部25中，環狀間隙G之寬度D2也較大。因此， 基板9之外緣部附近之氣體之流速被降低，從而可抑制靜液狀態之液膜81、82之崩潰(亦即，於基板9外緣部附近，液膜崩潰而自基板9流出的情況)、或厚度之均勻性降低。此外，於以純水保持旋轉速度之基板9之旋轉中，有機溶劑或充填劑，也幾乎不會自上面91飛濺而變成水霧浮游。從而可抑制充填劑不期望發生之乾燥或剝離。
於基板9之旋轉速度低之狀態(前述之純水保持旋轉速度程度)下，雖各位置上之液膜81、82之厚度，會較大地受到沿上面91之氣體之氣流的影響，但藉由減低基板9之外緣部附近之氣體的流速，可確保液膜81之厚度之均勻性。以上述旋轉速度進行之基板9之旋轉(或停止基板9之旋轉之狀態)，僅被繼續既定時間。由於充填劑之比重，係較有機溶劑之比重大，因此於停止充填劑之供給之狀態下，藉由於上面91上保持包含有機溶劑之液膜81及包含充填劑之液膜82，如圖4中之上段之左起第4及第5部分所示，於上面91上之液膜81、82中，有機溶劑之液膜81的層及充填劑之液膜82的層被上下互換。如此，存在於構造體910之間隙之有機溶劑，被充填劑取代，充填劑進入相互鄰接之構造體要素911之間(步驟S20)。步驟S20係將充填劑埋入構造體910之間隙之處理。於步驟S20之液膜81、82中，構成液膜81、82之液體，也於水平方向幾乎不會於上面91上流動，而形成靜液狀態。
若完成充填劑之埋入處理(若自充填劑之供給停止經過既定時間)，則將氣流形成部61中之下降氣流之流量之設定變更為「高」，使下降氣流之流量較埋入處理時增大(步驟S21)。此外，排出流量調整部621中之氣體之排出流量之設定也被變更為「高」， 氣體之排出流量較埋入處理時大。本處理例中，下降氣流之流量及氣體之排出流量，係被返回至與藥液及純水之供給時相同程度。並且，如圖3所示，藉由防濺部昇降機構26將防濺部25配置(返回)於中段(步驟S22)。
接著，將基板9之旋轉速度昇高至較純水保持旋轉速度高速之旋轉速度。藉此，如圖4中之上段之左起第5及第6部分所示，自基板9除去有機溶劑之液膜81及充填劑之剩餘(所謂旋轉甩除(spin-off))(步驟S23)。自基板9飛濺之液體(有機溶劑及充填劑)，藉由防濺部25之內側面而被接取。於除去了有機溶劑及充填劑之剩餘之液膜82中，殘留有為了覆蓋構造體910整體而需要之厚度之充填劑。
然後，如圖6所示，藉由防濺部昇降機構26將防濺部25配置於下段(步驟S24)。下段係較圖3所示之位置(中段)靠下方之位置。於配置在下段之防濺部25中，防濺部上部252之上部，係配置於與基板9大致相同高度，環狀間隙G之寬度D3，係較圖3所示之環狀間隙G之寬度D1、及圖5所示之環狀間隙G之寬度D2小。
於基板處理裝置1中，與步驟S20~S24同步，使充填劑噴嘴32朝待機位置移動，且將外緣部洗淨噴嘴33配置於與上面91之外緣部對向之對向位置。若防濺部25被配置於下段，則藉由有機溶劑供給部43，使有機溶劑經由外緣部洗淨噴嘴33連續地供給於上面91之外緣部(所謂，晶邊(bevel)洗淨)(步驟S25)。自外緣部洗淨噴嘴33噴出之有機溶劑，係用以洗淨基板9之外緣部者，以下稱為「洗淨液」。
外緣部洗淨噴嘴33之洗淨液之噴出方向，係自上下方向之向下方向朝外側(自中心軸JI分離之方向)傾斜，僅對上面91之外緣部供給洗淨液。此外，與藥液及純水之供給時相同，以較純水保持旋轉速度高速之旋轉速度使基板9旋轉。藉此，沿全周除去附著於未形成有構造體910之上面91之外緣部、或基板9之端面(周緣面)之充填劑。如此，藉由除去附著於外緣部或端面之不要之充填劑，於後續之處理中搬送基板9時，防止搬送機構之臂被汙染。有機溶劑供給部43，還發揮作為朝外緣部供給洗淨液之洗淨液供給部之作用。
在此，外緣部洗淨噴嘴33，係與上面91之外緣部之一部分對向。因此，自外緣部洗淨噴嘴33噴出之洗淨液或除去之充填劑，僅自外緣部之該部分附近集中飛濺，容易變成大量之水霧而浮游。於洗淨液之供給時，與藥液及純水之供給時相比，由於環狀間隙G之寬度小，因此通過環狀間隙G之氣體之流速增大。因此，基板9之外緣部附近之水霧，容易藉由該氣體之氣流而被朝杯部23內導引。此外，還可防止通過環狀間隙G之水霧，與氣體之氣流逆向流動，再度通過寬度狹窄之環狀間隙G而返回基板9之上面91側。如以上說明，藉由配置於下段之防濺部25，於洗淨液之供給時，抑制自基板9之上面91飛濺之洗淨液等之水霧附著於上面91。再者，此時，充填劑被暫時硬化，或埋入構造體910之間隙內，不會有因上述氣體之氣流而產生充填劑之剝離之情形。
完成來自外緣部洗淨噴嘴33之洗淨液之噴出後，藉由繼續進行既定時間基板9之旋轉，除去外緣部之洗淨液。然後，停止基板9之旋轉，藉由外部之搬送機構將基板9朝艙體5外搬出 (步驟S26)。基板9藉由外部之熱板烘烤後，被除去充填劑之液膜82中之溶媒成分，並將充填劑含有之聚合物正式硬化(固化)。藉此，成為於鄰接之構造體要素911之間充填有固化之聚合物之狀態。然後，將基板9朝外部之乾式蝕刻裝置搬送，藉由乾式蝕刻除去聚合物。
此時，由於介入相鄰之構造體要素911之間的介入物(聚合物)係固體，因此可於介入物之表面張力不作用於構造體要素911之狀態下除去該介入物。沖洗處理後之上述一系列的處理，可視作附著於上面91之純水(沖洗液)之乾燥處理，藉由該乾燥處理，防止因乾燥途中之純水之表面張力而引起之構造體要素911之變形。聚合物之除去，也可藉由不使用液體之其他方法進行。例如，根據聚合物之種類，藉由於減壓狀態下將聚合物加熱，而進行利用聚合物之昇華之除去。
如以上說明，於基板處理裝置1中，進行以有機溶劑填滿上面91之構造體910之間隙之處理(步驟S16)、及以充填劑取代存在於構造體910之間隙之有機溶劑之處理(步驟S20)。於兩處理中，於上面91上保持(維持)有液膜81、82。然後，一面使基板9高速旋轉，一面進行除去附著於基板9之外緣部之充填劑之處理(步驟S25)。此外，昇降防濺部25，以使步驟S16、S20中之環狀間隙G之寬度，較步驟S25中之環狀間隙G之寬度大。藉此，於保持液膜81、82時，可使基板9之外緣部附近之氣體之流速降低，從而可抑制液膜81、82之崩潰或局部剝離，抑制厚度之均勻性降低。此外，於洗淨基板9之外緣部時，可使自外緣部附近朝向環狀間隙G之氣體之流速增大，進而可抑制自基板9飛濺之洗淨液等(之水霧) 返回基板9。
此外，於保持液膜81、82時，藉由氣流形成部61而形成之下降氣流之流量，係較外緣部之洗淨時之該流量小。藉此，可進一步減低外緣部附近之氣體之流速，進而可進一步抑制液膜81、82之崩潰等。並且，於保持液膜81、82時，經由排出流量調整部621之氣體之排出流量，係較外緣部之洗淨時之該排出流量小。藉此，可更進一步降低基板9之外緣部附近之氣體之流速。
於基板處理裝置1中，於以充填劑取代存在於構造體910之間隙之有機溶劑時，維持停止朝基板9之上面91上之充填劑供給之狀態。藉此，可更確實地以充填劑取代該有機溶劑。此外，朝上面91供給其他之處理液(藥液或純水)時之環狀間隙G之寬度，係較保持充填劑之液膜82時之環狀間隙G之寬度小，且較洗淨外緣部時之環狀間隙G之寬度大。藉此，一面可更確實地於防濺部25接取自基板9飛濺之該其他之處理液，一面可確保外緣部之氣體之某程度之流量，抑制飛濺之該其他之處理液(水霧)返回基板9。
於基板處理裝置1中，防濺部25之上段及中段也可為相同之位置。該情況下，於圖2A及圖2B之處理中，可省去步驟S18、S22中之防濺部25之昇降動作，從而可簡化基板9之處理。根據基板處理裝置1之設計，也可將防濺部25之中段及下段設定為相同之位置。
於上述基板處理裝置1中，可進行各種各樣之變形。
於上述實施形態中，雖藉由氣流形成部61始終形成下降氣流，但例如於圖4之下降氣流被設定為「低」之期間，也可 將氣流形成部61設定為OFF、即藉由氣流形成部61供給之氣體之供給流量為0。該情況下，也會因經由排氣流道62之氣體之排出而產生下降氣流，因此變更環狀間隙G之寬度之上述方法，可有效應對。也可根據基板處理裝置1之設計，省去氣流形成部61。
另一方面，若下降氣流變得過低，於杯部23內，存在於較基板9靠下方之塵粒或藥液環境氣體等朝上方移動(亦即，塵粒等逆流)，塵粒等附著於基板9之上面91，進而會汙染基板9。因此，根據更確實地防止因塵粒等之逆流而造成基板9之汙染之觀點，於保持液膜81、82時，較佳為維持自氣流形成部61朝艙體5內之氣體之供給。
也可將外緣部洗淨噴嘴33連接於純水供給部42，於步驟S25之基板9之外緣部之洗淨中，利用純水作為洗淨液。於該情況下，純水供給部42還發揮作為洗淨液供給部之作用。此外，也可根據旋轉夾頭22之構造等，設置朝基板9之下面之外緣部供給洗淨液之外緣部洗淨噴嘴。該情況下，也可於自該外緣部洗淨噴嘴噴出處理液時，藉由減小環狀間隙G之寬度，使通過環狀間隙G之氣體之流速增大，進而抑制自基板9飛濺之洗劑液等返回基板9。
基板保持旋轉機構，也可以各式各樣之形式實現。例如，也可藉由接觸於上面91形成有構造體之基板9之下面之基板保持旋轉機構，一面以使上面91朝向上方且實質上水平之姿勢保持基板9，一面使基板9旋轉。
於基板處理裝置1中，也可設置使基板保持旋轉機構昇降之昇降機構，使基板保持旋轉機構及基板9昇降，而變更環狀間隙G之寬度。如此，基板處理裝置1之昇降機構，只要使圍繞於 基板9之周圍之筒狀之防濺部25相對於基板保持旋轉機構相對地昇降即可。
以基板處理裝置1處理之基板，不限於半導體基板，也可為玻璃基板或其他之基板。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，也可適宜組合。
雖然對發明詳細地進行了描述及說明，但已述之說明僅為例示而非用以限制。因此，只要不超出本發明之範圍，即可實施多數之變形或形態。

Claims (14)

  1. 一種基板處理方法，係處理表面形成有構造體之基板者，其具備以下之步驟：a)藉由設置於沿上下方向具有直徑不同之部位的筒狀之防濺部之內側的基板保持旋轉機構，以上述表面朝向上方且實質上水平之姿勢，保持表面形成有構造體之基板之步驟；b)朝上述基板之上述表面供給既定之溶劑，且於上述表面上保持上述溶劑之液膜，而以上述溶劑填滿上述表面之上述構造體之間隙之步驟；c)朝在上述b)步驟中形成之上述液膜供給既定之處理液，且以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑之步驟；d)使上述基板旋轉，自上述基板除去上述溶劑及上述處理液之剩餘之步驟；及e)一面使上述基板旋轉，一面朝上述基板之外緣部供給既定之洗淨液，除去附著於上述外緣部之上述處理液之步驟；在上述c)步驟中以形成於上述防濺部之內側面與上述基板之上述外緣部之間的環狀之最小間隙之寬度，較上述e)步驟中之上述最小間隙之寬度大之方式，使上述防濺部相對於上述基板旋轉保持機構而相對地昇降。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，上述c)步驟具備：c1)朝上述表面供給上述處理液之步驟；及c2)於停止上述處理液之供給之狀態下，在上述表面上保持包含上述處理液之液膜，且以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑之步驟。
  3. 如請求項2之基板處理方法，其中，上述處理液之比重，係較上述溶劑之比重大。
  4. 如請求項2之基板處理方法，其中，於上述c1)步驟中使上述基板以第1旋轉速度旋轉，於上述c2)步驟中使上述基板以較上述第1旋轉速度低速之第2旋轉速度旋轉或使上述基板停止。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中，以上述b)步驟中之上述最小間隙之寬度較上述e)步驟中之上述最小間隙之寬度大之方式，使上述防濺部相對於上述基板旋轉保持機構而相對地昇降。
  6. 如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中，於上述防濺部及上述基板保持旋轉機構之上方，設置有形成下降氣流之氣流形成部。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中，於上述c)步驟中藉由上述氣流形成部而形成之上述下降氣流之流量，係較上述e)步驟中之上述下降氣流之流量小。
  8. 一種基板處理裝置，係處理表面形成有構造體之基板者；其具備：筒狀之防濺部，其沿上下方向具有直徑不同之部位；基板保持旋轉機構，其設置於上述防濺部之內側，且以上述表面朝向上方且實質上水平之姿勢，保持表面形成有構造體之基板；溶劑供給部，其朝上述表面供給既定之溶劑；處理液供給部，其朝上述表面供給既定之處理液；洗淨液供給部，其朝上述基板之外緣部供給既定之洗淨液；昇降機構，其藉由使上述防濺部相對於上述基板保持旋轉機構而相對地昇降，變更形成於上述防濺部之內側面與上述基板之上述外緣部之間的環狀之最小間隙之寬度；及控制部，其藉由上述溶劑供給部朝上述基板之上述表面供給上述溶劑，且於上述表面上保持上述溶劑之液膜，以上述溶劑填滿上述表面之上述構造體之間隙，且於上述最小間隙之寬度為第1寬度之狀態下，藉由上述處理液供給部朝上述液膜供給上述處理液，以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑，且使上述基板旋轉，自上述基板除去上述溶劑及上述處理液之剩餘，且於上述最小間隙之寬度為較上述第1寬度小之第2寬度之狀態下，一面使上述基板旋轉，一面藉由上述洗淨液供給部朝上述基板之上述外緣部供給上述洗淨液，除去附著於上述外緣部之上述處理液。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，於朝上述表面供給上述處理液後，於停止上述處理液之供給之狀態下，藉由在上述表面上保持包含上述處理液之液膜，以上述處理液取代存在於上述構造體之上述間隙之上述溶劑。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述處理液之比重，係較上述溶劑之比重大。
  11. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述基板保持旋轉機構，在上述處理液之供給時，使上述基板以第1旋轉速度旋轉，且於包含上述處理液之上述液膜之保持時，使上述基板以較上述第1旋轉速度低速之第2旋轉速度旋轉或使上述基板停止。
  12. 如請求項8至11中任一項之基板處理裝置，其中，上述昇降機構係以上述溶劑之上述液膜之保持時的上述最小間隙之寬度較上述洗淨液之供給時之上述最小間隙之寬度大的方式，使上述防濺部相對於上述基板旋轉保持機構而相對地昇降。
  13. 如請求項8至11中任一項之基板處理裝置，其中，於上述防濺部及上述基板保持旋轉機構之上方，設置有形成下降氣流之氣流形成部。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中，於以上述處理液取代上述溶劑時藉由上述氣流形成部而形成之上述下降氣流之流量，係較上述洗淨液之供給時之上述下降氣流之流量小。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6642597B2 (ja) * 2018-02-02 2020-02-05 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法
JP7015219B2 (ja) * 2018-06-29 2022-02-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102597005B1 (ko) * 2020-12-29 2023-11-02 세메스 주식회사 기판 처리 방법
US11925963B2 (en) 2022-05-27 2024-03-12 Semes Co., Ltd. Method for treating a substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200612481A (en) * 2004-08-18 2006-04-16 Tokyo Electron Ltd Development processing method
TW201528412A (zh) * 2013-12-18 2015-07-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置，基板處理裝置之控制方法及記錄媒體

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223457A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Sony Corp 半導体装置の洗浄方法及び洗浄装置、及び半導体装置の製造方法
JP2007235032A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5312856B2 (ja) * 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5667545B2 (ja) * 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5586734B2 (ja) * 2012-08-07 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6017999B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6216188B2 (ja) * 2013-09-04 2017-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200612481A (en) * 2004-08-18 2006-04-16 Tokyo Electron Ltd Development processing method
TW201528412A (zh) * 2013-12-18 2015-07-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置，基板處理裝置之控制方法及記錄媒體

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