TW201528412A - 基板處理裝置，基板處理裝置之控制方法及記錄媒體 - Google Patents

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Hiroyuki Araki
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Abstract

本發明之基板處理裝置之控制裝置係判斷在處理排程之各時間內設定值變更條件為是否成立。在處理排程中之任一時間內，設定值變更條件為成立之情形，控制裝置係以將設定值變更條件為成立之時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以設定為較基準值為大的值之方式，製作將在處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之個別排氣排程。而且，控制裝置係以與處理排程同時之方式執行個別排氣排程。

Description

基板處理裝置，基板處理裝置之控制方法及記錄媒體
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置、控制基板處理裝置之基板處理裝置之控制方法、及記錄有藉由基板處理裝置之控制裝置而執行之程式之電腦可讀取之記錄媒體。
成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示裝置(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。
專利文獻1中揭示有基板處理裝置，其具備控制部，該控制部監視測量腔室本體內之壓力之壓力計之壓力值，進行反饋控制，該反饋控制係對電動氣動調節器(electric pneumatic regulator)中流通之流體之壓力進行控制。
專利文獻2中揭示有基板處理裝置，其具備控制部，該控制部基於第1氮氣濃度計及第2氮氣濃度計之測定之結果，進行控制濃度可變部中之氮氣之溶解或脫氣之反饋控制。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-252275號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-79990號公報
於基板之處理中較為重要的是以最佳之值使排氣流量等流量穩定，但以高精度使流量穩定較難。
習知之基板處理裝置為了使流量穩定，而利用測量器等測量裝置之狀態，進行反饋控制。然而，流量之反饋控制存在至流量穩定為止需要時間等之類的問題。
因此，本發明之目的之一係縮短至自處理單元排出之排氣之流量穩定為止之時間。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理裝置，其具備有：處理單元，其對複數片基板逐片進行處理；排氣單元，其自上述處理單元將氣體加以排出；以及作為電腦之控制裝置，其控制上述處理單元及排氣單元。
上述處理單元係包含有：腔室，其具有內部空間；基板保持單元，其在上述腔室內保持基板；處理流體供給單元，其對被上述基板保持單元所保持之基板供給處理流體；以及可動構件，其能夠在彼此分開之位置即為原點位置及動作位置之間，在上述腔室內移動。
上述排氣單元係包含有：個別排氣管，其將自上述腔室所排出之氣體，朝向排氣處理設備進行導引；及個別排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述個別排氣管內流動之排氣 的流量。
上述控制裝置係執行如下之步驟：處理排程製作步驟，其製作以時間序列將處理基板時之上述處理單元之動作加以規定之處理排程；設定值變更判斷步驟，其判斷設定值變更條件為是否成立，該設定值變更條件係包含有在上述處理排程製作步驟中所製作之上述處理排程之各時間內，上述可動構件位在上述原點位置以外之位置的位置條件；個別排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述處理排程之各時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之個別排氣排程：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述可動構件位在上述原點位置時之設定值即基準值為大的值；及個別排氣排程執行步驟，其以與上述處理排程同時之方式執行上述個別排氣排程。
於設定值變更條件包含複數個條件(例如位置條件及處理流體吐出中條件)之情形時，所謂「設定值變更條件成立」，係指「設定值變更條件中所包含之複數個條件之至少一個成立」。
被處理流體供給單元供給至基板之處理流體既可為處理液，亦可為處理氣體。處理氣體亦可為處理劑之蒸氣(自液狀或固體狀之處理劑產生之氣體)，除處理劑之蒸氣或霧以外，亦可為包含載氣(例如惰性氣體)之氣體。
根據上述一實施形態之構成，製作以時間序列規定處理基板時之處理單元之動作之處理排程。一方面參照該處理排程，一方面製作規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值之個別排氣排 程。而且，與處理排程同時地執行個別排氣排程。
設定值變更條件包含可動構件位於除原點位置以外之位置的位置條件。於在處理排程中之任一時間內，以將可動構件配置於除原點位置以外之位置之方式進行計劃之情形時，即，於設定值變更條件成立之情形時，設定值變更條件成立之時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以設定為大於可動構件位於原點位置時之設定值(基準值)之值的方式進行計劃。於基板處理裝置具備複數個可動構件之情形時，基準值為所有可動構件位於原點位置時之設定值。
於可動構件實際上位於除原點位置以外之位置時，個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值設定為大於基準值之值。因此，將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)變強。換言之，低於大氣壓之排氣壓(負壓)之絕對值變大。因此，即便處理單元之排氣阻力(壓力損失)根據可動構件之位置而增加，排氣壓亦相應地變強，故可抑制自處理單元排出之排氣之流量之變動。
進而，個別排氣排程與處理排程同時地被執行。即，個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值並非於自處理單元排出之氣體之流量實際上變化之後被變更，而是於流量之變化產生之前被調整。因此，相較於進行反饋控制之情形，可縮短至排氣流量穩定為止之時間。
規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值之個別排氣排程係基於處理排程而製作。即便於執行相同之配方之情形時，亦有影響排氣流量之參數不同之情況。因此，藉由基於各個處理排程而製作個別排氣排程，無論為哪一基板之處理均可將排氣流量最佳化。
在上述一實施形態中，上述設定值變更條件亦可更進一 步包含有上述處理流體供給單元正在吐出處理流體之處理流體吐出中條件。
根據該構成，即便於以吐出處理流體之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)之方式計劃。
於吐出處理流體之情形時(特別是於吐出處理液之情形時)，處理單元內易於產生霧。若霧附著於基板，則有污染基板之情況。又，有霧變化為作為基板之污染原因之一之微粒，且微粒於處理單元內懸浮之情況。因此，藉由於實際上吐出處理流體時增強排氣壓，而可將霧自處理單元內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
在上述一實施形態中，上述處理流體供給單元亦可包含有將作為處理流體之藥液朝向被上述基板保持單元所保持之基板加以吐出之藥液噴嘴。上述設定值變更條件亦可更進一步包含有上述藥液噴嘴開始藥液之吐出的藥液吐出開始條件。
在該構成中，上述個別排氣排程製作步驟亦可包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形將上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值，並且自較上述藥液吐出開始條件為成立之時間更早，將上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值。
根據該構成，於以吐出作為處理流體之藥液之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓) 之方式計劃。於吐出藥液之情形時，於處理單元內易於產生藥液之霧。進而，相較於純水等清洗液之霧，藥液之霧污染基板之可能性更高。因此，藉由於實際上吐出藥液時增強排氣壓，而可將藥液之霧自處理單元內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
進而，以自早於藥液吐出開始條件成立之時間，即自開始藥液之吐出之前，增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)之方式計劃。而且，以於繼續藥液之吐出期間，亦維持增強排氣壓之狀態之方式計劃。因此，由於在增強排氣壓之狀態下開始藥液之吐出，故可自藥液之剛吐出後高效率地排出藥液之霧。藉此，可減少腔室內之藥液之霧之殘留量，從而可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
在上述構成中，上述個別排氣排程製作步驟亦可包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較基準值為大的值，並且至較上述藥液吐出開始條件為成立之時間之後為止，將上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值。
根據該構成，以較藥液吐出結束條件成立之時間之後，即，停止藥液之吐出之後，仍增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)之方式計劃。因此，可確實地排出於藥液之吐出停止後於腔室內懸浮之藥液之霧。藉此，可減少腔室內之藥液之霧之殘留量，從而可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
在上述一實施形態中，上述基板保持單元亦可包含有在上述腔室內一方面將基板加以保持一方面使其旋轉之旋轉夾盤。上述設定值變更條件亦可更進一步包含有基板進行旋轉之基板旋轉條件。
根據該構成，於以旋轉夾盤使基板旋轉之方式計劃之情形時，以增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)之方式計劃。
若附著有處理液之基板旋轉，則處理液自基板飛散，故易於產生霧。因此，藉由於基板實際上旋轉時增強排氣壓，而可將霧自處理單元內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
在上述一實施形態中，上述基板旋轉條件亦可包含有基板以大於上述處理流體供給單元吐出處理流體(例如處理液)時之基板之旋轉速度之乾燥速度進行旋轉之乾燥執行條件。
根據該構成，於基板以乾燥速度進行旋轉時，增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)。
乾燥速度係大於處理流體供給單元吐出處理流體時之基板之旋轉速度之旋轉速度。若基板之旋轉速度增加，則作用於附著於基板之處理液之離心力亦增加，故自基板飛散之處理液之量增加。因此，於基板以乾燥速度進行旋轉時，易於產生霧。因此，藉由於基板以乾燥速度進行旋轉時增強排氣壓，而可將霧自處理單元內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。
在上述一實施形態中，上述可動構件亦可包含有遮斷板，其能夠在上述基板保持單元之上方之遮斷板原點位置和上述遮斷板原點位置與上述基板保持單元之間之遮斷板動作位置之間，在上述 腔室內移動。上述設定值變更條件亦可更進一步包含有上述遮斷板自上述遮斷板動作位置移動至上述遮斷板原點位置之遮斷板上升條件。
根據該構成，於以使遮斷板向上方移動之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)之方式計劃。
若遮斷板自遮斷板動作位置上升至遮斷板原點位置，則遮斷板自基板離開，遮斷板與基板之間隔擴大。若遮斷板之上升速度較大，則遮斷板與基板之間之氣壓降低，腔室內之環境氣體被吸入至遮斷板與基板之間。因此，有於基板之周圍懸浮之霧或微粒附著於基板之虞。
若使遮斷板之上升速度降低，則可認為因負壓之產生所致之環境氣體之吸入減少。然而，若遮斷板之上升速度較慢，則基板之處理所需之時間增加，故有基板處理裝置之處理量(每一單位時間之基板之處理片數)減少之虞。
若於遮斷板與基板之間隔擴大時增強排氣壓，則基板之周圍之環境氣體被強制地吸至個別排氣管側，故抑制環境氣體進入至遮斷板與基板之間。因此，可不使遮斷板之上升速度降低而抑制或防止基板之周圍之環境氣體接觸基板。因此，可一方面維持處理量一方面減少基板之污染。
在上述一實施形態中，上述控制裝置亦可包含有記憶裝置，其記憶有表，該表係包含有針對上述可動構件之每個位置而所被分配之複數個點數、及針對自上述處理流體供給單元之處理流體之每種吐出狀態而所被分配之複數個點數。上述控制裝置亦可更進一步執行如下之合計值計算步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設 定值變更條件為成立之情形，根據上述表而求出在上述處理排程之各時間內之點數的合計值。上述個別排氣排程製作步驟亦可包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，根據上述合計值之大小，加以設定為較上述基準值為大的值。
根據該構成，包含複數個點數之表記憶於控制裝置之記憶裝置。複數個點數係針對處理單元之每種工作狀況而分配。具體而言，表包含分別分配於可動構件之原點位置及動作位置之複數個點數、及分別分配於處理流體之吐出中狀態及吐出停止狀態之複數個點數。
於在處理排程中之任一時間內設定值變更條件成立之情形時，計算處理排程之各時間內之點數之合計值。而且，處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以根據點數之合計值之大小設定為大於基準值之值的方式計劃。因此，將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)係根據處理單元之工作狀況而被調整。因此，可使腔室內之氣流接近理想之狀態。
在上述一實施形態中，上述基板保持單元亦可包含有在上述腔室內一方面將基板加以保持一方面使其旋轉之旋轉夾盤。上述表亦可更進一步包含有針對基板之每種旋轉狀態而所被分配之複數個點數。
根據該構成，記憶於控制裝置之記憶裝置之表除包含針對可動構件之每個位置而分配之複數個點數、及針對處理流體之每種吐出狀態而分配之複數個點數以外，還包含分別分配於基板之旋轉中 狀態及旋轉停止狀態之複數個點數。因此，將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)被調整為亦考慮到基板之旋轉狀態之大小。因此，可使腔室內之氣流接近理想之狀態。
在上述一實施形態中，針對自上述處理流體供給單元之處理流體之每種吐出狀態而所被分配之上述複數個點數亦可包含有針對將作為處理流體之清洗液加以吐出之狀態而所被分配之清洗液之點數、及針對將作為處理流體之藥液加以吐出之狀態而所被分配且大於上述清洗液之點數之藥液之點數。
根據該構成，記憶於控制裝置之記憶裝置之表包含針對清洗液之吐出中狀態而分配之清洗液之點數、及針對藥液之吐出中狀態而分配之藥液之點數。藥液之點數大於清洗液之點數。因此，若處理單元之其他工作狀況相同，則吐出藥液時之點數之合計值大於吐出清洗液時之點數之合計值。
如上所述，處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以根據點數之合計值之大小設定為大於基準值之值的方式計劃。若點數之合計值較大，則將腔室內之氣體排出至個別排氣管內之力(排氣壓)較強，故確實地排出腔室內之氣體。
相較於純水等清洗液之霧，藥液之霧污染基板之可能性更高。因此，藉由於實際上吐出藥液時增強排氣壓，而可將藥液之霧自處理單元內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板之污染。
在上述一實施形態中，上述表亦可包含有一個以上之臨限值，其將點數之合計值根據點數之合計值之大小加以分類成複數個群組，該等複數個群組係分別分配有大小各不相同之複數個加算值。 上述控制裝置亦可更進一步執行如下之群組判定步驟：根據上述表而求出在上述合計值計算步驟中所求出之點數之合計值為屬於上述複數個群組中之哪一個。上述個別排氣排程製作步驟亦可包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，使在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，形成較上述基準值僅增大被分配至在上述合計值計算步驟中所求出之點數之合計值所屬之上述群組的上述加算值。
根據該構成，將點數之合計值分類成複數個群組之一個以上之臨限值包含於記憶於控制裝置之記憶裝置之表。點數之合計值屬於複數個群組中之哪一個係基於表而求出。
即便於處理排程之各時間內之點數之合計值不同之情形時，若群組相同，則分配於該群組之加算值亦被加入至個別排氣流量調整單元之基準值。換言之，即便點數之合計值不同，若合計值所屬之群組相同，則個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值亦不變。因此，相較於每次點數之合計值產生變化就變更排氣之強度之情形，可防止控制之複雜化。
在上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可包含有複數個上述處理單元。上述排氣單元亦可包含有：複數個上述個別排氣管，其等分別對應於上述複數個上述處理單元，且將自上述複數個上述處理單元之上述腔室所排出之氣體，朝向上述排氣處理設備進行導引；複數個上述個別排氣流量調整單元，其等分別對應於上述複數個上述個別排氣管，且調整朝向上述排氣處理設備而在上述複數個上述個別排氣管內流動之排氣的流量；集合排氣管，其連接有上述複數個 上述個別排氣管之各者；及集合排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述集合排氣管內流動之排氣的流量。
上述控制裝置亦可更進一步執行如下之步驟：源壓變更判斷步驟，其在上述個別排氣排程製作步驟中所製作之上述個別排氣排程之各時間內，加以判斷源壓變更條件是否成立，該源壓變更條件係為上述複數個上述個別排氣流量調整單元中之任一排氣流量設定值為大於上述基準值；集合排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述個別排氣排程之各時間內之上述集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之集合排氣排程：在上述個別排氣排程中之任一時間內，上述源壓變更條件為成立之情形，將在上述源壓變更條件為成立之時間內之上述集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為上述基準值時之設定值即源壓基準值為大的值；及集合排氣排程執行步驟，其以與上述個別排氣排程同時之方式執行上述集合排氣排程。
根據該構成，複數個處理單元內之氣體分別被排出至複數個個別排氣管。於各個別排氣管內朝向排氣處理設備流至下游側之排氣被排出至集合排氣管內。朝向排氣處理設備而於集合排氣管內流動之排氣之流量係由集合排氣流量調整單元調整。
規定集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值之集合排氣排程係一方面參照規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值之個別排氣排程一方面被製作。而且，與個別排氣排程同時地執行集合排氣排程。
於在個別排氣排程中之任一時間內，任一個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於基準值之源壓變更條件成立之情形 時，源壓變更條件成立之時間內之集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以設定為大於各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為基準值時之設定值(源壓基準值)之值的方式計劃。
若任一個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於基準值，則有集合排氣管內之排氣壓降低，且該排氣壓之降低之影響波及其他處理單元之情況。因此，藉由使集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於源壓基準值，而可抑制或防止自其他處理單元排出之排氣之流量之減少。藉此，可抑制或防止其他處理單元中之壓力變動。
進而，集合排氣排程係與個別排氣排程同時地被執行。即，集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值並非於在集合排氣管內流動之排氣之流量實際上變化之後被變更，而是於流量之變化產生之前被調整。因此，相較於進行反饋控制之情形，可縮短至排氣流量穩定為止之時間。
在上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可包含有複數個上述處理單元。上述排氣單元亦可包含有：複數個上述個別排氣管，其等分別對應於上述複數個上述處理單元，且將自上述複數個上述處理單元之上述腔室所排出之氣體，朝向上述排氣處理設備進行導引；複數個上述個別排氣流量調整單元，其等分別對應於上述複數個上述個別排氣管，且調整朝向上述排氣處理設備而在上述複數個上述個別排氣管內流動之排氣的流量；集合排氣管，其連接有上述複數個上述個別排氣管之各者；集合排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述集合排氣管內流動之排氣的流量；及集合流量計，其檢測朝向上述排氣處理設備而在上述集合排氣管內流動之排氣 的流量。上述控制裝置亦可以如下方式控制上述集合排氣流量調整單元：使根據上述集合流量計之檢測值而求出之上述集合排氣管內之排氣流量，接近於各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為基準值時的值即流量基準值。
根據該構成，基於集合流量計之檢測值而求出集合排氣管內之排氣流量。集合排氣管連接於複數個個別排氣管之各者。若集合排氣管內之排氣流量變動，則於各個別排氣管內流動之排氣之流量亦變動。若集合排氣管內之排氣流量變動，則控制裝置以集合排氣管內之排氣流量接近流量基準值之方式進行控制集合排氣流量調整單元之反饋控制。藉此，可減少自各處理單元排出之排氣之流量之變化，從而可抑制或防止各處理單元中之壓力變動。
在上述一實施形態中，上述集合排氣流量調整單元亦可包含有將上述集合排氣管加以開閉之集合風門、及在上述集合排氣管內形成朝向上述排氣處理設備流動之氣流之鼓風機中之至少一者。
根據該構成，集合風門及鼓風機中之至少一者設置於集合排氣流量調整單元。
若集合風門使集合排氣管之流路面積增加或減少，則於集合排氣管內流動之排氣之流量增加或減少。又，若藉由鼓風機之送風而於集合排氣管內形成朝向排氣處理設備流動之氣流，則促進氣體自集合排氣管之排出，故於集合排氣管內流動之排氣之流量增加。藉此，調整朝向排氣處理設備而於集合排氣管內流動之排氣之流量。
進而，若鼓風機進行送風，則集合排氣管內之氣體被鼓風機強制地排出，故集合排氣管內之排氣壓升高(排氣壓之絕對值變大)。因此，即便於排氣設備之吸引力不充分之情形時，亦可藉由使鼓 風機作動，而將集合排氣管內之排氣壓保持為固定之壓力。藉此，可抑制或防止各處理單元中之壓力變動。
在上述一實施形態中，上述可動構件亦可在上述腔室內形成朝向上述個別排氣管而在上述腔室之內部流動之氣體的流路。上述動作位置係相較於上述可動構件位於上述原點位置時，上述腔室內流路之壓力損失更大之位置。
根據該構成，朝向個別排氣管而於腔室之內部流動之氣體之流路藉由可動構件而形成於腔室內。因此，若可動構件於腔室內移動，則流路之形狀產生變化，故處理單元之排氣阻力產生變化。因此，藉由將個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值根據可動構件之位置進行變更，而可使自處理單元排出之氣體之流量穩定。
在上述一實施形態中，上述可動構件亦可包含有遮斷板及防濺防護板中之至少一者，該遮斷板係能夠在上述基板保持單元之上方之遮斷板原點位置和上述遮斷板原點位置與上述基板保持單元之間之遮斷板動作位置之間，在上述腔室內移動，該防濺防護板係能夠在較被上述基板保持單元所保持之基板為更下方之防護板原點位置與位在被上述基板保持單元所保持之基板之周圍之防護板動作位置之間，在上述腔室內移動。遮斷板原點位置及防護板原點位置均為原點位置。同樣地，遮斷板動作位置及防護板動作位置均為動作位置。
本發明之另一實施形態係提供一種基板處理裝置之控制方法，其藉由基板處理裝置之上述控制裝置而被加以執行，該基板處理裝置係具備有：處理單元，其對複數片基板逐片進行處理；排氣單元，其將上述處理單元內之氣體加以排出；以及作為電腦之控制裝置，其控制上述處理單元及排氣單元。
上述處理單元係包含有：腔室，其具有內部空間；基板保持單元，其在上述腔室內保持基板；處理流體供給單元，其對被上述基板保持單元所保持之基板供給處理流體；以及可動構件，其能夠在彼此分開之位置即為原點位置及動作位置之間，在上述腔室內移動。
上述排氣單元係包含有：個別排氣管，其將自上述腔室所排出之氣體，朝向排氣處理設備進行導引；及個別排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述個別排氣管內流動之排氣的流量。
上述基板處理裝置之控制方法係包含有：處理排程製作步驟，其製作以時間序列將處理基板時之上述處理單元之動作加以規定之處理排程；設定值變更判斷步驟，其判斷設定值變更條件為是否成立，該設定值變更條件係包含有在上述處理排程製作步驟中所製作之上述處理排程之各時間內，上述可動構件位在上述原點位置以外之位置的位置條件；個別排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述處理排程之各時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之個別排氣排程：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述可動構件位在上述原點位置時之設定值即基準值為大的值；及個別排氣排程執行步驟，其以與上述處理排程同時之方式執行上述個別排氣排程。根據該方法，可發揮與上述效果相同之效果。
本發明之又另一實施形態係提供一種記錄媒體，其記錄有藉由與上述基板處理裝置之控制方法相關之基板處理裝置的控制裝置而被加以執行之電腦程式且為可被電腦讀取者，且記錄有以使作為 電腦之上述控制裝置執行上述基板處理裝置之控制方法之方式編入有步驟群之電腦程式。
本發明中之上述或又一目的、特徵及效果係藉由參照隨附圖式於下文敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧負載埠
3‧‧‧處理單元
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧腔室
6‧‧‧間隔壁
7‧‧‧FFU
8‧‧‧旋轉夾盤
9‧‧‧夾盤銷
10‧‧‧旋轉基底
11‧‧‧旋轉馬達
12‧‧‧第1藥液噴嘴
13‧‧‧第2藥液噴嘴
14‧‧‧清洗液噴嘴
15‧‧‧處理液捕獲構件
16‧‧‧防濺防護板
17‧‧‧防護板開口
18‧‧‧上捕獲部
19‧‧‧上導引部
20‧‧‧下捕獲部
21‧‧‧收容部
22‧‧‧杯
23‧‧‧底壁
24‧‧‧內壁
25‧‧‧外壁
26‧‧‧排液溝
27‧‧‧排出口
28‧‧‧回收溝
29‧‧‧防護板升降單元
30‧‧‧遮斷板
31‧‧‧中心開口
32‧‧‧心軸
33‧‧‧支持臂
34‧‧‧遮斷板升降單元
35‧‧‧氣閥
36‧‧‧氣體配管
37‧‧‧第1藥液配管
38‧‧‧第1藥液閥
39‧‧‧第1藥液噴嘴移動單元
40‧‧‧第2藥液配管
41‧‧‧第2藥液閥
42‧‧‧第2藥液噴嘴移動單元
43‧‧‧清洗液配管
44‧‧‧清洗液閥
45‧‧‧清洗液噴嘴移動單元
46‧‧‧排出單元
47‧‧‧回收配管
48‧‧‧排出配管
49‧‧‧氣液分離盒
50‧‧‧排液配管
51‧‧‧個別排氣管
52‧‧‧個別流量計
53‧‧‧個別風門
54‧‧‧風門本體
55‧‧‧閥體
56‧‧‧致動器
57‧‧‧位置感測器
58‧‧‧個別控制裝置
59‧‧‧開度運算部
60‧‧‧風門驅動部
61‧‧‧開度控制部
62‧‧‧集合排氣管
63‧‧‧集合風門
64‧‧‧集合控制裝置
65‧‧‧集合流量計
65a‧‧‧第1集合流量計
65b‧‧‧第2集合流量計
66‧‧‧鼓風機
67‧‧‧電腦本體
68‧‧‧周邊裝置
69‧‧‧CPU
70‧‧‧主記憶裝置
71‧‧‧輔助記憶裝置
72‧‧‧讀取裝置
73‧‧‧通信裝置
74‧‧‧配方
75‧‧‧設定值變更條件
76‧‧‧源壓變更條件
77‧‧‧表
78‧‧‧點數表
79‧‧‧分類表
80‧‧‧處理排程製作部
81‧‧‧處理排程執行部
82‧‧‧設定值變更判斷部
83‧‧‧合計值計算部
84‧‧‧群組判定部
85‧‧‧個別排氣排程製作部
86‧‧‧個別排氣排程執行部
87‧‧‧個別反饋執行部
88‧‧‧源壓變更判斷部
89‧‧‧集合排氣排程製作部
90‧‧‧集合排氣排程執行部
91‧‧‧集合反饋控制執行部
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧中央機器人
D1‧‧‧排列方向
H‧‧‧手
HC‧‧‧主電腦
IR‧‧‧分度機器人
M‧‧‧可移除式媒體
P‧‧‧程式
W‧‧‧基板
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性之俯視圖。
圖2係表示水平地觀察處理單元時之處理單元之內部之示意圖。
圖3係表示處理單元及排出單元之示意圖。
圖4係表示基板處理裝置之排氣系統之方塊圖。
圖5係表示控制裝置之物理性之構成之方塊圖。
圖6係表示控制裝置之功能性之構成之方塊圖。
圖7係表示記憶於控制裝置之點數表之圖。
圖8係表示記憶於控制裝置之分類表之圖。
圖9係表示由控制裝置製作之處理排程及個別排氣排程之一例之圖。
圖10係表示由控制裝置製作之集合排氣排程之一例之圖。
圖11係表示處理排程之製作及執行之流程之流程圖。
圖12係表示執行處理排程中所計劃之各步驟時之流程之流程圖。
圖13係表示個別排氣排程之製作及執行之流程之流程圖。
圖14係表示集合排氣排程之製作及執行之流程之流程圖。
如圖1所示，基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1具備：複數個 負載埠2，其等保持複數個載體C；及複數個(例如12台)處理單元3，其對基板W進行處理。基板處理裝置1進而具備：作為搬送機器人之分度機器人(indexer robot)IR，其相對於負載埠2進行基板W之搬入及搬出；作為搬送機器人之中央機器人CR，其相對於處理單元3進行基板W之搬入及搬出；以及控制裝置4，其控制基板處理裝置1。
如圖1所示，作為收容器保持單元之負載埠2配置於自處理單元3於水平方向離開之位置。複數個負載埠2係以複數個載體C排列於水平之排列方向D1之方式保持複數個載體C。載體C係以複數片基板W以水平之姿勢空出間隔地上下積層之方式可收容該複數片基板W之收容器。
如圖1所示，分度機器人IR包括俯視下為U字狀之2個手H。2個手H配置於不同之高度。各手H以水平之姿勢支持基板W。分度機器人IR使手H於水平方向及鉛垂方向之至少一者移動。進而，分度機器人IR藉由圍繞鉛垂軸線進行旋轉(自轉)而變更手H之方向。分度機器人IR沿著通過交接位置(圖1所示之位置)之路徑於排列方向D1移動。交接位置係俯視下與分度機器人IR及中央機器人CR和排列方向D1正交之方向對向之位置。
分度機器人IR藉由使手H於水平方向及鉛垂方向之至少一者移動，而使手H與中央機器人CR或任意載體C對向。分度機器人IR進行將基板W搬入至載體C之搬入動作、及將基板W自載體C搬出之搬出動作。又，分度機器人IR與中央機器人CR協作地於交接位置進行使基板W自分度機器人IR及中央機器人CR之一者移動至另一者之交接動作。
如圖1所示，中央機器人CR包括俯視下為U字狀之2 個手H。2個手H配置於不同之高度。各手H以水平之姿勢支持基板W。中央機器人CR使手H於水平方向及鉛垂方向之至少一者移動。進而，中央機器人CR藉由圍繞鉛垂軸線進行旋轉(自轉)而變更手H之方向。中央機器人CR於俯視下被複數個處理單元3包圍。複數個處理單元3形成有以俯視下包圍中央機器人CR之方式配置之4個塔。各塔包括上下積層之3台處理單元3。
中央機器人CR藉由使手H於水平方向及鉛垂方向之至少一者移動，而使手H與任意處理單元3及分度機器人IR對向。而且，中央機器人CR進行將基板W搬入至處理單元3之搬入動作、及將基板W自處理單元3搬出之搬出動作。又，中央機器人CR與分度機器人IR協作地進行使基板W自分度機器人IR及中央機器人CR之一者移動至另一者之交接動作。
於對複數片基板W進行處理時，控制裝置4藉由控制分度機器人IR、中央機器人CR、及處理單元3等而使基板處理裝置1重複以下一系列之動作。
具體而言，控制裝置4使分度機器人IR搬出保持於負載埠2之載體C內之未處理之基板W。其後，控制裝置4使未處理之基板W自分度機器人IR移動至中央機器人CR。繼而，控制裝置4使中央機器人CR將未處理之基板W搬入至任一處理單元3。其後，控制裝置4使處理單元3處理未處理之基板W。
控制裝置4使中央機器人CR搬出處理單元3內之經處理過之基板W。其後，控制裝置4使經處理過之基板W自中央機器人CR移動至分度機器人IR。繼而，控制裝置4使分度機器人IR將經處理過之基板W搬入至任一載體C。以如此之方式，藉由處理單元3而 處理保持於負載埠2之載體C內之未處理之基板W，由處理單元3處理之基板W收容於保持於負載埠2之載體C內。
如圖2所示，各處理單元3係使用處理液對複數片基板W逐片進行處理之單片式單元。各處理單元3具備：箱形腔室5，其具有內部空間；及旋轉夾盤8，其於腔室5內以水平之姿勢保持一片基板W，且使基板W圍繞通過基板W之中心之鉛垂之旋轉軸線A1進行旋轉。各處理單元3進而具備：複數個噴嘴(第1藥液噴嘴12、第2藥液噴嘴13、清洗液噴嘴14)，其等朝向保持於旋轉夾盤8之基板W吐出處理液；圓板狀之遮斷板30，其以水平之姿勢配置於旋轉夾盤8之上方；及筒狀之處理液捕獲構件15，其包圍旋轉夾盤8。遮斷板30及處理液捕獲構件15均為朝向作為排氣口之排出口27於腔室5內形成於腔室5之內部流動之氣體之流路之可動構件之一例。
如圖2所示，腔室5具備：箱形間隔壁6，其收容旋轉夾盤8等；及作為送風單元之FFU7(風扇．過濾器．單元7)，其自間隔壁6之上部向間隔壁6內吹送潔淨空氣(由過濾器過濾之空氣)。FFU7配置於間隔壁6之上方。FFU7自間隔壁6之頂棚朝腔室5內以固定之流量向下吹送潔淨空氣。藉此，藉由FFU7而形成於腔室5內向下方流動之降流(下降流)。基板W係於在腔室5內形成有降流之狀態下被處理。
如圖2所示，旋轉夾盤8包含：複數個夾盤銷9，其等壓抵於基板W之周端面；圓板狀之旋轉基底10，其可與複數個夾盤銷9一併圍繞旋轉線A旋轉；以及旋轉馬達11，其使夾盤銷9及旋轉基底10圍繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾盤8並不限於具備複數個夾盤銷9之機械夾盤，亦可為藉由使作為非器件形成面之基板W之背面(下表面)吸附於作為吸附基底之旋轉基底10之上表面而將基板W保持為水 平之真空式夾盤。
如圖2所示，複數個噴嘴包含：第1藥液噴嘴12，其朝向基板W吐出第1藥液；第2藥液噴嘴13，其朝向基板W吐出第2藥液；及清洗液噴嘴14，其朝向基板W吐出清洗液。
如圖2所示，處理單元3包含：第1藥液配管37，其連接於第1藥液噴嘴12；及第1藥液閥38，其介裝於第1藥液配管37。同樣地，處理單元3包含：第2藥液配管40，其連接於第2藥液噴嘴13；及第2藥液閥41，其介裝於第2藥液配管40。處理單元3進而包含：清洗液配管43，其連接於清洗液噴嘴14；及清洗液閥44，其介裝於清洗液配管43。
若打開第1藥液閥38，則來自第1藥液供給源之第1藥液自第1藥液噴嘴12吐出。同樣地，若打開第2藥液閥41，則來自第2藥液供給源之第2藥液自第2藥液噴嘴13吐出。若打開清洗液閥44，則來自清洗液供給源之清洗液自清洗液噴嘴14吐出。
第1藥液之一例係包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如氫氧化四甲基銨(tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH)等)、界面活性劑、防腐劑中之至少1者之液。
同樣地，第2藥液之一例係包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、防腐劑中之至少1者之液。第1藥液及第2藥液既可為種類互不相同之藥液，亦可為同種藥液。
清洗液之一例係純水(去離子水：Deionized Water)。清 洗液並不限於純水，亦可為異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。
如圖2所示，處理單元3包含：第1藥液噴嘴移動單元39，其使第1藥液噴嘴12於處理位置(圖2所示之第1藥液噴嘴12之位置)與退避位置之間移動；第2藥液噴嘴移動單元42，其使第2藥液噴嘴13於處理位置與退避位置(圖2所示之第2藥液噴嘴13之位置)之間移動；及清洗液噴嘴移動單元45，其使清洗液噴嘴14於處理位置與退避位置之間移動。處理位置係自噴嘴吐出之處理液著液於基板W之上表面之位置，退避位置係噴嘴自基板W之上方退避之位置。
如圖2所示，遮斷板30係外徑大於基板W之外徑之圓板狀。遮斷板30係由沿著旋轉軸線A1於上下方向延伸之心軸32以水平之姿勢支持。心軸32係支持於在遮斷板30之上方水平地延伸之支持臂33。遮斷板30配置於心軸32之下方。遮斷板30之中心軸線配置於旋轉軸線A1上。遮斷板30之下表面(對向面)與基板W之上表面對向。遮斷板30連接於介裝有氣閥35之氣體配管36。若打開氣閥35，則自氣體配管36供給至遮斷板30之氣體(例如氮氣)自於遮斷板30之下表面中央部形成開口之中心開口31向下方被吐出。
如圖3所示，處理單元3包含遮斷板升降單元34，其藉由使支持臂33於鉛垂方向升降而使遮斷板30及心軸32與支持臂33一併升降。遮斷板升降單元34使遮斷板30於遮斷板30之下表面接近於保持於旋轉夾盤8之基板W之上表面之接近位置(圖3所示之位置)、與設置於接近位置之上方之退避位置(圖2所示之位置)之間升降。退避位置係以各噴嘴12~14可進入基板W與遮斷板30之間之方式使 遮斷板30自基板W離開之原點位置。接近位置係以各噴嘴12~14無法進入基板W與遮斷板30之間之方式使遮斷板30接近基板W之動作位置。遮斷板升降單元34可使遮斷板30位於自接近位置至退避位置之任意位置(高度)。
如圖3所示，處理液捕獲構件15具備：筒狀之防濺防護板16，其接住自基板W向外側飛散之處理液；筒狀之杯22，其接住由防濺防護板16導引之處理液；及防護板升降單元29，其使防濺防護板16升降。
如圖3所示，防濺防護板16配置於杯22之上方。防濺防護板16包圍旋轉夾盤8。防濺防護板16之內周面包含形成直徑大於旋轉基底10之外徑之防護板開口17之上端。防濺防護板16具備：環狀之上捕獲部18，其具有向內(朝向旋轉軸線A1之方向)開口之V字狀之剖面；及筒狀之上導引部19，其自上捕獲部18之下端朝向杯22延伸。防濺防護板16進而具備：環狀之下捕獲部20，其具有斜下地向內開口之弓形剖面；及環狀之收容部21，其收容杯22之一部分(下述杯22之內壁24)。
如圖3所示，杯22具備：底壁23，其包圍旋轉夾盤8；筒狀之內壁24，其自底壁23向上方延伸；及筒狀之外壁25，其於內壁24之周圍自底壁23向上方延伸。內壁24包圍旋轉夾盤8，外壁25包圍內壁24。杯22藉由底壁23之上表面及內壁24之內周面而形成包圍旋轉夾盤8之環狀之排液溝26。杯22進而藉由底壁23之上表面、內壁24之外周面及外壁25之內周面而形成包圍排液溝26之環狀之回收溝28。排液溝26及回收溝28均向上開口。防濺防護板16之上導引部19配置於排液溝26之上方。防濺防護板16之收容部21配置於內 壁24之上方。防濺防護板16之下捕獲部20配置於回收溝28之上方。
如圖3所示，防護板升降單元29使防濺防護板16移動至包含下位置(圖3中以實線所示之位置)、中間位置(圖3中以兩點鏈線所示之位置)、及上位置(圖2所示之位置)之複數個位置。下位置係於較旋轉夾盤8對基板W之保持位置更下方配置防濺防護板16之交接位置。中間位置係上捕獲部18與保持於旋轉夾盤8之基板W之周端面水平地對向之排液位置。上位置係下捕獲部20與保持於旋轉夾盤8之基板W之周端面水平地對向之回收位置。下位置係原點位置，中間位置及上位置係動作位置。中間位置係較下位置更上方之位置，上位置係較中間位置更上方之位置。因此，防護板開口17之高度係於防濺防護板16位於下位置時最低，於防濺防護板16位於上位置時最高。
於中央機器人CR將基板W放於旋轉夾盤8上或將基板W自旋轉夾盤8取出時，控制裝置4藉由防護板升降單元29而使防濺防護板16位於下位置。於藉由防濺防護板16之上捕獲部18而接住自基板W向外側飛散之處理液時，控制裝置4藉由防護板升降單元29而使防濺防護板16位於作為排液位置之中間位置。又，於藉由防濺防護板16之下捕獲部20而接住自基板W向外側飛散之處理液時，控制裝置4藉由防護板升降單元29而使防濺防護板16位於作為回收位置之上位置。
於防濺防護板16位於中間位置時，自基板W排出之處理液被防濺防護板16之上捕獲部18接住，於防濺防護板16之上導引部19移動而向杯22之排液溝26內流下。又，於防濺防護板16位於上位置時，自基板W排出之處理液被防濺防護板16之下捕獲部20接住，自防濺防護板16之下捕獲部20向杯22之回收溝28內流下。藉 此，被防濺防護板16接住之處理液被導引至杯22之排液溝26或回收溝28。
如圖3所示，基板處理裝置1具備自複數個處理單元3排出氣體及液體之排出單元46。排出單元46係排氣單元之一例。
如圖3所示，排出單元46具備：回收配管47，其導引自杯22之回收溝28排出之處理液；排出配管48，其通過於排液溝26內形成開口之排出口27導引自杯22之排液溝26排出之流體(氣體及液體之至少一者)；氣液分離盒49(霧分離器)，其自藉由排出配管48而自處理液捕獲構件15排出之氣體及液體之混合流體中分離液體；以及排液配管50，其排出氣液分離盒49內之液體。
如圖3所示，排出單元46具備：個別排氣管51，其排出氣液分離盒49內之氣體；個別流量計52，其檢測於個別排氣管51內流動之排氣之流量；個別風門53，其調整於個別排氣管51內流動之排氣之流量；及個別控制裝置58，其藉由控制個別風門53而調整個別風門53之開度。個別風門53係個別排氣流量調整單元之一例。個別風門53之開度之設定值係個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值之一例。
個別控制裝置58基於個別流量計52之檢測值而對於個別排氣管51內流動之排氣之流量進行運算。個別流量計52係例如檢測個別排氣管51內之排氣壓(氣壓)之壓力計。於該情形時，控制裝置4基於根據個別排氣管51內之排氣壓而變化之個別流量計52之檢測值而對於個別排氣管51內流動之排氣之流量進行運算。又，控制裝置4將個別風門53之開度之設定值(目標值)發送至個別控制裝置58。個別控制裝置58係以自控制裝置4發送之設定值與個別風門53之實際之 開度之差減少之方式使個別風門53之開度增加或減少。
如圖3所示，個別風門53具備：風門本體54，其形成導引排氣之排氣流路；閥體55，其開關藉由風門本體54而形成之排氣流路；致動器56，其藉由使閥體55移動而變更個別風門53之開度(排氣流路之流路面積)；及位置感測器57，其檢測閥體55之位置。個別風門53之風門本體54介裝於個別排氣管51。
如圖4所示，個別控制裝置58包含：開度運算部59，其基於位置感測器57之檢測值而對個別風門53之開度進行運算；風門驅動部60，其驅動個別風門53之致動器56；及開度控制部61，其將使個別風門53之實際之開度與開度之設定值之差減少之指令給予風門驅動部60。
個別風門53之開度之設定值係自控制裝置4發送至個別控制裝置58之開度控制部61。開度控制部61將藉由開度運算部59而運算之個別風門53之實際之開度與設定值進行比較，將使個別風門53之實際之開度與設定值之差減少之指令發送至風門驅動部60。風門驅動部60按照來自開度控制部61之指令以個別風門53之開度增加或減少之方式驅動致動器56。藉此，個別風門53之實際之開度接近設定值。
若個別風門53之開度增加或減少，則個別風門53之流路面積及排氣阻力(壓力損失)產生變化。因此，個別排氣管51內之排氣壓及排氣流量產生變化。因此，控制裝置4藉由將開度之設定值發送至個別控制裝置58，而可使個別排氣管51內之實際之排氣壓及排氣流量接近作為目標之排氣壓及排氣流量。
如圖4所示，排出單元46具備分別對應於複數個處理 單元3之複數個個別排氣管51。因此，個別排氣管51針對每個處理單元3而設置。同樣地，個別風門53、個別流量計52、個別控制裝置58針對每個處理單元3而設置。排出單元46具備連接於各個別排氣管51之集合排氣管62。集合排氣管62連接於以固定之排氣壓吸引氣體之排氣處理設備。排氣處理設備係設置於設置有基板處理裝置1之工場。
如圖4所示，排出單元46具備：集合風門63，其於較各個別排氣管51與集合排氣管62之連接位置更下游側調整於集合排氣管62內流動之排氣之流量；集合控制裝置64，其藉由控制集合風門63而調整自集合排氣管62排出之排氣之流量；及集合流量計65，其檢測於集合排氣管62內流動之排氣之流量。集合風門63係集合排氣流量調整單元之一例。集合風門63之開度之設定值係集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值之一例。
集合流量計65係例如檢測集合排氣管62內之2個位置之排氣壓(壓力)之差壓流量計。於該情形時，如圖4所示，集合流量計65包含：第1集合流量計65a，其於各個別排氣管51與集合排氣管62之連接位置與集合風門63之間檢測排氣壓(個別排氣管51內之氣壓)；及第2集合流量計65b，其於較集合風門63更下游側檢測排氣壓。集合流量計65並不限於差壓流量計，亦可為熱式質量流量計、渦流流量計、超音波流量計等其他形式之流量計。
控制裝置4基於第1集合流量計65a之檢測值及第2集合流量計65b之檢測值而對個別排氣管51內之集合風門63之上游位置及下游位置間之壓力差(差壓)進行運算。又，控制裝置4將集合風門63之開度之設定值(目標值)發送至集合控制裝置64。集合控制裝置64係以自控制裝置4發送之設定值與集合風門63之實際之開度之差減少 之方式使集合風門63之開度增加或減少。
集合風門63具備與個別風門53同樣之構成。具體而言，集合風門63具備：風門本體54，其形成導引排氣之排氣流路；閥體55，其開關藉由風門本體54而形成之排氣流路；致動器56，其藉由使閥體55移動而變更集合風門63之開度(排氣流路之流路面積)；及位置感測器57，其檢測閥體55之位置(參照圖3)。集合風門63之風門本體54介裝於集合排氣管62。
如圖4所示，集合控制裝置64包含：開度運算部59，其基於位置感測器57之檢測值而對集合風門63之開度進行運算；風門驅動部60，其驅動集合風門63之致動器56；及開度控制部61，其將使集合風門63之實際之開度與開度之設定值之差減少之指令給予風門驅動部60。
個別風門53之開度之設定值係自控制裝置4發送至集合控制裝置64之開度控制部61。開度控制部61將藉由開度運算部59而運算之集合風門63之實際之開度與設定值進行比較，將使集合風門63之實際之開度與設定值之差減少之指令發送至風門驅動部60。風門驅動部60按照來自開度控制部61之指令以集合風門63之開度增加或減少之方式驅動致動器56。藉此，集合風門63之實際之開度接近設定值。
若集合風門63之開度增加或減少，則集合風門63之流路面積及排氣阻力(壓力損失)產生變化。因此，集合排氣管62內之排氣壓及排氣流量產生變化。因此，控制裝置4藉由將開度之設定值發送至集合控制裝置64，而可使集合排氣管62內之實際之排氣壓及排氣流量接近作為目標之排氣壓及排氣流量。
如圖5所示，控制裝置4包含電腦本體67、及連接於電腦本體67之周邊裝置68。電腦本體67包含：中央處理裝置69(central processing unit，CPU)，其執行各種命令；及主記憶裝置70，其記憶資訊。周邊裝置68包含：輔助記憶裝置71，其記憶程式等資訊；讀取裝置72，其自可移除式媒體M讀取資訊；及通信裝置73，其與主電腦HC等外部裝置進行通信。
如圖5所示，電腦本體67連接於輔助記憶裝置71、讀取裝置72、及通信裝置73之各者。電腦本體67進而連接於分度機器人IR或處理單元3等各裝置。電腦本體67與輔助記憶裝置71等之各者進行資訊之交換。CPU69執行記憶於輔助記憶裝置71之程式P、或藉由讀取裝置72而自可移除式媒體M讀取之程式P。輔助記憶裝置71內之程式亦可為預先安裝於控制裝置4者，亦可為通過讀取裝置72自可移除式媒體M發送至輔助記憶裝置71者，亦可為通過通信裝置73自外部裝置發送至輔助記憶裝置71者。
輔助記憶裝置71係即便不供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。輔助記憶裝置71例如為硬碟(Hard Disk Drive)等磁記憶裝置。輔助記憶裝置71亦可為除磁記憶裝置以外之非揮發性記憶體。如圖5所示，配方74、設定值變更條件75、源壓變更條件76、及表77儲存於輔助記憶裝置71。表77係包含點數表78及分類表79。
可移除式媒體M係即便不供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。可移除式媒體M例如為密閉磁碟(compact disk)等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移除式媒體M亦可為除光碟及半導體記憶體以外之非揮發性記憶體。可移除式媒體M係記錄有程式P之電腦可讀取之記錄媒體之一例。
如圖5所示，主電腦HC與控制裝置4進行通信。主電腦HC將收容有應處理之基板W之載體C(出發位置)、及應收容由處理單元3處理之基板W之載體C(目的位置)針對每個基板W而指定給控制裝置4。主電腦HC進而將表示對基板W所進行之一系列之步驟之配方74之識別資訊針對基板W而指定給控制裝置4。
如圖5所示，控制裝置4將數種配方74記憶於輔助記憶裝置71。配方74包含配方識別資訊、基板處理條件、及基板處理順序。電腦本體67自輔助記憶裝置71讀入由主電腦HC指定之配方74。而且，電腦本體67按照所指定之配方74製作由處理單元3處理該基板W之處理排程。其後，電腦本體67使分度機器人IR、中央機器人CR、及處理單元3等基板處理裝置1之控制對象(資源)執行處理排程。
如圖6所示，控制裝置4包含處理排程製作部80、及處理排程執行部81。處理排程製作部80及處理排程執行部81係藉由CPU69執行安裝於控制裝置4之程式而實現之功能方塊。
如圖11所示，處理排程製作部80製作以時間序列規定處理基板W時之處理單元3之動作之處理排程(步驟S11)。處理排程執行部81藉由按照處理排程控制基板處理裝置1之資源，而使基板處理裝置1之資源執行處理排程(步驟S12)。
圖9係表示藉由處理排程製作部80而製作之處理排程之一例。以下，參照圖9及圖12。圖9之上部所示之S21~S28係表示圖12所示之各步驟之編號。
於藉由處理單元3而處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室5內之搬入步驟(步驟S21)。
具體而言，控制裝置4係於遮斷板30位於退避位置且 防濺防護板16位於下位置之狀態下，使保持基板W之中央機器人CR之手H進入腔室5內。然後，控制裝置4使中央機器人CR將基板W載置於複數個夾盤銷9上。其後，控制裝置4使中央機器人CR之手H自腔室5內退避，並且使各夾盤銷9自開放位置移動至閉合位置。藉此，基板W保持於旋轉夾盤8。其後，控制裝置4藉由控制旋轉馬達11而開始基板W之旋轉。藉此，基板W以液處理速度圍繞旋轉軸線A1進行旋轉。
其次，進行將作為清洗液之一例之純水供給至基板W之第1清洗液供給步驟(步驟S22)。
具體而言，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45而使清洗液噴嘴14自退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置4打開清洗液閥44，於防濺防護板16位於下位置之狀態下，使清洗液噴嘴14朝向基板W之上表面中央部吐出純水。藉此，基板W之上表面全域被純水之液膜覆蓋。若自打開清洗液閥44起經過既定時間，則控制裝置4關閉清洗液閥44，使純水自清洗液噴嘴14之吐出停止。其後，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45而使清洗液噴嘴14自基板W之上方退避。
其次，進行將第1藥液供給至基板W之第1藥液供給步驟(步驟S23)。
具體而言，控制裝置4藉由控制第1藥液噴嘴移動單元39，而使第1藥液噴嘴12自退避位置移動至處理位置。控制裝置4進而藉由控制防護板升降單元29而使防濺防護板16自下位置移動至中間位置。於該狀態下，控制裝置4打開第1藥液閥38，使第1藥液噴嘴12朝向基板W之上表面中央部吐出第1藥液。藉此，基板W上之 純水被置換為第1藥液，基板W之上表面全域被第1藥液之液膜覆蓋。若自打開第1藥液閥38起經過既定時間，則控制裝置4關閉第1藥液閥38，使第1藥液自第1藥液噴嘴12之吐出停止。其後，控制裝置4藉由控制第1藥液噴嘴移動單元39，而使第1藥液噴嘴12自基板W之上方退避。
其次，進行將作為清洗液之一例之純水供給至基板W之第2清洗液供給步驟(步驟S24)。
具體而言，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45，而使清洗液噴嘴14自退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置4打開清洗液閥44，於防濺防護板16位於中間位置之狀態下，使清洗液噴嘴14朝向基板W之上表面中央部吐出純水。藉此，基板W上之第1藥液被純水沖洗，基板W之上表面全域被純水之液膜覆蓋。若自打開清洗液閥44起經過既定時間，則控制裝置4關閉清洗液閥44，使純水自清洗液噴嘴14之吐出停止。其後，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45，而使清洗液噴嘴14自基板W之上方退避。
其次，進行將第2藥液供給至基板W之第2藥液供給步驟(步驟S25)。
具體而言，控制裝置4係藉由控制第2藥液噴嘴移動單元42，而使第2藥液噴嘴13自退避位置移動至處理位置。控制裝置4進而藉由控制防護板升降單元29，而使防濺防護板16自中間位置移動至上位置。於該狀態下，控制裝置4打開第2藥液閥41，使第2藥液噴嘴13朝向基板W之上表面中央部吐出第2藥液。藉此，基板W上之純水被置換為第2藥液，基板W之上表面全域被第2藥液之液膜覆蓋。若自打開第2藥液閥41起經過既定時間，則控制裝置4關閉第2 藥液閥41，使第2藥液自第2藥液噴嘴13之吐出停止。其後，控制裝置4藉由控制第2藥液噴嘴移動單元42，而使第2藥液噴嘴13自基板W之上方退避。
其次，進行將作為清洗液之一例之純水供給至基板W之作為最終清洗液供給步驟之第3清洗液供給步驟(步驟S26)。
具體而言，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45，而使清洗液噴嘴14自退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置4打開清洗液閥44，於防濺防護板16位於上位置之狀態下，使清洗液噴嘴14朝向基板W之上表面中央部吐出純水。藉此，基板W上之第2藥液被純水沖洗，基板W之上表面全域被純水之液膜覆蓋。控制裝置4係藉由控制防護板升降單元29，而於清洗液噴嘴14吐出純水之狀態下，使防濺防護板16自上位置移動至下位置。若自打開清洗液閥44起經過既定時間，則控制裝置4關閉清洗液閥44，使純水自清洗液噴嘴14之吐出停止。其後，控制裝置4藉由控制清洗液噴嘴移動單元45，而使清洗液噴嘴14自基板W之上方退避。
其次，進行使基板W乾燥之乾燥步驟(步驟S27)。
具體而言，控制裝置4藉由控制遮斷板升降單元34，而使遮斷板30自退避位置移動至接近位置。控制裝置4進而打開氣閥35，使氮氣自於遮斷板30之下表面中央部形成開口之中心開口31吐出。其後，控制裝置4藉由控制旋轉馬達11，而使基板W之旋轉加速至大於自第1清洗液供給步驟(步驟S22)至第3清洗液供給步驟(步驟S26)為止之基板W之旋轉速度(液處理速度)之乾燥速度(例如數千rpm)。藉此，於遮斷板30位於接近位置且防濺防護板16位於下位置之狀態下，基板W以乾燥速度進行旋轉。
藉由於遮斷板30接近基板W之狀態下，將氮氣供給至遮斷板30與基板W之間之空間，而遮斷板30與基板W之間之環境氣體被自遮斷板30與基板W之間擠出。藉此，遮斷板30與基板W之間之空間被氮氣充滿。又，藉由基板W以乾燥速度進行旋轉，而較大之離心力被施加於基板W上之液體，附著於基板W之液體被甩至基板W之周圍。藉此，自基板W去除液體，基板W於氮氣環境氣體中進行乾燥。而且，若自開始基板W之高速旋轉起經過既定時間，則控制裝置4藉由控制旋轉馬達11而使基板W之旋轉速度降低，並且關閉氣閥35，使氮氣自遮斷板30之吐出停止。
其次，進行將基板W自腔室5內搬出之搬出步驟(步驟S28)。
具體而言，控制裝置4藉由控制遮斷板升降單元34，而使遮斷板30自接近位置移動至退避位置(遮斷板30之上升)。其後，控制裝置4藉由控制旋轉馬達11，而使利用旋轉夾盤8之基板W之旋轉停止。控制裝置4進而使各夾盤銷9自閉合位置移動至開放位置，解除旋轉夾盤8對基板W之抓持。藉此，解除旋轉夾盤8對基板W之保持。於該狀態下，控制裝置4使中央機器人CR之手H進入腔室5內。而且，控制裝置4使中央機器人CR之手H保持旋轉夾盤8上之基板W。其後，控制裝置4使中央機器人CR之手H自腔室5內退避。藉此，將經處理過之基板W自腔室5搬出。
以如此之方式，於由配方74指定之基板處理條件下且以由配方74指定之基板處理順序執行複數個基板處理步驟(處理液供給步驟或乾燥步驟)。
如圖6所示，控制裝置4包含設定值變更判斷部82、合 計值計算部83、群組判定部84、個別排氣排程製作部85、及個別排氣排程執行部86。控制裝置4進而包含設定值變更條件75及表77。設定值變更判斷部82、合計值計算部83、群組判定部84、個別排氣排程製作部85、及個別排氣排程執行部86係藉由CPU69執行安裝於控制裝置4之程式而實現之功能方塊。
如圖13所示，設定值變更判斷部82於藉由處理排程製作部80而製作處理排程之後，判斷下述設定值變更條件75於處理排程中之任一時間內是否成立(步驟S31)。於在處理排程中之任一時間內設定值變更條件75成立之情形(步驟S31中為”是”之情形)時，合計值計算部83基於表77而求出處理排程之各時間內之點數之合計值(步驟S32)。群組判定部84基於表77而求出由合計值計算部83求出之點數之合計值屬於複數個群組中之哪一個(步驟S33)。
如圖13所示，個別排氣排程製作部85製作規定處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值(個別風門53之開度之設定值)之個別排氣排程(步驟S34)。個別排氣排程執行部86藉由按照個別排氣排程控制個別風門53，而使個別風門53與處理排程同時地執行個別排氣排程(步驟S35)。
如此，設定值變更判斷部82判斷於處理排程之各時間內設定值變更條件75是否成立。遮斷板30及處理液捕獲構件15係可於腔室5內移動之可動構件之一例。設定值變更條件75包含可動構件位於除原點位置以外之位置的位置條件。
又，第1藥液噴嘴12、第2藥液噴嘴13、及清洗液噴嘴14之各者係將處理流體供給至基板W之處理流體供給單元之一例。設定值變更條件75進而包含噴嘴12~14之至少一個正吐出處理 流體之處理流體吐出中條件、第1藥液噴嘴12及第2藥液噴嘴13之至少一者開始藥液之吐出之藥液吐出開始條件、及第1藥液噴嘴12及第2藥液噴嘴13之至少一者結束藥液之吐出之藥液吐出結束條件。
設定值變更條件75進而包含基板W進行旋轉之基板旋轉條件、及遮斷板30自作為動作位置之接近位置移動至作為原點位置之退避位置之遮斷板上升條件。基板旋轉條件包含基板W以液處理速度進行旋轉之液處理執行條件、及基板W以乾燥速度進行旋轉之乾燥執行條件。
又，合計值計算部83基於點數表78而求出處理排程之各時間內之點數之合計值。圖7係表示記述有針對處理單元3之每種工作狀況而分配之複數個點數之點數表78之一例。
如圖7中自上依序所示，點數表78包含：針對可動構件之每個位置而分配之複數個點數、針對自第1藥液噴嘴12、第2藥液噴嘴13、及清洗液噴嘴14之處理流體之每種吐出狀態而分配之複數個點數、及針對基板W之每種旋轉狀態而分配之複數個點數。
如圖7所示，遮斷板30之退避位置分配於0點，遮斷板30之接近位置分配於2點。防濺防護板16之下位置分配於0點，防濺防護板16之中間位置分配於1點，防濺防護板16之上位置分配於2點。藥液之吐出中狀態分配於3點，藥液之吐出停止狀態分配於0點。清洗液之吐出中狀態分配於1點，清洗液之吐出停止狀態分配於0點。基板W之旋轉停止狀態分配於0點，基板W以液處理速度進行旋轉之液處理執行狀態分配於1點，基板W以乾燥速度進行旋轉之基板W之乾燥執行狀態分配於2點。
又，群組判定部84基於分類表79而求出由合計值計算 部83求出之點數之合計值屬於複數個群組中之哪一個。圖8係表示將由合計值計算部83求出之點數之合計值按照其大小分類成3個群組之分類表79之一例。
如圖8所示，分類表79包含將點數之合計值按照其大小分類成3個群組之2個臨限值。圖8係表示2點及5點設定為合計值之臨限值之例。點數之合計值為0點~1點之群組係弱排氣群組，點數之合計值為2點~4點之群組係中排氣群組，點數之合計值為5點以上之群組係強排氣群組。
如圖8所示，於點數之合計值為0點~1點之情形時，即於弱排氣條件成立之情形時，個別風門53之開度之設定值設定為弱設定值(基準值)。即，於弱排氣條件成立之情形時，加算值為0。
如圖8所示，於點數之合計值為2點~4點之情形時，即於中排氣條件成立之情形時，個別風門53之開度之設定值設定為大於基準值之中設定值。因此，於中排氣條件成立之情形(點數之合計值為2點~4點之情形)時，個別風門53之開度之設定值設定為將中加算值加算於弱設定值(基準值)所得之值。
如圖8所示，於點數之合計值為5點以上之情形時，即於強排氣條件成立之情形時，個別風門53之開度之設定值設定為大於中設定值之強設定值。因此，於強排氣條件成立之情形(點數之合計值為5點以上之情形)時，個別風門53之開度之設定值設定為將強加算值加算於弱設定值(基準值)所得之值。強加算值係大於中加算值之值。
個別風門53之開度之設定值係根據點數之合計值所屬之群組而調整。強排氣群組係個別風門53之開度之設定值於3個群組中為最大之群組，弱排氣群組係個別風門53之開度之設定值於3個群 組中為最小之群組。
於處理排程之某一時間內之點數之合計值例如為3點之情形時，如圖8所示，群組判定部84判定點數之合計值屬於中排氣群組。個別排氣排程製作部85係以將該時間內之個別風門53之開度之設定值設定為中設定值之方式製作個別排氣排程。
又，於點數之合計值由3點變化為4點之情形時，亦如圖8所示，群組判定部84判定點數之合計值屬於中排氣群組。於該情形時，雖然點數之合計值產生變化，但點數之合計值所屬之群組並未變化(仍為中排氣群組)，故個別排氣排程製作部85係以將個別風門53之開度之設定值設定為中設定值之方式製作個別排氣排程。
圖9係除處理排程之一例以外，還表示由個別排氣排程製作部85製作之個別排氣排程之一例。
於預定時刻T1中，以使遮斷板30及防濺防護板16分別位於退避位置及下位置之方式計劃，要求可動構件位於除原點位置以外之位置的位置條件不成立。然而，於預定時刻T1中，以使基板W以液處理速度進行旋轉之方式計劃，基板旋轉條件成立。因此，於預定時刻T1中，設定值變更條件75成立。
於自預定時刻T0至預定時刻T1為止之期間，點數之合計值未滿2，點數之合計值屬於弱排氣群組，故以將該期間之個別風門53之開度設定為弱設定值(基準值。圖中之「A」)之方式計劃。
於預定時刻T2中，以使基板W以液處理速度進行旋轉並且吐出純水之方式計劃。因此，於預定時刻T2中，基板旋轉條件(液處理執行條件)及處理流體吐出中條件成立。
於自預定時刻T1至預定時刻T2為止之期間，點數之合 計值為2點，點數之合計值屬於中排氣群組，故以將該期間之個別風門53之開度設定為中設定值(圖中之「B」)之方式計劃。
於自預定時刻T2至預定時刻T3為止之期間，若除去第1藥液之吐出之加算，則點數之合計值未滿5點(2點)，原本，應將點數之合計值分類為中排氣群組。然而，因於預定時刻T3開始第1藥液之吐出(藥液吐出條件之成立)，故自預定時刻T2至預定時刻T3為止之期間亦視作吐出第1藥液，即，雖於該期間未計劃第1藥液之吐出，但如圖9中以粗線所示般視作計劃第1藥液之吐出，將分配為第1藥液之吐出中狀態之3點加算。因此，視作該期間之點數之合計值屬於強排氣群組，以將個別風門53之開度設定為強設定值(圖中之「C」)之方式計劃。
於自預定時刻T3至預定時刻T4為止之期間中，以使基板W以液處理速度進行旋轉並且吐出第1藥液之方式計劃。因此，於該期間中，基板旋轉條件及處理流體吐出中條件成立。進而，於該期間中，以使防濺防護板16位於中間位置之方式計劃。因此，於該期間中，關於防濺防護板16之位置條件亦成立。該期間之點數之合計值為5點以上，故以將個別風門53之開度設定為強設定值之方式計劃。
於自預定時刻T4至預定時刻T5為止之期間，與自預定時刻T2至預定時刻T3為止之期間同樣地，若除去第1藥液之吐出之加算，則點數之合計值為2點~4點之範圍內(3點)，原本，應將點數之合計值分類為中排氣群組。然而，因於預定時刻T4停止第1藥液之吐出(藥液吐出結束條件之成立)，故自預定時刻T4至預定時刻T5為止之期間亦視作吐出第1藥液，將分配為第1藥液之吐出中狀態之3點加算。因此，視作該期間之點數之合計值屬於強排氣群組，以將個 別風門53之開度設定為強設定值之方式計劃。
關於自預定時刻T5至預定時刻T6為止之期間、及自預定時刻T7至預定時刻T8為止之期間，亦與上述第1藥液之吐出開始及吐出結束同樣地，視作吐出第2藥液，將分配為第2藥液之吐出中狀態之3點加算。因此，視作該等期間之點數之合計值屬於強排氣群組，以將個別風門53之開度設定為強設定值之方式計劃。
於自預定時刻T6至預定時刻T7為止之期間中，與自預定時刻T3至預定時刻T4為止之期間同樣地，基板旋轉條件(液處理執行條件)、處理流體吐出中條件及位置條件成立。於自預定時刻T3至預定時刻T4為止之期間中，以使防濺防護板16位於中間位置之方式計劃，相對於此，於自預定時刻T6至預定時刻T7為止之期間中，以使防濺防護板16位於上位置之方式計劃。
防濺防護板16之上位置分配有大於防濺防護板16之中間位置之點數。因此，自預定時刻T6至預定時刻T7為止之期間之點數之合計值(6點)大於自預定時刻T3至預定時刻T4為止之期間之點數之合計值(5點)。然而，因任一期間之合計值均屬於強排氣群組，故以將個別風門53之開度設定為強設定值之方式計劃。
於自預定時刻T9至預定時刻T10為止之期間中，以使基板W以乾燥速度進行旋轉之方式計劃。因此，於該期間中，基板旋轉條件(乾燥執行條件)成立。進而，於該期間中，以使遮斷板30位於接近位置之方式計劃。因此，於該期間中，遮斷板30之位置條件亦成立。該期間之點數之合計值為2點~4點之範圍內(4點)。因此，以將該期間之個別風門53之開度設定為中設定值之方式計劃。
於自預定時刻T10至預定時刻T11為止之期間中，若除 去遮斷板30之加算，則點數之合計值為0點~1點之範圍內(1點)，原本，應將點數之合計值分類為弱排氣群組。然而，於預定時刻T10，以使遮斷板30自接近位置上升至退避位置之方式計劃，故遮斷板上升條件成立。因此，如圖9中以粗線所示般，自預定時刻T10至預定時刻T11為止之期間亦視作使遮斷板30位於接近位置，將分配於遮斷板30之接近位置之點數(2點)加算。因此，視作該期間之點數之合計值屬於中排氣群組，以將個別風門53之開度設定為中設定值之方式計劃。
個別排氣排程製作部85一方面如此般參照處理排程一方面製作個別排氣排程。個別排氣排程執行部86藉由按照個別排氣排程控制個別風門53，而以個別排氣排程與處理排程同步之方式使個別風門53執行個別排氣排程。
如圖6所示，控制裝置4除個別排氣排程製作部85及個別排氣排程執行部86等以外，亦可進而包含個別反饋執行部87，其基於個別流量計52之檢測值而於個別排氣排程之執行中進行調整個別風門53之開度之反饋控制。個別反饋執行部87係藉由CPU69執行安裝於控制裝置4之程式而實現之功能方塊。
個別反饋執行部87基於個別流量計52之檢測值而監視自腔室5之內部排出至個別排氣管51之排氣之流量。而且，個別反饋執行部87係以排出至個別排氣管51之排氣之流量接近與個別風門53之開度之設定值建立關聯之排氣流量之方式於個別排氣排程之執行中調整個別風門53之開度。因此，於控制裝置4進而包括個別反饋執行部87之情形時，可更精密地控制自處理單元3排出之排氣之流量。
如圖6所示，控制裝置4包含源壓變更判斷部88、集合排氣排程製作部89、及集合排氣排程執行部90。控制裝置4進而包含 源壓變更條件76。源壓變更判斷部88、集合排氣排程製作部89、及集合排氣排程執行部90係藉由CPU69執行安裝於控制裝置4之程式而實現之功能方塊。
如圖14所示，源壓變更判斷部88於製作個別排氣排程之後，判斷複數個個別排氣流量調整單元中之任一排氣流量設定值大於基準值之源壓變更條件76於個別排氣排程中之任一時間內是否成立(步驟S41)。
如圖14所示，於在個別排氣排程中之任一時間內源壓變更條件76成立之情形(步驟S41中為”是”之情形)時，集合排氣排程製作部89係以將源壓變更條件76成立之時間內之集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值(集合風門63之開度之設定值)設定為大於所有個別風門53之開度之設定值為基準值時之設定值即源壓基準值之值的方式，製作規定個別排氣排程之各時間內之集合風門63之開度之設定值之集合排氣排程(步驟S42)。
如圖14所示，集合排氣排程執行部90藉由按照集合排氣排程控制集合風門63，而使集合風門63與個別排氣排程同時地執行集合排氣排程(步驟S43)。
圖10係表示分別對應於3個處理單元3(第1處理單元3、第2處理單元3、及第3處理單元3)之3個個別排氣排程之一例、及由集合排氣排程製作部89製作之集合排氣排程之一例。基板處理裝置1中所包括之處理單元3之總數為12台，但於圖10之說明中，假定處理單元3之總數為3台。
如圖10所示，於自預定時刻T20至預定時刻T21為止之期間，以將各個別風門53之開度之設定值設定為弱設定值(基準值) 之方式計劃。因此，於該期間中，源壓變更條件76不成立。因此，以將集合風門63之開度設定為源壓基準值之方式計劃。
如圖10所示，於自預定時刻T21至預定時刻T22為止之期間，以將對應於任一處理單元3(圖10中為第1處理單元3)之個別風門53之開度之設定值設定為中設定值之方式計劃。因此，於該期間中，源壓變更條件76成立。因此，以將集合風門63之開度之設定值變更為大於源壓基準值之值的方式計劃。圖10係表示將集合風門63之開度之設定值由弱設定值變更為中設定值之例。
如圖10所示，於自預定時刻T22至預定時刻T23為止之期間，以將各個別風門53之開度之設定值設定為弱設定值(基準值)之方式計劃。因此，於該期間中，源壓變更條件76不成立。因此，以將集合風門63之開度之設定值設定為源壓基準值之方式計劃。
集合排氣排程製作部89一方面如此般參照個別排氣排程一方面製作集合排氣排程。集合排氣排程執行部90藉由按照集合排氣排程控制集合風門63，而以集合排氣排程與個別排氣排程同步之方式使集合風門63執行集合排氣排程。
如圖6所示，控制裝置4除集合排氣排程製作部89及集合排氣排程執行部90等以外，或者，代替集合排氣排程製作部89及集合排氣排程執行部90等，亦可進而包含進行基於集合流量計65之檢測值而調整集合風門63之開度之反饋控制之集合反饋控制執行部91。集合反饋控制執行部91係藉由CPU69執行安裝於控制裝置4之程式而實現之功能方塊。
集合反饋控制執行部91基於集合流量計65之檢測值而監視自個別排氣管51之內部排出至集合排氣管62之排氣之流量。而 且，集合反饋控制執行部91係以排出至集合排氣管62之排氣之流量接近流量基準值(所有個別風門53之開度之設定值為基準值時之值)之方式調整集合風門63之開度。因此，於控制裝置4具備集合反饋控制執行部91之情形時，集合排氣管62內之排氣壓穩定，故可抑制或防止施加於各個別排氣管51之排氣壓之變動。藉此，可抑制或防止各處理單元3中之壓力變動。利用集合反饋控制執行部91之反饋控制既可與集合排氣排程同時地執行，亦可於不執行集合排氣排程之期間執行。
各處理單元3連接於相同之排氣源(排氣處理設備)。各個別風門53之開度通常以源壓(排氣處理設備之排氣壓)固定為前提而設定。即，以集合排氣管62內之排氣壓固定為前提，設定各個別風門53之開度。
若任一個別風門53之開度變化，且來自對應於該個別風門53之處理單元3之排氣流量變化，則有因其影響而集合排氣管62內之排氣壓產生變化之情況。因此，有來自剩餘之處理單元3之排氣流量產生變化之情況。即，排氣處理設備之吸引力之強度本身雖相同，但作用於各處理單元3之排氣壓有可能產生變化。若集合排氣管62內之排氣壓產生變化，則即便個別風門53之開度相同，自各處理單元3排出之排氣流量亦產生變化。
如上所述，藉由參照同時期地執行之預定之所有個別排氣排程製作集合排氣排程，並執行集合排氣排程，而可抑制集合排氣管62內之排氣壓之變動。同樣地，藉由基於集合排氣管62內之排氣壓而調整集合風門63之開度，可抑制集合排氣管62內之排氣壓之變動。藉此，可抑制或防止自各處理單元3排出之排氣之流量無意地變化。
如上所述，於本實施形態中，製作以時間序列規定處理基板W時之處理單元3之動作之處理排程。一方面參照該處理排程，一方面製作規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值(上述例中為個別風門53之開度之設定值)之個別排氣排程。而且，與處理排程同時地執行個別排氣排程。
遮斷板30及處理液捕獲構件15係可於腔室5內移動之可動構件之一例。設定值變更條件75包含可動構件位於除原點位置以外之位置的位置條件。於在處理排程中之任一時間內，以將遮斷板30及處理液捕獲構件15之任一者配置於除原點位置以外之位置之方式計劃之情形時，即於設定值變更條件75成立之情形時，設定值變更條件75成立之時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以設定為大於可動構件位於原點位置時之設定值(基準值)之值的方式計劃。
於可動構件實際上位於除原點位置以外之位置時，個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值設定為大於基準值之值。因此，將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)變強。換言之，低於大氣壓之排氣壓(負壓)之絕對值變大。因此，即便處理單元3之排氣阻力(壓力損失)根據可動構件之位置而增加，排氣壓亦相應地變強，故可抑制自處理單元3排出之排氣之流量之變動。
進而，個別排氣排程係與處理排程同時地執行。即，個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值並非於自處理單元3排出之氣體之流量實際上產生變化之後被變更，而是於流量之變化產生之前被調整。因此，相較於進行反饋控制之情形，可縮短至排氣流量穩定為止之時間。
規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值之個別 排氣排程係基於處理排程而製作。於執行相同之配方74之情形時，有影響排氣流量之參數不同之情況。因此，藉由基於各個處理排程而製作個別排氣排程，而即便無論為哪一基板W之處理均可將排氣流量最佳化。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含處理流體吐出中條件。因此，於以吐出作為處理流體之一例之處理液之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)之方式計劃。
於吐出處理流體之情形(特別是吐出處理液之情形)時，易於在處理單元3內產生霧。若霧附著於基板W，則有污染基板W之情況。又，有霧變化成作為基板W之污染原因之一之微粒，且微粒於處理單元3內懸浮之情況。因此，藉由於實際上吐出處理流體時增強排氣壓，而可將霧自處理單元3內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含藥液吐出開始條件。因此，於以吐出作為處理流體之藥液之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)之方式計劃。於吐出藥液之情形時，易於在處理單元3內產生藥液之霧。進而，相較於純水等清洗液之霧，藥液之霧污染基板W之可能性更高。因此，藉由於實際上吐出藥液時增強排氣壓，而可將藥液之霧自處理單元3內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
進而，自早於藥液吐出開始條件成立之時間，即自開始藥液之吐出之前，以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之 力(排氣壓)之方式計劃。而且，於繼續藥液之吐出之期間，亦以維持增強排氣壓之狀態之方式計劃。因此，於增強排氣壓之狀態下開始藥液之吐出，故可自藥液之剛吐出後將藥液之霧高效率地排出。藉此，可減少腔室5內之藥液之霧之殘留量，從而可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含藥液吐出結束條件。於晚於藥液吐出結束條件成立之時間，即於停止藥液之吐出之後，仍以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)之方式計劃。因此，可確實地排出於藥液之吐出停止後於腔室5內懸浮之藥液之霧。藉此，可減少腔室5內之藥液之霧之殘留量，從而可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含基板旋轉條件。因此，於以旋轉夾盤8使基板W進行旋轉之方式計劃之情形時，亦以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)之方式計劃。
若附著有處理液之基板W旋轉，則處理液自基板W飛散，故易於產生霧。因此，藉由於基板W實際上旋轉時增強排氣壓，而可將霧自處理單元3內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含乾燥執行條件。因此，於基板W以乾燥速度進行旋轉時，增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)。
乾燥速度係大於第1藥液噴嘴12、第2藥液噴嘴13、及清洗液噴嘴14之任一者吐出處理流體時之基板W之旋轉速度之旋 轉速度。若基板W之旋轉速度增加，則作用於附著於基板W之處理液之離心力亦增加，故自基板W飛散之處理液之量增加。因此，於基板W以乾燥速度進行旋轉時，易於產生霧。因此，藉由於基板W以乾燥速度進行旋轉時增強排氣壓，而可將霧自處理單元3內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。
又，於本實施形態中，設定值變更條件75包含遮斷板上升條件。因此，於以使遮斷板30向上方移動之方式計劃之情形時，以增強將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)之方式計劃。
若遮斷板30自作為遮斷板動作位置之接近位置上升至作為遮斷板原點位置之退避位置，則遮斷板30自基板W離開，遮斷板30與基板W之間隔擴大。若遮斷板30之上升速度較大，則遮斷板30與基板W之間之氣壓降低，腔室5內之環境氣體被吸入至遮斷板30與基板W之間。因此，有於基板W之周圍懸浮之霧或微粒附著於基板W之虞。
若使遮斷板30之上升速度降低，則可認為因負壓之產生所之環境氣體之吸入減少。然而，若遮斷板30之上升速度較慢，則基板W之處理所需之時間增加，故有基板處理裝置1之處理量(每一單位時間之基板W之處理片數)減少之虞。
若於遮斷板30與基板W之間隔擴大時增強排氣壓，則基板W之周圍之環境氣體被強制地吸至個別排氣管51一側，故抑制環境氣體進入至遮斷板30與基板W之間。因此，可不使遮斷板30之上升速度降低而抑制或防止基板W之周圍之環境氣體接觸基板W。因此，可一方面維持處理量一方面減少基板W之污染。
又，於本實施形態中，包含複數個點數之表77記憶於控制裝置4之輔助記憶裝置71。複數個點數係針對處理單元3之每種工作狀況而分配。具體而言，表77包含分別分配於可動構件之原點位置及動作位置之複數個點數、及分別分配於處理流體之吐出中狀態及吐出停止狀態之複數個點數。
於在處理排程中之任一時間內設定值變更條件75成立之情形時，計算處理排程之各時間內之點數之合計值。而且，處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以根據點數之合計值之大小設定為大於基準值之值的方式計劃。因此，將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)係根據處理單元3之工作狀況而調整。因此，可使腔室5內之氣流接近理想之狀態。
又，於本實施形態中，記憶於控制裝置4之輔助記憶裝置71之表77除針對可動構件之每個位置而分配之複數個點數、針對處理流體之每種吐出狀態而分配之複數個點數以外，還包含分別分配於基板W之旋轉中狀態及旋轉停止狀態之複數個點數。因此，將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)被調整為亦考慮基板W之旋轉狀態之大小。因此，可使腔室5內之氣流接近理想之狀態。
又，於本實施形態中，記憶於控制裝置4之輔助記憶裝置71之表77包含針對清洗液之吐出中狀態而分配之清洗液之點數、及針對藥液之吐出中狀態而分配之藥液之點數。藥液之點數大於清洗液之點數。因此，若處理單元3之其他工作狀況相同，則吐出藥液時之點數之合計值大於吐出清洗液時之點數之合計值。
如上所述，處理排程之各時間內之個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以根據點數之合計值之大小設定為大於基準值 之值的方式計劃。若點數之合計值較大，則將腔室5內之氣體排出至個別排氣管51內之力(排氣壓)較強，故確實地排出腔室5內之氣體。
相較於純水等清洗液之霧，藥液之霧污染基板W之可能性更高。因此，藉由於實際上吐出藥液時增強排氣壓，而可將藥液之霧自處理單元3內高效率地排出，從而可縮小霧之擴散範圍。因此，可減少因霧或微粒之附著所致之基板W之污染。
又，於本實施形態中，將點數之合計值分類成複數個群組之一個以上之臨限值包含於記憶於控制裝置4之輔助記憶裝置71之表77。點數之合計值屬於複數個群組中之哪一個係基於表77之分類表79而求出。
於處理排程之各時間內之點數之合計值不同之情形時，若群組相同，則分配於該群組之加算值亦被加入個別排氣流量調整單元之基準值。換言之，即便點數之合計值變化，若合計值所屬之群組相同，則個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值亦不變。因此，相較於點數之合計值每次產生變化就變更排氣之強度之情形，可防止控制之複雜化。
又，於本實施形態中，複數個處理單元3內之氣體分別被排出至複數個個別排氣管51。於各個別排氣管51內朝向排氣處理設備流至下游側之排氣被排出至集合排氣管62內。朝向排氣處理設備而於集合排氣管62內流動之排氣之流量係由作為集合排氣流量調整單元之集合風門63調整。
規定集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值(集合風門63之開度之設定值)之集合排氣排程係一方面參照規定個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值(個別風門53之開度之設定值)之個別排 氣排程一方面被製作。而且，與個別排氣排程同時地執行集合排氣排程。
於在個別排氣排程中之任一時間內，任一個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於基準值之源壓變更條件76成立之情形時，源壓變更條件76成立之時間內之集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值係以設定為大於各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為基準值時之設定值(源壓基準值)之值的方式計劃。
若任一個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於基準值，則有集合排氣管62內之排氣壓降低，且該排氣壓之降低之影響波及其他處理單元3之情況。因此，藉由使集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值大於源壓基準值，而可抑制或防止自其他處理單元3排出之排氣之流量之減少。藉此，可抑制或防止其他處理單元3中之壓力變動。
進而，集合排氣排程係與個別排氣排程同時地執行。即，集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值並非於集合排氣管62內流動之排氣之流量實際上產生變化之後被變更，而是於流量之變化產生之前被調整。因此，相較於進行反饋控制之情形，可縮短至排氣流量穩定為止之時間。
又，於本實施形態中，朝向個別排氣管51於腔室5之內部流動之氣體之流路係藉由作為可動構件之遮斷板30及處理液捕獲構件15而形成於腔室5內。因此，若遮斷板30及處理液捕獲構件15之至少一者於腔室5內移動，則流路之形狀產生變化，故處理單元3之排氣阻力產生變化。因此，藉由將個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值(個別風門53之開度之設定值)根據遮斷板30及處理液捕獲構 件15之位置變更，而可使自處理單元3排出之氣體之流量穩定。
以上係本發明之實施形態之說明，但本發明並不限定於上述實施形態之內容，可於本發明之範圍內進行各種變更。
例如，於上述實施形態中，對於設定值變更條件75除位置條件以外，亦包含處理流體吐出中條件、藥液吐出開始條件、藥液吐出結束條件、基板旋轉條件、及遮斷板上升條件之情形進行了說明。然而，藥液吐出開始條件、藥液吐出結束條件、基板旋轉條件、及遮斷板上升條件之至少一個亦可自設定值變更條件75中除外。
又，如圖4所示，於上述實施形態中，排出單元46除集合風門63以外，亦可具備鼓風機66，其藉由朝向集合排氣管62之下游端吹送氣體而增強集合排氣管62內之排氣壓。集合風門63及鼓風機66均係調整朝向排氣處理設備而於集合排氣管62內流動之排氣之流量之集合排氣流量調整單元之一例。
鼓風機66係於較集合風門63更下游側連接於集合排氣管62。控制裝置4藉由控制鼓風機66，而於送風狀態(接通)與送風停止狀態(斷開)之間切換鼓風機66。控制裝置4除鼓風機66之接通/斷開以外，亦可變更鼓風機66之送風流量。鼓風機66形成於集合排氣管62內向下游側(排氣處理設備一側)流動之氣流。因此，於鼓風機66之送風中，使集合排氣管62內之氣體移動至集合排氣管62之下游側之力由排氣處理設備及鼓風機66形成，集合排氣管62內之排氣壓升高。因此，控制裝置4藉由控制鼓風機66，而可使集合排氣管62內之排氣壓及排氣流量產生變化。
若於送風狀態與送風停止狀態之間切換鼓風機66，則亦集合排氣管62內流動之排氣之流量被調整。同樣地，若變更集合風門 63之開度，則於集合排氣管62內流動之排氣之流量被調整。因此，控制裝置4之集合排氣排程製作部89亦可以進行集合風門63之開度調整及鼓風機66之切換之至少一者之方式製作集合排氣排程。同樣地，控制裝置4之集合反饋控制執行部91亦可基於集合流量計65之檢測值而控制集合風門63及鼓風機66之至少一者。
若鼓風機66進行送風，則集合排氣管62內之氣體被鼓風機66強制地排出，故集合排氣管62內之排氣壓升高(排氣壓之絕對值變大)。因此，於排氣設備之吸引力不充分之情形時，亦可藉由使鼓風機66作動，而將集合排氣管62內之排氣壓保持為固定之壓力。藉此，可抑制或防止各處理單元3中之壓力變動。
於上述實施形態中，排出單元46除個別風門53以外或者代替個別風門53，亦可具備將個別排氣管51內之氣體排出至集合排氣管62之排氣泵(個別泵)。於該情形時，控制裝置4之個別排氣排程製作部85亦可以進行個別風門53之開度調整與排氣泵之輸出調整之至少一者之方式製作個別排氣排程。同樣地，控制裝置4之個別反饋執行部87亦可基於個別流量計52之檢測值而控制個別風門53及排氣泵之至少一者。
於上述實施形態中，對於作為基板保持單元之旋轉夾盤8一方面保持基板W一方面使其旋轉之情形進行了說明。然而，基板保持單元亦可代替可與基板W一併旋轉之旋轉基底10，而具備支持基板W之下表面之無法旋轉之保持基底。
於上述實施形態中，對於以基於針對處理單元3之每種工作狀況而分配之複數個點數而求出點數之合計值，且根據點數之合計值之大小而將個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值設定為大於 基準值之值的方式製作個別排氣排程之情形進行了說明。即，對於加於基準值之加算值根據點數之合計值之大小而變更之情形進行了說明。然而，於設定值變更條件75成立之情形時，亦可不求出點數之合計值而將固定之值加於基準值。
於上述實施形態中，對於判斷點數之合計值屬於複數個群組(弱排氣群組、中排氣群組、及強排氣群組)中之哪一個，且將分配於所屬之群組之加算值加於基準值上之情形進行了說明。即，對於即便點數之合計值不同，若所屬之群組相同，則相同之大小之加算值被加於基準值上之情形進行了說明。然而，亦可針對每個點數之合計值而變更加算值。
於上述實施形態中，對於基板處理裝置1為處理圓板狀之基板之裝置之情形進行了說明。然而，基板處理裝置1亦可為處理液晶顯示裝置用基板等多邊形之基板之裝置。
亦可組合所有實施形態中之2個以上。
至今雖對於本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等僅為用於使本發明之技術內容明確之具體例，本發明並不應限定於該等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請範圍限定。
本申請案係對應於2013年12月18日向日本專利局提出之日本專利特願2013-261468號，本申請案之所有揭示係自此以引用之方式併入本文。
3‧‧‧處理單元
4‧‧‧控制裝置
46‧‧‧排出單元
74‧‧‧配方
75‧‧‧設定值變更條件
76‧‧‧源壓變更條件
77‧‧‧表
78‧‧‧點數表
79‧‧‧分類表
80‧‧‧處理排程製作部
81‧‧‧處理排程執行部
82‧‧‧設定值變更判斷部
83‧‧‧合計值計算部
84‧‧‧群組判定部
85‧‧‧個別排氣排程製作部
86‧‧‧個別排氣排程執行部
87‧‧‧個別反饋執行部
88‧‧‧源壓變更判斷部
89‧‧‧集合排氣排程製作部
90‧‧‧集合排氣排程執行部
91‧‧‧集合反饋控制執行部
CR‧‧‧中央機器人
IR‧‧‧分度機器人

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：處理單元，其對複數片基板逐片進行處理；排氣單元，其自上述處理單元將氣體加以排出；以及作為電腦之控制裝置，其控制上述處理單元及排氣單元；且上述處理單元係包含有：腔室，其具有內部空間；基板保持單元，其在上述腔室內保持基板；處理流體供給單元，其對被上述基板保持單元所保持之基板供給處理流體；以及可動構件，其能夠在彼此分開之位置即為原點位置及動作位置之間，在上述腔室內移動；且上述排氣單元係包含有：個別排氣管，其將自上述腔室所排出之氣體，朝向排氣處理設備進行導引；及個別排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述個別排氣管內流動之排氣的流量；且上述控制裝置係執行如下之步驟：處理排程製作步驟，其製作以時間序列將處理基板時之上述處理單元之動作加以規定之處理排程；設定值變更判斷步驟，其判斷設定值變更條件為是否成立，該設定值變更條件係包含有在上述處理排程製作步驟中所製作之上述處理排程之各時間內，上述可動構件位在上述原點位置以外之位置的位置條件； 個別排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述處理排程之各時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之個別排氣排程：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述可動構件位在上述原點位置時之設定值即基準值為大的值；及個別排氣排程執行步驟，其以與上述處理排程同時之方式執行上述個別排氣排程。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述設定值變更條件係更進一步包含有上述處理流體供給單元正在吐出處理流體之處理流體吐出中條件。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理流體供給單元係包含有將作為處理流體之藥液朝向被上述基板保持單元所保持之基板加以吐出之藥液噴嘴，上述設定值變更條件係更進一步包含有上述藥液噴嘴開始藥液之吐出的藥液吐出開始條件，上述個別排氣排程製作步驟係包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值，並且自較上述藥液吐出開始條件為成立之時間更早，將上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理流體供 給單元係包含有將作為處理流體之藥液朝向被上述基板保持單元所保持之基板加以吐出之藥液噴嘴，上述設定值變更條件係更進一步包含有上述藥液噴嘴結束藥液之吐出的藥液吐出結束條件，上述個別排氣排程製作步驟係包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值，並且至較上述藥液吐出開始條件為成立之時間之後為止，將上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述基準值為大的值。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板保持單元係包含有在上述腔室內一方面將基板加以保持一方面使其旋轉之旋轉夾盤，上述設定值變更條件係更進一步包含有基板進行旋轉之基板旋轉條件。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述基板旋轉條件係包含有乾燥執行條件，該乾燥執行條件係基板以大於上述處理流體供給單元吐出處理流體時之基板之旋轉速度之乾燥速度進行旋轉。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述可動構件係包含有遮斷板，該遮斷板係能夠在上述基板保持單元之上方之遮斷板原點位置和上述遮斷板原點位置與上述基板保持單元之間的遮斷板動作位置之間，在上述腔室內移動，上述設定值變更條件係更進一步包含有上述遮斷板自上述遮斷板動 作位置移動至上述遮斷板原點位置之遮斷板上升條件。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係包含有記憶裝置，該記憶裝置係記憶有表，該表係包含有針對上述可動構件之每個位置而所被分配之複數個點數、及針對自上述處理流體供給單元之處理流體之每種吐出狀態而所被分配之複數個點數的表，上述控制裝置係更進一步執行合計值計算步驟，該合計值計算步驟係在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，根據上述表而求出在上述處理排程之各時間內之點數的合計值，上述個別排氣排程製作步驟係包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，根據上述合計值之大小，加以設定為較上述基準值為大的值。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述基板保持單元係包含有在上述腔室內一方面將基板加以保持一方面使其旋轉之旋轉夾盤，上述表係更進一步包含有針對基板之每種旋轉狀態而所被分配之複數個點數。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，針對自上述處理流體供給單元之處理流體之每種吐出狀態而所被分配之上述複數個點數係包含有針對將作為處理流體之清洗液加以吐出之狀態而所被分配之清洗液之點數、及針對將作為處理流體之藥液加以吐出之狀態而所被分配且大於上述清洗液之點數之藥液之點數。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述表係包含有 一個以上之臨限值，該臨限值係將點數之合計值根據點數之合計值之大小加以分類成複數個群組，該等複數個群組係分別分配有大小各不相同之複數個加算值，上述控制裝置係更進一步執行群組判定步驟，該群組判定步驟係根據上述表而求出在上述合計值計算步驟中所求出之點數之合計值為屬於上述複數個群組中之哪一個，上述個別排氣排程製作步驟係包含有以如下之方式製作上述個別排氣排程之步驟：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條件為成立之情形使在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，形成較上述基準值僅增大被分配至在上述合計值計算步驟中所求出之點數之合計值所屬之上述群組的上述加算值。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係包含有複數個上述處理單元，上述排氣單元係包含有：複數個上述個別排氣管，其等分別對應於上述複數個上述處理單元，且將自上述複數個上述處理單元之上述腔室所排出之氣體，朝向上述排氣處理設備進行導引；複數個上述個別排氣流量調整單元，其等分別對應於上述複數個上述個別排氣管，且調整朝向上述排氣處理設備而在上述複數個上述個別排氣管內流動之排氣的流量；集合排氣管，其連接有上述複數個上述個別排氣管之各者；及集合排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述集合排氣管內流動之排氣的流量；且 上述控制裝置係更進一步執行如下之步驟：源壓變更判斷步驟，其在上述個別排氣排程製作步驟中所製作之上述個別排氣排程之各時間內，加以判斷源壓變更條件是否成立，該源壓變更條件係為上述複數個上述個別排氣流量調整單元中之任一排氣流量設定值為大於上述基準值；集合排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述個別排氣排程之各時間內之上述集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之集合排氣排程：在上述個別排氣排程中之任一時間內，上述源壓變更條件為成立之情形，將在上述源壓變更條件為成立之時間內之上述集合排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為上述基準值時之設定值即源壓基準值為大的值；及集合排氣排程執行步驟，其以與上述個別排氣排程同時之方式執行上述集合排氣排程。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係包含有複數個上述處理單元，上述排氣單元係包含有：複數個上述個別排氣管，其等分別對應於上述複數個上述處理單元，且將自上述複數個上述處理單元之上述腔室所排出之氣體，朝向上述排氣處理設備進行導引；複數個上述個別排氣流量調整單元，其等分別對應於上述複數個上述個別排氣管，且調整朝向上述排氣處理設備而在上述複數個上述個別排氣管內流動之排氣的流量；集合排氣管，其連接有上述複數個上述個別排氣管之各者； 集合排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而於上述集合排氣管內流動之排氣的流量；及集合流量計，其檢測朝向上述排氣處理設備而在上述集合排氣管內流動之排氣的流量；且上述控制裝置係以如下方式控制上述集合排氣流量調整單元：使根據上述集合流量計之檢測值而求出之上述集合排氣管內之排氣流量，接近於各個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值為上述基準值時之值即流量基準值。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述集合排氣流量調整單元係包含有集合風門、及鼓風機中之至少一者，該集合風門係將上述集合排氣管加以開閉，該鼓風機係在上述集合排氣管內形成朝向上述排氣處理設備流動之氣流。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述可動構件係在上述腔室內形成朝向上述個別排氣管而在上述腔室之內部流動之氣體的流路。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之基板處理裝置，其中，上述可動構件係包含有遮斷板及防濺防護板中之至少一者，該遮斷板係能夠在上述基板保持單元之上方之遮斷板原點位置和上述遮斷板原點位置與上述基板保持單元之間的遮斷板動作位置之間，在上述腔室內移動，該防濺防護板係能夠在較被上述基板保持單元所保持之基板為更下方之防護板原點位置與位在被上述基板保持單元所保持之基板之周圍之防護板動作位置之間，在上述腔室內移動。
  17. 一種基板處理裝置之控制方法，其藉由基板處理裝置之上述控制裝置而被加以執行，該基板處理裝置係具備有：處理單元，其對複數 片基板逐片進行處理；排氣單元，其將上述處理單元內之氣體加以排出；以及作為電腦之控制裝置，其控制上述處理單元及排氣單元；且上述處理單元係包含有：腔室，其具有內部空間；基板保持單元，其在上述腔室內保持基板；處理流體供給單元，其對被上述基板保持單元所保持之基板供給處理流體；以及可動構件，其能夠在彼此分開之位置即為原點位置及動作位置之間，在上述腔室內移動；上述排氣單元係包含有：個別排氣管，其將自上述腔室所排出之氣體，朝向排氣處理設備進行導引；及個別排氣流量調整單元，其調整朝向上述排氣處理設備而在上述個別排氣管內流動之排氣的流量；上述基板處理裝置之控制方法係包含有：處理排程製作步驟，其製作以時間序列將處理基板時之上述處理單元之動作加以規定之處理排程；設定值變更判斷步驟，其判斷設定值變更條件為是否成立，該設定值變更條件係包含有在上述處理排程製作步驟中所製作之上述處理排程之各時間內，上述可動構件位在上述原點位置以外之位置的位置條件；個別排氣排程製作步驟，其以如下之方式製作將在上述處理排程之各時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值加以規定之個別排氣排程：在上述處理排程中之任一時間內，上述設定值變更條 件為成立之情形，將在上述設定值變更條件為成立之時間內之上述個別排氣流量調整單元之排氣流量設定值，加以設定為較上述可動構件位在上述原點位置時之設定值即基準值為大的值；及個別排氣排程執行步驟，其以與上述處理排程同時之方式執行上述個別排氣排程。
  18. 一種記錄媒體，其記錄有藉由與申請專利範圍第17項之基板處理裝置之控制方法相關之基板處理裝置的控制裝置而被加以執行之電腦程式且為可被電腦讀取者；且記錄有以使作為電腦之上述控制裝置執行上述基板處理裝置之控制方法之方式編入有步驟群之電腦程式。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI578390B (zh) * 2015-08-18 2017-04-11 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing method and substrate processing device
TWI637434B (zh) * 2016-03-31 2018-10-01 斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TWI661500B (zh) * 2017-02-10 2019-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI693104B (zh) * 2017-07-28 2020-05-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
CN112992741A (zh) * 2021-03-04 2021-06-18 长江存储科技有限责任公司 半导体处理装置及排气方法
US11923221B2 (en) 2016-03-15 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6499563B2 (ja) * 2015-11-06 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP6985964B2 (ja) * 2018-03-23 2021-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法
JP7027284B2 (ja) * 2018-09-07 2022-03-01 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102594076B1 (ko) * 2021-07-08 2023-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03224213A (ja) * 1989-12-26 1991-10-03 Nec Corp 低圧ｃｖｄ装置
JPH09148231A (ja) * 1995-11-16 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2003213422A (ja) * 2002-01-24 2003-07-30 Nec Corp 薄膜の形成装置及びその形成方法
JP2009246007A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Epson Toyocom Corp プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP2009277789A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5312856B2 (ja) * 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2011044446A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Tokyo Electron Ltd 圧力制御機器、圧力制御方法および基板処理装置
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20130295768A1 (en) * 2010-12-22 2013-11-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP6084202B2 (ja) * 2012-03-07 2017-02-22 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI578390B (zh) * 2015-08-18 2017-04-11 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing method and substrate processing device
US11923221B2 (en) 2016-03-15 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control
TWI637434B (zh) * 2016-03-31 2018-10-01 斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TWI661500B (zh) * 2017-02-10 2019-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US11114302B2 (en) 2017-02-10 2021-09-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI693104B (zh) * 2017-07-28 2020-05-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
CN112992741A (zh) * 2021-03-04 2021-06-18 长江存储科技有限责任公司 半导体处理装置及排气方法

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