JPH0213959A - レジスト現像装置 - Google Patents

レジスト現像装置

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JPH0213959A
JPH0213959A JP16561088A JP16561088A JPH0213959A JP H0213959 A JPH0213959 A JP H0213959A JP 16561088 A JP16561088 A JP 16561088A JP 16561088 A JP16561088 A JP 16561088A JP H0213959 A JPH0213959 A JP H0213959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
temperature
resist
developer
heating
Prior art date
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Pending
Application number
JP16561088A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Matsuda
修一 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16561088A priority Critical patent/JPH0213959A/ja
Publication of JPH0213959A publication Critical patent/JPH0213959A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] この発明はレジスト現像装置に関するものであり、特に
、11f現性良くかつ精度良(、微細パターンを現像す
ることができるように改良されたレジスト現像装置に関
するものである。 [従来の技術] 従来、電子線レジストの現像は、被現像試料を現像液(
主に1機溶剤)に浸漬するか、またはスプレー法で被現
象試料の表面に現像液を噴霧するかの、いずれかの方法
で行なわれている。 第2図は、後者の方法を採用した、従来のレジスト現像
装置の断面図である。 第2図を参照して、1は密閉空間を形成するチャンバで
ある。チャンバ1内には、基N4 (たとえば半導体拭
阪)を下から支持する治具3が設けられている。治具3
は、基板4を下から支持する支持面部3aと、該支持面
部3aを固定する固定部3bを含んでいる。支持面部3
aは、第3図にその甲面図か示されるように、十字形の
形状を有しており、その端部には、それぞれ上方に延び
る当たり止め部3Cが形成されている。基板4は、この
4つの当たり止め部3Cに挾まれるようにして、支持面
部3aに下から支持される。この当たり止め部3Cかあ
ることにより、固定部3bがその軸心を中心として回転
しても、基板4は支持面部3aに安定な状態で支持され
る。固定部3bは回転モータ5に接続されており、支持
面部3aが水平面内で回転できるように構成されている
。 チャンバ1には、取出口6が設けられており、この取出
口6より、基板4の出し入れが行なわれる。また、チャ
ンバ1の底部には、排気管18が設けられている。さら
に、チャンバ1は、上記支持面部3aの斜め上の位置に
設けられたノズル2を備えている。ノズル2には、現像
液タンク19内に蓄えられた現像液7が供給される。現
像液タンク19にはレギュレータ8が設けられている。 このレギュレータ8は、現像液タンク1つ内の現像液を
所定の窒素圧力により加圧することによって、ノズル2
から出る現像液7の噴霧圧力を調整するものである。 レジストとしてポジ型の電子線レジストたとえば東し製
のEBR−9を用いた場合には、現像液7には、メチル
イソブチルケトンとイソプロピルアルコール(9:1)
あるいはメチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコ
ール(8: 2)等の混合1機溶媒が好ましく使用され
る。 次に、この装置を用いて、レジストを現像する方法につ
いて説明する。 取出口6を開けて、マスクプレート竹の基板4を、当た
り止め部3Cに挾まれるように、支持面部3aの上に置
く。この括阪4上には、たとえば上述のレジストEBR
−9か形成されている。次に、回転モータ5を駆動し、
支持面部3aを水ヤ面内に回転させる。回転か一定にな
った後に、レギュレータ8により、窒素ガスをllcg
/cm2の圧力で現像液タンク1つ内に入れる。すると
、現像液7がllcg/am2の圧力てノズル2から、
基板4に向けて噴霧される。噴霧された現像液はレジス
トを溶かし、その後、遠心力により水平方向に飛ばされ
て、チャンバ1の内壁に当たり、排気管】8より排気さ
れ、排液留(図示せず)に送られる。これにより、現像
処理が完了する。その後、イソプロピルアルコールを、
リンス液として、別のノズル(図示せず)から噴霧する
。そして、基板4をスピン乾燥にて高速回転し、十分乾
燥させる。その後、基板4は取出口6より取出されて、
次の工程へと送られる。 [発明が解決しようとする課題] 従来のレジスト現像装置は以上のように構成されていた
ので、基板の温度変化、現像液の温度変化およびチャン
バ内の雰囲気の温度変化等があった場合には、それを補
正する手段がなかった。それゆえ、温度変化により現像
特性が変動し、微細パターンを、再現性良く、かつ精度
良く、現像することができないという問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、温度変化による現像特性の変動を防止するこ
とのできるレジスト現像装置を提1共することを目的と
する。 [課題を解決するための手段] この発明は、基板表面にレジストの現(象を行なう装置
であり、上記レジストか形成された上記基板を密閉空間
内に置き、上記基板に向けて現像液をスプレー状に噴霧
し、上記レジストの現(象を行なう装置に係るものであ
る。そして、上記問題点を解決するために、上記密閉空
間内に熱交換用ガスを導入するガス導入手段と、上記ガ
ス導入手段から導入されてくる上記熱交換用ガスを加熱
する加熱手段と、上記密閉空間内の雰囲気の温度を検知
する検知手段と、上記検知手段の情報に基づいて、上記
加熱手段の加熱強度を調整する加熱強度調整手段とを備
えている。それによって、上記現像液の噴霧液、上記基
板および上記密閉空間内の雰囲気を一定の温度に維持す
るようにされている。 [作用] 当該装置は上記のとおり構成されており、それによって
、上記現象液の噴霧液、上記基板および上記密閉空間内
の雰囲気を一定の温度に維持するようにされているので
、レジストの現像か一定の温度条件下で遂行される。 [実施例コ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。 第1図は、この発明の一実施例の概念図である。 第1図に示す実施例は、以下の点を除いて、第2図に示
す従来例と同様であり、相当する部分には同一の参照番
号を付し、その説明を省略する。以下に、F目違点を中
心に説明する。 第1図を参照して、チャンバ1は、孔あき板9により、
上方部1aと下方部1bの2つに区分されている。孔あ
き板9には、多数の貫通孔が設けられている。上方部1
aには、熱交換用ガスを該上方部1a内に導入する、ガ
ス導入管11が設けられている。ガス導入管11には、
フィルタ12が設けられている。このフィルタ12によ
り、ガス導入管11内を流れてくる熱交換用ガス中のご
みが除去される。また、ガス導入管11には、レギュレ
ータ13が設けられており、供給される熱交換用ガスの
瓜がこれにより調整される。熱交換用ガスには、たとえ
ば窒素ガスが用いられる。 上方部1aには、ヒータ10が設けられており、このヒ
ータ〕Oは温度コントロールシステム14に電気的接続
されている。チャンバ1の下方部1bには、チャンバ1
内の雰囲気の温度を検知する、7R度センサ15か設け
られている。 排気管18には、自動角度開閉ダンパ16が設けられて
いる。自動角度開閉ダンパ16は温度コントロールシス
テム14に電気的接続されている。 次に、現(象の動作について説明する。 チャンバ1内の温度を、室温と同じ温度にシ、ソ整して
おく。次に、取出口6を開けて、マスクプレー1・等の
基板4を、当たり止め部3cに挾まれるように支持面部
3aの上に置く。この基板4には、電子線で所定のパタ
ーンの露光がなされた、たとえばEBR−9レジストか
形成されている。次に、回転モータ5を駆動し、支持面
部3aを水平面内で低速回転させ、その回転を一定にす
る。それと同時に、ヒータ10の加熱を始める。そして
、チッ素ガスをガス導入管11より、チャンバ1内に導
入する。ヒータ10て加熱された窒素ガスは暖められて
、孔あき板9に設けられた貫通孔を通って、チャンバ1
の下方部1bt:l:流れ込む。次に、レギュレータ8
によって、N2ガスで1 k g / c
【■12 に
調整された圧力で、ノズル2より現像液7ヲ噴霧し、基
板4上のレジストを現像する。その際に、温度コントロ
ールシステム14が働き、チャンバ1内の雰囲気の温度
を温度センサ15で検知し、この温度センサ15の情報
に基づいて、ヒータ10の強度を調整するとともに、自
動角度開閉ダンパ16で排気の量を調整し、噴霧液、基
板および雰囲気の温度変化を少なくするようにする。 以上の動作により、現像が一定の条件下で遂行される。 これにより、微細パターンを、再現性良く、かつ精度良
く現像することができるようになる。 その後、イソプロピルアルコールを、リンス液として別
のノズル(図示せず)から噴霧し、一定時間後、スピン
乾燥させる。このとき、ヒータ1Oの加熱強度を大きく
して、窒素ガスの温風をチャンバ1の下Jj部〕bに送
り込むと、乾燥がより速くな・る。また、このとき自動
角度開閉ダンパ】6を全開にし、十分U1−気すること
により、さらに乾燥を速めることかできる。 なお、本実施例では、ヒータ10として、抵抗線を用い
てもよいし、セラミックヒータを用いてもよい。 また、上記実施例では基板に半導体基板を用いた場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限られるものでな
く、ガラス基板てあっても実施例と同様の効果を実現す
る。 また、試料の出し入れは手作業で行なってもよいし、自
動搬送によって行なってもよい。 以上、具体的な実施例を挙げて、この発明のレジスト現
像装置について説明したが、本発明は、その精神または
主要な特徴から逸脱することなく、池の色々な形で実施
することができる。それゆえ、前述の実施例はあらゆる
点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない
。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すもので
あって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特
許51″i求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、
すべて本発明の範囲内のものである。 [発明の効果] 本発明に係る装置は上述のとおり構成されており、それ
によって現像液の噴霧液、基板および密閉空間内の雰囲
気を一定の温度に維持するようにされている。それゆえ
、レジストの現(象か一定の温度条件下で遂行される。 その結果、微細パターンをM現性良くかつ精度良く現像
できるようになり、スループットが向上するという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概念図である。第2
図は従来のレジスト現像装置の断面図である。第3図は
レジスト現像装置で用いる治具の部分拡大図である。 図において、1はチャンバ、2はノズル、4は基板、7
は現像液、10はヒータ、11はガス導入管、14は温
度コントロールシステム、15は温度センサ、16は自
動角度開閉ダンパである。 なお、各図中、同一71号は同一または相当部分を示す

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板表面にレジストの現像を行なう装置であって、前記
    レジストが形成された前記基板を密閉空間内に置き、前
    記基板表面に向けて現像液をスプレー状に噴霧し、前記
    レジストの現像を行なう装置において、 前記密閉空間内に熱交換用ガスを導入するガス導入手段
    と、 前記ガス導入手段から導入されてくる前記熱交換用ガス
    を加熱する加熱手段と、 前記密閉空間内の雰囲気の温度を検知する検知手段と、 前記検知手段の情報に基づいて、前記加熱手段の加熱強
    度を調整する加熱強度調整手段と、を備え、 それによって、前記現像液の噴霧液、前記基板および前
    記密閉空間内の雰囲気を一定の温度に維持する、レジス
    ト現像装置。
JP16561088A 1988-06-30 1988-06-30 レジスト現像装置 Pending JPH0213959A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6000862A (en) * 1995-10-12 1999-12-14 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate developing method and apparatus
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KR100779236B1 (ko) * 2006-05-30 2007-11-23 세메스 주식회사 베이크 장치

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