JP2022041256A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板から飛散する処理液を液受け部材によって充分に受けることができ、かつ、液受け部材によって受けた処理液の跳ね返りによる基板の汚染を抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを回転させるスピンモータと、基板Ｗに処理液を供給する処理液ノズルと、基板Ｗから飛散する処理液を受けるガード８０とを備える。ガード８０は、スピンベース２１を取り囲む筒状部８１と、筒状部８１の上端部からガード内側ＩＳに向かって延びる延設部８２と、ガード内側ＩＳにおける延設部８２の端部（中心側端部８２ａ）から下方に延びる垂下部８３とを含む。延設部８２は、ガード内側ＩＳに向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜部８４を有する。水平方向に対する傾斜部８４の傾斜角度θが２５°以上で、かつ、３０°未満である。【選択図】図４Ｂ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１に開示された基板処理装置は、スピンチャックによって保持された基板を回転させながら基板の上面に洗浄液を供給して基板を洗浄する。回転遠心力により基板から飛散する洗浄液は、基板を取り囲むカップの傾斜面によって受けられる。

特開平１０－３２３６３３号公報

特許文献１には、基板に対するカップの傾斜面の角度を３０°～６０°とすることで、ミストの飛散を防止できることが開示されている。しかしながら、特許文献１では、カップの傾斜面によって受けられる際の衝撃によって洗浄液が斜め上方に向かって跳ね返ることについては、一切考慮されていない。そのため、実際の基板処理において、洗浄液の跳ね返りによって基板が汚染されるおそれがある。

そこで、この発明の１つの目的は、基板から飛散する処理液を液受け部材によって充分に受けることができ、かつ、液受け部材によって受けた処理液の跳ね返りによる基板の汚染を抑制できる基板処理装置を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板に処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける液受け部材とを備える、基板処理装置を提供する。

この基板処理装置では、前記液受け部材が、前記基板保持ユニットを取り囲む筒状部と、前記筒状部の上端部から前記筒状部の中心側に向かって延びる延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜部を有する延設部と、前記中心側における前記延設部の端部から下方に延びる垂下部とを含む。そして、水平方向に対する前記傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満である。

この装置によれば、液受け部材の傾斜部の傾斜角度は２５°以上で、かつ、３０°未満である。この範囲の角度であれば傾斜部の傾斜角度が充分に小さいため、基板から飛散した処理液が傾斜部に衝突した際に発生する処理液の跳ね上がりを充分に低減できる。逆に、傾斜部の高さ寸法が小さくなり過ぎることもないため、鉛直方向の広範囲に亘って、傾斜部によって処理液を受けることができる。

さらに、液受け部材には、筒状部の中心側における延設部の端部から下方に延びる垂下部が設けられている。そのため、基板の上面から飛散した処理液を延設部の傾斜部によって受けることによって処理液が上方に跳ね返った場合であっても、基板への処理液の飛散を垂下部によって抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、平面視において基板よりも大径の円形状を有するベースを含む。そして、前記中心側における前記延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下である。

筒状部の中心側における延設部の端部（以下では、「延設部の中心側端部」ということがある。）とベースの周縁部との間の水平距離が短過ぎると、ベースと延設部とが接触するおそれがある。一方、延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が長過ぎると、基板から飛散する処理液を液受け部材が充分に捕集することができない。
延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲であれば、ベースと延設部との接触を避けつつ、基板から飛散する処理液を液受け部材によって充分に捕集することができる。

たとえば、ベースの外径が、３１６ｍｍである場合、延設部の内径は、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下であることが好ましい。
延設部の高さ寸法、特に傾斜部の高さ寸法は、水平方向に対する傾斜部の傾斜角度、延設部の内径、および筒状部の内径によって定まる。延設部の内径と筒状部の内径との差が大きいほど傾斜部の高さ寸法は大きい。

筒状部が、４５８ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下であれば、傾斜部の高さ寸法を充分に長くすることができる。そうであれば、基板から離れるにしたがって上下に拡散する基板から飛散した処理液のミストを充分に捕集することができる。筒状部の内径は、特に、４５８ｍｍ以上で、かつ、４８６ｍｍ以下であることが好ましい。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、前記ベースに設けられ、基板の周縁部を水平方向から把持する複数の把持ピンを含む。

基板の上面に着液した処理液は、基板の回転に基づく遠心力の作用によって、基板の周縁部に向かって基板の上面を移動し、基板の上面の周縁部から外部に飛散する。基板の周縁部を水平方向から把持する把持ピンがベースに設けられている構成では、基板の上面を周縁部に向かって移動する処理液が、把持ピンに衝突する。そのため、基板保持ユニットに把持ピンが設けられていない構成と比較して、処理液の飛散範囲が広い。

このような場合であっても、延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲であり、水平方向に対する傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満であれば、基板から飛散する処理液を液受け部材によって充分に受けることができる。
この発明の一実施形態では、前記傾斜部の下端部と前記垂下部の下端部との間の鉛直距離が、前記基板保持ユニットに保持されている基板から飛散する処理液の９０％以上を捕集するために必要な基準鉛直幅と同じまたは前記基準鉛直幅よりも大きい。そのため、基板から飛散する処理液を液受け部材によって充分に捕集できる。具体的には、基準鉛直幅は、たとえば、１８ｍｍであるため、傾斜部の下端部と垂下部の下端部との間の鉛直距離が１８ｍｍ以上であればよい。仮に、鉛直距離が２０ｍｍ以上で、かつ、３５ｍｍ以下であれば、基板から飛散する処理液の大部分を液受け部材によって捕集することができる。

この発明の一実施形態では、前記延設部が、前記筒状部の内周面の上端部と前記傾斜部の内周面の下端部とを段差なく連結する湾曲面を有する連結部を有する。そのため、傾斜部によって受けられた処理液は、連結部に沿って、スムーズに筒状部に移動し、筒状部を下方に流れる。したがって、傾斜部に残存する処理液の量を低減できるので、基板から新たに飛散する処理液と、傾斜部に残存する処理液との衝突によって、傾斜部から処理液が飛散することを抑制できる。その結果、液受け部材によって一層充分に処理液を捕集できる。

この発明の一実施形態では、前記延設部が、前記傾斜部よりも上方で水平に延び、前記垂下部の上端部に連結される水平部を有する。
傾斜部によって受けられた処理液の一部は、傾斜部に沿って上方に移動する。この構成とは異なり、水平部が設けられていない構成では、垂下部が傾斜部に直接接続される。この場合、傾斜部と垂下部との間の隙間が小さく、傾斜部によって受けられた処理液が、傾斜部と垂下部との間に残存しやすい。そのため、傾斜部に沿って上方に移動する処理液と傾斜部と垂下部との間に残存する処理液との衝突によって、処理液が飛散しやすい。

一方、垂下部の上端部に水平部が連結される構成であれば、水平部が設けられていない構成と比較して傾斜部と垂下部との間の空間が広いため、傾斜部と垂下部との間に処理液が残存しにくい。したがって、液受け部材によって一層充分に処理液を捕集できる。
この発明の別の実施形態は、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板に処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける第１液受け部材と、前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける第２液受け部材とを備える、基板処理装置を提供する。

この基板処理装置では、前記第１液受け部材が、前記基板保持ユニットを取り囲む第１筒状部と、前記第１筒状部の上端部から前記第１筒状部の中心側に向かって延びる第１延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第１傾斜部を有する第１延設部と、前記中心側における前記第１延設部の端部から下方に延びる第１垂下部とを有する。

また、前記第２液受け部材が、前記第１筒状部よりも前記中心側で前記基板保持ユニットを取り囲む第２筒状部と、前記第２筒状部の上端部から前記中心側に向かって延び、前記第１延設部に下方から対向する第２延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第２傾斜部を有する第２延設部と、前記中心側における前記第２延設部の端部から下方に延びる第２垂下部とを有する。

さらに、水平方向に対する前記第１傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満であり、水平方向に対する前記第２傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満である。
この装置によれば、第１液受け部材の第１傾斜部の傾斜角度、および、第２液受け部材の第２傾斜部の傾斜角度は、いずれも、２５°以上で、かつ、３０°未満である。この範囲の角度であれば傾斜角度が充分に小さいため、基板から飛散した処理液が傾斜部（第１傾斜部、第２傾斜部）に衝突した際に発生する処理液の跳ね上がりを充分に低減できる。逆に、傾斜部の高さ寸法が小さくなり過ぎることもないため、鉛直方向の広範囲に亘って傾斜部によって処理液を受けることができる。

さらに、第１液受け部材の第１延設部および第２液受け部材の第２延設部のいずれにも、垂下部（第１垂下部、第２垂下部）が設けられている。そのため、基板の上面から飛散した処理液を傾斜部によって受けることによって処理液が上方に跳ね返った場合であっても、基板への処理液の飛散を垂下部によって抑制することができる。
この発明の別の実施形態では、前記基板保持ユニットが、平面視において基板よりも大径の円形状を有するベースを有する。そして、前記中心側における前記第１延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下であり、前記中心側における前記第２延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下である。

筒状部（第１筒状部、第２筒状部）の中心側における延設部（第１延設部、第２延設部）の端部（以下では、「延設部の中心側端部」ということがある。）とベースの周縁部との間の水平距離が短過ぎると、ベースと延設部とが接触するおそれがある。一方、延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が長過ぎると、基板から飛散する処理液を液受け部材が充分に捕集することができない。

第１延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が３ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下の範囲であれば、ベースと第１延設部との接触を避けつつ、基板から飛散する処理液を第１液受け部材によって充分に捕集することができる。
第２延設部の中心側端部とベースの周縁部との間の水平距離が３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲であれば、ベースと延設部との接触を避けつつ、基板から飛散する処理液を第２液受け部材によって充分に捕集することができる。

たとえば、ベースの外径が、３１６ｍｍである場合、第１延設部の内径が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３２６ｍｍ以下であり、第２延設部の内径が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下であることが好ましい。
さらに、第１筒状部の内径が、４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下であれば、第１延設部の高さ寸法、特に、第１傾斜部の高さ寸法を充分に長くできる。第２筒状部の内径が、４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下であれば、第２延設部の高さ寸法、特に、第２傾斜部の高さ寸法を充分に長くできる。そうであれば、基板から離れるにしたがって上下に拡散する基板から飛散した処理液のミストを充分に捕集することができる。特に、第１筒状部の内径が４８６ｍｍであり、第２筒状部が４５８ｍｍであることが好ましい。

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部構成を示す図解的な平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図４Ａは、前記処理ユニットに備えられる第１液受け部材および第２液受け部材の構成を説明するための模式的な断面図である。 図４Ｂは、図４Ａに示すＩＶＢ領域の拡大図である。 図５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。 図６は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図７Ａは、前記基板処理において、基板から飛散する処理液が第１ガードによって受けられる様子について説明するための模式図である。 図７Ｂは、前記基板処理において、基板から飛散する処理液が第２ガードによって受けられる様子について説明するための模式図である。 図８は、基板から飛散する処理液が到達する鉛直位置について調べる処理液飛散実験の結果を示すグラフである。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
図１は、この発明の一実施形態に基板処理装置１の内部構成を示す図解的な平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。
基板処理装置１は、インデクサブロック２と、インデクサブロック２の横方向（水平方向）に隣接された処理ブロック３と、基板処理装置１を制御するコントローラ４（後述する図５を参照）とを含む。

インデクサブロック２は、複数（この実施形態では４個）のロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲとを含む。
ロードポートＬＰは、水平方向に沿って配列されている。各ロードポートＬＰは、一つのキャリヤＣを保持できるように構成されている。キャリヤＣは、処理対象の基板Ｗ（製品基板）を収容する基板収容器である。基板Ｗは、たとえば、半導体ウエハである。

インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰにそれぞれ保持されるキャリヤＣにアクセスして、基板Ｗを搬入／搬出し、処理ブロック３との間で基板Ｗを搬送できるように構成されている。この実施形態では、インデクサロボットＩＲは、多関節アームを備えた多関節アームロボットである。
処理ブロック３は、複数（この実施形態では、１２個）の処理ユニット５と、複数の基板載置部６（第１基板載置部６Ｕおよび第２基板載置部６Ｌ）と、複数の主搬送ロボットＣＲ（第１主搬送ロボットＣＲＵおよび第２主搬送ロボットＣＲＬ）とを含む。

複数の処理ユニット５は、基板Ｗに対して処理を行う。この実施形態では、各処理ユニット５は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型処理ユニットである。
複数の処理ユニット５は、複数の主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される搬送空間８に沿って当該搬送空間８の両側に配列され、搬送空間８に臨んでいる。搬送空間８は、平面視において、インデクサブロック２から離れる方向に直線的に延びている。

複数の処理ユニット５は、複数（この実施形態では、４個）の処理タワーＴＷを構成している。平面視において搬送空間８の両側方のそれぞれには、複数（この実施形態では、２個）の処理タワーＴＷが配置されている。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数段（この実施形態では６段）の処理ユニット５を含む。この実施形態では、２４個の処理ユニット５が４つの処理タワーＴＷに６個ずつ分かれて配置されている。全ての処理ユニット５は、搬送空間８に臨む位置に基板搬出／搬入口５ａを有している。

各処理タワーＴＷの側方には、流体供給部９および排気部１０が配置されている。流体供給部９は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５で用いられる処理流体を供給するための配管類や、配管内の液体を送るためのポンプ類を収容する。排気部１０は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５の内部の雰囲気を排気するための配管類を収容する。

処理流体は、基板処理装置１で使用される液体（処理液）や気体のことである。処理液としては後述する薬液、リンス液等が挙げられる。
排気部１０には、平面視において、対応する処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５からの排気を基板処理装置１外の排気設備に導くための排気配管１１が収容されている。排気部１０は、さらに、処理ユニット５内での処理の種類（より具体的には処理液の種類）に応じて、排気配管１１を切り換える切り換え機構１２が併せて収容されていてもよい。図示は省略するが、排気部１０には、切り換え機構１２を駆動するアクチュエータ類が収容されている。

複数の処理ユニット５は、下層の処理ユニット５または上層の処理ユニット５に分類される。この実施形態では、下側３段の処理ユニット５が下層の処理ユニット５であり、上側３段の処理ユニット５が上層の処理ユニット５である。
第１基板載置部６Ｕおよび第２基板載置部６Ｌは、上下方向に並んで配置されている。第１主搬送ロボットＣＲＵおよび第２主搬送ロボットＣＲＬは、搬送空間８において上下方向に並んで配置されている。

第１基板載置部６Ｕは、インデクサロボットＩＲと第１主搬送ロボットＣＲＵとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。第２基板載置部６Ｌは、インデクサロボットＩＲと第２主搬送ロボットＣＲＬとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。
第１主搬送ロボットＣＲＵは、第１基板載置部６Ｕと上層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。第２主搬送ロボットＣＲＬは、第２基板載置部６Ｌと下層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。

処理ユニット５は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１５と、平面視でスピンチャック１５を取り囲む処理カップ１６と、スピンチャック１５および処理カップ１６を収容する処理チャンバ１７とを含む。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。
処理チャンバ１７は、下壁１７Ａ、複数（この実施形態では４個）の側壁１７Ｂおよび上壁１７Ｃ（後述する図３を参照）を含んでおり、これらによって、処理チャンバ１７の内部空間１０１が区画されている。基板搬出／搬入口５ａは、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに形成されている。

図３は、処理ユニット５の構成例を説明するための図解的な断面図である。
スピンチャック１５は、基板保持回転ユニットの一例である。スピンチャック１５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１（ベース）と、回転軸２２と、スピンモータ２３とを含む。
スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１は、平面視において基板Ｗよりも大径の円形状を有する。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向に間隔を空けて配置されている。チャックピン２０は、把持ピンともいう。

スピンベース２１および複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。
回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端部は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。

処理ユニット５は、複数の処理液ノズル３０、および、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２６を含む。複数の処理液ノズル３０は、処理チャンバ１７に収容されている。
ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の上壁１７Ｃに設けられた開口１７ａに取り付けられており、清浄空気を処理チャンバ１７内に送る送風ユニットの一例である。ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７外から処理チャンバ１７内に向かう気流を発生させるファン（図示せず）と、気流中に含まれる異物を除去するためのフィルタ（図示せず）と、ファンを駆動させるモータ等のアクチュエータ（図示せず）とを含む。

各処理液ノズル３０は、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給ユニットの一例である。複数の処理液ノズル３０には、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル３１と、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する上側リンス液ノズル３２と、基板Ｗの下面に向けてリンス液を吐出する下側リンス液ノズル３３とが含まれる。
薬液ノズル３１は、薬液ノズル３１に薬液を案内する薬液配管４１に接続されている。薬液配管４１には、その流路を開閉する薬液バルブ５１と、薬液ノズル３１に薬液を送る薬液ポンプ６１とが介装されている。薬液バルブ５１が開かれると、薬液が、薬液ノズル３１から下方に連続流で吐出される。

この実施形態では、薬液ノズル３１は、第１ノズル移動ユニット７１によって水平方向および鉛直方向に移動される移動ノズルである。薬液ノズル３１は、中心位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。薬液ノズル３１が中央位置に位置するときに薬液バルブ５１が開かれると、薬液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

第１ノズル移動ユニット７１は、薬液ノズル３１に結合されて水平に延びるアーム７１Ａと、アーム７１Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７１Ｂと、回動軸を昇降させる回動軸駆動ユニット７１Ｃとを含んでいてもよい。
回動軸駆動ユニット７１Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ２まわりに回動軸７１Ｂを回動させることによってアーム７１Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸７１Ｂを鉛直方向に沿って昇降させることにより、アーム７１Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

薬液ノズル３１は、この実施形態とは異なり、水平方向および鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。
薬液ノズル３１から吐出される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。

上側リンス液ノズル３２は、上側リンス液ノズル３２にリンス液を案内する上側リンス液配管４２に接続されている。上側リンス液配管４２には、その流路を開閉する上側リンス液バルブ５２と、上側リンス液ノズル３２にリンス液を送る上側リンス液ポンプ６２とが介装されている。上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が、上側リンス液ノズル３２から下方に連続流で吐出される。

この実施形態では、上側リンス液ノズル３２は、第２ノズル移動ユニット７２によって水平方向および鉛直方向に移動される移動ノズルである。上側リンス液ノズル３２は、中心位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。上側リンス液ノズル３２が中央位置に位置するときに上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

第２ノズル移動ユニット７２は、上側リンス液ノズル３２に結合されて水平に延びるアーム７２Ａと、アーム７２Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７２Ｂと、回動軸７２Ｂを昇降させる回動軸駆動ユニット７２Ｃとを含んでいてもよい。
回動軸駆動ユニット７２Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ３まわりに回動軸７２Ｂを回動させることによってアーム７２Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アーム７２Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

上側リンス液ノズル３２は、この実施形態とは異なり、水平方向および鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。
下側リンス液ノズル３３は、基板Ｗの下面中央部に向けてリンス液を吐出する固定ノズルである。下側リンス液ノズル３３は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａと、貫通孔２１ａに連通される回転軸２２の内部空間２２ａとに挿入されている。下側リンス液ノズル３３の吐出口３３ａは、スピンベース２１の上面から露出されている。

下側リンス液ノズル３３は、下側リンス液ノズル３３にリンス液を案内する下側リンス液配管４３に接続されている。下側リンス液配管４３には、その流路を開閉する下側リンス液バルブ５３と、下側リンス液ノズル３３にリンス液を送る下側リンス液ポンプ６３とが介装されている。下側リンス液バルブ５３が開かれると、リンス液が、下側リンス液ノズル３３から上方に連続流で吐出される。

リンス液は、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水、還元水（水素水）等が挙げられる。
下側リンス液ノズル３３とスピンベース２１の貫通孔２１ａとの間の空間によって、下側気体流路２５が形成されている。下側気体流路２５は、回転軸２２の内周面と下側リンス液ノズル３３との間において内部空間２２ａに挿通された下側気体配管４４に接続されている。下側気体配管４４に介装された下側気体バルブ５４が開かれると、窒素ガス（Ｎ_２ガス）等の気体が、基板Ｗの下面とスピンベース２１の上面との間の空間に向けて下側気体流路２５から吐出される。

下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。下側気体流路２５から吐出される気体は、空気であってもよい。また、下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。窒素ガス以外の不活性ガスは、たとえば、アルゴンである。
処理カップ１６は、スピンチャック１５に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数のガード８０と、複数のガード８０によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ９０と、平面視において、複数のガード８０および複数のカップ９０を取り囲む排気桶１００とを含む。ガード８０は、基板Ｗから飛散する処理液を受ける液受け部材の一例である。

この実施形態では、２つのガード８０（第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂ）と、２つのカップ９０（第１カップ９０Ａおよび第２カップ９０Ｂ）とが設けられている例を示している。
第１カップ９０Ａおよび第２カップ９０Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。

第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有しており、各ガード８０の上端部は、ガード８０の中心側に向かうように内方に傾斜している。第１ガード８０Ａは、スピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード８０Ｂ（内側ガード）は、第１ガード８０Ａ（外側ガード）よりも第１ガード８０Ａの中心側でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。

第１ガード８０Ａの中心側（以下では、「ガード内側ＩＳ」という。）は、基板Ｗの回転径方向の内側でもある。第１ガード８０Ａの中心側とは反対側（以下では、「ガード外側ＯＳ」という。）は、基板Ｗの回転径方向の外側でもある。第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂは、同軸上に配置されており、第１ガード８０Ａの中心側は、第２ガード８０Ｂの中心側でもある。

第１カップ９０Ａは、第２ガード８０Ｂと一体に形成されており、第１ガード８０Ａによって下方に案内された処理液を受け止める。第２カップ９０Ｂは、第２ガード８０Ｂによって下方に案内された処理液を受け止める。第１カップ９０Ａによって受けられた処理液は、第１カップ９０Ａの下端に連結された第１処理液回収路（図示せず）によって回収される。第２カップ９０Ｂによって受けられた処理液は、第２カップ９０Ｂの下端に連結された第２処理液回収路（図示せず）によって回収される。

処理ユニット５は、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂを別々に昇降させるガード昇降ユニット９５を含む。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第１ガード８０Ａを昇降させる。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第２ガード８０Ｂを昇降させる。
第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第２ガード８０Ｂによって受けられる。第２ガード８０Ｂが下位置に位置し、第１ガード８０Ａが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第１ガード８０Ａによって受けられる。第１ガード８０Ａは、第１液受け部材の一例である。第２ガード８０Ｂは、第２液受け部材の一例である。

第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂがともに下位置に位置するときには、対応する主搬送ロボットＣＲが、処理チャンバ１７内に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ１７内から基板Ｗを搬出したりすることができる。
ガード昇降ユニット９５は、第１ガード８０Ａを昇降させる第１ガード昇降ユニットと、第２ガード８０Ｂを昇降させる第２ガード昇降ユニットとを含む。第１ガード昇降ユニットは、たとえば、第１ガード８０Ａに結合された第１昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第１アクチュエータ（図示せず）である。第１昇降機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。第２ガード昇降ユニットは、第２ガード８０Ｂに結合された第２昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第２アクチュエータ（図示せず）である。第２昇降機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

ガード昇降ユニット９５は、ガードリフタともいう。同様に、第１ガード昇降ユニットは、第１ガードリフタであり、第２ガード昇降ユニットは、第２ガードリフタである。
処理チャンバ１７の内部空間１０１は、第１ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳのガード内空間１０２と、ガード内空間１０２以外のガード外空間１０３とに分けられている。処理チャンバ１７の少なくともいずれかの側壁１７Ｂには、処理チャンバ１７のガード外空間１０３を上下に仕切る仕切り板１０４が設けられている。すなわち、ガード外空間１０３は、仕切り板１０４によって、仕切り板１０４よりも上側の上空間１０３Ａと、仕切り板１０４よりも下側の下空間１０３Ｂとに分けられている。仕切り板１０４は、排気桶１００によって支持されている。

上空間１０３Ａは、仕切り板１０４よりも上側で、かつ第１ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳの空間と、仕切り板１０４よりも上側で、かつ、第１ガード８０Ａよりもガード外側ＯＳの空間とを含む。
下空間１０３Ｂは、排気桶１００よりもガード内側ＩＳの内側下空間１０５と、排気桶１００よりもガード外側ＯＳの外側下空間１０６とに分けられる。

処理チャンバ１７内の雰囲気は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂおよび排気桶１００を貫通する排気接続管４５を介して排気される。排気接続管４５は、排気部１０に配置された排気配管１１（図１を参照）に接続されている。
ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の内部空間１０１に清浄空気を送ることによって、気流Ｆを形成する。気流Ｆは、上空間１０３Ａからガード内空間１０２または下空間１０３Ｂを通って、排気部１０の排気接続管４５に送られる。気流Ｆは、ガード内側ＩＳにおける仕切り板１０４の端部と第１ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１、または、ガード外側ＯＳにおける仕切り板１０４の端部に形成された隙間Ｇ２を通って、下空間１０３Ｂに流入する。

隙間Ｇ１を通って内側下空間１０５に流入した気流Ｆ１は、内側下空間１０５から排気接続管４５に流入する。
隙間Ｇ２を通って外側下空間１０６に流入した気流Ｆ２は、排気桶１００に形成された開口１００ａを介して、内側下空間１０５に流入し、その後、排気接続管４５に流入する。ガード内空間１０２に流入した気流Ｆ３は、ガード内空間１０２から排気接続管４５に流入する。

第１ガード８０Ａの高さ位置を調整することによって、仕切り板１０４と第１ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１のサイズを調整できる。隙間Ｇ１のサイズを調整することで気流Ｆ１～Ｆ３の流量を調整することができる。
図４Ａは、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂの構成を説明するための模式的な断面図である。図４Ｂは、図４Ａに示すＩＶＢ領域の拡大図である。

図４Ａを参照して、各ガード８０は、筒状部８１、延設部８２、垂下部８３を含む。第１ガード８０Ａに備えられる筒状部８１、延設部８２、および、垂下部８３を、それぞれ、第１筒状部８１Ａ、第１延設部８２Ａ、および第１垂下部８３Ａと表現することがある。同様に、第２ガード８０Ｂに備えられる筒状部８１、延設部８２、および、垂下部８３を、それぞれ、第２筒状部８１Ｂ、第２延設部８２Ｂ、および第２垂下部８３Ｂと表現することがある。後述する傾斜部８４、下側連結部８５、水平部８６、下側湾曲面８７、上側連結部８８、上側湾曲面８９、中心側端部８２ａ、傾斜角度θ等についても同様である（図４Ｂを参照）。

第１筒状部８１Ａは、平面視において円形状である円筒部である。第１筒状部８１Ａは、スピンベース２１を取り囲む。第１筒状部８１Ａの中心側は、ガード内側ＩＳでもあり、第１筒状部８１Ａの中心側とは反対側は、ガード外側ＯＳでもある。
第１延設部８２Ａは、平面視円環状を有する。第１延設部８２Ａは、第１筒状部８１Ａの上端部に接続され、第１筒状部８１Ａの上端部から第１筒状部８１Ａの中心側に向かって延びる。

第１垂下部８３Ａは、第１筒状部８１Ａの中心側における第１延設部８２Ａの端部（以下では、「第１中心側端部８２Ａａ」という。）に直接接続され、第１中心側端部８２Ａａから下方に延びる。第１垂下部８３Ａは、平面視円環状を有する。第１垂下部８３Ａは、下方に向かうにしたがって幅が狭くなる先細り形状を有している。第１垂下部８３Ａは、断面視三角形状である。

図４Ｂを参照して、第１延設部８２Ａは、ガード内側ＩＳに向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第１傾斜部８４Ａと、第１傾斜部８４Ａおよび第１筒状部８１Ａを連結する第１下側連結部８５Ａと、第１傾斜部８４Ａよりも上方で水平に延び、第１垂下部８３Ａの上端部に連結される第１水平部８６Ａと、第１傾斜部８４Ａと第１水平部８６Ａとを連結する第１上側連結部８８Ａとを有する。

第１下側連結部８５Ａは、第１筒状部８１Ａの内周面８１Ａａの上端部と第１傾斜部８４Ａの内周面８４Ａｂの下端部とを段差なく連結する第１下側湾曲面８７Ａを有する。第１筒状部８１Ａの内周面８１Ａａは、鉛直方向に延びる円筒面である。第１傾斜部８４Ａの内周面８４Ａｂは、ガード内側ＩＳに向かうに従って水平方向に対して傾斜する傾斜面である。第１上側連結部８８Ａは、第１傾斜部８４Ａの内周面８４Ａｂの上端部と、第１水平部８６Ａの下面のガード内側端部とを段差なく連結する第１上側湾曲面８９Ａを有する。

図４Ａを参照して、第２筒状部８１Ｂは、平面視において円形状である円筒部である。第２筒状部８１Ｂの中心側は、ガード内側ＩＳでもあり、第２筒状部８１Ｂの中心側とは反対側は、ガード外側ＯＳでもある。第２筒状部８１Ｂは、第１筒状部８１Ａよりもガード内側ＩＳでスピンベース２１を取り囲む。
第２延設部８２Ｂは、平面視円環状を有する。第２延設部８２Ｂは、第２筒状部８１Ｂの上端部に接続され、第２筒状部８１Ｂの上端部からガード内側ＩＳに向かって延びる。第２延設部８２Ｂは、第１延設部８２Ａに下方から対向する。

第２垂下部８３Ｂは、第１筒状部８１Ａの中心側における第２延設部８２Ｂの端部（以下では、「第２中心側端部８２Ｂａ」という。）に直接接続され、第２中心側端部８２Ｂａから下方に延びる。第２垂下部８３Ｂは、平面視円環状を有する。第２垂下部８３Ｂは、下方に向かうにしたがって幅が狭くなる先細り形状を有している。第２垂下部８３Ｂ、断面視三角形状である。第２垂下部８３Ｂは、第１垂下部８３Ａよりもガード外側ＯＳに位置する。そのため、第１延設部８２Ａの下面と第２延設部８２Ｂの上面とが接触するように第１ガード８０Ａと第２ガード８０Ｂとを近接させることができる。

図４Ｂを参照して、第２延設部８２Ｂは、ガード内側ＩＳに向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第２傾斜部８４Ｂと、第２傾斜部８４Ｂおよび第２筒状部８１Ｂ連結する第２下側連結部８５Ｂと、第２傾斜部８４Ｂの上端部から水平に延び、第２垂下部８３Ｂの上端部に連結される第２水平部８６Ｂと、第２傾斜部８４Ｂと第２水平部８６Ｂとを連結する第２上側連結部８８Ｂとを有する。

第２下側連結部８５Ｂは、第２筒状部８１Ｂの内周面８１Ｂａの上端部と第２傾斜部８４Ｂの内周面８４Ｂｂの下端部とを段差なく連結する第２下側湾曲面８７Ｂを有する。第２筒状部８１Ｂの内周面８１Ｂａは、鉛直方向に延びる円筒面である。第２傾斜部８４Ｂの内周面８４Ｂｂは、ガード内側ＩＳに向かうに従って水平方向に対して傾斜する傾斜面である。第２上側連結部８８Ｂは、第２傾斜部８４Ｂの内周面８４Ｂｂの上端部と、ガード外側ＯＳにおける第２水平部８６Ｂの下面の端部とを段差なく連結する第２上側湾曲面８９Ｂを有する。

図４Ａを参照して、第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１は、たとえば、４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下である。第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１は、４８６ｍｍ以上で、かつ、５００ｍｍ以下であることが好ましい。第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１は、４８６ｍｍであることが一層好ましい。
スピンベース２１の外径ＯＤは、たとえば、３１６ｍｍであり、基板Ｗの外径（直径）は、たとえば、３００ｍｍである。第１延設部８２Ａの内径ＩＤＥ１が、３１９ｍｍよりも大きく３２６ｍｍ以下である。

図４Ｂを参照して、第１中心側端部８２Ａａとスピンベース２１の周端部との間の水平距離ＨＤ１は、たとえば、３ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下である。水平距離ＨＤ１は、５ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下であることが好ましい。水平距離ＨＤ１は、５ｍｍであることが一層好ましい。水平距離ＨＤ１は、平面視における、スピンベース２１の側面と、第１ガード８０Ａの内端面との間の距離でもある。

水平方向に対する第１傾斜部８４Ａの傾斜角度θ（第１傾斜角度θ１）は、２５°以上で、かつ、３０°未満である。第１傾斜角度θ１は、２５°以上で、かつ、２８°以下であることが好ましい。第１傾斜角度θ１は、２８°であることが一層好ましい。
図４Ａを参照して、第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２は、たとえば、４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下である。第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２は、４５８ｍｍ以上で、かつ、４６５ｍｍ以下であることが好ましい。第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２は、４５８ｍｍであることが一層好ましい。

第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１および第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２は、第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２が第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１よりも小さくなるように設定される。
第２延設部８２Ｂの内径ＩＤＥ２が、たとえば、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下である。第１延設部８２Ａの内径ＩＤＥ１および第２延設部８２Ｂの内径ＩＤＥ２は、第２延設部８２Ｂの内径ＩＤＥ２が第１延設部８２Ａの内径ＩＤＥ１よりも大きくなるように設定される。

図４Ｂを参照して、第２中心側端部８２Ｂａとスピンベース２１の周端部との間の水平距離ＨＤ２は、３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下である。水平距離ＨＤ２は、５ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下であることが好ましい。水平距離ＨＤ２は、１０ｍｍであることが一層好ましい。水平距離ＨＤ２は、平面視における、スピンベース２１の側面と、第２ガード８０Ｂの内端面との間の距離でもある。

水平方向に対する第２傾斜部８４Ｂの傾斜角度θ（第２傾斜角度θ２）は、２５°以上で、かつ、３０°未満である。第２傾斜角度θ２は、２５°以上で、かつ、２８°以下であることが好ましい。第２傾斜角度θ２は、２８°であることが一層好ましい。第２傾斜角度θ２は、第１傾斜角度θ１と等しいことが好ましい。
傾斜部８４の下端部と垂下部８３の下端部との間の鉛直距離ＶＤは、基板Ｗから飛散する処理液の９０％以上を捕集するために必要な基準鉛直幅ＶＷよりも大きいことが好ましい。基準鉛直幅ＶＷは、たとえば、１８ｍｍである。

第１垂下部８３Ａの高さ寸法Ｔ１（第１水平部８６Ａの下面からの突出量）は、たとえば、１ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下である。第２垂下部８３Ｂの高さ寸法Ｔ２（第２水平部８６Ｂの下面からの突出量）は、たとえば、１ｍｍ以上で、かつ、５ｍｍ以下である。
第１傾斜部８４Ａの下端部と第１垂下部８３Ａの下端部との間の鉛直距離ＶＤ１、および、第２傾斜部８４Ｂの下端部と第２垂下部８３Ｂの下端部との間の鉛直距離ＶＤ２は、いずれも、２０ｍｍ以上で、かつ、３５ｍｍ以下である。すなわち、鉛直距離ＶＤは、基準鉛直幅ＶＷ（たとえば、１８ｍｍ）よりも大きい。

図５は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ４は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ４は、プロセッサ（ＣＰＵ）４Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ４Ｂとを含むコンピュータであってもよい。コントローラ４は、プロセッサ４Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

コントローラ４の制御対象には、インデクサロボットＩＲおよび複数の主搬送ロボットＣＲが含まれる。コントローラ４の制御対象には、排気部１０に配置されたアクチュエータ類、流体供給部９に配置されたバルブ（薬液バルブ５１、上側リンス液バルブ５２、下側リンス液バルブ５３、下側気体バルブ５４）およびポンプ（薬液ポンプ６１、上側リンス液ポンプ６２、下側リンス液ポンプ６３）が含まれる。

コントローラ４の制御対象には、さらに、処理ユニットに備えられた各部材（スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット７１、第２ノズル移動ユニット７２、ガード昇降ユニット９５、ＦＦＵ２６）が含まれる。
図６は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図６に示すように、薬液処理工程（ステップＳ１）、リンス処理工程（ステップＳ２）、およびスピンドライ工程（ステップＳ３）がこの順番で実行される。

以下では、主に図３および図６を参照する。まず、未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲ（図１参照）と、複数の主搬送ロボットＣＲのいずれか（図１参照）とによってキャリヤＣから処理ユニット５に搬入され、スピンチャック１５に渡される。これにより、基板Ｗは、スピンチャック１５によって水平に保持される（基板保持工程）。
スピンチャック１５による基板Ｗの保持は、スピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまで継続される。基板保持工程が開始されてからスピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまでの間、ガード昇降ユニット９５は、少なくとも一つのガード８０が上位置に位置するように、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂの高さ位置を調整する。基板Ｗがスピンチャック１５に保持された状態で、スピンモータ２３が、スピンベース２１を回転させる。これにより、水平に保持された基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程）。基板Ｗの回転速度は、たとえば、１２００ｒｐｍである。

そして、下側気体バルブ５４が開かれて下側気体流路２５から気体が吐出される（期待吐出工程）。下側気体バルブ５４は、スピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまで開かれた状態で維持される。下側気体流路２５からの気体の流量は、たとえば、５０Ｌ／ｍｉｎである。下側気体流路２５からの気体の供給、および、ＦＦＵ２６による気体の流入によって、排気流量が調整されて、処理チャンバ１７の内圧が所定の圧力に調整される。排気流量は、たとえば、３ｍ^３／ｍｉｎである。この場合、処理チャンバ１７の内圧は、－３０Ｐａに調整される。

次に、基板Ｗの上面を薬液で処理する薬液処理工程（ステップＳ１）が実行される。
具体的には、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１を処理位置に移動させる。薬液ノズル３１の処理位置は、たとえば、中央位置である。
薬液ノズル３１が処理位置に位置する状態で、薬液バルブ５１が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、薬液ノズル３１から薬液が供給（吐出）される（薬液供給工程）。

基板Ｗの上面に供給された薬液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。薬液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体が薬液で処理される。基板Ｗの上面から排出された薬液は、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂのいずれかによって受けられる。
次に、基板Ｗをリンス液で洗浄するリンス処理工程（ステップＳ２）が実行される。具体的には、薬液バルブ５１が閉じられた後、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１をホーム位置に移動させる。薬液バルブ５１が閉じられた後、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２を処理位置に移動させる。上側リンス液ノズル３２の処理位置は、たとえば、中央位置である。

上側リンス液ノズル３２が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、上側リンス液ノズル３２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程）。
基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がリンス液で洗い流される（上側リンス工程）。基板Ｗの上面から排出されたリンス液は、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂのいずれかによって受けられる。

基板Ｗの上面にリンス液を供給する際、下側リンス液バルブ５３を開いて、下側リンス液ノズル３３からリンス液を吐出させてもよい（下側リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの下面がリンス液で洗い流される（下側リンス工程）。
その後、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面を乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ３）が実行される。具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５３が閉じられる。これにより、基板Ｗへのリンス液の供給が停止される。そして、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２をホーム位置に移動させる。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速度（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転させる。それによって、大きな遠心力が基板Ｗの上面および下面に残存する液体に作用し、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。基板Ｗから振り切られる液体は、第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂのいずれかによって受けられる。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。ガード昇降ユニット９５が第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂを下位置に移動させる。その後、主搬送ロボットＣＲが、処理ユニット５に進入して、スピンチャック１５のチャックピン２０から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット５外へと搬出する。その基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲからインデクサロボットＩＲへと渡され、インデクサロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

図７Ａは、基板処理において、基板Ｗから飛散する処理液が第１ガード８０Ａによって受けられる様子について説明するための模式図である。図７Ｂは、基板処理において、基板Ｗから飛散する処理液が第２ガード８０Ｂによって受けられる様子について説明するための模式図である。
図７Ａおよび図７Ｂを参照して、ガード８０によって処理液を受ける際、ガード８０は、上位置と下位置との間の所定の液受け位置に位置していることが好ましい。第１ガード８０Ａの液受け位置を第１液受け位置といい、第２ガード８０Ｂの液受け位置を第２液受け位置という。

上述した薬液処理工程（ステップＳ１）が開始されてからスピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまでの間、いずれかのガード８０が液受け位置に位置している状態が維持されていることが好ましい（液受け位置維持工程）。第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂのうち、液受け位置に配置されないガード８０は、上位置、下位置、または、上位置と下位置との間の適切な位置に位置している。

ただし、液受け位置に位置するガード８０は、工程毎に異なっていてもよい。たとえば、薬液処理工程では第１ガード８０Ａが第１液受け位置に配置され、リンス処理工程およびスピンドライ工程では第２ガード８０Ｂが第２液受け位置に配置されるように基板処理が実行されてもよい。
たとえば、ガード８０が液受け位置に位置するとき、基板Ｗの上面と垂下部８３の下端部との鉛直距離（上側距離ＵＤ）は、基板Ｗの上面と傾斜部８４との下端部との鉛直距離（下側距離ＬＤ）と同じである。この実施形態とは異なり、上側距離ＵＤは、下側距離ＬＤよりも短くてもよいし、長くてもよい。

図７Ａに示すように、たとえば、第１ガード８０Ａが第１液受け位置に位置するとき、基板Ｗの上面と第１垂下部８３Ａの下端部との鉛直距離（上側距離ＵＤ１）は、基板Ｗの上面と第１傾斜部８４Ａとの下端部との鉛直距離（下側距離ＬＤ１）と同じである。上側距離ＵＤ１は、下側距離ＬＤ１よりも短くてもよいし、長くてもよい。
図７Ｂに示すように、第２ガード８０Ｂが第２液受け位置に位置するとき、基板Ｗの上面と第２垂下部８３Ｂの下端部との鉛直距離（上側距離ＵＤ２）は、基板Ｗの上面と第２傾斜部８４Ｂとの下端部との鉛直距離（下側距離ＬＤ２）と同じである。この実施形態とは異なり、上側距離ＵＤ２は、下側距離ＬＤ２よりも短くてもよいし、長くてもよい。

ガード８０が液受け位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、主に傾斜部８４によって受けられる。傾斜部８４に衝突した処理液の一部は、傾斜部８４および下側連結部８５に沿って下方へ移動し、対応するカップ９０によって受けられる。
傾斜部８４に衝突した処理液の一部は、傾斜部８４および水平部８６に沿って上方へ移動する。基板Ｗの上面から飛散した処理液が傾斜部８４によって受けられて処理液が上方に跳ね返った場合であっても、基板Ｗへの処理液の飛散を垂下部８３によって抑制することができる。そのため、垂下部８３は、傾斜部８４からのガード内側ＩＳへの処理液の飛散を遮る遮蔽部として機能する。

この実施形態によれば、傾斜部８４の傾斜角度θは２５°以上で、かつ、３０°未満である。この範囲の角度であれば、傾斜部８４の傾斜角度θは充分に小さい。そのため、基板Ｗから飛散した処理液が傾斜部８４に衝突した際に発生する処理液の跳ね上がりを充分に低減できる。逆に、傾斜部８４の高さ寸法（鉛直距離ＶＤと垂下部８３の高さ寸法Ｔとの和とほぼ同等）が小さくなり過ぎることもないため、鉛直方向に広範囲に亘って傾斜部８４によって処理液を受けることができる。

延設部８２の中心側端部８２ａと、スピンベース２１の周端部との間の水平距離ＨＤが短過ぎると、スピンベース２１と延設部８２とが接触するおそれがある。一方、水平距離ＨＤが長過ぎると、基板Ｗから飛散する処理液をガード８０が充分に捕集することができない。
この実施形態では、水平距離ＨＤが３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲である。詳しくは、水平距離ＨＤ１が３ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下の範囲であり、水平距離ＨＤ２が３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲である。そのため、スピンベース２１と延設部８２との接触を避けつつ、基板Ｗから飛散する処理液をガード８０によって充分に捕集することができる。

この実施形態では、基板Ｗの回転の遠心力の作用によって基板Ｗの上面を周縁部に向かって移動する処理液が、複数のチャックピン２０に衝突する。そのため、チャックピン２０が設けられていない構成、すなわち、スピンベース２１に吸着させて基板Ｗを水平に保持するバキュームチャックを用いる構成と比較して、処理液の飛散範囲が鉛直方向に広い。このような場合であっても、水平距離ＨＤが３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下の範囲であり、水平方向に対する傾斜部８４の傾斜角度θが２５°以上で、かつ、３０°未満であれば、基板Ｗから飛散する処理液をガード８０によって充分に受けることができる。

延設部８２の高さ寸法、特に傾斜部８４の高さ寸法は、傾斜角度θ、延設部８２の内径ＩＤＥ、および筒状部８１の内径ＩＤＴによって定まる。延設部８２の内径ＩＤＥと筒状部８１の内径ＩＤＴとの差が大きいほど傾斜部８４の高さ寸法は大きい。厳密には、傾斜部８４の高さ寸法には、垂下部８３の高さ寸法Ｔも影響する。
この実施形態では、第１延設部８２Ａの内径ＩＤＥ１が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３２６ｍｍ以下であり、第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１が、４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下である。そのため、第１傾斜部８４Ａの高さ寸法を充分に長くできる。そうであれば、基板Ｗから飛散した処理液のミストを充分に捕集することができる。第１筒状部８１Ａの内径ＩＤＴ１が４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下の範囲であれば、第１ガード８０Ａの水平寸法を抑制しつつ、処理液のミストを充分に捕集できる。

第２延設部８２Ｂの内径ＩＤＥ２が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下であり、第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２が、４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下であれば、第２傾斜部８４Ｂの高さ寸法を充分に長くできる。そうであれば、基板Ｗから飛散した処理液のミストを充分に捕集することができる。第２筒状部８１Ｂの内径ＩＤＴ２が４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下の範囲であれば、第２ガード８０Ｂの水平寸法を抑制しつつ、処理液のミストを充分に捕集できる。

この実施形態によれば、基板Ｗから飛散する処理液の９０％以上を捕集するために必要な基準鉛直幅ＶＷよりも、鉛直距離ＶＤが大きい。そのため、基板Ｗから飛散する処理液をガード８０によって充分に捕集できる。具体的には、基準鉛直幅ＶＷは、たとえば、１８ｍｍであるため、鉛直距離ＶＤは、１８ｍｍ以上であればよい。仮に、鉛直距離ＶＤが２０ｍｍ以上で、かつ、３５ｍｍ以下であれば、基板Ｗから飛散する処理液の大部分をガード８０によって捕集することができる。

この実施形態では、延設部８２の下側連結部８５が、筒状部８１の内周面８１ａの上端部と傾斜部８４の内周面８４ｂの下端部とを段差なく連結する下側湾曲面８７を有する。そのため、傾斜部８４によって受けられた処理液は、下側連結部８５に沿って、スムーズに筒状部８１に移動し、筒状部８１を下方に流れる。したがって、傾斜部８４に残存する処理液の量を低減できるので、基板Ｗから新たに飛散する処理液と、傾斜部８４に残存する処理液との衝突によって、傾斜部８４から処理液が飛散することを抑制できる。その結果、ガード８０によって一層充分に処理液を捕集できる。

傾斜部８４によって受けられた処理液の一部は、傾斜部８４に沿って上方に移動する。この実施形態とは異なり、水平部８６および上側連結部８８が設けられていない構成では、傾斜部８４と垂下部８３とが直接接続される。この場合、傾斜部８４と垂下部８３とがなす角度が狭い。すなわち、傾斜部８４と垂下部８３との間の隙間が小さい。そのため、傾斜部８４によって受けられた処理液が、傾斜部８４と垂下部８３との間に残存しやすい。そのため、傾斜部に８２沿って上方に移動する処理液と傾斜部８４と垂下部８３との間に残存する処理液との衝突によって、処理液が飛散しやすい。

この実施形態では、延設部８２が、傾斜部８４の上方で水平に延び垂下部８３の上端部に連結される水平部８６を有する。そのため、この実施形態とは異なり水平部８６が設けられていない構成と比較して傾斜部８４と垂下部８３との間の空間が広いため、傾斜部８４と垂下部８３との間に処理液が残存しにくい。したがって、ガード８０によって一層充分に処理液を捕集できる。

また、この実施形態では、延設部８２の上側連結部８８が、傾斜部８４の内周面８４ｂの下端部とガード外側ＯＳにおける第２水平部８６Ｂの下面の端部とを段差なく連結する第２上側湾曲面８９Ｂを有する。そのため、傾斜部８４によって受けられた処理液は、上側連結部８８に沿って、スムーズに水平部８６に移動し、垂下部８３に受けられる。したがって、傾斜部８４に残存する処理液の量を低減できるので、基板Ｗから新たに飛散する処理液と、傾斜部８４に残存する処理液との衝突によって、傾斜部８４から処理液が飛散することを抑制できる。その結果、ガード８０によって一層充分に処理液を捕集できる。

傾斜部８４の内周面８４ｂ（傾斜面）および下側湾曲面８７は、疎水性であることが好ましい。そうであれば、傾斜部８４の内周面８４ｂに付着した処理液が、下側湾曲面８７を介してスムーズに下方に流れる。これにより、基板Ｗから飛散する処理液と内周面８４ｂに付着している処理液との衝突によって、傾斜部８４の内周面８４ｂから基板Ｗに向けて処理液が飛び散ることを抑制できる。

＜処理液飛散実験＞
次に、基板から飛散する処理液の飛散範囲について調べる処理液飛散実験の結果について説明する。
処理液飛散実験は、以下の条件で基板から飛散させた処理液をハイスピードカメラで撮影し、その分布を測定する実験である。

基板回転速度：１２００ｒｐｍ
ＤＩＷ（処理液）流量：基板の上面および下面のそれぞれに対して２Ｌ／ｍｉｎ
排気流量：３ｍ^３／ｍｉｎ
窒素ガス流量（下側気体流路２５から吐出される窒素ガスの流量）：５０Ｌ／ｍｉｎ
処理チャンバ内圧：－３０Ｐａ
図８は、基板から飛散する処理液の飛散範囲について調べる処理液飛散実験の結果を示すグラフである。詳しくは、図８のグラフは、処理液の飛散位置と、各飛散位置に到達する処理液の比率との関係を示している。

図８に示すグラフの横軸は、処理液の飛散位置を示している。飛散位置とは、基板から飛散する処理液が基板の周縁部から水平方向に３０ｍｍ離れた位置に到達した際の、当該処理液の鉛直位置である。横軸の値が０ｍｍであるとき、飛散した処理液の鉛直位置は、基板の上面と同じ鉛直位置であることを意味する。横軸の値が正であるとき、飛散した処理液の鉛直位置が基板の上面よりも上方であることを意味し、横軸の値が負であるとき、飛散した処理液の鉛直位置が基板の上面よりも下方であることを意味する。

図８に示すグラフの縦軸は、基板から飛散する処理液の全量に対する、各鉛直位置に達する処理液の比率（飛散比率）を示している。当該割合は、鉛直位置が低くなるにしたがって割合が増大するように積算されている。たとえば、鉛直位置が０ｍｍであるときの飛散比率は、０．２であり、鉛直位置が－２ｍｍであるときの飛散比率は、０．３８である。そのため、基板から飛散する処理液の量を１とした場合に、鉛直位置が０ｍｍ～－２ｍｍの範囲に飛散する処理液量は０．１８であることを意味する。すなわち、基板から飛散する処理液のうちの約１８％が、鉛直位置が０ｍｍ～－２ｍｍの範囲に飛散する。

図８に示すグラフによれば、たとえば、基板から飛散する処理液の９５％以上が、鉛直位置が４ｍｍ～－１６ｍｍの範囲に飛散する。基板から飛散する処理液の９０％以上が、鉛直位置が２ｍｍ～－１６ｍｍの範囲に飛散する。したがって、傾斜部８４の下端部と垂下部８３の下端部との間の鉛直距離ＶＤが１８ｍｍ以上であれば、基板Ｗから飛散する処理液の９０％以上をガード８０によって受けられることを意味する。

たとえば、筒状部８１の内径ＩＤＴが４８６ｍｍであり、傾斜部８４の傾斜角度θが２８°であり、延設部８２の内径ＩＤＥが３２６ｍｍであれば、傾斜部８４の下端部と垂下部８３の下端部との間の鉛直距離ＶＤは、３４．５ｍｍである。この場合、基板から飛散する処理液の９５％以上をガード８０によって受けることができる。
筒状部８１の内径ＩＤＴが４５８ｍｍであり、傾斜部８４の傾斜角度θが２８°であり、延設部８２の内径ＩＤＥが３３５ｍｍであれば、傾斜部８４の下端部と垂下部８３の下端部との間の鉛直距離ＶＤは、２７．２ｍｍである。この場合も、基板から飛散する処理液の９５％以上をガード８０によって受けることができる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態では、２つのガード８０（第１ガード８０Ａおよび第２ガード８０Ｂ）が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、いずれかのガード８０のみが設けられていてもよい。

すなわち、筒状部８１の内径ＩＤＴが、４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下であり、延設部８２の内径ＩＤＥが、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３２６ｍｍ以下であり、傾斜角度θが、２５°以上で、かつ、３０°未満であるガード８０のみが設けられていてもよい。あるいは、筒状部８１の内径ＩＤＴが、４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下であり、延設部８２の内径ＩＤＥが、３１９ｍｍ以上であり、３３５ｍｍ以下であり、傾斜角度θが、２５°以上で、かつ、３０°未満であるガード８０のみが設けられていてもよい。

また、上述の実施形態では、延設部８２が、傾斜部８４、下側連結部８５、水平部８６および上側連結部８８を有している。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、水平部８６および上側連結部８８が設けられておらず、ガード内側ＩＳにおける傾斜部８４の端部（傾斜部８４の上端部）と垂下部８３の上端部とが直接連結される構成であってもよい。この場合であっても、水平部８６が設けられている構成と比較して、処理液捕集性能は劣るものの、処理液を充分に捕集することができる。

また、上述の実施形態とは異なり、上側連結部８８が設けられておらず、ガード内側ＩＳにおける傾斜部８４の端部（傾斜部８４の上端部）とガード外側ＯＳにおける水平部８６の端部とが直接連結される構成であってもよい。この場合であっても、上側連結部８８が設けられている構成と比較して、処理液捕集性能は劣るものの、処理液を充分に捕集することができる。

また、上述の実施形態とは異なり、下側連結部８５が設けられておらず、ガード外側ＯＳにおける傾斜部８４の端部（傾斜部の下端部）と筒状部８１の上端部とが直接連結される構成であってもよい。この場合であっても、下側連結部８５が設けられている構成と比較して、処理液捕集性能は劣るものの、処理液を充分に捕集することができる。
また、上述の実施形態では、下側気体流路２５から吐出される気体は、基板Ｗの下面に向けて吹き付けられる。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、下側気体流路２５から吐出される方向を水平方向に変換する気流変換部材（図示せず）が下側気体流路２５の上端部、すなわち、スピンベースの上面に設けられていてもよい。

また、上述の実施形態では、仕切り板１０４が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、仕切り板１０４が設けられておらず、ガード外空間１０３が上下に仕切られていない構成であってもよい。この場合、排気接続管４５は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに開口される。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
２０ ：チャックピン（基板保持ユニット、把持ピン）
２１ ：スピンベース（基板保持ユニット、ベース）
２３ ：スピンモータ
８０ ：ガード
８０Ａ ：第１ガード
８０Ｂ ：第２ガード
８１ ：筒状部
８１Ａ ：第１筒状部
８１Ｂ ：第２筒状部
８２ ：延設部
８２Ａ ：第１延設部
８２Ｂ ：第２延設部
８２ａ ：中心側端部（中心側における延設部の端部）
８２Ａａ ：第１中心側端部（中心側における第１延設部の端部）
８２Ｂａ ：第２中心側端部（中心側における第２延設部の端部）
８３ ：垂下部
８３Ａ ：第１垂下部
８３Ｂ ：第２垂下部
８４ ：傾斜部
８４Ａ ：第１傾斜部
８４Ａｂ ：内周面
８４Ｂ ：第２傾斜部
８４Ｂｂ ：内周面
８４ｂ ：内周面
８５ ：下側連結部
８５Ａ ：第１下側連結部
８５Ｂ ：第２下側連結部
８６ ：水平部
８６Ａ ：第１水平部
８６Ｂ ：第２水平部
８７ ：下側湾曲面
８７Ａ ：第１下側湾曲面
８７Ｂ ：第２下側湾曲面
ＨＤ ：水平距離
ＨＤ１ ：水平距離
ＨＤ２ ：水平距離
ＩＤＥ ：内径
ＩＤＥ１ ：内径
ＩＤＥ２ ：内径
ＩＤＴ ：内径
ＩＤＴ１ ：内径
ＩＤＴ２ ：内径
ＯＤ ：外径
ＩＳ ：ガード内側（筒状部の中心側）
ＶＤ ：鉛直距離
ＶＤ１ ：鉛直距離
ＶＤ２ ：鉛直距離
ＶＷ ：基準鉛直幅
Ｗ ：基板
θ ：傾斜角度
θ１ ：第１傾斜角度
θ２ ：第２傾斜角度

Claims (15)

1. 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける液受け部材とを備え、
   前記液受け部材が、
   前記基板保持ユニットを取り囲む筒状部と、
   前記筒状部の上端部から前記筒状部の中心側に向かって延びる延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜部を有する延設部と、
   前記中心側における前記延設部の端部から下方に延びる垂下部とを含み、
   水平方向に対する前記傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満である、基板処理装置。
2. 前記基板保持ユニットが、平面視において基板よりも大径の円形状を有するベースを含み、
   前記中心側における前記延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下である、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ベースの外径が、３１６ｍｍであり、
   前記延設部の内径が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下である、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板保持ユニットが、前記ベースに設けられ、基板の周縁部を水平方向から把持する複数の把持ピンを含む、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記筒状部の内径が、４５８ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記筒状部の内径が、４５８ｍｍ以上で、かつ、４８６ｍｍ以下である、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記傾斜部の下端部と前記垂下部の下端部との間の鉛直距離が、前記基板保持ユニットに保持されている基板から飛散する処理液の９０％以上を捕集するために必要な基準鉛直幅と同じまたは前記基準鉛直幅よりも大きい、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記傾斜部の下端部と前記垂下部の下端部との間の鉛直距離が、２０ｍｍ以上で、かつ、３５ｍｍ以下である、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記延設部が、前記筒状部の内周面の上端部と前記傾斜部の内周面の下端部とを段差なく連結する湾曲面を有する連結部を有する、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記延設部が、前記傾斜部よりも上方で水平に延び、前記垂下部の上端部に連結される水平部を有する、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
    前記基板保持ユニットによって保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、
    前記基板保持ユニットによって保持されている基板に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける第１液受け部材と、
    前記基板保持ユニットによって保持されている基板から飛散する処理液を受ける第２液受け部材とを含み、
    前記第１液受け部材が、
    前記基板保持ユニットを取り囲む第１筒状部と、
    前記第１筒状部の上端部から前記第１筒状部の中心側に向かって延びる第１延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第１傾斜部を有する第１延設部と、
    前記中心側における前記第１延設部の端部から下方に延びる第１垂下部とを含み、
    前記第２液受け部材が、
    前記第１筒状部よりも前記中心側で前記基板保持ユニットを取り囲む第２筒状部と、
    前記第２筒状部の上端部から前記中心側に向かって延び、前記第１延設部に下方から対向する第２延設部であって、前記中心側に向かうにしたがって上方へ向かうように水平方向に対して傾斜する第２傾斜部を有する第２延設部と、
    前記中心側における前記第２延設部の端部から下方に延びる第２垂下部とを含み、
    水平方向に対する前記第１傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満であり、
    水平方向に対する前記第２傾斜部の傾斜角度が２５°以上で、かつ、３０°未満である、基板処理装置。
12. 前記基板保持ユニットが、平面視において基板よりも大径の円形状を有するベースを有し、
    前記中心側における前記第１延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下であり、
    前記中心側における前記第２延設部の端部と、前記ベースの周端部との間の水平距離が、３ｍｍ以上で、かつ、１９ｍｍ以下である、請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記ベースの外径が、３１６ｍｍであり、
    前記第１延設部の内径が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３２６ｍｍ以下であり、
    前記第２延設部の内径が、３１９ｍｍ以上であり、かつ、３３５ｍｍ以下である、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記第１筒状部の内径が、４８６ｍｍ以上で、かつ、５１８ｍｍ以下であり、
    前記第２筒状部の内径が、４５８ｍｍ以上で、かつ、４７０ｍｍ以下である、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記第１筒状部の内径が、４８６ｍｍであり、
    前記第２筒状部の内径が、４５８ｍｍである、請求項１４に記載の基板処理装置。

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