JPH09106934A - 基板現像装置 - Google Patents
基板現像装置Info
- Publication number
- JPH09106934A JPH09106934A JP7291963A JP29196395A JPH09106934A JP H09106934 A JPH09106934 A JP H09106934A JP 7291963 A JP7291963 A JP 7291963A JP 29196395 A JP29196395 A JP 29196395A JP H09106934 A JPH09106934 A JP H09106934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exhaust
- developing solution
- developing
- cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の現像液の温度傾斜を調節することに
よって、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る基板現像装置を提供する。 【解決手段】 飛散防止カップ４内の底部にはカップ排
気口１０を配設し、基板Ｗの周縁部を流下する気流を排
気調節部２０を介して排気する。基板Ｗの表面に現像液
Ｌを液盛りして現像している間は、排気調節部２０を調
節して、上部排気口１５からの排気を増大させるととも
に、カップ排気口１０からの排気流量を少なく調節す
る。これにより現像液の温度を、周縁部に向けて緩やか
に次第に低下させることができ、現像液の活性度に起因
する現像速度とのバランスにより現像速度をほぼ一定に
することができる。
よって、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る基板現像装置を提供する。 【解決手段】 飛散防止カップ４内の底部にはカップ排
気口１０を配設し、基板Ｗの周縁部を流下する気流を排
気調節部２０を介して排気する。基板Ｗの表面に現像液
Ｌを液盛りして現像している間は、排気調節部２０を調
節して、上部排気口１５からの排気を増大させるととも
に、カップ排気口１０からの排気流量を少なく調節す
る。これにより現像液の温度を、周縁部に向けて緩やか
に次第に低下させることができ、現像液の活性度に起因
する現像速度とのバランスにより現像速度をほぼ一定に
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用の基板などの基板上にフォトレジスト膜の
パターンを現像形成するための基板現像装置に係り、特
に現像液の表面張力を利用して基板上に現像液を液盛り
した状態で現像する（いわゆるパドル現像法）技術に関
する。
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用の基板などの基板上にフォトレジスト膜の
パターンを現像形成するための基板現像装置に係り、特
に現像液の表面張力を利用して基板上に現像液を液盛り
した状態で現像する（いわゆるパドル現像法）技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の装置としては、例えば、
図９に示すような装置がある。この図を参照して、以下
に従来例について説明する。
図９に示すような装置がある。この図を参照して、以下
に従来例について説明する。
【０００３】図中、符号Ｗは、例えば半導体ウエハなど
の基板であり、その上面には所定のパターンが焼き付け
露光された所定膜厚のフォトレジスト被膜が形成されて
いる。この基板Ｗは、回転自在のスピンチャック１によ
ってほぼ水平姿勢に吸着支持されている。スピンチャッ
ク１の周囲には、現像液などを回収するためにスピンチ
ャック１を囲うように飛散防止カップ４が配設されてい
る。この飛散防止カップ４の底部には、使用済みの現像
液などを排出するための排液口８と、カップ内に飛散し
た現像液などのミストを含む気体を基板Ｗの上方から下
方に排気するカップ排気口１０とが設けられている。飛
散防止カップ４の上端部には、現像液などの臭気が周囲
へ拡散するのを防止するための筒部材１３が連接されて
いる。さらに、スピンチャック１の上方には、基板Ｗの
回転中心付近に現像液を供給するためのノズル１６が備
えられている。
の基板であり、その上面には所定のパターンが焼き付け
露光された所定膜厚のフォトレジスト被膜が形成されて
いる。この基板Ｗは、回転自在のスピンチャック１によ
ってほぼ水平姿勢に吸着支持されている。スピンチャッ
ク１の周囲には、現像液などを回収するためにスピンチ
ャック１を囲うように飛散防止カップ４が配設されてい
る。この飛散防止カップ４の底部には、使用済みの現像
液などを排出するための排液口８と、カップ内に飛散し
た現像液などのミストを含む気体を基板Ｗの上方から下
方に排気するカップ排気口１０とが設けられている。飛
散防止カップ４の上端部には、現像液などの臭気が周囲
へ拡散するのを防止するための筒部材１３が連接されて
いる。さらに、スピンチャック１の上方には、基板Ｗの
回転中心付近に現像液を供給するためのノズル１６が備
えられている。
【０００４】このように構成された従来装置において
は、スピンチャック１に基板Ｗが吸着保持されると、ノ
ズル１６から現像液Ｌが吐出されて、基板Ｗ上に現像液
Ｌが液盛りされる。その状態で現像処理が進められ、現
像が終了するとスピンチャック１が高速回転して基板Ｗ
上の現像液が振り切られるとともに、図示しない別のノ
ズルが基板Ｗの上方に移動してきて、純水などの洗浄液
が噴出されて基板Ｗが洗浄される。洗浄液の供給を停止
した後、一定時間だけ基板Ｗを回転させることにより、
基板Ｗに供給された洗浄液が振り切られて乾燥される。
は、スピンチャック１に基板Ｗが吸着保持されると、ノ
ズル１６から現像液Ｌが吐出されて、基板Ｗ上に現像液
Ｌが液盛りされる。その状態で現像処理が進められ、現
像が終了するとスピンチャック１が高速回転して基板Ｗ
上の現像液が振り切られるとともに、図示しない別のノ
ズルが基板Ｗの上方に移動してきて、純水などの洗浄液
が噴出されて基板Ｗが洗浄される。洗浄液の供給を停止
した後、一定時間だけ基板Ｗを回転させることにより、
基板Ｗに供給された洗浄液が振り切られて乾燥される。
【０００５】このような一連の現像処理の間は、この現
像装置が設置されているクリーンルーム内のダウンフロ
ー（清浄空気の鉛直下方への流れ）ＤＦを筒部材１３の
上部開口から飛散防止カップ４内に取り込み、飛散防止
カップ４のカップ排気口１０を介して強制排気すること
により、現像液の臭気が装置外へ拡散しないようにする
とともに、飛散防止カップ４内に発生した現像液のミス
トなどが基板Ｗ上面に付着しないようにしている。
像装置が設置されているクリーンルーム内のダウンフロ
ー（清浄空気の鉛直下方への流れ）ＤＦを筒部材１３の
上部開口から飛散防止カップ４内に取り込み、飛散防止
カップ４のカップ排気口１０を介して強制排気すること
により、現像液の臭気が装置外へ拡散しないようにする
とともに、飛散防止カップ４内に発生した現像液のミス
トなどが基板Ｗ上面に付着しないようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来装置では、基板Ｗに現像液を液盛
りして現像処理を進めている間中、筒部材１１を介して
ダウンフローＤＦを飛散防止カップ４内に取り込んでカ
ップ底部から排気しているので、現像処理中の基板Ｗの
周縁部を、上方から下方に気体が流下することにより、
基板中心部に比較して基板周縁部からの現像液の揮発が
促進されることになる。そのため基板周縁部の現像液か
ら気化熱がより多く奪われることになるので、基板中心
部に比べて基板周縁部の温度が低下し、中心部から周縁
部にわたる温度傾斜が大きくなる（具体的には、周縁部
に向かって次第に低下する）。その結果、従来装置によ
れば、現像ムラ（現像によって得られるパターンの線幅
の不均一）が生じるという問題点がある。因みに、現像
液の温度が２３℃付近においては、現像液温と現像後の
パターンの平均線幅との関係が約０．０１μｍ／℃とな
り、温度が低いほどパターンの線幅が細くなる（現像が
進行する）傾向がある。したがって、上記の現像ムラ
は、主として基板Ｗの中心部から周縁部に向かってパタ
ーンの線幅が次第に細くなる現象を生じる。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来装置では、基板Ｗに現像液を液盛
りして現像処理を進めている間中、筒部材１１を介して
ダウンフローＤＦを飛散防止カップ４内に取り込んでカ
ップ底部から排気しているので、現像処理中の基板Ｗの
周縁部を、上方から下方に気体が流下することにより、
基板中心部に比較して基板周縁部からの現像液の揮発が
促進されることになる。そのため基板周縁部の現像液か
ら気化熱がより多く奪われることになるので、基板中心
部に比べて基板周縁部の温度が低下し、中心部から周縁
部にわたる温度傾斜が大きくなる（具体的には、周縁部
に向かって次第に低下する）。その結果、従来装置によ
れば、現像ムラ（現像によって得られるパターンの線幅
の不均一）が生じるという問題点がある。因みに、現像
液の温度が２３℃付近においては、現像液温と現像後の
パターンの平均線幅との関係が約０．０１μｍ／℃とな
り、温度が低いほどパターンの線幅が細くなる（現像が
進行する）傾向がある。したがって、上記の現像ムラ
は、主として基板Ｗの中心部から周縁部に向かってパタ
ーンの線幅が次第に細くなる現象を生じる。
【０００７】このような現像ムラを防止するために、現
像処理中に飛散防止カップ４内の排気を止めることによ
り上記の温度傾斜を無くすことが考えられるが、このよ
うにすると以下に説明するような不都合が生じる。すな
わち、ノズル１６の直下に位置する基板Ｗの領域、例え
ば、基板Ｗの中心部付近においては、ノズル１６から順
次に新しい現像液が供給されることになるので、その付
近のフォトレジスト被膜には常に活性な現像液が触れる
ことになるが、その一方、基板Ｗの周縁部においては、
順次に供給される現像液によって中心部付近の現像液が
押し拡げられるようにして供給されることになるので、
中心部付近から周縁部に達するまでにある程度フォトレ
ジスト被膜と反応した、中心部付近に比べて活性度が低
い現像液が触れることになる。つまり、現像液の活性度
は、基板の中心部付近から周縁部に向かって次第に緩や
かに低下している。その結果、基板Ｗの中心部付近で
は、その周縁部に比較してパターンの線幅が細くなる、
換言すると、中心部付近では周辺部に比べて現像が進む
という、異なる要因によって上記の現像ムラが発生する
という問題点がある。
像処理中に飛散防止カップ４内の排気を止めることによ
り上記の温度傾斜を無くすことが考えられるが、このよ
うにすると以下に説明するような不都合が生じる。すな
わち、ノズル１６の直下に位置する基板Ｗの領域、例え
ば、基板Ｗの中心部付近においては、ノズル１６から順
次に新しい現像液が供給されることになるので、その付
近のフォトレジスト被膜には常に活性な現像液が触れる
ことになるが、その一方、基板Ｗの周縁部においては、
順次に供給される現像液によって中心部付近の現像液が
押し拡げられるようにして供給されることになるので、
中心部付近から周縁部に達するまでにある程度フォトレ
ジスト被膜と反応した、中心部付近に比べて活性度が低
い現像液が触れることになる。つまり、現像液の活性度
は、基板の中心部付近から周縁部に向かって次第に緩や
かに低下している。その結果、基板Ｗの中心部付近で
は、その周縁部に比較してパターンの線幅が細くなる、
換言すると、中心部付近では周辺部に比べて現像が進む
という、異なる要因によって上記の現像ムラが発生する
という問題点がある。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板上の現像液の温度傾斜を調節する
ことによって、現像処理の面内均一性を向上させること
ができる基板現像装置を提供することを目的とする。
たものであって、基板上の現像液の温度傾斜を調節する
ことによって、現像処理の面内均一性を向上させること
ができる基板現像装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板現像装置は、基板を水平姿勢
で保持する基板保持手段と、前記基板上に現像液を吐出
する現像液供給手段と、前記基板保持手段の周囲を囲う
ように配設された飛散防止カップと、を備えており、前
記現像液供給手段を介して基板の表面に現像液を液盛り
して現像する基板現像装置において、少なくとも前記基
板の表面に現像液を液盛りして現像している間、前記基
板の周縁部を流下する気体の風量を調節する風量調節手
段を備えていることを特徴とするものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板現像装置は、基板を水平姿勢
で保持する基板保持手段と、前記基板上に現像液を吐出
する現像液供給手段と、前記基板保持手段の周囲を囲う
ように配設された飛散防止カップと、を備えており、前
記現像液供給手段を介して基板の表面に現像液を液盛り
して現像する基板現像装置において、少なくとも前記基
板の表面に現像液を液盛りして現像している間、前記基
板の周縁部を流下する気体の風量を調節する風量調節手
段を備えていることを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項２に記載の基板現像装置は、
請求項１に記載の基板回転式現像装置において、前記風
量調節手段は、前記飛散防止カップ内に飛散した現像液
などのミストを含む気体を基板の上方から下方に排気す
る排気構造と、前記基板の周縁部を流下する気体の風量
に関連する物理量を検出する検出手段と、少なくとも前
記基板の表面に現像液を液盛りして現像している間、前
記検出手段の検出値に基づいて、前記排気構造の排気流
量を調節する制御手段と、から構成されていることを特
徴とするものである。
請求項１に記載の基板回転式現像装置において、前記風
量調節手段は、前記飛散防止カップ内に飛散した現像液
などのミストを含む気体を基板の上方から下方に排気す
る排気構造と、前記基板の周縁部を流下する気体の風量
に関連する物理量を検出する検出手段と、少なくとも前
記基板の表面に現像液を液盛りして現像している間、前
記検出手段の検出値に基づいて、前記排気構造の排気流
量を調節する制御手段と、から構成されていることを特
徴とするものである。
【００１１】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板保持手段に保持された基板上に現像液供給手段
を介して現像液が吐出されて液盛りされると、風量調節
手段によって基板の周縁部を流下する気体の風量が調節
される。この調節は、例えば、現像液を供給している際
の風量に比較して少なくすることである。このように調
節することにより、基板周縁部の現像液の温度低下が少
なくなり、中心部付近との温度差が小さくなる。すなわ
ち、中心部付近から周縁部にわたる温度傾斜が緩やか
（現像液の温度が周縁部に向かって緩やかに低下）にな
る。したがって、現像速度を中心部付近から周縁部に向
かって次第に緩やかに増大させることができる。
る。基板保持手段に保持された基板上に現像液供給手段
を介して現像液が吐出されて液盛りされると、風量調節
手段によって基板の周縁部を流下する気体の風量が調節
される。この調節は、例えば、現像液を供給している際
の風量に比較して少なくすることである。このように調
節することにより、基板周縁部の現像液の温度低下が少
なくなり、中心部付近との温度差が小さくなる。すなわ
ち、中心部付近から周縁部にわたる温度傾斜が緩やか
（現像液の温度が周縁部に向かって緩やかに低下）にな
る。したがって、現像速度を中心部付近から周縁部に向
かって次第に緩やかに増大させることができる。
【００１２】その一方、例えば、現像液供給手段を介し
て基板の中心部付近に現像液が吐出されるように構成さ
れている場合には、基板中心部に供給された現像液が最
も活性度が高く、周縁部に向かって次第にその活性度が
低下しているので、中心部付近が最も現像速度が大き
く、周縁部に向かって次第に緩やかに現像速度が小さく
なっている。上記のように現像液の温度傾斜が周縁部に
向かって緩やかに低下するように基板周縁部を流下する
風量を〔比較的少なく〕調節することにより、現像液温
に起因する現像速度を周縁部に向かって次第に緩やかに
増大させることができる一方、現像液の活性度に起因す
る現像速度は周縁部に向かって次第に緩やかに低下して
いるので、これらのバランスによって、基板の中心部付
近から周縁部にわたって現像速度をほぼ一定にすること
ができる。
て基板の中心部付近に現像液が吐出されるように構成さ
れている場合には、基板中心部に供給された現像液が最
も活性度が高く、周縁部に向かって次第にその活性度が
低下しているので、中心部付近が最も現像速度が大き
く、周縁部に向かって次第に緩やかに現像速度が小さく
なっている。上記のように現像液の温度傾斜が周縁部に
向かって緩やかに低下するように基板周縁部を流下する
風量を〔比較的少なく〕調節することにより、現像液温
に起因する現像速度を周縁部に向かって次第に緩やかに
増大させることができる一方、現像液の活性度に起因す
る現像速度は周縁部に向かって次第に緩やかに低下して
いるので、これらのバランスによって、基板の中心部付
近から周縁部にわたって現像速度をほぼ一定にすること
ができる。
【００１３】また、請求項２に記載の発明の作用は次の
とおりである。基板の周縁部を流下する気体の風量に関
連する物理量、例えば、気体が流下する際に生じる圧力
や風速は検出手段により検出される。基板上に現像液供
給手段を介して現像液が吐出されて液盛りされると、制
御手段は、検出手段による検出値に基づき、飛散防止カ
ップ内の気体を排気する排気構造の排気流量を調節す
る。このように排気構造の排気流量を調節することによ
り、上述した作用を生じて、基板の中心部付近から周縁
部にわたって現像速度をほぼ一定にすることができる。
さらに、排気流量は検出手段による検出値に基づいてフ
ィードバック制御により調節されるので、より正確に排
気流量を調節することができ、また排気構造に支障が生
じて（例えば、排気構造内に現像液やミスト、パーティ
クルなどが付着して流路断面積が減少）排気流量が変動
したとしても一定に保持することができる。したがっ
て、基板の中心部付近から周縁部にわたって現像速度を
ほぼ一定できるとともに、これを長期間にわたってそれ
を維持することができる。
とおりである。基板の周縁部を流下する気体の風量に関
連する物理量、例えば、気体が流下する際に生じる圧力
や風速は検出手段により検出される。基板上に現像液供
給手段を介して現像液が吐出されて液盛りされると、制
御手段は、検出手段による検出値に基づき、飛散防止カ
ップ内の気体を排気する排気構造の排気流量を調節す
る。このように排気構造の排気流量を調節することによ
り、上述した作用を生じて、基板の中心部付近から周縁
部にわたって現像速度をほぼ一定にすることができる。
さらに、排気流量は検出手段による検出値に基づいてフ
ィードバック制御により調節されるので、より正確に排
気流量を調節することができ、また排気構造に支障が生
じて（例えば、排気構造内に現像液やミスト、パーティ
クルなどが付着して流路断面積が減少）排気流量が変動
したとしても一定に保持することができる。したがっ
て、基板の中心部付近から周縁部にわたって現像速度を
ほぼ一定できるとともに、これを長期間にわたってそれ
を維持することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る基板現像装置
の一実施例の要部構成を示す縦断面図である。
実施例を説明する。図１は、本発明に係る基板現像装置
の一実施例の要部構成を示す縦断面図である。
【００１５】図中、符号１は、現像処理を施される半導
体ウエハなどの基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持するス
ピンチャックである。このスピンチャック１は、回転モ
ータ２の出力軸である中空の回転軸３に連動連結されて
いる。スピンチャック１の周囲には、回転に伴う現像液
の飛散を防止したり現像液を回収するための飛散防止カ
ップ４が配設されている。
体ウエハなどの基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持するス
ピンチャックである。このスピンチャック１は、回転モ
ータ２の出力軸である中空の回転軸３に連動連結されて
いる。スピンチャック１の周囲には、回転に伴う現像液
の飛散を防止したり現像液を回収するための飛散防止カ
ップ４が配設されている。
【００１６】飛散防止カップ４は、上カップ５と円形整
流板６と下カップ７とから構成されている。上カップ５
は、上部開口部５ａと、基板Ｗの回転により周囲に飛散
した現像液を下方へ案内するための下向きの傾斜面５ｂ
とを備えている。この上カップ５は、下カップ７の外周
壁７ａの上端部に嵌め込まれている。
流板６と下カップ７とから構成されている。上カップ５
は、上部開口部５ａと、基板Ｗの回転により周囲に飛散
した現像液を下方へ案内するための下向きの傾斜面５ｂ
とを備えている。この上カップ５は、下カップ７の外周
壁７ａの上端部に嵌め込まれている。
【００１７】円形整流板６は、スピンチャック１の下方
に位置するように下カップ７の内周壁７ｂの上端部に嵌
め込まれている。そして、開口部５ａから流入して基板
Ｗの上方から周縁に沿って下方に流下する気体（気流）
を整流して下カップ７に案内するとともに、上カップ５
の傾斜面５ｂによって下方に案内された現像液の飛沫
（ミスト）をこの気流に乗せて下カップ７に案内する傾
斜整流面６ａを備えている。
に位置するように下カップ７の内周壁７ｂの上端部に嵌
め込まれている。そして、開口部５ａから流入して基板
Ｗの上方から周縁に沿って下方に流下する気体（気流）
を整流して下カップ７に案内するとともに、上カップ５
の傾斜面５ｂによって下方に案内された現像液の飛沫
（ミスト）をこの気流に乗せて下カップ７に案内する傾
斜整流面６ａを備えている。
【００１８】下カップ７は、外周壁７ａの下部に内設す
るリング状の排液ゾーン７ｃと、この排液ゾーン７ｃの
内側に形成されたリング状の排気ゾーン７ｄとを備えて
いる。排液ゾーン７ｃの底部には、平面視で基板Ｗを挟
む対向位置に一対の排液口８（但し、図１では作図の便
宜上、一方の排液口のみを示している）が配設されてい
る。この排液口８は排液タンク９に連通接続されてお
り、使用済みの現像液などを回収する。排気ゾーン７ｄ
の底部には、平面視で基板Ｗを中心にして互いに等角度
となる３箇所にカップ排気口１０（但し、図１では作図
の都合上、１箇所のみを図示している）が配設されてい
る。この３箇所に配設されたカップ排気口１０は、排気
ボックス１１に連通接続されている。排気ボックス１１
には、この中に流入する気流に伴う圧力（負圧）を検出
するためのマノメータ１２が取り付けられており、排気
ボックス１１は後述する排気調節部２０に連通接続され
ている。このマノメータ１２によって検出される圧力
（負圧）は、基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量に関
連する物理量であり、負圧が『０』に近づくにしたがっ
て基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量が少なくなるこ
とを示す。したがって、負圧が『０』である場合は、基
板Ｗの周縁部を流下する気体が無いことを示す。なお、
このマノメータ１２は、本発明における検出手段に相当
する。
るリング状の排液ゾーン７ｃと、この排液ゾーン７ｃの
内側に形成されたリング状の排気ゾーン７ｄとを備えて
いる。排液ゾーン７ｃの底部には、平面視で基板Ｗを挟
む対向位置に一対の排液口８（但し、図１では作図の便
宜上、一方の排液口のみを示している）が配設されてい
る。この排液口８は排液タンク９に連通接続されてお
り、使用済みの現像液などを回収する。排気ゾーン７ｄ
の底部には、平面視で基板Ｗを中心にして互いに等角度
となる３箇所にカップ排気口１０（但し、図１では作図
の都合上、１箇所のみを図示している）が配設されてい
る。この３箇所に配設されたカップ排気口１０は、排気
ボックス１１に連通接続されている。排気ボックス１１
には、この中に流入する気流に伴う圧力（負圧）を検出
するためのマノメータ１２が取り付けられており、排気
ボックス１１は後述する排気調節部２０に連通接続され
ている。このマノメータ１２によって検出される圧力
（負圧）は、基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量に関
連する物理量であり、負圧が『０』に近づくにしたがっ
て基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量が少なくなるこ
とを示す。したがって、負圧が『０』である場合は、基
板Ｗの周縁部を流下する気体が無いことを示す。なお、
このマノメータ１２は、本発明における検出手段に相当
する。
【００１９】上カップ５の上端には、その開口部５ａの
周囲を囲むように、現像液の臭気の拡散を防止するため
の円筒状の筒部材１３が配設されている。この筒部材１
３の上端外周部には、リング状の排気ゾーン１４が張り
出し形成されており、この排気ゾーン１４に一対の上部
排気口１５が対向位置に配設されている。上部排気口１
５は後述する排気調節部２０に連通接続されている。
周囲を囲むように、現像液の臭気の拡散を防止するため
の円筒状の筒部材１３が配設されている。この筒部材１
３の上端外周部には、リング状の排気ゾーン１４が張り
出し形成されており、この排気ゾーン１４に一対の上部
排気口１５が対向位置に配設されている。上部排気口１
５は後述する排気調節部２０に連通接続されている。
【００２０】筒部材１３の内部には、基板Ｗの回転中心
の上方に、現像液を吐出する現像液吐出ノズル１６が配
備されている。この現像液吐出ノズル１６は、スピンチ
ャック１の回転中心の上方にあたる吐出位置と、基板Ｗ
の搬入／搬出を許容する退避位置とにわたって移動可能
に構成されている。現像液吐出ノズル１６の下端周壁に
は現像液吐出口１６ａが形成されており、この現像液吐
出口１６ａを介して基板Ｗ上に現像液を緩やかに吐出す
るように構成されている。
の上方に、現像液を吐出する現像液吐出ノズル１６が配
備されている。この現像液吐出ノズル１６は、スピンチ
ャック１の回転中心の上方にあたる吐出位置と、基板Ｗ
の搬入／搬出を許容する退避位置とにわたって移動可能
に構成されている。現像液吐出ノズル１６の下端周壁に
は現像液吐出口１６ａが形成されており、この現像液吐
出口１６ａを介して基板Ｗ上に現像液を緩やかに吐出す
るように構成されている。
【００２１】排気調節部２０は、流量を連続的に可変可
能な２つの排気流路を内蔵した箱体２１を備えている。
この箱体２１の上側壁には、２つの吸気口２２ａ，２２
ｂが形成され、上側壁に対向する下側壁には、２つの吸
気口２２ａ，２２ｂに共通の排気口２３が形成されてい
る。一方の吸気口２２ａは飛散防止カップ４のカップ排
気口１０に連通接続されている排気ボックス１１に、他
方の吸気口２２ｂは筒部材１１の上部排気口１５に、そ
れぞれ連通接続されている。箱体２１の排気口２３は排
気ポンプ２４に連通接続されている。箱体２１の内部に
は、２つの排気流路を調節するための揺動板２５が揺動
自在に軸支されている。この揺動板２５の揺動軸より下
側の部分には、箱体２１に付設された進退自在のロッド
２６の一端側が接続されている。ロッド２６の他端側
は、モータ２７の螺軸２７ａに螺合されている。ロッド
２６はモータ２７が回転駆動されることにより箱体２１
内に進退するようになっており、モータ２７の回転駆動
は制御部２８によって制御される。
能な２つの排気流路を内蔵した箱体２１を備えている。
この箱体２１の上側壁には、２つの吸気口２２ａ，２２
ｂが形成され、上側壁に対向する下側壁には、２つの吸
気口２２ａ，２２ｂに共通の排気口２３が形成されてい
る。一方の吸気口２２ａは飛散防止カップ４のカップ排
気口１０に連通接続されている排気ボックス１１に、他
方の吸気口２２ｂは筒部材１１の上部排気口１５に、そ
れぞれ連通接続されている。箱体２１の排気口２３は排
気ポンプ２４に連通接続されている。箱体２１の内部に
は、２つの排気流路を調節するための揺動板２５が揺動
自在に軸支されている。この揺動板２５の揺動軸より下
側の部分には、箱体２１に付設された進退自在のロッド
２６の一端側が接続されている。ロッド２６の他端側
は、モータ２７の螺軸２７ａに螺合されている。ロッド
２６はモータ２７が回転駆動されることにより箱体２１
内に進退するようになっており、モータ２７の回転駆動
は制御部２８によって制御される。
【００２２】制御部２８は、図示しないメモリを内蔵し
ており、このメモリには予め作成された現像処理のプロ
グラム（現像処理のレシピーとも称される）が格納され
ている。制御部２８は、このレシピーに基づき、図示し
ない基板搬送機構による基板Ｗの搬入／搬出と、回転モ
ータ２の回転駆動と、図示しない移動機構による現像液
吐出ノズル１６の移動（吐出位置と退避位置）と、現像
液吐出ノズル１６からの現像液の吐出と、排気調節部２
０とを一括制御する。また、制御部２８は、詳細につい
ては後述するが、現像処理レシピーに基づき少なくとも
現像液を基板Ｗの表面に液盛りして現像している間、マ
ノメータ１２により検出された圧力値を取り込んで、排
気調節部２０を介して基板Ｗの周縁部を流下する気流の
風量を〔現像液を基板Ｗに供給しているときに比較し
て〕少なく調節するようになっている。
ており、このメモリには予め作成された現像処理のプロ
グラム（現像処理のレシピーとも称される）が格納され
ている。制御部２８は、このレシピーに基づき、図示し
ない基板搬送機構による基板Ｗの搬入／搬出と、回転モ
ータ２の回転駆動と、図示しない移動機構による現像液
吐出ノズル１６の移動（吐出位置と退避位置）と、現像
液吐出ノズル１６からの現像液の吐出と、排気調節部２
０とを一括制御する。また、制御部２８は、詳細につい
ては後述するが、現像処理レシピーに基づき少なくとも
現像液を基板Ｗの表面に液盛りして現像している間、マ
ノメータ１２により検出された圧力値を取り込んで、排
気調節部２０を介して基板Ｗの周縁部を流下する気流の
風量を〔現像液を基板Ｗに供給しているときに比較し
て〕少なく調節するようになっている。
【００２３】なお、カップ排気口１０と、排気ボックス
１１と、排気調節部２０と、制御部２８とは、本発明に
おける風量調節手段に相当する。また、カップ排気口１
０と、排気ボックス１１とは本発明における排気構造に
相当し、排気調節部２０と制御部２８とは本発明におけ
る制御手段に相当する。
１１と、排気調節部２０と、制御部２８とは、本発明に
おける風量調節手段に相当する。また、カップ排気口１
０と、排気ボックス１１とは本発明における排気構造に
相当し、排気調節部２０と制御部２８とは本発明におけ
る制御手段に相当する。
【００２４】このように構成された実施例装置の動作に
ついて、現像処理レシピーの一例を示す図２のタイムチ
ャートを参照して説明する。なお、図２（ａ）は回転モ
ータ２の回転数を示し、図２（ｂ）はマノメータ１２に
より検出される圧力値を示す。
ついて、現像処理レシピーの一例を示す図２のタイムチ
ャートを参照して説明する。なお、図２（ａ）は回転モ
ータ２の回転数を示し、図２（ｂ）はマノメータ１２に
より検出される圧力値を示す。
【００２５】また、既に、図示しない搬送機構により未
処理の基板Ｗ（表面にフォトレジスト被膜が形成され、
さらに露光処理によりパターンが焼き付けられている）
が搬入されてスピンチャック１に吸着保持され、図示し
ない移動機構により現像液吐出ノズル１６が基板Ｗの回
転中心上方の吐出位置に移動されているものとして説明
する。さらに、制御部２８はモータ２７を回転駆動して
ロッド２６を箱体２１内に進出させ、これにより揺動板
２５を時計回りに揺動変位させ、マノメータ１２により
排気ボックス１１の圧力を検出してこの圧力が一定値Ｐ
１（例えば、−２０ｍｍＨ2 Ｏ）となるようにモータ２
７を制御しているものとする。
処理の基板Ｗ（表面にフォトレジスト被膜が形成され、
さらに露光処理によりパターンが焼き付けられている）
が搬入されてスピンチャック１に吸着保持され、図示し
ない移動機構により現像液吐出ノズル１６が基板Ｗの回
転中心上方の吐出位置に移動されているものとして説明
する。さらに、制御部２８はモータ２７を回転駆動して
ロッド２６を箱体２１内に進出させ、これにより揺動板
２５を時計回りに揺動変位させ、マノメータ１２により
排気ボックス１１の圧力を検出してこの圧力が一定値Ｐ
１（例えば、−２０ｍｍＨ2 Ｏ）となるようにモータ２
７を制御しているものとする。
【００２６】まず、制御部２８は、スピンチャック１に
基板Ｗが吸着保持されたことを、回転軸３の中空部内の
圧力を検出する図示しない圧力検出部を介して検知し、
時間ｔS において回転モータ２を回転駆動して、時間ｔ
1 において所定の回転数Ｒ１（例えば、１０〜５０ｒｐ
ｍ程度の低回転）に到達するように制御するとともに、
時間ｔS において現像液吐出ノズル１６から現像液を吐
出開始する。このときの様子は図３に示すようになり、
飛散防止カップ４の上方開口から取り込まれたクリーン
ルーム内のダウンフローＤＦは、筒部材１３内を下降
し、基板Ｗの周縁部を通って排気ゾーン７ｄを流通し、
カップ排気口１０を介して排気される。これにより飛散
防止カップ４内に滞留するミストやパーティクルは、こ
の気流に乗って排気されるので、基板Ｗが汚染されるの
を防止することができる。さらに、回転モータ２の回転
駆動を制御して時間ｔ2 まで回転数Ｒ１を保持し、時間
ｔEにおいて基板Ｗの回転が停止するように回転モータ
２を回転制御するとともに、時間ｔE において現像液Ｌ
の吐出を停止する。
基板Ｗが吸着保持されたことを、回転軸３の中空部内の
圧力を検出する図示しない圧力検出部を介して検知し、
時間ｔS において回転モータ２を回転駆動して、時間ｔ
1 において所定の回転数Ｒ１（例えば、１０〜５０ｒｐ
ｍ程度の低回転）に到達するように制御するとともに、
時間ｔS において現像液吐出ノズル１６から現像液を吐
出開始する。このときの様子は図３に示すようになり、
飛散防止カップ４の上方開口から取り込まれたクリーン
ルーム内のダウンフローＤＦは、筒部材１３内を下降
し、基板Ｗの周縁部を通って排気ゾーン７ｄを流通し、
カップ排気口１０を介して排気される。これにより飛散
防止カップ４内に滞留するミストやパーティクルは、こ
の気流に乗って排気されるので、基板Ｗが汚染されるの
を防止することができる。さらに、回転モータ２の回転
駆動を制御して時間ｔ2 まで回転数Ｒ１を保持し、時間
ｔEにおいて基板Ｗの回転が停止するように回転モータ
２を回転制御するとともに、時間ｔE において現像液Ｌ
の吐出を停止する。
【００２７】以上のようにして現像液Ｌは基板Ｗの表面
全体を覆って液盛りされた状態（図４を参照）となる
が、供給された現像液Ｌは基板Ｗの中心部付近に比べ
て、周縁部の現像液の活性度が低くなっている。これは
基板Ｗの中心部付近に供給された現像液Ｌがその表面の
フォトレジスト被膜に触れつつ順次に供給されてくる現
像液Ｌによって周縁部に押し拡げられるためであり、フ
ォトレジスト被膜に触れた時点においてある程度の化学
反応を起こしているからである。その一方、中心部付近
には新しい現像液Ｌが順次に供給されるので、その活性
度は低下することがない。したがって、基板Ｗに液盛り
された現像液Ｌの活性度は、基板Ｗの中心部付近から周
縁部に向けて次第に緩やかに低下しており、その結果、
現像速度は周縁部に向けて次第に緩やかに低下している
ことになる。
全体を覆って液盛りされた状態（図４を参照）となる
が、供給された現像液Ｌは基板Ｗの中心部付近に比べ
て、周縁部の現像液の活性度が低くなっている。これは
基板Ｗの中心部付近に供給された現像液Ｌがその表面の
フォトレジスト被膜に触れつつ順次に供給されてくる現
像液Ｌによって周縁部に押し拡げられるためであり、フ
ォトレジスト被膜に触れた時点においてある程度の化学
反応を起こしているからである。その一方、中心部付近
には新しい現像液Ｌが順次に供給されるので、その活性
度は低下することがない。したがって、基板Ｗに液盛り
された現像液Ｌの活性度は、基板Ｗの中心部付近から周
縁部に向けて次第に緩やかに低下しており、その結果、
現像速度は周縁部に向けて次第に緩やかに低下している
ことになる。
【００２８】時間ｔE において回転モータ２の回転駆動
が停止されるのとほぼ同時に、制御部２８はモータ２７
を回転駆動して揺動板２５を反時計回りに揺動変位させ
る（図４参照）。この揺動板２５の揺動は、マノメータ
１２によって検出される圧力が、上記一定値Ｐ１よりも
小さな負圧値Ｐ２（例えば、−２ｍｍＨ2 Ｏ）で一定と
なるように、つまり、現像液Ｌを吐出している間に比較
して、カップ排気口１０からの排気流量が少なくなるよ
うにフィードバック制御される。このように制御される
ことにより、飛散防止カップ４内を下降するダウンフロ
ーＤＦの多くは筒部材１３の上部排気口１５を通り、吸
気口２２ｂを介して排気口２３から排気される。一方、
上部排気口１５から排気されなかったダウンフローＤＦ
の一部は、基板Ｗの周縁部を流下してカップ排気口１０
を通り、排気ボックス１１を介して排気口２３から排気
されるが、基板Ｗの周縁部を流下する気流の風量は現像
液の液盛りが完了した時点ｔE 以前に比較して少なくな
っている。なお、カップ排気口１０からの排気流量が少
なく調節されることにより、現像液Ｌからの臭気の一部
が排気されずに筒部材１３内を上昇するが、これは上部
排気口１５から排気されるので、飛散防止カップ４の周
囲に臭気が漏れることはない。
が停止されるのとほぼ同時に、制御部２８はモータ２７
を回転駆動して揺動板２５を反時計回りに揺動変位させ
る（図４参照）。この揺動板２５の揺動は、マノメータ
１２によって検出される圧力が、上記一定値Ｐ１よりも
小さな負圧値Ｐ２（例えば、−２ｍｍＨ2 Ｏ）で一定と
なるように、つまり、現像液Ｌを吐出している間に比較
して、カップ排気口１０からの排気流量が少なくなるよ
うにフィードバック制御される。このように制御される
ことにより、飛散防止カップ４内を下降するダウンフロ
ーＤＦの多くは筒部材１３の上部排気口１５を通り、吸
気口２２ｂを介して排気口２３から排気される。一方、
上部排気口１５から排気されなかったダウンフローＤＦ
の一部は、基板Ｗの周縁部を流下してカップ排気口１０
を通り、排気ボックス１１を介して排気口２３から排気
されるが、基板Ｗの周縁部を流下する気流の風量は現像
液の液盛りが完了した時点ｔE 以前に比較して少なくな
っている。なお、カップ排気口１０からの排気流量が少
なく調節されることにより、現像液Ｌからの臭気の一部
が排気されずに筒部材１３内を上昇するが、これは上部
排気口１５から排気されるので、飛散防止カップ４の周
囲に臭気が漏れることはない。
【００２９】このとき基板Ｗの表面全体に盛られた現像
液Ｌは、基板Ｗの周縁部を流下する気流によって気化熱
を奪われて液温が低下することになるが、流下する気流
の風量が時間ｔE 以前よりも少なくなるように調節され
ているので、その温度低下は風量が少なく調節されてい
ない場合に比較して小さくなる。したがって、基板Ｗの
表面に盛られている現像液Ｌの温度は、基板Ｗの中心部
付近から周縁部に向けて次第に緩やかに低下する（温度
傾斜が緩やかになる）ことになる。その結果、現像速度
を、基板Ｗの中心部付近から周辺部に向けて次第に緩や
かに増大させることができる。上述したように、現像液
の活性度に起因する現像速度は、周縁部に向かって次第
に緩やかに低下しているので、現像液温に起因する現像
速度とのバランスによって、基板Ｗの中心部付近から周
縁部にわたって現像速度をほぼ一定にすることができ
る。その結果、基板Ｗの中心部付近から周縁部にわたっ
て、パターン線幅をほぼ同一にすることができる。すな
わち、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る。
液Ｌは、基板Ｗの周縁部を流下する気流によって気化熱
を奪われて液温が低下することになるが、流下する気流
の風量が時間ｔE 以前よりも少なくなるように調節され
ているので、その温度低下は風量が少なく調節されてい
ない場合に比較して小さくなる。したがって、基板Ｗの
表面に盛られている現像液Ｌの温度は、基板Ｗの中心部
付近から周縁部に向けて次第に緩やかに低下する（温度
傾斜が緩やかになる）ことになる。その結果、現像速度
を、基板Ｗの中心部付近から周辺部に向けて次第に緩や
かに増大させることができる。上述したように、現像液
の活性度に起因する現像速度は、周縁部に向かって次第
に緩やかに低下しているので、現像液温に起因する現像
速度とのバランスによって、基板Ｗの中心部付近から周
縁部にわたって現像速度をほぼ一定にすることができ
る。その結果、基板Ｗの中心部付近から周縁部にわたっ
て、パターン線幅をほぼ同一にすることができる。すな
わち、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る。
【００３０】このような状態が時間ｔ3 まで保持され、
時間ｔE から時間ｔ3 の間（時間ＴD ）、基板Ｗが静止
した状態で現像処理が進行するようになっている。時間
ＴDが経過（時間ｔ3 ）すると、制御部２８はモータ２
７を介して揺動板２５を時計回りに揺動変位させ、マノ
メータ１２の検出圧力が一定値Ｐ１になるように制御す
る（図３を参照）。これによりカップ排気口１０を介し
て排気される気流の流量が元に戻され（排気流量が多く
され）、基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量が時間ｔ
E 以前の状態となるようにされる。
時間ｔE から時間ｔ3 の間（時間ＴD ）、基板Ｗが静止
した状態で現像処理が進行するようになっている。時間
ＴDが経過（時間ｔ3 ）すると、制御部２８はモータ２
７を介して揺動板２５を時計回りに揺動変位させ、マノ
メータ１２の検出圧力が一定値Ｐ１になるように制御す
る（図３を参照）。これによりカップ排気口１０を介し
て排気される気流の流量が元に戻され（排気流量が多く
され）、基板Ｗの周縁部を流下する気体の風量が時間ｔ
E 以前の状態となるようにされる。
【００３１】排気流量が元の状態に戻されるとともに、
制御部２８は回転モータ２を回転駆動して、時間ｔ4 の
時点で高い回転数Ｒ２（例えば、１，０００ｒｐｍ）に
達するように制御する。この高回転での駆動により基板
Ｗの表面全体に盛られていた現像液Ｌを基板Ｗの周囲に
飛散させて振り切るとともに、図示しない洗浄ノズルか
ら所定時間だけ純水を供給して現像の進行を停止させ、
さらに純水を振り切って基板Ｗを乾燥させる。このとき
振り切られた現像液Ｌや純水は霧状のミストとなって基
板Ｗの周囲に滞留するが、図３に示すように、上方から
取り込まれたダウンフローＤＦの流れに乗って、カップ
排気口１０を介して排気されるので、ミストが基板Ｗの
表面に付着してパターン不良を生じさせるといった不都
合は生じない。そして、時間ｔ5 において時間ｔ6 の時
点で回転が停止するように回転モータ２を制御する。こ
のような一連の処理によって基板Ｗに対して現像処理が
施される。
制御部２８は回転モータ２を回転駆動して、時間ｔ4 の
時点で高い回転数Ｒ２（例えば、１，０００ｒｐｍ）に
達するように制御する。この高回転での駆動により基板
Ｗの表面全体に盛られていた現像液Ｌを基板Ｗの周囲に
飛散させて振り切るとともに、図示しない洗浄ノズルか
ら所定時間だけ純水を供給して現像の進行を停止させ、
さらに純水を振り切って基板Ｗを乾燥させる。このとき
振り切られた現像液Ｌや純水は霧状のミストとなって基
板Ｗの周囲に滞留するが、図３に示すように、上方から
取り込まれたダウンフローＤＦの流れに乗って、カップ
排気口１０を介して排気されるので、ミストが基板Ｗの
表面に付着してパターン不良を生じさせるといった不都
合は生じない。そして、時間ｔ5 において時間ｔ6 の時
点で回転が停止するように回転モータ２を制御する。こ
のような一連の処理によって基板Ｗに対して現像処理が
施される。
【００３２】なお、制御部２８は、上述したようにマノ
メータ１２によって排気ボックス１１内の圧力を検出
し、この検出値に基づいてフィードバック制御により排
気流量を一定に保持するように構成されているので、例
えば、カップ排気口１０の内壁に現像液などが固着して
流路断面積が狭くなったとしても、排気流量を一定に調
節することができる。したがって、正確に排気流量を調
節することができるとともに、現像処理の面内均一性を
向上させたまま長期間にわたってそれを維持することが
できる。
メータ１２によって排気ボックス１１内の圧力を検出
し、この検出値に基づいてフィードバック制御により排
気流量を一定に保持するように構成されているので、例
えば、カップ排気口１０の内壁に現像液などが固着して
流路断面積が狭くなったとしても、排気流量を一定に調
節することができる。したがって、正確に排気流量を調
節することができるとともに、現像処理の面内均一性を
向上させたまま長期間にわたってそれを維持することが
できる。
【００３３】次に本実施例装置による効果を確認するた
めに、直径８インチの半導体ウエハ上に現像液を液盛り
した直後から、基板の中心部と周縁部にかけての各点に
おける現像液の温度を熱電対で経時的に測定した結果を
図５に示す。上記の各点は、中心部から２０ｍｍ、５０
ｍｍ、８０ｍｍの３点である。また、パターン線幅（目
標線幅）を０．８μｍで焼き付け露光して現像処理した
後のパターン線幅を中心部、中心部から２０ｍｍ、４０
ｍｍ、６０ｍｍ、８０ｍｍの各点で測定した結果を図６
に示す。また、比較のために従来装置による同様の現像
液の温度変化を図７に示し、パターン線幅を図８に示
す。
めに、直径８インチの半導体ウエハ上に現像液を液盛り
した直後から、基板の中心部と周縁部にかけての各点に
おける現像液の温度を熱電対で経時的に測定した結果を
図５に示す。上記の各点は、中心部から２０ｍｍ、５０
ｍｍ、８０ｍｍの３点である。また、パターン線幅（目
標線幅）を０．８μｍで焼き付け露光して現像処理した
後のパターン線幅を中心部、中心部から２０ｍｍ、４０
ｍｍ、６０ｍｍ、８０ｍｍの各点で測定した結果を図６
に示す。また、比較のために従来装置による同様の現像
液の温度変化を図７に示し、パターン線幅を図８に示
す。
【００３４】図５と図７との処理時間が６０秒の時点を
例に採って説明すると、中央部と中央部から８０ｍｍの
点における温度差は本実施例装置では約０．４℃となっ
ている一方、従来装置では約１．２℃となっており、本
実施例装置では中心部から周縁部にかけての温度傾斜が
緩やかになっていることがわかる。
例に採って説明すると、中央部と中央部から８０ｍｍの
点における温度差は本実施例装置では約０．４℃となっ
ている一方、従来装置では約１．２℃となっており、本
実施例装置では中心部から周縁部にかけての温度傾斜が
緩やかになっていることがわかる。
【００３５】図６と図８との平均線幅を比較すると、本
実施例装置では中心部と中心部から８０ｍｍとにわたっ
てほぼ均一で約０．８４μｍとなっているが、その一
方、従来装置では、中心部では約０．８３μｍであるが
周縁部では約０．８１μｍとなっており、中心部から周
縁部に向かって線幅が細くなっていることがわかる。こ
れは上述したように、現像液温が周縁部に向かって大き
く低下していることが原因である。なお、上記の本実施
例装置におけるパターン線幅は目標線幅（０．８μｍ）
からずれているが、これはフォトレジスト塗布処理、露
光条件、現像条件をつめることによって近づけることが
できる。
実施例装置では中心部と中心部から８０ｍｍとにわたっ
てほぼ均一で約０．８４μｍとなっているが、その一
方、従来装置では、中心部では約０．８３μｍであるが
周縁部では約０．８１μｍとなっており、中心部から周
縁部に向かって線幅が細くなっていることがわかる。こ
れは上述したように、現像液温が周縁部に向かって大き
く低下していることが原因である。なお、上記の本実施
例装置におけるパターン線幅は目標線幅（０．８μｍ）
からずれているが、これはフォトレジスト塗布処理、露
光条件、現像条件をつめることによって近づけることが
できる。
【００３６】この比較から明らかなように、本実施例装
置によると基板Ｗの中心部付近から周縁部にわたって、
パターン線幅をほぼ同一にすることができ、現像処理の
面内均一性を向上させることができる。
置によると基板Ｗの中心部付近から周縁部にわたって、
パターン線幅をほぼ同一にすることができ、現像処理の
面内均一性を向上させることができる。
【００３７】なお、上記の実施例装置においては、マノ
メータ１２を排気ボックス１１に配設したが、基板Ｗの
周縁部を流下する気体の風量に関連する圧力を検出でき
る位置であればどの箇所に配設してもよく、例えば、図
１におけるＡ点、またはＢ点のいずれか一方に配設する
ようにしてもよい。
メータ１２を排気ボックス１１に配設したが、基板Ｗの
周縁部を流下する気体の風量に関連する圧力を検出でき
る位置であればどの箇所に配設してもよく、例えば、図
１におけるＡ点、またはＢ点のいずれか一方に配設する
ようにしてもよい。
【００３８】また、上記の実施例装置では、検出手段と
して圧力を検出するマノメータ１２を採用したが、基板
の周縁部を流下する気体の風量に関連する物理量を検出
できるものであればこれに限定されるものではない。例
えば、マノメータ１２に代えて風速計を採用してもよ
く、この場合も上記と同様の位置に風速計を配設すれば
よい。
して圧力を検出するマノメータ１２を採用したが、基板
の周縁部を流下する気体の風量に関連する物理量を検出
できるものであればこれに限定されるものではない。例
えば、マノメータ１２に代えて風速計を採用してもよ
く、この場合も上記と同様の位置に風速計を配設すれば
よい。
【００３９】また、排気流量の調節を、箱体２１内の揺
動板２５を揺動変位させることによって行なったが、箱
体２１と排気ボックス１１とを連通接続している吸気口
２２ａ内に、その流路断面積を可変するような部材を進
退可能に構成するようにしてもよい。また、直接的に、
筒部材１３の上方開口を絞ることによって排気流量を調
節するようにしてもよい。
動板２５を揺動変位させることによって行なったが、箱
体２１と排気ボックス１１とを連通接続している吸気口
２２ａ内に、その流路断面積を可変するような部材を進
退可能に構成するようにしてもよい。また、直接的に、
筒部材１３の上方開口を絞ることによって排気流量を調
節するようにしてもよい。
【００４０】なお、排気流量を調節するのは、少なくと
も現像液を基板の表面に液盛りして現像している間であ
ればよく、例えば、図２のタイムチャートに二点鎖線で
示すように、基板Ｗの回転が停止される前（時間ｔE の
前）に排気流量を少なく調節するようにしてもよく、ま
た、基板Ｗの回転が高い回転数Ｒ２に向けて上昇されて
いるときまで排気流量を少なく調節するようにしてもよ
い。
も現像液を基板の表面に液盛りして現像している間であ
ればよく、例えば、図２のタイムチャートに二点鎖線で
示すように、基板Ｗの回転が停止される前（時間ｔE の
前）に排気流量を少なく調節するようにしてもよく、ま
た、基板Ｗの回転が高い回転数Ｒ２に向けて上昇されて
いるときまで排気流量を少なく調節するようにしてもよ
い。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、現像液の温度傾斜が周縁部に
向かって緩やかに低下するように基板周縁部を流下する
風量を調節することにより、現像液温に起因する現像速
度を周縁部に向かって次第に緩やかに増大させることが
できる一方、現像液の活性度に起因する現像速度は周縁
部に向かって次第に緩やかに低下しているので、これら
のバランスによって、基板の中心部付近から周縁部にわ
たって現像速度をほぼ一定にすることができる。その結
果、基板の面内におけるパターン線幅を均一にすること
ができ、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る。
１に記載の発明によれば、現像液の温度傾斜が周縁部に
向かって緩やかに低下するように基板周縁部を流下する
風量を調節することにより、現像液温に起因する現像速
度を周縁部に向かって次第に緩やかに増大させることが
できる一方、現像液の活性度に起因する現像速度は周縁
部に向かって次第に緩やかに低下しているので、これら
のバランスによって、基板の中心部付近から周縁部にわ
たって現像速度をほぼ一定にすることができる。その結
果、基板の面内におけるパターン線幅を均一にすること
ができ、現像処理の面内均一性を向上させることができ
る。
【００４２】また、請求項２に記載の発明によれば、請
求項１に記載の効果に加えて次のような効果を奏する。
すなわち、検出手段による検出値に基づいて排気流量を
フィードバックしつつ調節するので、より正確に排気流
量を調節することができ、さらに、排気構造に支障が生
じて排気流量に変動が生じたとしても一定に保持するこ
とができる。したがって、安定して排気流量を調節する
ことができ、現像処理の面内均一性を向上させたまま長
期間にわたってそれを維持することができる。
求項１に記載の効果に加えて次のような効果を奏する。
すなわち、検出手段による検出値に基づいて排気流量を
フィードバックしつつ調節するので、より正確に排気流
量を調節することができ、さらに、排気構造に支障が生
じて排気流量に変動が生じたとしても一定に保持するこ
とができる。したがって、安定して排気流量を調節する
ことができ、現像処理の面内均一性を向上させたまま長
期間にわたってそれを維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板現像装置の一実施例の構成を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図２】現像処理過程の一例を示すタイムチャートであ
る。
る。
【図３】排気流量を調節する前の様子を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図４】排気流量を少なく調節した状態の様子を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図５】実施例装置を用いた場合の現像液温の経時変化
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】実施例装置を用いた場合の平均線幅の分布を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】従来装置を用いた場合の現像液温の経時変化を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図８】従来装置を用いた場合の平均線幅の分布を示す
グラフである。
グラフである。
【図９】従来例に係る基板現像装置の概略構成を示す縦
断面図である。
断面図である。
１ … スピンチャック（基板保持手段） ２ … 回転モータ ４ … 飛散防止カップ １０ … カップ排気口（排気構造） １１ … 排気ボックス（排気構造） １２ … マノメータ（検出手段） １４ … 現像液吐出ノズル（現像液供給手段） ２０ … 排気調節部（制御手段） ２８ … 制御部（制御手段）
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段
と、前記基板上に現像液を吐出する現像液供給手段と、
前記基板保持手段の周囲を囲うように配設された飛散防
止カップと、を備えており、前記現像液供給手段を介し
て基板の表面に現像液を液盛りして現像する基板現像装
置において、 少なくとも前記基板の表面に現像液を液盛りして現像し
ている間、前記基板の周縁部を流下する気体の風量を調
節する風量調節手段を備えていることを特徴とする基板
現像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板現像装置におい
て、前記風量調節手段は、前記飛散防止カップ内に飛散
した現像液などのミストを含む気体を基板の上方から下
方に排気する排気構造と、前記基板の周縁部を流下する
気体の風量に関連する物理量を検出する検出手段と、少
なくとも前記基板の表面に現像液を液盛りして現像して
いる間、前記検出手段の検出値に基づいて、前記排気構
造の排気流量を調節する制御手段と、から構成されてい
ることを特徴とする基板現像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291963A JPH09106934A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 基板現像装置 |
| KR1019960043475A KR100221698B1 (ko) | 1995-10-12 | 1996-10-01 | 기판 현상방법 및 그 장치 |
| US08/725,846 US6000862A (en) | 1995-10-12 | 1996-10-04 | Substrate developing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291963A JPH09106934A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 基板現像装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005126797A Division JP4001207B2 (ja) | 2005-04-25 | 2005-04-25 | 基板現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106934A true JPH09106934A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17775736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7291963A Pending JPH09106934A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 基板現像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6000862A (ja) |
| JP (1) | JPH09106934A (ja) |
| KR (1) | KR100221698B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118790A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、基板処理装置及び現像方法 |
| JP2010045185A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 |
| CN109976106A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显影装置及显影方法 |
| JP2021086994A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3356676B2 (ja) * | 1998-02-04 | 2002-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及びその装置 |
| US6579371B1 (en) * | 2000-09-20 | 2003-06-17 | Lsi Logic Corporation | Exhaust flow control system |
| US7074726B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-07-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
| JP4439956B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-03-24 | ソニー株式会社 | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
| JP4426403B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置 |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| JP2006216822A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
| JP4557872B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-10-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| US20080006650A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for multi-chamber exhaust control |
| CN102989736B (zh) * | 2012-11-26 | 2015-03-18 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种排风装置 |
| US20210132637A1 (en) * | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems to monitor, control, and synchronize dispense systems |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5143552A (en) * | 1988-03-09 | 1992-09-01 | Tokyo Electron Limited | Coating equipment |
| JPH01234321A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Tokai Kogyo Kk | 親水性長石の製造法及び該長石の用途 |
| JPH01260823A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの現像装置 |
| JPH0213959A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト現像装置 |
| KR100284556B1 (ko) * | 1993-03-25 | 2001-04-02 | 다카시마 히로시 | 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치 |
-
1995
- 1995-10-12 JP JP7291963A patent/JPH09106934A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-01 KR KR1019960043475A patent/KR100221698B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-04 US US08/725,846 patent/US6000862A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118790A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、基板処理装置及び現像方法 |
| JP2010045185A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 |
| CN109976106A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显影装置及显影方法 |
| JP2021086994A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970023648A (ko) | 1997-05-30 |
| KR100221698B1 (ko) | 1999-09-15 |
| US6000862A (en) | 1999-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09106934A (ja) | 基板現像装置 | |
| US9847239B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US7553374B2 (en) | Coating treatment apparatus and coating treatment method | |
| US7922405B2 (en) | Developing apparatus and developing method | |
| JPH11354426A (ja) | 塗布膜形成装置及びその方法 | |
| JP2009277870A (ja) | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
| TWI494988B (zh) | 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理裝置 | |
| JPH11340119A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
| JP3704059B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
| JP2002151455A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| JP3652169B2 (ja) | 基板現像装置 | |
| JPH10340836A (ja) | 現像装置および現像方法 | |
| JP3398532B2 (ja) | 基板回転式現像装置 | |
| JP4001207B2 (ja) | 基板現像装置 | |
| JP3703281B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002100556A (ja) | 基板現像装置 | |
| JP3719843B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP7506985B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| JP2952626B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2004063795A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001102297A (ja) | 基板処理装置及びその方法 | |
| JPH1022191A (ja) | ウエハの薬液処理装置およびその方法 | |
| JP2000271524A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH0822952A (ja) | 基板回転式現像処理方法及びその装置 | |
| JP4723631B2 (ja) | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050315 |