WO2007004431A1 - 高精細パターンの形成方法及び装置 - Google Patents

高精細パターンの形成方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2007004431A1
WO2007004431A1 PCT/JP2006/312483 JP2006312483W WO2007004431A1 WO 2007004431 A1 WO2007004431 A1 WO 2007004431A1 JP 2006312483 W JP2006312483 W JP 2006312483W WO 2007004431 A1 WO2007004431 A1 WO 2007004431A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
nozzle
solution
pressure air
forming
pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/312483
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shinji Kanda
Original Assignee
Elfo-Tec Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elfo-Tec Co., Ltd. filed Critical Elfo-Tec Co., Ltd.
Priority to JP2007523416A priority Critical patent/JP5153332B2/ja
Publication of WO2007004431A1 publication Critical patent/WO2007004431A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/075—Global treatment of printed circuits by fluid spraying, e.g. cleaning a conductive pattern using nozzles

Definitions

  • a dissolvable part is dissolved in a working surface composed of a base material or a substrate that can be dissolved in a dissolving solution with a solution containing an image or an etching solution, and development or etching is performed.
  • the present invention relates to a method and an apparatus for forming a high-definition pattern.
  • the present invention also relates to a method for forming a high-definition pattern including etching by development on a photosensitive compound layer containing a photosensitive resin such as a paste or a photosensitive electrode material.
  • the present invention further relates to an electrode pattern of a printed circuit board or an electronic component.
  • etching using an etching solution such as etching of conductive films used for forming silicon films and etching of baked low-melting glass in the formation of ribs for flat panel displays such as plasma displays.
  • etching solution such as etching of conductive films used for forming silicon films and etching of baked low-melting glass in the formation of ribs for flat panel displays such as plasma displays.
  • the present invention relates to a developing method and apparatus for a base material, which is a processed surface comprising the photosensitive compound layer, and a method for etching a high-definition pattern of a substrate, which is a processed surface, and an apparatus used for the implementation thereof.
  • a photosensitive compound group that can be dissolved in a developer composed of a resin substrate mixed with a photosensitive resin can be dissolved in a developer or an etching solution.
  • a processed surface made of a material or a substrate surface that can be dissolved with an etching solution is masked by placing a pattern mask formed in a predetermined pattern on the photosensitive compound.
  • the dissolvable part is dissolved leaving the base material, which is the processed surface in which the exposed part is insoluble in the solution, and a predetermined pattern is formed on the base material.
  • a dissolvable part that is not covered with a resist pattern is dissolved with an etching solution and etched to form a predetermined pattern.
  • the high-definition pattern forming force includes etching which is a screen printing plate making.
  • a layer of a photosensitive compound containing a photosensitive resin is generally referred to as a “photosensitive compound layer” t ⁇ , and a photosensitive property as an object to be etched by development.
  • the resin base material mixed with the resin is called the “base material”, or the processed substrate such as the printed board as the etching target by etching is called the “substrate”, and the surface is called the “processed surface”.
  • the “pattern mask” forms a pattern on the base material during exposure.
  • the “resist pattern” is a “resist pattern mask” that forms a blast-resistant or etching-resistant pattern by masking the substrate. It is a pattern formed on. “Pattern” simply means a shape including a three-dimensional shape formed by etching on a base material or a substrate with a non-turn mask or a resist pattern mask by dissolution by development or etching (this specification). In the book, these etchings are also called development or etching, respectively).
  • a photosensitive resist pattern such as a photosensitive dry film used for etching a printed circuit board or a pattern cutting process by sandblasting, etc., and a partition formation using a photosensitive glass paste such as a plasma display or a photosensitive electrode paste
  • a pattern forming method of the photosensitive compound layer containing the photosensitive resin used for electrode formation, etc. as shown in Fig. 6, the force of laminating the photosensitive film 2 on the processed substrate as the processed surface ( (A))
  • a pattern mask 11 such as a glass mask or a film mask was placed on the composite containing the photosensitive resin, and exposed to ultraviolet rays (( B)), using the device illustrated in Fig.
  • the pattern was formed by washing out the pattern mask and the photosensitive compound in the dissolvable part of the unexposed part with the impact of the solution having a constant speed sprayed at this high pressure.
  • the nozzle nozzle is cut into a V-shape at the tip of a round nozzle and used in the conveying direction of the processing surface.
  • a plurality of nozzles spread in the orthogonal direction are used, and the developer, which is the solution, is pressurized by the pump 30 while the nozzle is swung in the direction orthogonal to the conveying direction of the processing surface.
  • This is a solution by utilizing the ejector phenomenon that occurs when high pressure air is sprayed from a nozzle, such as is sprayed at a high pressure or is used in general painting.
  • the developer was sucked from the tank 33, and a pattern was formed by washing out the photosensitive pattern mask and photosensitive compound in the unexposed area by spraying a mixed fluid of high-pressure air and solution.
  • the pump is pressurized and the nozzle force is injected only by the liquid pressurized by the pump.
  • the same high pressure air ejector phenomenon as the sandblasting suction type is used to suck in the liquid and inject it from the nozzle. Either method has been used.
  • etching solutions such as etching of conductive films used for forming electrode patterns of printed circuit boards and electronic parts and etching of baked low melting point glass in the formation of ribs of flat panel displays such as plasma displays, etc.
  • a resist pattern mask is formed on the substrate to be etched using a photosensitive dry film made of the photosensitive compound, etc., and after forming the resist pattern mask by printing such as screen printing.
  • the etching solution which is a solution pressurized by the pump 30, is sprayed at a high pressure from the injection nozzle 12, or a slit for injecting high-pressure air into the nozzle is provided, and the solution is injected from the slit.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 11 219654
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-230188
  • the photosensitive compound swells during development, the pattern gap becomes narrower, and fine patterns are not developed.
  • the nozzle nozzle of the conventional nozzle is a round nozzle, and the tip is cut into a V-shape so that the surface of the nozzle
  • pressurizing the image liquid with the pump 30 and spraying the solution 5 from the solution injection nozzle 12 at a high pressure the concentration of the image liquid and High energy, partial and weak parts, and it may be difficult to uniformly process a high-precision pattern, and because only the developer is injected even if the pump 30 pressure is increased, or
  • the developer or etching solution enters the pattern gap during development or etching, and the solution is injected into the back of the pattern.
  • a developing solution or etching solution having a speed sprayed from the nozzle becomes difficult to reach, and a phenomenon in which the developing or etching rate is lowered appears. And swelling photosensitive I ⁇ product developer permeates into the layer stripes, of good accuracy, there is a problem that can not be developed.
  • the entire processing surface is covered with the developer during development, and the time other than the portion where the developer is actually sprayed is in contact with the developer for a long time, and the developer is exposed to light during development.
  • the photosensitive compound penetrates into the chemical compound and swells, resulting in high accuracy and inability to develop the problem.
  • a slit for injecting high-pressure air is provided in the nozzle, and the solution is sucked from the tank 33 using the ejector phenomenon that occurs when the high-pressure air injected from the slit is injected from the nozzle.
  • the mixed fluid of high-pressure air and dissolved solution is injected, so that the dissolved solution tends to enter the gaps in the pattern.
  • the method of injecting only the liquid pressurized by the pump has a defect that the liquid is filled in the gaps of the pattern and the newly sprayed liquid is difficult to enter, and the ejector phenomenon is used.
  • nozzle injection it is necessary to widen the tip for blowing out the mixed fluid of air and liquid at the tip compared to the outlet for blowing out high-pressure air.
  • the air pressure diffuses and the mist that blows spreads out, so there is no pressure between the patterns. be used containing liquid always either for new mist is "to enter between the pattern method to be completely blow on the, thin in comparison with the later method of the present invention!, pattern formation Do not perform, .
  • the method for forming a high-definition pattern including development or etching according to the present invention is a method in which a pattern is formed on a substrate or a processed surface having a substrate force that can be dissolved in a dissolving solution.
  • the dissolved solution and high-pressure air are introduced into a nozzle, and the mixed portion of the high-pressure air and the dissolved solution is sprayed from the nozzle to dissolve the dissolvable part (Claim 1).
  • the solution can be pressurized by pressurizing the solution main tank after filling the solution in the solution main tank (claim 3).
  • the pressurized solution can be used as a mixed fluid of the solution and high-pressure air between the main solution tank and the nozzle, and the mixed fluid can be sprayed from the nozzle onto the processing surface.
  • the periphery of the nozzle is a negative pressure space, and the solution sprayed onto the photosensitive compound layer on the processed surface can be sucked and collected from the upper part of the nozzle injection port (Claim 5). .
  • the volume of the developer is volume%, which is 3% or less, preferably 1% or less of the volume of high-pressure air (claim 6).
  • the nozzle and Z or the negative pressure space can be swung in a direction orthogonal to the conveying direction of the machining surface against the machining surface (claim 7).
  • the base material in which the solution is composed of a developer, and the processed surface that can be dissolved in the solution is a photosensitive composite layer.
  • the pattern mask is placed on the photosensitive composite layer and exposed, the high-pressure air and developer mixed fluid is sprayed onto the photosensitive composite layer and partially exposed.
  • the base material is dissolved and developed in (8).
  • the solution is made of an etching solution, and the processing surface that can be dissolved in the solution is a substrate.
  • the substrate is partially dissolved and etched by spraying a mixed fluid of the high-pressure air and an etching solution (claim 9).
  • etching for example, a resist pattern that also forms the base material is placed on the substrate, and the substrate is partially dissolved by spraying a mixed fluid of the high-pressure air and an etching solution onto the substrate. And can be etched (claims 10 and 11).
  • a high-definition pattern forming apparatus 50 including a developing or etching apparatus includes a conveyor driving unit 21 that conveys a processing surface, a hopper 22 provided below the conveyor, and a jet chamber above the hopper 22. 60, and has a nozzle drive unit 20 that reciprocates the nozzle 9 in a direction orthogonal to the conveying direction of the conveyor 37.
  • the nozzle 9 disposed in the injection chamber 60 has a high-pressure air It communicates with a high-pressure air supply source (not shown) via a conduit 28, and communicates with a main tank 24 via a conduit 27 for solution, and the main tank 24 includes a pipe communicating with a high-pressure air supply source.
  • the tank 19 has a reserve tank 19 via a tank opening / closing valve 25.
  • the reserve tank 19 communicates with the lower portion of the hopper 22 through a cyclone conduit 29 for sucking the mixed fluid 4 of the solution 5 and high-pressure air. Piping the cyclone conduit 29 And, wherein the communicating with the blower one 26 (claim 12).
  • the nozzle 9 is a nozzle having a horizontally long slit
  • the high-pressure air 40 is preferably uniformly dispersed (claim 13).
  • a liquid recovery section 35 having a bottomless housing force having a liquid suction port 38 communicating with a collecting pipe (not shown) in which a cyclone conduit 29 communicating with the blower 26 is branched is provided around the nozzle 9. If the bottom opening edge of the housing is placed close to the processing surface, the mixed solution 4 of the dissolved liquid and high-pressure air is sucked onto the processed surface 1 and the sucked dissolved liquid is Can be recovered by the cyclone 23 (claim 14).
  • the liquid introducing portion 13 in the nozzle for introducing the dissolved solution into the nozzle 9 is provided with holes at a constant pitch in a straight line in the axial direction of the circumferential wall surface of the hollow cylinder closed at one end. If the other end communicates with the conduit 27, the solution can be uniformly dispersed. In this case, the amount of the solution to be ejected from the nozzle 9 can be adjusted by appropriately changing the opening area and shape of the hole of the liquid introduction part 13 (claim 16).
  • the pressurized solution can be sprayed onto the processing surface, and the sprayed solution can be sucked and collected from the main body hopper 22 through the cyclone conduit 29 to the auxiliary tank 19 by a negative pressure by the blower 26. (Claim 17).
  • the inside of the nozzle is pressurized with high-pressure air 40, and the mixed fluid 4 of high-pressure air and dissolved solution 4 is transferred from (slit) nozzle 9 to slit nozzle 9 through the slit-shaped injection port 14 in the conveying direction of the casing surface.
  • the mixed fluid 4 of the high-pressure air and solution that has been sprayed is sucked and collected by the negative pressure of the blower 26, so that it is uniformly dissolved on the work surface at a constant pressure.
  • a narrow pattern can be formed compared to the method of the present invention by using either the above-described method of injecting only the liquid pressurized by the pump or the nozzle injection using the ejector phenomenon.
  • I can't For example, in the case of a dry film for sandblasting, the conventional method had a limit of 50 micron pattern formation using a dry film with a film thickness of 50 microns.
  • mist can be put in narrow gaps for etching, it becomes possible to form patterns with higher definition than before.
  • FIG. 1 is a process diagram showing a processing process in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front view showing an outline of a developing device or an etching device in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an isometric view of a slit nozzle in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an isometric view of a slit nozzle and a developer or etchant recovery unit that collects while developing or etching a developer or etchant in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a slit nozzle and a developer or etchant recovery unit that recovers while jetting a developer or an etchant in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a process diagram showing a conventional process.
  • FIG. 7 is a front view of a conventional developing device.
  • Liquid recovery section (for developer or etching)
  • a method and apparatus for forming a high-definition pattern of the present invention here, a developing method and developing apparatus for a photosensitive compound layer, and a casing formed on the photosensitive compound layer on the processed surface by the developing means.
  • a method and apparatus for pattern etching a surface pattern will be described below with reference to the drawings. Both development and etching equipment have the same structural capabilities, and the etching process, which is the post-development process, is substantially the same as the development process.
  • a photosensitive dry film (photosensitive pattern mask) 2 is first laminated on a substrate, or a photosensitive compound layer is applied and dried ((A) in FIG. 1).
  • a pattern mask 11 such as a glass mask or a film mask is placed on the composite layer and exposed with ultraviolet rays (Fig. (B)).
  • development or etching is performed by injecting a mixed fluid 4 of high-pressure air and a solution consisting of a developer or an etchant from a slit-shaped injection port 14 at the tip of the nozzle 9 (Fig. 1 (C)).
  • FIG. 2 is an overall view of the developing or etching apparatus 50 of the present invention.
  • the main body of the developing or etching apparatus 50 includes a hopper 22 having a conveyor 37 that conveys a processing surface by a conveyor driving unit 21 above,
  • An injection chamber 60 is provided above the hopper 22 and has a nozzle drive unit 20 that reciprocates the nozzles 9 in the injection chamber 60 in a direction orthogonal to the conveying direction of the conveyor 37.
  • the nozzle 9 disposed in the injection chamber 60 communicates with a high-pressure air supply source (not shown) via a high-pressure air conduit 28, and is connected to a main tank 24 for dissolving liquid described later via a conduit 27. It is communicated to.
  • the main tank 24 has a spare tank 19 through a pipe communicating with a high-pressure air supply source (not shown) at the top and a tank opening / closing valve 25, and is provided above the spare tank 19.
  • a cyclone 23 communicating with the probe 26, the lysate 5 and the high-pressure gas are discharged from the lower part of the hopper 22.
  • the solution 5 separated in the cyclone 23 is collected in the main tank 24 through a cyclone conduit 29 for sucking the mixed fluid 4 of the first fluid. High-pressure air is sucked and discharged by the blower 26.
  • the nozzle 9 has a nozzle force in which the injection port of the nozzle 9 forms a horizontally long slit shape, and high-pressure air 40 whose pressure is adjusted by a pressure reducing valve or the like in the nozzle 9 is uniform.
  • the high-pressure air introduced into the pressurized nozzle 9 and adjusted in pressure by a pressure reducing valve (not shown) or the developer 5 pressurized by a pump is introduced into the nozzle via the conduit 27. Development is performed by jetting high-pressure air 40 and a mixed fluid 4 of the image liquid from a slit-shaped jet 14 at the tip of the nozzle 9.
  • the etching solution 5 is introduced into the nozzle 9 through the conduit 27 and sprayed to the resist pattern formed by the development step in the same manner.
  • the length b of the injection port is 5 times or more than the width a, preferably 10 or more, and the length c of the slit of the injection port 14 is preferably 5 or more times the a.
  • the cross-sectional shape of the slit nozzle injection port 14 can be any shape such as a symmetrical arc, rectangle, or triangle on both side edges, and the slit nozzle is swung in a direction orthogonal to the conveying direction of the processing surface.
  • the corner portion of the slit nozzle can be uniformly processed with respect to the center, such as a triangle that becomes narrower by force toward the side edge.
  • the liquid recovery section 35 including a bottomless housing having a liquid suction port 38 communicating with a recovery pipe (not shown) in which a cyclone conduit 29 communicating with the blower 26 is branched is provided. It is provided so as to surround and cover the periphery of the nozzle 9, and the bottom opening edge is arranged close to the cache surface.
  • a mixed solution 4 of developer or etching solution and high-pressure air was sucked onto the processing surface 1 while being sucked, and the sucked solution was collected by the cyclone 23.
  • the lower part of the liquid recovery unit 35 disposed around the slit nozzle 9 is provided.
  • a plurality of diffusion plates 34 are provided in parallel with the longitudinal direction of the slit nozzle 9.
  • the diffusing plate 34 is inclined at the same angle symmetrically around the nozzle injection port 14 in the longitudinal direction on both wall surfaces of the nozzle 9 of the casing of the liquid recovery section 35 through an appropriate interval.
  • the collection unit 35 is installed at the bottom opening of the casing except for the lower part of the nozzle injection port 14.
  • the mixed fluid 4 of high-pressure air and solution sprayed from the slit nozzle 9 onto the processing surface 1 is diffused and collected in the liquid recovery unit 35 for the developer or etching solution.
  • the negative pressure holding plate 36 is provided between the rollers below the opening of the bottom of the liquid recovery unit 35 via the carriage surface 1.
  • the negative pressure of the solution recovery unit 35 for the solution can be maintained.
  • the gap between the liquid recovery unit 35, the negative pressure holding plate 36 and the cache surface 1 is set to 10 mm or less here.
  • the liquid introduction part 13 in the nozzle for introducing the dissolved liquid into the nozzle 9 has a constant pitch linearly in the axial direction of the circumferential wall surface of the hollow cylindrical body with one end closed. Then, the hole is drilled, the solution is introduced from the other end, and the solution is introduced into the slit nozzle 9 from the hole on the side.
  • the dissolving liquid can be uniformly dispersed in the horizontally long slit nozzle.
  • the hole may be a rectangular slit shape.
  • the amount of the solution sprayed from the nozzle 9 can be adjusted by appropriately changing the opening area and the shape of the hole of the liquid introduction part 13.
  • the developer or the etching solution 5 is accommodated in the main tank 24 for the solution, and after the tank opening / closing valve 25 is closed, the main tank 24 is connected to a high-pressure air supply source (not shown) through a pipe. Then, by pressurizing with high-pressure air whose pressure is adjusted by a pressure reducing valve, etc., the dissolved liquid is introduced into the nozzle 9 from the liquid introduction part 13 of the nozzle 9 through the conduit 27, and is supplied from the injection port 14 of the nozzle 9 with high-pressure air 40 And jetted as a mixed fluid 4 of the solution 5.
  • the solution is atomized by high-pressure air, pressurized by the pressure of high-pressure air, and sprayed onto the work surface 1.
  • the pressure in the main tank 24 is set higher than the pressure in the slit nozzle 9, and the pressure in the slit nozzle 9 It is possible to adjust the amount of the solution to be injected by the difference between the pressure in the main tank 24 and the pressure in the main tank 24.
  • the main tank 24 for the solution is pressurized and the solution is introduced into the conduit 27.
  • the solution is pressurized using a pump, and the solution is supplied via the conduit 27. May be introduced into the nozzle 9.
  • pressurized solution and high-pressure air are not mixed in the slit nozzle 9, but instead of the solution conduit 27 provided between the main tank 24 for solution and the slit nozzle 9. Mixing in the middle, and the mixed fluid 4 of the solution and high-pressure air may be ejected from the slit nozzle 9.
  • the machining surface 1 is conveyed by driving the conveyor drive unit 21, and the slit nozzle 9 is swung in the direction orthogonal to the conveyance direction of the machining surface by the nozzle driving unit 20 and conveyed below the slit nozzle 9.
  • the mixed solution 4 of the solution 5 and high-pressure air is sprayed uniformly on the surface 1.
  • the solution sprayed from the slit nozzle 9 enters the cyclone 23 from the main body hopper 22 through the cyclone conduit 29 due to the negative pressure of the blower 26, and is collected by the cyclone 23 and enters the preparatory tank 19.
  • the tank opening / closing valve 25 is opened and the solution in the reserve tank 19 for dissolving solution is introduced from the tank opening / closing valve 25 into the main tank 24 for developer or etching solution.
  • the mixed fluid 4 of the high-pressure air and the lysate sprayed is sucked by the negative pressure of the blower 26 from the lysate liquid recovery unit 35 that surrounds the slit nozzle 9.
  • the sucked and sucked solution enters cyclone 23 via cyclone conduit 29, and is collected by cyclone 23 and enters the reserve tank 19 for solution.
  • the tank is opened and closed.
  • the valve 25 is opened, and the solution in the reserve tank 19 for solution is introduced from the tank open / close valve 25 into the main tank 24 for solution.
  • a tank opening / closing valve similar to the tank opening / closing valve 25 is provided above the primary tank 19 and the upper tank opening / closing valve and the lower tank opening / closing valve are alternately opened to increase pressure.
  • the liquid can be continuously supplied into the main tank 24.
  • the processed substrate 1 subjected to laminate exposure using the EDL-350 developer made by Elfotec Co., Ltd. is transported to the bottom of the slit nozzle 9 and the nozzle speed of the slit nozzle 9 in the direction perpendicular to the transport direction of the processing surface
  • High-pressure air was introduced into the main development tank 24 and slit nozzle 9 while swinging the width of 150 mm at 5 m / min, and development was performed by spraying a mixed fluid 4 of high-pressure air and developer from the nozzle.
  • the high pressure air pressure to the developing main tank was set to 0. IMPa, the high pressure air pressure to the slit nozzle was set to 0.2 MPa, and the 14 nozzle force of the slit nozzle was set to 30 mm.
  • the jetting time of the high-pressure air and developer was 2 minutes, and the developer was sprayed about 1 liter in 2 minutes.
  • the etching main tank is moved while the nozzle 9 is swung by a nozzle speed lm / min at a nozzle speed of lm / min in the direction perpendicular to the conveying direction of the processing surface on the substrate 1 patterned with a dry film.
  • High-pressure air was introduced into the nozzle 24 and the injection nozzle, and etching was performed by spraying salty ferric coating liquid from the nozzle.
  • the ferric chloride etchant has a composition of FeCl 3300g Fe (NO) 100g water 1000ml
  • the high pressure air pressure to the main etching tank 24 was set to 0. IMPa, the high pressure air pressure to the high pressure injection nozzle was set to 0.2 MPa, and the distance from the high pressure injection nozzle to the substrate was set to 30 mm. .
  • the injection time of the high-pressure air 40 and the etching solution 5 was 5 minutes, and about 3 liters of the etching solution were injected in 5 minutes.
  • the photosensitive dry film was peeled off and the hole size of the copper on the substrate 1 was measured. As a result, the hole diameter was 41 ⁇ m and almost no side edges were observed. .
  • a pattern can be formed by sandblasting instead of the etching process.
  • the processed substrate is taken out, the developer on the processed substrate is removed by air blow, the abrasive is sprayed from the nozzle using a sandblasting device,
  • Sandblasting was performed using ELP-3TR, a direct pressure sandblasting device that can handle fine powders manufactured by Elfotec.
  • pattern cutting was performed by sand blasting using an injection pressure of 0.12 MPa, a nozzle distance of 80 mm, and an abrasive of Green Carborundum # 1200 (manufactured by Shinano Denki).
  • the photosensitive dry film was peeled off using 3% monoethanolamine aqueous solution.
  • the photosensitive dry film was peeled off and the hole processing dimensions of the processed substrate were measured. As a result, the hole diameter was 38 ⁇ m and the depth was 12 m.
  • a 420-mesh stainless steel screen is placed on a 320 mm x 320 mm aluminum frame, and Murakami's photosensitive emulsion SP-3000ST is coated and dried to an emulsion thickness of 10 microns.
  • Exposure is carried out with an Elfotec exposure machine EEX-350H with a glass mask with a pattern changed by 10 microns from 20 microns to 50 microns with a light intensity of 2400mJ. Put 20 liters of water as developer 5 in developer tank 24, and set the temperature of the solution to 30 ° C.
  • the screen plate exposed using the EDL-350 developer made by Elfotec Co., Ltd. is transported to the bottom of the slit nozzle 9, and the nozzle speed of the slit nozzle 9 is 5 m / sec in the direction perpendicular to the transport direction of the processing surface.
  • High-pressure air was introduced into the main development tank 24 and slit nozzle 9 while swinging the width of 150 mm at min, and development was performed by spraying mixed fluid 4 of high-pressure air and developer from the nozzle o
  • the high pressure air pressure to the developer main tank is 0.3 MPa
  • the high pressure air pressure to the slit nozzle is also set to 0.3 MPa
  • the distance from the nozzle 14 of the slit nozzle to the screen plate is set to 5 mm. .
  • the jetting time of high-pressure air and developer was 60 seconds, and the developer was jetted about 1.2 liters in 60 seconds.
  • the present invention relates to a sandblast used in production of flat displays and electronic parts, and a photosensitive dry film used for etching conductive films used for forming electrode patterns on printed circuit boards and electronic parts.
  • a photosensitive compound layer containing a photosensitive resin such as a photosensitive pattern mask, a photosensitive glass paste, a photosensitive electrode and a color filter
  • a higher definition pattern can be formed.
  • pattern etching using an etchant such as etched low-melting-point glass for rib formation of flat panel displays such as plasma displays makes it possible to perform high-aspect pattern etching with less side edges. .

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面で可溶解部を現像又はエッチング液で成る溶解液で溶解して現像又はエッチングを行い，これら食刻による高精細パターンを形成する。現像又はエッチングを含む高精細パターンの形成方法は，溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面にパターンを形成する工程において，あらかじめ高圧にした溶解液及び高圧エアーをノズル内に導入し，前記ノズルより，前記高圧エアーと溶解液の混合流体を吹き付けて前記可溶解部を溶解する。

Description

明 細 書
高精細パターンの形成方法及び装置
技術分野
[0001] 本発明は，溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面で可溶解部を現 像又はエッチング液で成る溶解液で溶解して現像又はエッチングを行 ヽ，これら食 刻による高精細パターンを形成する方法及び装置に関する。
[0002] 詳しくは，プリント基板等の加工表面のエッチングやサンドブラストによるパターン切 削加工等に使用される感光性榭脂から成るレジストパターンマスク及びディスプレイ 等に使用される感光性化合物を含む感光性ガラスペーストや感光性電極材料等の 感光性榭脂を含んだ感光性化合物層に対する現像による食刻を含む高精細パター ンの形成方法に関し，また，本発明はさらに，プリント基板や電子部品の電極パター ン形成に使用される導電膜のエッチングやプラズマディスプレイ等のフラットパネル ディスプレイのリブ形成に於ける焼成した低融点ガラスのエッチング等の，エッチング 液を使用したパターンエッチングに於いて，サイドエッジが少なく高アスペクトのエツ チングが可能なエッチングによる高精細パターンの形成方法，並びにこれらに用いる 現像及びエッチングによる食刻を含む高精細パターンの形成装置に関する。
[0003] より詳しくは，前記感光性化合物層から成る加工表面たる基材の現像方法及びそ の装置，又，加工表面たる基板の高精細パターンのエッチング方法及びこれらの実 施に用いる装置に関するもので，現像及びエッチングは，共に，現像液又はエツチン グ液から成る溶解液に溶解可能な，それぞれ，感光性榭脂を混合した榭脂基材で成 る現像液で溶解可能な感光性化合物基材から成る加工表面を，又はエッチング液で 溶解可能な基板力 成る加工表面を，現像では，所定のパターンに形成されたバタ ーンマスクを前記感光性ィ匕合物上に載置しマスクして，紫外線照射による露光で，ネ ガタイプでは，露光部分が溶解液に不溶となった加工表面たる基材を残して可溶解 部を溶解し，前記基材に所定のパターンを形成し，又，エッチングでは，レジストバタ ーンで覆われていない可溶解部をエッチング液で溶解し，食刻して，所定のパター ンを形成するものである。
[0004] そして，前記高精細パターンの形成力スクリーン印刷の製版である食刻を含む。 [0005] なお，本明細書にぉ ヽて，感光性榭脂を含んだ感光性化合物の層を総称して「感 光性化合物層」 t ヽ，現像による食刻の加工対象としての感光性榭脂を混合した 榭脂基材を「基材」といい，又はエッチングによる食刻の加工対象としてのプリント基 板等の加工基板を「基板」といい，それらの表面を「加工表面」という。また， 「パター ンマスク」は，露光に際して，基材にパターンを形成するもので， 「レジストパターン」 は，基板をマスクして，耐ブラスト性又は耐ェツチング性のパターンを形成する「レジ ストパターンマスク」上に形成されるパターンである。単に， 「パターン」とは，現像ある いはエッチングによる溶解で，基材又は基板に対して，ノターンマスクあるいはレジ ストパターンマスクにより食刻形成される三次元形状を含む形状をいう（本明細書に おいては，これら食刻をそれぞれ，現像又はエッチングともいう）。
背景技術
[0006] 従来，プリント基板等のエッチングやサンドブラストによるパターン切削加工等に使 用される感光性ドライフィルム等の感光性レジストパターン及びプラズマディスプレイ 等の感光性ガラスペーストによる隔壁形成や感光性電極ペーストによる電極形成等 に用いる感光性榭脂を含んだ感光性ィ匕合物層のパターン形成方法としては，図 6〖こ 示すように加工表面となる加工基板上に感光性フィルム 2をラミネートする力 （同図 (A ) ) ,感光性化合物を塗布乾燥後，感光性榭脂を含んだィ匕合物上にガラスマスク又は フィルムマスク等のパターンマスク 11を置き，紫外線により露光した後（同図（B) ) ,図 7に例示する装置を使用して，ポンプ 30により溶解液である現像液 5を加圧して噴射 ノズル 12より溶解液 5を高圧で吹き付け（図 6 (C) ) ,この高圧で吹き付けられる一定 の速度を有する溶解液の衝撃で，例えば，未露光部分の可溶解部のパターンマスク 及び感光性ィ匕合物を洗い出すことによりパターン形成を行って 、た。
[0007] また，従来，上述のように，紫外線により露光した後，上記装置を使用して，ノズル の噴射口が丸形状のノズルの先端部を V字にカットし，加工表面の搬送方向に直交 方向に広がるようにしたノズルを複数本使用し，ノズルを加工表面の搬送方向に直交 方向に揺動しながらポンプ 30により溶解液である現像液を加圧して噴射ノズル 12よ り溶解液 5を高圧で吹き付けるか，もしくは一般の塗装で使用されているような，高圧 エアーをノズルより噴射したときに発生するェゼクタ一現象を利用して溶解液である 現像液をタンク 33より吸引し，高圧エアーと溶解液の混合流体を噴射することにより 未露光部分の感光性パターンマスク及び感光性ィ匕合物を洗い出すことによりパター ン形成を行っていた。
[0008] また，従来はポンプを加圧し，ノズル力もポンプで加圧された液のみを噴射するカ サンドブラストのサクシヨン式と同じ高圧エアーのェゼクタ一現象を利用して液を吸い 込みノズルカゝら噴射する方式のどちらかが使用されてきた。
[0009] また，従来から，プリント基板や電子部品の電極パターン形成に使用される導電膜 のエッチングやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイのリブ形成に於 ける焼成した低融点ガラスのエッチング等のエッチング液を使用したエッチング方法 ではエッチングされる基板上に前記感光性ィ匕合物から成る感光性ドライフィルム等を 使用してレジストパターンマスクを形成する力，スクリーン印刷等の印刷によりレジスト パターンマスクを形成後，前述現像と同様に，ポンプ 30により加圧した溶解液である エッチング液を噴射ノズル 12より高圧で吹き付けるか，もしくは，ノズル内に高圧エア 一を噴射するためのスリットを設け，スリットから噴射する高圧エアーにより発生するェ ゼクター現象による吸引力を利用してスリツト近くの溶解液を取り込みノズル先端部よ り溶解液であるエッチング液と高圧エアーの混合流体を噴射することによりエツチン グを行っていた。
[0010] 特許文献 1 :日本国特開平 11 219654号公報
特許文献 2 :日本国特開 2001— 230188号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 従来の溶解液のみを加工表面に吹き付ける方法では，パターンが細力べなると，現 像又はエッチング中にパターンマスク又はレジストパターンマスクの隙間に溶解液が 入り込み，噴射ノズルより吹き付けた速度を有する溶解液が所望のパターンの奥まで 到達しにくくなり，現像又はエッチングによる溶解速度が低下する現象が現れる。
[0012] 例えば，現像速度が低下すると，現像中に感光性ィ匕合物が膨潤してパターンの隙 間がより狭くなり，細か 、パターンが現像されな 、と 、う不具合が発生した。
[0013] また，従来のノズルの噴射口が丸形状のノズルに先端部を V字にカットしカ卩ェ表面 の搬送方向に直交方向に広がるようにしたノズルを複数本使用し，ポンプ 30により現 像液を加圧して溶解液噴射ノズル 12より溶解液 5を高圧で吹き付ける方法では，現 像液の濃度及びエネルギーが強 、部分と弱 、部分ができ，高精度のパターンを均 一に加工することは困難を伴うことがあり，またポンプ 30の圧力を高くしても現像液の み噴射するため，あるいは狭 ヽ幅を深くエッチングする超微細な 、し高精細なパター ンの現像又はエッチングを行った場合，現像又はエッチング中にパターンの隙間に 現像液又はエッチング液が入り込み，パターンの奥まで溶解液噴射ノズルより吹き付 けた速度を有する現像液又はエッチング液が到達しにくくなり，現像又はエッチング 速度が低下する現象が現れ，現像時間が長くなると感光性化合物層中に現像液が しみ込み感光性ィ匕合物が膨潤してしま 、精度の良 、現像ができない問題があった。
[0014] また，エッチング速度が低下すると，エッチング中に横へのエッチングが行われサイ ドエッヂが大きくなり，またエッチング時間が長くなることによりエッチング用のパター ンマスクのダメージが大きくなり深く高アスペクトなエッチングが困難になるという不具 合が発生した。
[0015] また，現像中に加工表面全面が現像液に覆われ，実際に現像液が噴霧されている 以外の部分も現像液に接触している時間が長くなり，現像中に現像液が感光性化合 物中にしみ込み感光性ィ匕合物が膨潤してしま 、，精度の良 、現像ができな 、問題が めつに。
[0016] ノズル内に高圧エアーを噴射するためのスリットを設け，スリットから噴射する高圧ェ ァーをノズルより噴射したときに発生するェゼクタ一現象を利用して溶解液をタンク 3 3より吸引し，高圧エアーと溶解液の混合流体を噴射する方式では，高圧エアーと溶 解液との混合流体を噴射するため，溶解液がパターンの隙間に入りやすくなるが，溶 解液を吸引回収するための吸引力を保持するためにはノズル内の高圧エアーの噴 射する部分に対し，実際に現像液が噴射する噴射口の幅を 2倍以上と広くする必要 があり，噴射したときにノズル内に供給した高圧エアーが拡散して，ポンプ 30により溶 解液を高圧で吹き付ける方法と比べ溶解液の噴射速度が遅くなり，ノズルカゝら噴射し てすぐ溶解液の噴射速度が低下し細力いパターンを現像又はエッチングして可溶解 部を溶解することが難し 、と 、う問題があった。 [0017] また高圧エアーとエッチング液の混合流体を使用するため，噴射したノズルの下で はエッチング液の残留は少ないが，ノズルから離れた部分で，エッチング液が残留し サイドエツヂが発生するという問題があった。
[0018] また，前記エッチング速度が低下すると，エッチング中に横へのエッチングが行わ れサイドエツヂが大きくなり，またエッチング時間が長くなることによりエッチング用の レジストパターンマスクのダメージが大きくなり，深く，高アスペクトなエッチングが困難 になるという不具合が発生した。
[0019] また，上述のように，ポンプにより加圧された液のみを噴射する方法では，パターン の隙間に液が充填され，新しく吹き付けられる液が入りにくい欠点があり，ェゼクタ一 現象を利用したノズル噴射では高圧エアーを吹き出す口に対し，先端のエアー及び 液の混合流体を吹き出す口を広くする必要があり，エアーの圧力が拡散してしまい 吹き付けるミストが広がり圧力が出ないためパターンの間に入った液を完全に吹き飛 ばして常に新しいミストがパターンの間に入りに《なるためどちらの方法を使用して も，後述本発明方法と比較して細!、パターン形成が行えな 、。
課題を解決するための手段
[0020] 本発明に係る現像又はエッチングを含む高精細パターンの形成方法は，溶解液に 溶解可能な基材又は基板力も成る加工表面にパターンを形成する工程において，あ らカゝじめ高圧にした溶解液及び高圧エアーをノズル内に導入し，前記ノズルより，前 記高圧エアーと溶解液の混合流体を吹き付けて前記可溶解部を溶解することを特徴 とする (請求項 1)。
[0021] また，前記ノズル内に高圧エアーを導入加圧し，該加圧したノズル内部に，前記加 圧された溶解液を導入し，前記ノズル先端部の噴射口より高圧エアーと溶解液の混 合流体を加工表面に吹き付け溶解することを特徴とする（請求項 2)。
[0022] さらに，前記溶解液は，該溶解液を溶解液主タンク内に充填後，該溶解液主タンク 内を加圧することにより加圧することができる（請求項 3)。
[0023] そして，前記加圧された溶解液を，前記溶解液主タンクと前記ノズル間において， 溶解液と高圧エアーの混合流体とし，該混合流体を前記ノズルより加工表面に吹き 付けることができる (請求項 4)。 [0024] なお，前記ノズルの周囲を負圧空間とし，前記加工表面の感光性化合物層に吹き 付けた溶解液を，前記ノズル噴射口上部カゝら吸引回収することができる (請求項 5)。
[0025] 前記現像液の容量が容量％で，高圧エアーの容量の 3%以下，好ましくは， 1%以 下である（請求項 6)。
[0026] 前記ノズル及び Z又は前記負圧空間を，前記加工表面に対畤して，前記加工表 面の搬送方向に直交方向に揺動することができる（請求項 7)。
[0027] さらに，現像による本発明高精細パターンの形成方法は，前記溶解液が現像液か ら成り，且つ，前記溶解液に溶解可能な加工表面が感光性ィ匕合物層である基材カゝら 成り，前記感光性ィヒ合物層にパターンマスクを載置し，露光した後，前記感光性ィ匕 合物層に対して前記高圧エアーと現像液の混合流体を吹き付けて部分的に前記基 材を溶解して現像することを特徴とする (請求項 8)。
[0028] また，エッチングによる本発明高精細パターンの形成方法は，前記溶解液がエッチ ング液カゝら成り，且つ，前記溶解液に溶解可能な加工表面が基板であり，該基板に 対して前記高圧エアーとエッチング液の混合流体を吹き付けて部分的に前記基板を 溶解してエッチングすることを特徴とする（請求項 9)。
[0029] エッチングにおいて，前記基板に，例えば，前記基材カも成るレジストパターンを載 置し，前記基板に対して前記高圧エアーとエッチング液の混合流体を吹き付けて部 分的に前記基板を溶解してエッチングすることができる（請求項 10, 11)。
[0030] 本発明に係る現像又はエッチング装置を含む高精細パターンの形成装置 50は， 加工表面を搬送するコンベア駆動部 21と，コンベア下方に設けたホッパー 22と，こ のホッパー 22上部に噴射室 60を備え，該噴射室 60内に，前記コンベア 37の搬送 方向と直交方向にノズル 9を往復移動するノズル駆動部 20を有し，前記噴射室 60内 に配置されるノズル 9は，高圧エアー導管 28を介して，図示せざる高圧空気供給源 に連通し，且つ溶解液用の導管 27を介して主タンク 24に連通し，該主タンク 24には ,高圧空気供給源に連通する配管と，タンク開閉弁 25を介して，予備タンク 19を有し ,該予備タンク 19は溶解液 5と高圧エアーの混合流体 4を吸引するサイクロン導管 2 9を介して前記ホッパー 22下部に連通すると共に，前記サイクロン導管 29を配管を 介して，ブロア一 26に連通することを特徴とする（請求項 12)。 [0031] 前記ノズル 9は，噴射口が横長スリット形状を成すノズルとすれば，高圧エアー 40 が均一に分散され好適である（請求項 13)。
[0032] また，前記ブロア一 26に連通するサイクロン導管 29を分岐配管した図示せざる回 収管に連通する液吸入口 38を有する無底筐体力も成る液回収部 35を前記ノズル 9 の周囲を囲繞，被覆するよう設け，前記筐体の底部開口縁を加工表面に近接して配 置すれば，加工表面 1に溶解液と高圧エアーの混合流体 4を吹き付けながら吸引し， 吸引した溶解液をサイクロン 23により回収することができる（請求項 14)。
[0033] また，液回収部 35の底部開口下方にカ卩ェ表面 1を介して，コンベア 37がローラコン ベアのときは，ローラ間に架設して負圧保持板 36を設けると好適である（請求項 15)
[0034] さらに，前記溶解液をノズル 9内に導入するノズル内の液導入部 13は，一端を閉塞 した中空筒体の円周壁面の軸線方向に直線状に一定ピッチで孔部を穿設し，他端 を導管 27と連通すれば，溶解液を均一に分散させることができる。また，この場合， 前記液導入部 13の孔部の開口面積及び形状を適宜変更することによりノズル 9から 噴射される溶解液の量を調整することができる（請求項 16)。
[0035] 加圧された溶解液を前記加工表面に吹き付け，該吹き付けた溶解液をブロア一 26 による負圧により本体ホッパー 22からサイクロン導管 29を介して予備タンク 19に吸引 回収することができる。（請求項 17)。
発明の効果
[0036] 高圧噴射ノズル 9より高圧エアーにより微粒子化した溶解液を吹き付けることにより ,感光性ィ匕合物の基材又は基板に付着した溶解液は高圧エアーにより除去されな がら，基材又は基板の加工表面を現像又はエッチングすることにより，現像又はエツ チング時の加工表面の膨潤が押さえられ，従来より微細なパターンの現像又はエツ チングが可能となった。
[0037] ノズル内を高圧エアー 40により加圧し，スリット形状の噴射口 14より高圧エアーと溶 解液の混合流体 4を (スリット）ノズル 9からスリットノズル 9をカ卩ェ表面の搬送方向に直 交方向に揺動させながら吹き付け，吹き付けた高圧エアーと溶解液の混合流体 4を ブロア一 26の負圧により吸引回収することにより，均一に一定圧力で加工表面に溶 解液を吹き付け，細力 、パターンの細部まで溶解液を高圧により吹き付けることが可 能になり，吹き付けた高圧エアーと溶解液の混合流体 4をブロア一 26の負圧により吸 引回収することにより，加工表面 1への溶解液の残留を減らし，感光性化合物層への 現像液のしみ込みが少なくなり，精度良く細力 、パターンの現像が可能となった。ま た，前記カ卩ェ表面へのエッチング液の残留を減らすことにより，サイドエツヂの少ない 高精度のエッチングが可能となった。
[0038] また，上述，ポンプにより加圧された液のみを噴射する方法，ェゼクタ一現象を利 用したノズル噴射のどちらの方法を使用しても，本発明方法と比較して細いパターン 形成が行えない。（例えばサンドブラスト用ドライフィルムの場合，従来方法では，膜 厚 50ミクロンのドライフィルムを使用して 50ミクロンのパターン形成が限界であつたの に対し，本発明方法によれば， 30ミクロンのパターン形成が可能となった。またエッチ ングに関しても細い隙間にミストを入れることができるため，従来より高精細のパター ン形成が可能となった。
図面の簡単な説明
[0039] [図 1]本発明の実施形態に於ける加工プロセスを示した工程図である。
[図 2]本発明の実施形態に於ける現像装置又はエッチング装置の概要を示した正面 図である。
[図 3]本発明の実施形態に於けるスリットノズルのアイソメ図である。
[図 4]本発明の実施形態に於ける現像液又はエッチング液を噴射しながら回収するよ うにしたスリットノズル及び現像液又はエッチング液回収部のアイソメ図である。
[図 5]本発明の実施形態に於ける現像液又はエッチング液を噴射しながら回収するよ うにしたスリットノズル及び現像液又はエッチング液回収部の断面図である。
[図 6]従来の工程を示す工程図である。
[図 7]従来の現像装置の正面図である。
符号の説明
[0040] 1 加工表面 (加工基板）
2 感光性ドライフィルム (感光性パターンマスク）
3 ノ ターン形成された感光性ドライフィルム 高圧エアー +溶解液 (現像液又はエッチング液) 溶解液 (現像液又はエッチング液）
(スリット）ノズル
ラミネートロール
ノ《ターンマスク
従来の（現像液又はエッチング)液噴射ノズル (現像液又はエッチング液の）導入部 噴射 Π
(現像液又はエッチング液の）予備タンク ノズル駆動部
コンベア駆動部
本体ホッパー
サイクロン
(現像液又はエッチング液の）主タンク タンク開閉弁
ブロア一
(現像液又はエッチング液の）導管
高圧エアー導管
サイクロン導管
(現像液又はエッチング液用の）ポンプ ノズル駆動用モーター
コンベア駆動用モーター
フイノレタータンク
拡散板
(現像液又はエッチングの)液回収部
負圧保持板
コンベアローラー
(現像液又はエッチングの）液吸入口 40 高圧エアー
41 ブロア一 26による負圧
42 噴射されたエアーの流れ
50 現像又はエッチング装置
60 噴射室
発明を実施するための最良の形態
[0041] 本発明の高精細パターンの形成方法と装置，ここでは，感光性化合物層の現像方 法及び現像装置並びに前記現像手段により前記加工表面の感光性化合物層に形 成されたカ卩ェ表面のパターンをパターンエッチングする方法及び装置にっ 、て，以 下に図を参照して説明する。現像及びエッチング装置の両者は，同様の構成力も成 り，現像後の工程となるエッチング工程は，現像工程と略同様の工程となる。
[0042] 図 1において，まず基板上に感光性ドライフィルム (感光性パターンマスク） 2をラミ ネートするか，感光性ィ匕合物層を塗布乾燥後（同図 (A)),感光性ィ匕合物層上にガラ スマスク又はフィルムマスク等のパターンマスク 11を置き，紫外線により露光する（同 図（B) )。ついで，ノズル 9先端のスリット形状の噴射口 14より高圧エアーと現像液又 はエッチング液で成る溶解液の混合流体 4を噴射させることにより現像又はエツチン グを行う（図 1 (C) )。
[0043] 図 2は，本発明の現像又はエッチング装置 50の全体図であり，現像又はエッチング 装置 50本体は，上方にコンベア駆動部 21により，加工表面を搬送するコンベア 37を 有するホッパー 22と，このホッパー 22上部に噴射室 60を備え，該噴射室 60内で， 前記コンベア 37の搬送方向と直交方向にノズル 9を往復移動するノズル駆動部 20を 有する。
[0044] 前記噴射室 60内に配置されるノズル 9は，高圧エアー導管 28を介して，図示せざ る高圧空気供給源に連通し，且つ導管 27を介して後述溶解液用の主タンク 24に連 通している。
[0045] 該主タンク 24には，上部に図示せざる高圧空気供給源に連通する配管と，タンク 開閉弁 25を介して，予備タンク 19を有し，前記予備タンク 19上方に設けられた，プロ ァー 26に連通するサイクロン 23により，前記ホッパー 22下部から溶解液 5と高圧ェ ァ一の混合流体 4を吸引するサイクロン導管 29を介して，前記サイクロン 23で分離さ れた溶解液 5を前記主タンク 24に回収する。高圧エアーは，ブロア一 26により吸引 排出される。
[0046] ノズル 9は，ここでは， 図 3に示すように，ノズル 9の噴射口が横長スリット形状を成す ノズル力 成り，該ノズル 9内に減圧弁等により圧力を調整した高圧エアー 40が均一 に分散されるように導入し，該加圧したノズル 9内部に図示せざる減圧弁等により圧 力を調整した高圧エアー又はポンプにより加圧された現像液 5を前記導管 27を介し てノズル内部に導入しノズル 9先端のスリット形状の噴射口 14より高圧エアー 40と現 像液の混合流体 4を噴射させることにより現像を行う。
[0047] エッチング工程においては，同様にして上記現像工程により形成されたレジストパ ターンに対して，エッチング液 5を前記導管 27を介してノズル 9内部に導入しエッチ ング液 5を噴射する。
[0048] スリットノズル 9の噴射口 14の形状を示すため，各部の寸法を同図において，符号 a 〜cで示す。
[0049] 噴射口の長さ b寸法が，幅 a寸法の 5倍以上で望ましくは 10倍以上とし，噴射口 14 のスリットの長さ c寸法は， a寸法の 5倍以上が望まし 、。
[0050] スリットノズル噴射口 14の断面形状は両側縁の形状を対称の円弧，矩形，三角形 など任意の形状とすることができ，スリットノズルを加工表面の搬送方向に直交方向 に揺動し加工表面を前後に連続的に移動させる場合には側縁端縁に向力つて狭小 となる三角形などスリットノズルのコーナー部が中心に対して狭い形状が均一に加工 でき好ましい。
[0051] 図 4において，例えば，前記ブロア一 26に連通するサイクロン導管 29を分岐配管し た図示せざる回収管に連通する液吸入口 38を有する無底筐体から成る液回収部 35 を前記ノズル 9の周囲を囲繞，被覆するよう設け，底部開口縁をカ卩ェ表面に近接して 配置している。これにより，加工表面 1に現像液又はエッチング液と高圧エアーの混 合流体 4を吹き付けながら吸引し，吸い込んだ溶解液をサイクロン 23により回収する よつにした。
[0052] なお，図 4及び図 5に示すようにスリットノズル 9を囲繞配置された液回収部 35の下 部にスリットノズル 9の長手方向に並行に，複数の拡散板 34を設ける。この拡散板 34 は，適宜間隔を介して，且つ，液回収部 35の筐体の前記ノズル 9の長手方向両壁面 方向にノズル噴射口 14を中心として対称にそれぞれ同一角度で傾斜して前記液回 収部 35の筐体の底部開口に前記ノズル噴射口 14下方を除き，架設されている。
[0053] スリットノズル 9より加工表面 1に吹き付けた高圧エアーと溶解液の混合流体 4が拡 散し現像液又はエッチング液用の液回収部 35内に捕集される。
[0054] また，液回収部 35の底部開口下方にカ卩ェ表面 1を介して，コンベア 37がローラコン ベアのときは，ローラ間に架設して負圧保持板 36を設ける。前記加工表面が溶解液 用の液回収部 35から一部外れたときに，溶解液用の液回収部 35の負圧を保持する ことができる。
[0055] すなわち，前記加工表面が溶解液用の液回収部 35から一部外れ,加工表面と開口 間に間隙が生じたときにも，溶解液用の液回収部 35の負圧を保持することができる。
[0056] 前記液回収部 35と負圧保持板 36及びカ卩ェ表面 1との間隙は，ここでは， 10mm以 内に設定されている。
[0057] また，溶解液をノズル 9内に導入するノズル内の液導入部 13は，図 3に示すように， 一端を閉塞した中空筒体の円周壁面の軸線方向に直線状に一定ピッチで孔部を穿 設し，他端から溶解液を導入し，側面の孔部からスリットノズル 9内に溶解液を導入す る。横長のスリットノズル内に溶解液を均一に分散させることができる。
[0058] なお，前記孔部は，方形のスリット形状とすることもできる。
[0059] 前記液導入部 13の孔部の開口面積及び形状を適宜変更することによりノズル 9か ら噴射される溶解液の量を調整することができる。
[0060] 溶解液用の主タンク 24内に現像液又はエッチング液 5を収容し，タンク開閉弁 25を 閉じた後，主タンク 24内を，図示せざる高圧空気供給源に連通する配管を介して， 減圧弁等により圧力を調整した高圧エアーにより加圧することにより，溶解液が導管 27を通りノズル 9の液導入部 13からノズル 9内に導入されノズル 9の噴射口 14より高 圧エアー 40と溶解液 5の混合流体 4として噴射される。高圧エアーにより溶解液が微 粒子化して高圧エアーの圧力により加圧され加工表面 1に吹き付けられる。
[0061] 主タンク 24内の圧力はスリットノズル 9内部の圧力より高く設定し，スリットノズル 9内 の圧力と主タンク 24内の圧力差により噴射する溶解液の量を調整することが可能と なる。
[0062] 高圧エアーを使用し，溶解液用の主タンク 24を加圧して溶解液を導管 27に導入す る他，ポンプを使用して溶解液を加圧し，この溶解液を導管 27を介してノズル 9に導 入しても良い。
[0063] なお，加圧した溶解液と高圧エアーをスリットノズル 9内で混合させるのでは無く，溶 解液用の主タンク 24とスリットノズル 9の間に設けられた溶解液用の導管 27の途中で 混合させ，スリットノズル 9より溶解液と高圧エアーの混合流体 4を噴射させても良 、。
[0064] 加工表面 1はコンベア駆動部 21の駆動により搬送され，スリットノズル 9はノズル駆 動部 20により加工表面の前記搬送方向に直交方向に揺動し，スリットノズル 9下方を 搬送される加工表面 1に均一に溶解液 5と高圧エアーの混合流体 4が吹き付けられ る。
[0065] スリットノズル 9から噴射された溶解液はブロア一 26の負圧により本体ホッパー 22か らサイクロン導管 29を経て，サイクロン 23に入り，サイクロン 23により捕集され予備タ ンク 19に入り，ノズル 9からの噴射が停止しているときにタンク開閉弁 25を開き溶解 液用の予備タンク 19内の溶解液をタンク開閉弁 25から現像液又はエッチング液用 の主タンク 24内に導入する。
[0066] 図 4及び図 5に示すように吹き付けられた高圧エアーと溶解液の混合流体 4はスリツ トノズル 9を囲うようにした溶解液用の液回収部 35からブロア一 26の負圧により吸い 込まれ，吸い込まれた溶解液はサイクロン導管 29を経てサイクロン 23に入り，サイク ロン 23により捕集され溶解液用の予備タンク 19に入り，ノズル 9からの噴射が停止し ているときにタンク開閉弁 25を開き，溶解液用の予備タンク 19内の溶解液をタンク開 閉弁 25から溶解液用の主タンク 24内に導入する。
[0067] 尚，タンク開閉弁を 2ケ設けて交互に開くことにより溶解液用の主タンク 24内を加圧 状態で溶解液用の予備タンク 19内の溶解液を導入しても良 、。
[0068] すなわち，図示は省略するが，一次タンク 19上方にタンク開閉弁 25と同様のタンク 開閉弁を設け，上のタンク開閉弁と下のタンク開閉弁を交互に開くことにより加圧して いる主タンク 24内に連続して液を供給させることができる。 実施例
[0069] 現像工程
以下に前述した本発明の現像工程の実施例について具体的に説明する。
[0070] 加工基板として 80mm X 100mmで厚み 5mmのステンレス板に膜厚 50 μ mの東京応 化工業 (株)製のサンドブラスト用ドライフィルム BF45Zを (株)エルフォテック製ラミネ ータ ELM - 350を使用して，ラミネータ温度 80°Cによりラミネートした。
[0071] なお，加工基板及びドライフィルムとしては， 300mm X 400mmのエポキシガラスプ レート上に銅を貼り付けたプリント基板用の板に二チゴー 'モートン製の感光性ドライ フィルム ALPHOをもち!/、ることができる。
[0072] 孔部径 40 μ mが 80 μ mピッチで並んだパターンマスクをラミネートしたドライフィル ム上に乗せて， （株)エルフォテック製露光機 EEX— 300Hを使用して露光量 200mJ により露光を行う。
[0073] 現像主タンク 24内に現像液 5として 0. 3%の炭酸ナトリウム水溶液を 20リットル入れ ,現像液の温度を 30°Cに設定する。
[0074] (株)エルフォテック製現像機 EDL— 350を使用してラミネート露光した加工基板 1 をスリットノズル 9の下まで搬送させ，スリットノズル 9を加工表面の搬送方向に直交方 向にノズル速度 5m/minで 150mm幅を揺動しながら，現像主タンク 24とスリットノズル 9に高圧エアーを導入し，ノズルより高圧エアーと現像液の混合流体 4を吹き付けて 現像を行った。
[0075] 現像主タンクへの高圧エアー圧力は 0. IMPaで，スリットノズルへの高圧エアー圧 は 0. 2MPaに設定し，スリットノズルの噴射口 14力も基板までの距離は 30mmに設定 した。
[0076] このときのスリットノズル 9内部の圧力は， 0. 09MPaであった。
[0077] 高圧エアー及び現像液の噴射時間は 2分間行 ヽ，現像液が 2分で約 1リットル噴射 された。
[0078] エッチング工程
次に，本発明のエッチング方法の実施例について具体的に説明する。
[0079] エッチング主タンク 24内にエッチング液として塩ィ匕第二鉄エッチング液を 20リットル 入れ，エッチング液の温度を 40°Cに設定する。
[0080] 前述の現像工程で，ドライフィルムによりパターン形成したカ卩ェ基板 1にノズル 9を 加工表面の搬送方向に直交方向にノズル速度 lm/minで 150mm幅を揺動しながら， エッチング主タンク 24と噴射ノズルに高圧エアーを導入し，ノズルより塩ィ匕第二鉄工 ツチング液を吹き付けてエッチングを行った。
[0081] 塩化第二鉄エッチング液は FeCl 3300g Fe(NO ) 100g 水 1000mlの組成のもの
3 3
を使用した。
[0082] エッチング主タンク 24への高圧エアー圧は 0. IMPaで高圧噴射ノズルへの高圧ェ ァー圧は 0. 2MPaに設定し，高圧噴射ノズルカゝら基板までの距離は 30mmに設定し た。
[0083] このときのスリットノズル 9内部の圧力は 0. 09MPaであった。
[0084] 高圧エアー 40及びエッチング液 5の噴射時間は 5分間行 、，エッチング液が 5分で 約 3リットル噴射された。
[0085] エッチングカ卩ェ後に感光性ドライフィルムを剥離してカ卩ェ基板 1上の銅の孔部加工 寸法を測定したところ孔部径 41 μ m加工され，サイドエツヂがほとんど見受けられな かった。
[0086] なお，本発明に係る現像工程後，エッチング工程に替え，サンドブラストカ卩ェによる ノ ターン形成を行うことが出来る。
[0087] すなわち，上記現像工程後，加工基板を取り出し，加工基板上の現像液をェアブ ローにより除去後，サンドブラスト装置を使用して，ノズルから研磨材を吹き付け， （株
)エルフォテック製の微粉対応の直圧式サンドブラスト装置 ELP— 3TRによりサンド ブラスト加工を行った。
[0088] 加工条件としては噴射圧 0. 12MPaでノズル距離 80mmで研磨材はグリーンカーボ ランダム # 1200 (信濃電気精鍊製)を使用してサンドブラスト加工によりパターン切 削加工を行った。
[0089] 感光性ドライフィルムの剥離はモノエタノールァミン水溶液 3%を使用し感光性ドラ ィフィルムの剥離を行った。
[0090] サンドブラスト加工前のドライフィルムの孔部径を測定したところ，ドライフィルムの上 部で φ 40 m,ドライフィルム下部で φ 34 μ mとなって!/、た。
[0091] サンドブラスト加工後に感光性ドライフィルムを剥離して加工基板の孔部加工寸法 を測定したところ孔部径 38 μ m,深さ 12 mでカ卩ェされていた。
[0092] スクリーン製版工程
本発明によるスクリーン製版工程
以下に前述した本発明の現像工程の実施例としてスクリーン印刷のスクリーン製版 の現像について具体的に説明する。
[0093] 320ミリ X 320ミリのアルミ枠に 420メッシュのステンレス製スクリーンを張りムラカミ 製の感光性乳剤 SP— 3000STを乳剤厚が 10ミクロンになるように塗布乾燥する。
[0094] 光量 2400mJにてライン幅 20ミクロンから 50ミクロンまで 10ミクロンずつ変化させた パターンのガラスマスクをのせてエルフォテック製露光機 EEX—350Hにて露光を行 う。現像主タンク 24内に現像液 5として水を 20リットル入れ，液の温度を 30°Cに設定 する。
[0095] (株)エルフォテック製現像機 EDL— 350を使用して露光したスクリーン版をスリット ノズル 9の下まで搬送させ，スリットノズル 9を加工表面の搬送方向に直交方向にノズ ル速度 5m/minで 150mm幅を揺動しながら，現像主タンク 24とスリットノズル 9に高圧 エアーを導入し，ノズルより高圧エアーと現像液の混合流体 4を吹き付けて現像を行 つた o
[0096] 現像主タンクへの高圧エアー圧力は 0. 3MPaでスリットノズルへの高圧エアー圧も 0 . 3MPaに設定し，スリットノズルの噴射口 14からスクリーン版までの距離は 5mmに設 し 7こ。
[0097] このときのスリットノズル 9内部の圧力は， 0. 23MPaであった。
[0098] 高圧エアー及び現像液の噴射時間は 60秒間行い，現像液が 60秒で約 1. 2リット ル噴射された。
[0099] 一般のスプレー式現像を行った場合は 30ミクロンのパターンがやっと抜けており， 一部乳剤の残りが見受けられたが，この加工例では 20ミクロンのパターンが完全に 抜けており，高精細パターンのスクリーン製版が可能となった。
産業上の利用可能性 [0100] 本発明は，平面ディスプレイや電子部品等の生産時に使用されるサンドブラスト及 びプリント基板や電子部品の電極パターン形成に使用される導電膜のエッチング等 に使用される感光性ドライフィルム等の感光性パターンマスク及び感光性ガラスペ一 スト及び感光性電極及びカラーフィルタ一等の感光性榭脂を含んだ感光性ィ匕合物 層のパターン形成において，より高精細なパターン形成を可能とする。また，プラズマ ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイのリブ形成に於ける焼成した低融点ガラ スのエッチング等のエッチング液を使用したパターンエッチングにお 、て，サイドエツ ヂが少なく高アスペクトのパターンエッチングを可能とする。
[0101] また，本発明現像工程により，スクリーン製版が可能である。

Claims

請求の範囲
[1] 溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面にパターンを形成する工程 において，
あらカゝじめ高圧にした溶解液及び高圧エアーをノズル内に導入し，前記ノズルより， 前記高圧エアーと溶解液の混合流体を吹き付けて前記可溶解部を溶解することを特 徴とする高精細パターンの形成方法。
[2] 前記ノズル内に高圧エアーを導入加圧し，該加圧したノズル内部に，前記加圧され た溶解液を導入し，前記ノズル先端部の噴射口より高圧エアーと溶解液の混合流体 を加工表面に吹き付け溶解することを特徴とする請求項 1記載の高精細パターンの 形成方法。
[3] 前記溶解液は，該溶解液を溶解液主タンク内に充填後，該溶解液主タンク内をカロ 圧することにより加圧されてなることを特徴とする請求項 1又は 2記載の高精細パター ンの形成方法。
[4] 前記加圧された溶解液を，前記溶解液主タンクと前記ノズル間にお 、て，溶解液と 高圧エアーの混合流体とし，該混合流体を前記ノズルより加工表面に吹き付けること を特徴とする請求項 1〜3いずれか 1項記載の高精細パターンの形成方法。
[5] 前記ノズルの周囲を負圧空間とし，前記加工表面の感光性化合物層に吹き付けた 溶解液を，前記ノズル噴射口上部から吸引回収することを特徴とする請求項 1〜4 ヽ ずれ力 1項記載の高精細パターンの形成方法。
[6] 前記溶解液の容量が高圧エアーの容量の 3%以下，好ましくは， 1%以下の混合 流体をスリットノズルより吹き付けることを特徴とする請求項 1〜5いずれ力 1項記載の 高精細パターンの形成方法。
[7] 前記ノズル及び Z又は前記負圧空間を，前記加工表面に対畤して，前記加工表 面の搬送方向に直交方向に揺動することを特徴とする請求項 1〜6いずれか 1項記 載の高精細パターンの形成方法。
[8] 前記溶解液が現像液から成り，且つ，前記溶解液に溶解可能な加工表面が感光 性化合物層である基材から成り，前記感光性ィヒ合物層にパターンマスクを載置し， 露光した後，前記感光性化合物層に対して前記高圧エアーと現像液の混合流体を 吹き付けて部分的に前記基材を溶解して現像することを特徴とする請求項 1〜7いず れか 1項記載の高精細パターンの形成方法。
[9] 前記溶解液がエッチング液から成り，且つ，前記溶解液に溶解可能な加工表面が 基板であり，該基板に対して前記高圧エアーとエッチング液の混合流体を吹き付け て部分的に前記基板を溶解してエッチングすることを特徴とする請求項 1〜7いずれ 力 1項記載の高精細パターンの形成方法。
[10] 前記基板にレジストパターンを載置し，前記基板に対して前記高圧エアーとエッチ ング液の混合流体を吹き付けて部分的に前記基板を溶解してエッチングすることを 特徴とする請求項 9記載の高精細パターンの形成方法。
[11] 請求項 10記載のレジストパターンが請求項 8記載の基材カも成ることを特徴とする 高精細パターンの形成方法。
[12] 請求項 1〜： L 1いずれか 1項記載の高精細パターンの形成方法に使用される装置 において，加工表面を搬送するコンベア駆動部と，コンベア下方に設けたホッパーと ,このホッパー上部に噴射室を備え，該噴射室内に，前記コンベアの搬送方向と直 交方向にノズルを往復移動するノズル駆動部を有し，前記噴射室内に配置されるノ ズルは，高圧エアー導管を介して，図示せざる高圧空気供給源に連通し，且つ溶解 用の導管を介して主タンクに連通し，該主タンクには，高圧空気供給源に連通する 配管と，タンク開閉弁を介して，予備タンクを有し，該予備タンクは溶解液と高圧エア 一の混合流体を吸弓 Iするサイクロン導管を介して前記ホッパー下部に連通すると共 に，前記サイクロン導管を配管を介して，ブロア一に連通することを特徴とする高精細 パターンの形成装置。
[13] 前記ノズルは，噴射口が横長スリット形状を成す請求項 12記載の高精細パターン の形成装置。
[14] 前記ブロア一に連通するサイクロン導管を分岐配管した回収管に連通する液吸入 口を有する無底筐体力 成る液回収部を前記ノズルの周囲を囲繞，被覆するよう設 け，前記筐体の底部開口縁を加工表面に近接して配置することを特徴とする請求項 12又は 13記載の高精細パターンの形成装置。
[15] 液回収部の底部開口下方に加工表面を介して，ローラコンベアのローラ間に負圧 保持板を架設したことを特徴とする請求項 12〜14いずれか 1項記載の高精細バタ ーンの形成装置。
[16] 溶解液をノズル内に導入するノズル内の液導入部は，一端を閉塞した中空筒体の 円周壁面の軸線方向に直線状に複数の孔部を穿設し，他端を導管と連通したことを 特徴とする請求項 12〜15いずれか 1項記載の高精細パターンの形成装置。
[17] 加圧された溶解液を前記加工表面に吹き付け，該吹き付けた溶解液をブロア一に よる負圧により本体ホッパー力もサイクロン導管を介して予備タンクに吸引回収するこ とを特徴とする請求項 12〜16いずれか 1項記載の高精細パターンの形成装置。
PCT/JP2006/312483 2005-07-04 2006-06-22 高精細パターンの形成方法及び装置 WO2007004431A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007523416A JP5153332B2 (ja) 2005-07-04 2006-06-22 高精細パターンの形成方法及び装置

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-194609 2005-07-04
JP2005194609 2005-07-04
JP2005247036 2005-08-29
JP2005-247036 2005-08-29
JP2005254271 2005-09-02
JP2005-254271 2005-09-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007004431A1 true WO2007004431A1 (ja) 2007-01-11

Family

ID=37604301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/312483 WO2007004431A1 (ja) 2005-07-04 2006-06-22 高精細パターンの形成方法及び装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5153332B2 (ja)
WO (1) WO2007004431A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007053008A1 (de) 2007-11-05 2009-05-14 Repetzki, Sebastian, Dr.-Ing. Zielkörper und Verfahren zur Bestimmung seiner räumlichen Lage
JP2009145613A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The フォトレジストフィルム、感光性樹脂組成物層およびレジストパターンの形成方法
KR101309959B1 (ko) * 2012-02-21 2013-09-17 건국대학교 산학협력단 투명전극 제작 시스템 및 투명전극 제작방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022086568A (ja) 2020-11-30 2022-06-09 新東工業株式会社 ノズル、現像装置及び被処理体の加工方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62151583A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Hirai Seimitsu Kogyo Kk スプレ−エツチング方法
JPS6310157A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Dainippon Printing Co Ltd 感光性樹脂層の形成法
JPH0213959A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Mitsubishi Electric Corp レジスト現像装置
JPH05160546A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Mitsubishi Materials Corp 微細回路のエッチング方法
JPH0913192A (ja) * 1995-06-27 1997-01-14 Makoo Kk ノズル体
JPH11352699A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Fujifilm Olin Co Ltd 隔壁形成方法
JP2000047391A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Asahi Sunac Corp 現像方法及びエッチング方法
JP2000328266A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Seiko Epson Corp エッチング方法、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置
JP2001155990A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体供給装置及びそれを用いた基板処理装置
JP2002016031A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理方法
JP2002139848A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sinto Brator Co Ltd ブラスト加工用マスキングパターンの形成方法
JP2003145064A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd ２流体ジェットノズル及び基板洗浄装置
JP2004053923A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Hirama Rika Kenkyusho:Kk レジスト剥離装置
JP2004237282A (ja) * 2003-01-16 2004-08-26 Kyoritsu Gokin Co Ltd 二流体ノズル
JP2004281787A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd エッチング装置
JP2005079569A (ja) * 2003-09-04 2005-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1211710C (zh) * 2000-10-13 2005-07-20 旭化成化学株式会社 感光树脂凸版印刷板的显影方法和装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62151583A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Hirai Seimitsu Kogyo Kk スプレ−エツチング方法
JPS6310157A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Dainippon Printing Co Ltd 感光性樹脂層の形成法
JPH0213959A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Mitsubishi Electric Corp レジスト現像装置
JPH05160546A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Mitsubishi Materials Corp 微細回路のエッチング方法
JPH0913192A (ja) * 1995-06-27 1997-01-14 Makoo Kk ノズル体
JPH11352699A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Fujifilm Olin Co Ltd 隔壁形成方法
JP2000047391A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Asahi Sunac Corp 現像方法及びエッチング方法
JP2000328266A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Seiko Epson Corp エッチング方法、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置
JP2001155990A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体供給装置及びそれを用いた基板処理装置
JP2002016031A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理方法
JP2002139848A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sinto Brator Co Ltd ブラスト加工用マスキングパターンの形成方法
JP2003145064A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd ２流体ジェットノズル及び基板洗浄装置
JP2004053923A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Hirama Rika Kenkyusho:Kk レジスト剥離装置
JP2004237282A (ja) * 2003-01-16 2004-08-26 Kyoritsu Gokin Co Ltd 二流体ノズル
JP2004281787A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd エッチング装置
JP2005079569A (ja) * 2003-09-04 2005-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007053008A1 (de) 2007-11-05 2009-05-14 Repetzki, Sebastian, Dr.-Ing. Zielkörper und Verfahren zur Bestimmung seiner räumlichen Lage
JP2009145613A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The フォトレジストフィルム、感光性樹脂組成物層およびレジストパターンの形成方法
KR101309959B1 (ko) * 2012-02-21 2013-09-17 건국대학교 산학협력단 투명전극 제작 시스템 및 투명전극 제작방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5153332B2 (ja) 2013-02-27
JPWO2007004431A1 (ja) 2009-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007004431A1 (ja) 高精細パターンの形成方法及び装置
US20120052773A1 (en) Cutting method by sandblasting
CN214458338U (zh) 具有预蚀刻制程的蚀刻装置
JP4626068B2 (ja) エッチング方法およびエッチング装置
TWI682698B (zh) 基板材的顯影裝置
JP2013116531A (ja) ガラスエポキシ基板のパターン切削方法とそれに使用される研磨材
US20230390793A1 (en) Nozzle, development device, and method for processing object being treated
KR101976798B1 (ko) 스팀 재사용 노즐
KR101322771B1 (ko) 인쇄회로기판 에칭장치
JP5444172B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP3232070B2 (ja) エッチング装置
JPH02211691A (ja) 微細パターン形成用エッチング方法とエッチング装置
JP2003089060A (ja) サンドブラスト方法及びサンドブラスト加工用研磨材組成物
JP2007119871A (ja) 金属被膜形成方法及び金属被膜による電極パターン形成方法
JP2002139848A (ja) ブラスト加工用マスキングパターンの形成方法
JP3149379B2 (ja) 金属薄板への微細透孔形成方法
TWM613270U (zh) 具有預蝕刻製程的蝕刻裝置
JP2002223058A (ja) レジスト塗布装置
TW202236914A (zh) 具有預蝕刻製程的蝕刻裝置
CN115011962A (zh) 具有预蚀刻制程的蚀刻装置
JP2001138242A (ja) 加工方法及びそれに用いる加工装置
KR100237208B1 (ko) 플라스마 디스플레이 패널용 현상 시스템 및 현상 방법
JP2003191588A (ja) パターン印刷方法及び装置
JP2009170168A (ja) プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法、ブラスト加工装置、プラズマディスプレイパネル用背面板、並びに、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造に用いられる積層体
KR20100020602A (ko) 더미 코팅 플레이트 장치 및 이를 구비한 코팅 장치 및 코팅 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007523416

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06767141

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1