KR101439111B1 - 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치 - Google Patents

스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101439111B1
KR101439111B1 KR1020130104981A KR20130104981A KR101439111B1 KR 101439111 B1 KR101439111 B1 KR 101439111B1 KR 1020130104981 A KR1020130104981 A KR 1020130104981A KR 20130104981 A KR20130104981 A KR 20130104981A KR 101439111 B1 KR101439111 B1 KR 101439111B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
substrate
cleaning liquid
cleaning
spin chuck
Prior art date
Application number
KR1020130104981A
Other languages
English (en)
Inventor
이재원
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020130104981A priority Critical patent/KR101439111B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101439111B1 publication Critical patent/KR101439111B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 스핀척 및 매엽식 세정장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 척핀의 형상을 개선한 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치에 관한 것이다. 스핀척은 기판의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀을 구비하는 척 및 상기 척 상면에 구비되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척핀을 포함하고, 상기 세정액과 상기 척핀 간에 간섭을 줄이기 위해 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성으로, 스핀척의 구조를 개선하여 기판 세정공정 중에 세정액이 스핀척 또는 척핀 내부에 유입되는 것을 방지함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정공정 중에 세정액과 스핀척 간에 간섭되는 부분을 개선하여 세정액이 스핀척 외부로 원할하게 배출할 수 있다.

Description

스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치{Spin chuck and single type cleaning apparatus for substrate having the same}
본 발명은 스핀척 및 매엽식 세정장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 척핀의 형상을 개선한 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 분순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소장의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조 시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.
상기 세정 공정을 위한 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치식(batch type) 세정장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식(single wafer type) 세정장치로 구분된다.
배치식 세정장치는 세정액이 수용된 세정조에 복수의 기판을 한꺼번에 침지시켜서 오염원을 제거한다. 그러나, 기존의 배치식 세정장치는 기판의 대형화 추세에 대한 대응이 용이하지 않고, 세정액의 사용이 많다는 단점이 있다. 또한, 배치식 세정장치는 세정 공정 중에 기판이 파손될 경우 세정조 내에 있는 기판 전체에 영향을 미치게 되므로 다량의 기판 불량이 발생할 수 있는 위험이 있다.
상기와 같은 이유들로 인해 최근에는 매엽식 세정장치가 선호되고 있다.
매엽식 세정장치는 낱장의 기판 단위로 처리하는 방식으로서, 고속으로 회전시킨 기판 표면에 세정액을 분사함으로써, 기판의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.
통상적으로, 매엽식 세정장치는 기판이 수용되어 세정 공정이 수행되는 챔버와 기판을 고정시킨 상태로 회전하는 스핀척 및 기판에 약액과 린스액 및 건조가스 등을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 노즐 어셈블리를 포함한다.
도1은 종래의 매엽식 세정장치에 구비된 스핀척을 설명하기 위한 사시도이다.
도1을 참조하면, 스핀척(10)은 척(11) 및 척핀(12)을 구비하며, 상기 척(11)은 척 상판 및 척 하판을 포함하여 구성된다. 척 하판은 하부의 모터 및 승강장치와 연결되어 회전 및 승강할 수 있으며, 척 상판은 척 하판과 일체로 연결되며, 기판(W)을 고정시킬 수 있는 지면을 제공한다.
스핀척(10)은 척 상판과 척 하판 사이에 제공하는 링 기어 및 척 상판을 통해서 지지면의 주변에 배치되는 척핀(12)을 포함한다. 링 기어와 척핀(12)은 치합 또는 마찰에 의해서 상호 맞물려 있으며, 링 기어의 회전이 척핀(12)을 회전시켜 기판(W)의 테두리를 선택적으로 고정시킬 수 있다.
그런데, 종래의 매엽식 세정장치는 세정 공정 또는 건조 공정이 수행되는 동안 기판으로 분사된 세정액 또는 건조가스의 분사에 의해 기판 외곽으로 이동하는 세정액이 기판을 고정시키고 있는 척핀에 맞고 다시 기판 안쪽으로 튈 수 있으며, 이 경우, 건조 공정이 완료된 후에도 기판 상부에 세정액이 잔류할 수 있다. 따라서, 세정액, 특히, 약액은 부식성이 매우 강한 화학 약품이기 때문에, 기판에 잔류한 세정액에 의해 기판에 미세한 손상 또는 얼룩을 발생시키는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면 스핀척의 구조를 개선하여 기판 세정공정 중에 세정액이 스핀척 또는 척핀 내부에 유입되는 것을 방지함으로써, 세정효율을 향상시킨 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 세정공정 중에 세정액과 스핀척 간에 간섭되는 부분을 개선하여 세정액이 스핀척 외부로 원할하게 배출되는 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따른, 스핀척은 기판의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀을 구비하는 척 및 상기 척 상면에 구비되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척핀을 포함하고, 상기 세정액과 상기 척핀 간에 간섭을 줄이기 위해 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 척핀은 상기 척에 결합되며, 원주형태의 바디부, 상기 바디부 상부에 구비되며, 상기 세정액과의 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부 및 상기 개선부 상부에 구비되며, 상기 기판을 지지하는 고정부을 포함한다.
일 실시예에 따른, 상기 개선부의 중심각은 예각인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따른, 상기 세정액은 상기 기판의 중심인 상기 분사홀에서 일정한 속도로 상기 척핀까지 분사되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 매엽식 세정장치는 기판을 수용하고 세정공정을 수행하기 위한 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며, 기판의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀을 구비하는 척 및 상기 척 상면에 구비되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척핀을 포함하는 스핀척을 포함하고, 상기 기판의 세정 시, 상기 스핀척의 중심에서 세정액이 분사되며, 분사된 세정액은 상기 척핀까지 일정한 속도로 분사되는 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 따른, 상기 척핀은 상기 척에 결합되며, 원주형태의 바디부, 상기 바디부 상부에 구비되며, 상기 세정액과의 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부 및 상기 개선부 상부에 구비되며, 상기 기판을 지지하는 고정부를 포함한다.
다른 실시예에 따른, 상기 개선부의 중심각은 예각인 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 따른, 상기 세정액과 상기 척핀 간에 간섭을 줄이기 위해, 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성으로, 스핀척의 구조를 개선하여 기판 세정공정 중에 세정액이 스핀척 또는 척핀 내부에 유입되는 것을 방지함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정공정 중에 세정액과 스핀척 간에 간섭되는 부분을 개선하여 세정액이 스핀척 외부로 원할하게 배출할 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 스핀척의 구조를 개선하여 기판 세정공정 중에 세정액이 스핀척 또는 척핀 내부에 유입되는 것을 방지함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 세정공정 중에 세정액과 스핀척 간에 간섭되는 부분을 개선하여 세정액이 스핀척 외부로 원할하게 배출할 수 있다.
도1은 종래의 매엽식 세정장치에 구비된 스핀척을 설명하기 위한 사시도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀척을 설명하기 위한 단면도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀척의 척핀을 설명하기 위한 사시도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액의 흐름을 설명하기 위한 평면도이다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 세정장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 도 2 내지 도4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀척에 대해서 자세히 설명한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀척을 설명하기 위한 단면도이고, 도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀척의 척핀을 설명하기 위한 사시도이고, 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액의 흐름을 설명하기 위한 평면도이다.
도2 내지 도4를 참고하면, 스핀척(100)은 기판(W)의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀(미도시)을 구비하는 척(110) 및 상기 척(110) 상면에 구비되어 상기 기판(W)을 지지하는 복수의 척핀(120)을 포함하고, 상기 세정액과 상기 척핀(120) 간에 간섭을 줄이기 위해 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀(120)의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 한다.
보다 구체적으로, 스핀척(100)은 매엽식 세정장치(1)의 챔버(200) 내에 구비되며, 스핀척(100) 하부에 연결된 회전축에 의해 회전할 수 있다. 또한, 스핀척(100)은 원판형상의 척(110)과 척(110) 외곽에 등각도 간격으로 복수개의 척핀(120)이 설치되고, 척핀(120)은 기판(W)을 수평한 상태로 고정 지지할 수 있다. 스핀척(100)은 복수의 척핀(120)에 의해 기판(W)을 고정 지지한 상태에서 구동기구에 의해 회전축을 회전시킴으로써, 기판(W)을 수평한 자세를 유지한 상태에서 회전축을 중심으로 척(110)과 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
여기서, 상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 기판(W)에 형상 및 크기에 따라 상기 스핀척(100)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.
척(110)은 스핀척(100)의 본체를 형성하고, 척(110) 하부에는 기판(W)이 고정된 상태에서 소정 속도로 회전 가능하도록 회전축 및 구동부가 구비된다. 예를 들어, 상기 척(110)은 기판(W)에 대응되는 원형 플레이트 형태를 갖고, 기판(W)보다 적어도 같거나 큰 크기를 갖는다. 또한, 척(110)의 상면에는 기판(W)이 안착될 수 있도록 편평한 표면을 갖는다.
또한, 척(110)을 관통하여 기판(W)의 일면을 세정하기 위해 세정액을 분사하는 분사홀(미도시)이 척(110) 중앙에 형성된다. 예를 들면, 척(110)은 기판(W)의 배면 중심에서 세정액을 분사하며, 척(110)의 회전에 의해 세정액은 기판(W)의 중심에서 회전을 따라, 기판(W)의 외주연부로 이동하면서, 기판(W)의 배면을 따라 세정할 수 있다.
상기 세정액은 상기 기판(W)의 중심인 상기 분사홀(미도시)에서 일정한 속도로 상기 척핀(120)까지 분사되는 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 세정액은 기판(W)의 중심에서부터 기판(W)의 외주연부까지 분사되며, 세정액이 중심에서 분사되는 속도가 기판(W)의 외주연부까지 일정하게 유지되며, 그로 인해, 기판(W)의 클리닝 효율을 향상 시킬 수 있다.
여기서, 상기 세정액은 상기 기판(W)의 종류와 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 결정되는 약액과 순수 또는 상기 순수와 약액들이 일정 비율로 혼합된 혼합액을 포함한다. 그리고, 액체 상태는 아니지만 상기 기판(W)의 세정 공정에서 사용되는 퍼지가스를 포함할 수 있다.
척(110) 상면에는 기판(W)이 안착되고, 기판(W)을 선택적으로 고정시키는 척핀(120)이 구비된다. 예를 들어, 상기 척핀(120)은 척(110) 상면에서 소정 높이 돌출되고, 기판(W) 외주연부에 대응되는 원을 따라 배치된다.
여기서, 상기 척핀(120)은 기판(W)에 동일한 힘으로 가압 지지할 수 있도록 복수의 척핀(120)이 동일한 간격으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 척핀(120)은 상기 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해서 적어도 3개 이상 구비된다. 그러나, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 척핀(120)은 상기 기판(W)의 균형을 유지할 수 있는 실질적으로 다양한 형태로 배치될 수 있을 것이다.
척핀(120)은 상기 척(110)에 결합되며, 원주형태의 바디부(121), 상기 바디부(121) 상부에 구비되며, 상기 세정액과 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부(122) 및 상기 개선부(122) 상부에 구비되며, 상기 기판(W)을 지지하는 고정부(123)을 포함한다.
예를 들면, 상기 바디부(121)는 소정 직경의 원기둥 형태를 갖고, 척(110)에 삽입 고정된다.
상기 바디부(121) 상부에 구비되는 개선부(122)는 척(110)에서 분사되는 세정액과 간섭으로 인한 영향을 최소로 하기 위해 부채꼴 형상으로 제작되며, 상기 부채꼴 형상의 중심각 즉, 상기 개선부(122)의 중심각은 예각인 것을 특징으로 한다.
예를 들면, 척(110)의 분사홀(미도시)에서 분사되는 세정액은 척(110)의 회전에 따라, 척핀(120)의 위치까지 분사되며, 상기 세정액과 상기 척핀(120)의 개선부(122)이 서로 맞닿이는 면적, 즉 간섭되는 부분을 최소한으로 함으로써, 세정액이 기판(W) 외부로 보다 용이하게 일정한 속도로 배출될 수 있다.
상기 개선부(122) 상부에 기판(W)의 외주연부에 접촉 가능하도록 고정부(123)가 구비된다.
보다 구제적으로, 고정부(123)는 상기 개선부(122) 상부에서 소정 높이의 돌출된 형상으로 척핀(120)의 회전에 의해 상기 기판(W)을 선택적으로 접촉 가능하도록 상기 개선부(122) 또는 바디부(121)의 중심에서 소정 거리 편심된 위치에 배치된다. 또한, 고정부(123)는 기판(W) 외주연부의 베벨 형상에 대응되도록 오목한 요입부가 형성될 수 있다.
이하, 도5를 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 세정장치에 대해서 자세히 설명한다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 세정장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도5를 참고하면, 매엽식 세정장치(1)는 기판(W)을 수용하고 세정공정을 수행하기 위한 공간을 형성하는 챔버(200), 상기 챔버(200) 내부에 구비되며, 기판(W)의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀(미도시)을 구비하는 척(110) 및 상기 척(110) 상면에 구비되어 상기 기판(W)을 지지하는 복수의 척핀(120)을 포함하는 스핀척(100)을 포함하고, 상기 기판(W)의 세정 시, 상기 스핀척(100)의 중심에서 세정액이 분사되며, 분사된 세정액은 상기 척핀(120)까지 일정한 속도로 분사되는 것을 특징으로 한다.
챔버(200)는 기판(W)에 대한 세정 공정이 진행되는 동안 상기 기판(W) 상으로 제공되는 세정액의 비산을 방지하고, 세정액을 회수하는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 챔버(200)는 상기 스핀척(100) 둘레를 둘러싸도록 보울(bowl) 형태를 갖고, 상기 기판(W)의 출입이 가능하도록 상부가 개방되게 형성된다.
여기서, 상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 기판(W)에 형상 및 크기에 따라 상기 챔버(200) 및 상기 스핀척(100)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.
스핀척(100)은 매엽식 세정장치(1)의 챔버(200) 내에 구비되며, 스핀척(100) 하부에 연결된 회전축에 의해 회전할 수 있다. 또한, 스핀척(100)은 원판형상의 척(110)과 척(110) 외곽에 등각도 간격으로 복수개의 척핀(120)이 설치되고, 척핀(120)은 기판(W)을 수평한 상태로 고정 지지할 수 있다. 스핀척(100)은 복수의 척핀(120)에 의해 기판(W)을 고정 지지한 상태에서 구동기구에 의해 회전축을 회전시킴으로써, 기판(W)을 수평한 자세를 유지한 상태에서 회전축을 중심으로 척(110)과 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
척(110)은 스핀척(100)의 본체를 형성하고, 척(110) 하부에는 기판(W)이 고정된 상태에서 소정 속도로 회전 가능하도록 회전축 및 구동부가 구비된다. 예를 들어, 상기 척(110)은 기판(W)에 대응되는 원형 플레이트 형태를 갖고, 기판(W)보다 적어도 같거나 큰 크기를 갖는다. 또한, 척(110)의 상면에는 기판(W)이 안착될 수 있도록 편평한 표면을 갖는다.
또한, 척(110)을 관통하여 기판(W)의 일면을 세정하기 위해 세정액을 분사하는 분사홀(미도시)이 척(110) 중앙에 형성된다. 예를 들면, 척(110)은 기판(W)의 배면 중심에서 세정액을 분사하며, 척(110)의 회전에 의해 세정액은 기판(W)의 중심에서 회전을 따라, 기판(W)의 외주연부로 이동하면서, 기판(W)의 배면을 따라 세정할 수 있다.
상기 세정액은 상기 기판(W)의 중심인 상기 분사홀(미도시)에서 일정한 속도로 상기 척핀(120)까지 분사되는 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 세정액은 기판(W)의 중심에서부터 기판(W)의 외주연부까지 분사되며, 세정액이 중심에서 분사되는 속도가 기판(W)의 외주연부까지 일정하게 유지되며, 그로 인해 기판(W)의 클리닝 효율을 향상 시킬 수 있다.
여기서, 상기 세정액은 상기 기판(W)의 종류와 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 결정되는 약액과 순수 또는 상기 순수와 약액들이 일정 비율로 혼합된 혼합액을 포함한다. 그리고, 액체 상태는 아니지만 상기 기판(W)의 세정 공정에서 사용되는 퍼지가스를 포함할 수 있다.
척(110) 상면에는 기판(W)이 안착되고, 기판(W)을 선택적으로 고정시키는 척핀(120)이 구비된다. 예를 들어, 상기 척핀(120)은 척(110) 상면에서 소정 높이 돌출되고, 기판(W) 외주연부에 대응되는 원을 따라 배치된다.
여기서, 상기 척핀(120)은 기판(W)에 동일한 힘으로 가압 지지할 수 있도록 복수의 척핀(120)이 동일한 간격으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 척핀(120)은 상기 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해서 적어도 3개 이상 구비된다. 그러나, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 척핀(120)은 상기 기판(W)의 균형을 유지할 수 있는 실질적으로 다양한 형태로 배치될 수 있을 것이다.
척핀(120)은 상기 척(110)에 결합되며, 원주형태의 바디부(121), 상기 바디부(121) 상부에 구비되며, 상기 세정액과 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부(122) 및 상기 개선부(122) 상부에 구비되며, 상기 기판(W)을 지지하는 고정부(123)을 포함한다.
예를 들면, 상기 바디부(121)는 소정 직경의 원기둥 형태를 갖고, 척(110)에 삽입 고정된다.
상기 바디부(121) 상부에 구비되는 개선부(122)는 척(110)에서 분사되는 세정액과 간섭으로 인한 영향을 최소로 하기 위해 부채꼴 형상으로 제작되며, 상기 부채꼴 형상의 중심각 즉, 상기 개선부(122)의 중심각은 예각인 것을 특징으로 한다.
예를 들면, 척(110)의 분사홀(미도시)에서 분사되는 세정액은 척(110)의 회전에 따라, 척핀(120)의 위치까지 분사되며, 상기 세정액과 상기 척핀(120)의 개선부(122)이 서로 맞닿이는 면적, 즉 간섭되는 부분을 최소한으로 함으로써, 세정액이 기판(W) 외부로 보다 용이하게 일정한 속도로 배출될 수 있다.
상기 개선부(122) 상부에 기판(W)의 외주연부에 접촉 가능하도록 고정부(123)가 구비된다.
보다 구제적으로, 고정부(123)는 상기 개선부(122) 상부에서 소정 높이의 돌출된 형상으로 척핀(120)의 회전에 의해 상기 기판(W)을 선택적으로 접촉 가능하도록 상기 개선부(122) 또는 바디부(121)의 중심에서 소정 거리 편심된 위치에 배치된다. 또한, 고정부(123)는 기판(W) 외주연부의 베벨 형상에 대응되도록 오목한 요입부가 형성될 수 있다.
이와 같은 구성으로, 스핀척의 구조를 개선하여 기판 세정공정 중에 세정액이 스핀척) 또는 척핀 내부에 유입되는 것을 방지함으로써, 세정효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 세정공정 중에 세정액과 스핀척 간에 간섭되는 부분을 개선하여 세정액이 스핀척 외부로 원할하게 배출할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
W: 기판 121: 바디부
100: 스핀척 122: 개선부
110: 척 123: 고정부
120: 척핀 200: 챔버

Claims (8)

  1. 기판의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀을 구비하는 척; 및
    상기 척 상면에 구비되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척핀;
    을 포함하고,
    상기 세정액과 상기 척핀 간에 간섭을 줄이기 위해 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 하고,
    상기 척핀은 상기 척에 결합되며, 원주형태의 바디부, 상기 바디부 상부에 구비되며, 상기 세정액과 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부 및 상기 개선부 상부에 구비되며, 상기 기판을 지지하는 고정부을 포함하는 스핀척.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 개선부의 중심각은 예각인 것을 특징으로 하는 스핀척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정액은 상기 기판의 중심인 상기 분사홀에서 일정한 속도로 상기 척핀까지 분사되는 것을 특징으로 하는 스핀척.
  5. 기판을 수용하고 세정공정을 수행하기 위한 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되며, 기판의 일면에 세정액을 분사하는 분사홀을 구비하는 척 및 상기 척 상면에 구비되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척핀을 포함하는 스핀척;
    을 포함하고,
    상기 기판의 세정 시, 상기 스핀척의 중심에서 세정액이 분사되며, 분사된 세정액은 상기 척핀까지 일정한 속도로 분사되는 것을 특징으로 하고,
    상기 척핀은 상기 척에 결합되며, 원주형태의 바디부, 상기 바디부 상부에 구비되며, 상기 세정액과의 부딪치는 면적을 감소시키기 위해 부채꼴 형상의 개선부 및 상기 개선부 상부에 구비되며, 상기 기판을 지지하는 고정부를 포함하는 매엽식 세정장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 개선부의 중심각은 예각인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 세정액과 상기 척핀 간에 간섭을 줄이기 위해, 상기 세정액과 부딪치는 상기 척핀의 면적을 감소시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치.
KR1020130104981A 2013-09-02 2013-09-02 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치 KR101439111B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104981A KR101439111B1 (ko) 2013-09-02 2013-09-02 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104981A KR101439111B1 (ko) 2013-09-02 2013-09-02 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101439111B1 true KR101439111B1 (ko) 2014-09-12

Family

ID=51759758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130104981A KR101439111B1 (ko) 2013-09-02 2013-09-02 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101439111B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252252A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置
KR20080048133A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 세메스 주식회사 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 기판 척킹/언척킹방법,그리고 상기 스핀헤드를 구비하는 기판 처리 장치
KR20090029958A (ko) * 2007-09-19 2009-03-24 세메스 주식회사 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252252A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置
KR20080048133A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 세메스 주식회사 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 기판 척킹/언척킹방법,그리고 상기 스핀헤드를 구비하는 기판 처리 장치
KR20090029958A (ko) * 2007-09-19 2009-03-24 세메스 주식회사 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
TWI538044B (zh) 用來清洗基板處理裝置的清洗治具及清洗方法、與基板處理系統
US9768042B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10622225B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
KR101983897B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3621568B2 (ja) 基板洗浄装置
KR101439111B1 (ko) 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치
KR101770535B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101394087B1 (ko) 스핀척 및 이를 구비하는 매엽식 세정장치
KR20170113388A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101292221B1 (ko) 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법
JP6499472B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007005392A (ja) 基板処理装置
JP2002299305A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2003045838A (ja) 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法
KR20100048407A (ko) 기판 지지 부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102159929B1 (ko) 기판 처리 방법
KR100745482B1 (ko) 기판 이면 처리 장치
KR101206923B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치
KR20090131207A (ko) 스핀척, 이를 구비하는 기판 세정장치 및 기판의 세정방법
KR101398441B1 (ko) 매엽식 세정장치
KR20200055458A (ko) 기판의 매엽식 세정장치
KR101407389B1 (ko) 기판 세정 장치
JP5824225B2 (ja) 基板処理装置
KR101499921B1 (ko) 스핀척 및 이를 구비한 매엽식 세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 6