JP2001138242A

JP2001138242A - 加工方法及びそれに用いる加工装置

Info

Publication number: JP2001138242A
Application number: JP31879399A
Authority: JP
Inventors: Takuo Hashiguchi; 拓郎橋口
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1999-11-09
Filing date: 1999-11-09
Publication date: 2001-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】安全で良好な加工効率を有する加工方法及び
それを実施するために用いられる加工装置を提供するこ
と。【解決手段】本発明の加工方法は、加工室内において
基材に微粒子を吹き付けることにより基板のエッチング
を行う加工方法であり、前記加工室内の圧力を大気圧の
半分以下にした状態において微粒子を基材に吹き付ける
ことを特徴とし、及び本発明の加工装置は、予め設置し
た基材に微粒子を吹き付けることにより基板のエッチン
グを行うための加工室１と、該加工室内に備えた微粒子
噴出手段１０と、該微粒子噴出手段１０に微粒子を供給
するための微粒子供給手段２と、前記加工室内の圧力を
大気圧の半分以下の状態にするための圧力調整手段４と
を備えたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品等の加工
の過程で行われる、薬液を使用しないドライエッチング
方法及びそれに用いるパウダー噴射装置に係り、より詳
しくは、加工する基材を大気圧の半分以下の雰囲気内に
セットした状態で、基材に微粒子パウダーを基板に吹き
つけることにより、基板のエッチング加工を行うための
加工方法及びそれを実施するために用いられるパウダー
噴射装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子部品等のエッチング方法
としては、薬液を使用するウェットエッチング方法と、
薬液を使用しないドライエッチング方法とがあった。

【０００３】そして、このうち、ドライエッチング方法
として半導体素子等の電子部品の加工に使用されている
一般的な方法としては、エッチングガスを放電分解して
発生したラジカルやイオンによりエッチングを行うもの
がある。

【０００４】また、ドライエッチング方法としては、さ
まざまな方法が提案されており、イオン照射によるスパ
ッタリングを利用したスパッタエッチング方法や、ラジ
カルとの化学反応による揮発性物質（エッチングガス）
の生成を利用して基材を揮発させエッチングする方法な
どがある。

【０００５】また、プラズマディスプレイパネルのよう
なガス放電型表示パネルの隔壁形成に使用されている大
気中もしくはわずかに負圧中で高圧エアーにて微粒子を
吹き付けて基材をエッチングする方法がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のイオン照射によるスパッタリングを利用したス
パッタエッチング方法では、エッチング速度が遅く加工
時間が非常に長くなってしまい、深く加工できないとい
う欠点がある。

【０００７】また、上記従来技術のラジカルとの化学反
応による揮発性物質（エッチングガス）の生成を利用し
て基材を揮発させエッチングする方法では、有害なガ
ス、例えば六フッ化硫黄ガス、六フッ化炭素ガス、塩素
ガス等を使用するため、設備の安全性確保やガスの管理
が大変である。

【０００８】また、有害なガスを使用しない上記従来技
術の高圧エアーにて微粒子を吹き付けて基材をエッチン
グする方法では、ノズルから吹きつけたあと空気抵抗に
てパウダーが失速して加工効率が落ちる問題と、パター
ンをエッチングする際、深くエッチングしていくと空気
抵抗によりエッチングされなくなる問題があった。

【０００９】そこで、本発明は、上記問題点を解決する
ためになされたものであり、安全で良好な加工効率を有
する加工方法及びそれを実施するために用いられるパウ
ダー噴射装置を提供することを課題としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の加工方法は、加
工室内において基材に微粒子を吹き付けることにより基
板のエッチングを行う加工方法であって、前記加工室内
の圧力を大気圧の半分以下にした状態において微粒子を
基材に吹き付けることを特徴とする。

【００１１】また、本発明の加工装置は、基材に微粒子
を吹き付けることにより基板のエッチングを行うための
加工装置であって、予め設置した基材に微粒子を吹き付
けることにより基板のエッチングを行うための加工室
と、該加工室内に備えた微粒子噴出手段と、該微粒子噴
出手段に微粒子を供給するための微粒子供給手段と、前
記加工室内の圧力を大気圧の半分以下の状態にするため
の圧力調整手段とを備えたことを特徴とする。

【００１２】このように、本発明の加工方法及びそれを
実施するために用いられる加工装置は、加工する基材を
大気圧の半分以下の雰囲気内にセットした状態におい
て、切削性のある微粒子を基材に向けて噴射させること
により、基材のエッチング加工を行うことを特徴として
いる。

【００１３】そのため、加工時に微粒子が空気抵抗によ
り失速することが少なくなり、効率の良い加工が可能に
なる。即ち、加工室内の圧力が大気圧の半分より高い場
合には、加工室内の空気抵抗により、噴射した微粒子が
失速してしまい、より有効に基材を加工することが困難
になってしまうが、本発明では、加工室を大気圧の半分
以下の負圧にしているため、加工室内における微粒子の
失速を防止することができ、効率の良い加工を可能とす
ることができる。特に、基材を深く加工する際にはその
効果は顕著である。

【００１４】また、本発明では、加工室内を大気圧の半
分以下にするため、加工中に加工室が加圧になることが
なく、加工室から微粒子が吹出す可能性がない。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の加工方法では、まず、予
め加工室内にエッチングの対象とする基材を設置してお
く。

【００１６】また、前記加工室には微粒子供給ホースを
介して、微粒子を供給するための微粒子供給装置を連結
するとともに、更に前記加工室内には、前記微粒子供給
ホースに連結した噴射ノズルを備えておく。

【００１７】そして、この構成において、真空ポンプ等
の圧力調整手段を用いて、前記加工室内を大気圧の半分
以下の負圧にした後に、その負圧の状態を維持してお
く。

【００１８】そして、この状態において、加工室内に微
粒子を導入して、更に、噴射ノズルから微粒子を噴射さ
せ、この噴射させた微粒子を基材に吹き付けて基板のエ
ッチングを行う。

【００１９】なおこのとき、前記微粒子供給装置内に
は、空気若しくは不活性ガスを供給して、これにより微
粒子供給装置内が負圧にならないようにすると良い。

【００２０】なお、前記微粒子としては、平均粒径が４
０μm以下の切削性のある微粒子を用いるとよく、ま
た、切削性のある微粒子としてはアルミナ・炭化ケイ素
・ジルコニア・ガラスビーズ・タングステンカーバイト
等の比較的硬度の高い微粒子を使用するのが望ましい。

【００２１】また、微粒子を基材に吹き付ける方法はい
ずれの方法でも良いが、例えば、加工室内の負圧力によ
り前記加工室内に微粒子を吸い込み、該吸い込んだ微粒
子を基材に吹き付ける方法や、あるいは、高圧ガスを用
いることにより基材に微粒子を吹きつける方法が好まし
く、更にその際には、予め基材にパターンを施してお
き、所定部分のみにパウダーを吹き付けて基板のエッチ
ングを行う方法を採用すると良い。

【００２２】また、本発明の加工装置では、予め設置し
ておいた基材に微粒子を吹き付けることにより基板のエ
ッチングを行うための加工室内に、基材に向けて微粒子
を吹き付けるための噴射ノズルが備えられている。

【００２３】そして、この噴射ノズルには、定量の微粒
子を供給するための微粒子供給手段が連結されている。

【００２４】更に、前記加工室には、該加工室内の圧力
を大気圧の半分以下の状態にするための圧力調整手段が
連結されており、これにより、加工室内を大気圧の半分
以下にした状態において、基材に微粒子を吹き付けて基
板のエッチングを可能としている。

【００２５】

【実施例】［加工方法の実施例１］次に、本発明の加工
方法の実施例について説明するが、本実施例において
は、シリコンウェハー・ガラス基板・セラミック基板等
の加工基板上にレジストにてパターニングを行う場合に
ついて説明する。また、以下においては微粒子を「パウ
ダー」と称する。

【００２６】なお、レジストにてパターニングする方法
としてはスクリーン印刷等の印刷によりレジストインク
をパターン印刷する方法と感光性レジストを使用してパ
ターニングする方法がある。

【００２７】また、感光性レジストを使用してレジスト
を塗布する方法としてはロールコーターやテーブルコー
ターやスピンコーターを使用して感光性レジストを塗布
してから乾燥後パターンを形成させる方法と感光性ドラ
イフィルムをラミネートして露光によりパターンを形成
させる方法がある。

【００２８】まず、加工基板上に加工部分以外をレジス
トにてマスキングを行い、該マスキングした加工基板を
加工室内に置くとともに、この加工基板を加工基板固定
台に固定する。

【００２９】一方、前記加工室にはパウダー供給ホース
を介して、パウダーを供給するためのパウダー供給装置
を連結するとともに、前記加工室内には、前記パウダー
供給ホースに連結したパウダー噴射ノズルを備えてお
く。また、前記加工室には圧力調整手段、例えば真空ポ
ンプを連結しておき、これにより加工室内の圧力を調整
可能としておく。

【００３０】そして、このような状態において、真空ポ
ンプ等の前記圧力調整手段を作動させ、これにより、加
工室内を大気圧の半分以下の真空にする。

【００３１】そうすると、加工室内における負圧力によ
り、パウダー供給装置内のパウダーと雰囲気ガスとが、
パウダー供給ホースから加工室内に引き込まれ、更に、
引き込まれたパウダーは、パウダー噴射ノズルより加工
基板に向けて噴射され、これにより基板のエッチング加
工が可能となる。そして、このとき、本実施例では、加
工室内を負圧にしてあるために、噴射されたパウダーは
空気抵抗を受けることが少なく、そのために、失速する
ことなく効率良く加工基板をエッチングすることができ
る。

【００３２】なお、前述した加工方法の実施例において
は、スクリーン印刷にて加工基板に早川ゴム製レジスト
インクで３インチシリコンウェハーにパターン印刷を行
い、紫外線にて露光してレジストインクを硬化させた。

【００３３】また、加工基板を真空チャンバーに入れ加
工基板固定台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０^２Ｐａ
で基板を真空吸着した。

【００３４】更に、真空チャンバーを約１０^３Ｐａの真
空状態にしてパウダー噴射ノズルよりパウダーを基板に
噴射させて基板のエッチングを行った（１気圧＝１０⁵
Ｐａ）。

【００３５】そして、加工条件としては、パウダー噴射
量を約５０ｇ／ｍｉｎ、パウダー噴射ノズルと基板との
距離を２０ｍｍとし、パウダーとして平均粒径１２μｍ
のアルミナ粒子を用いた。

【００３６】［加工方法の実施例２］次に、本発明の加
工方法の他の実施例について説明すると、本実施例にお
いても、上記実施例の場合と同様に、レジストにてパタ
ーニング後、加工基板２０を加工室内に置くとともに基
板固定台に固定して、加工室内を大気圧の半分以下の真
空にする。

【００３７】また、前述した実施例の場合と同様に、前
記加工室にはパウダー供給ホースを介して、パウダーを
供給するためのパウダー供給装置を連結するとともに、
前記加工室内には、前記パウダー供給ホースに連結した
パウダー噴射ノズルを備えておく。また、前記加工室に
は圧力調整手段、例えば真空ポンプを連結しておき、こ
れにより加工室内の圧力を調整可能としておく。

【００３８】更に本実施例においては、前記パウダー供
給手段に、圧縮空気・窒素ガス・アルゴンガス等の高圧
ガスを供給するための高圧ガス供給手段を連結してお
く。

【００３９】そして、この状態において、まず、圧力調
整手段を作動させて加工室内を大気圧の半分以下の負圧
にしこの状態を維持しておく。

【００４０】そして、次に、高圧ガス供給手段を作動さ
せ、パウダーと高圧ガスをパウダー導入管からパウダー
噴射ノズルへ導入して、パウダー噴射ノズルより加工室
内の加工基板に向けて噴射し、これにより基板のエッチ
ング加工が可能となる

【００４１】そうすると、噴射された微粒子パウダー
は、加工室内のガス圧が低いため、空気抵抗が少なく失
速することなく効率良く加工基板をエッチングすること
ができる。

【００４２】なお、本実施例においては、厚み０．５ミ
リで４インチガラス基板に東京応化工業製ドライフィル
ムＢＦ−４０５を使用して穴径２００μｍのパターニン
グを行った。

【００４３】そして、基板を真空チャンバーに入れ加工
基板固定台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０^２Ｐａで
基板を真空吸着した。

【００４４】更に、真空チャンバーを約１０^３Ｐａの真
空状態にした後に、パウダー噴射ノズルより窒素ガスを
使用して３ｋｇ／ｃｍ２の圧力にてパウダーを基板に噴
射させて基板のエッチングを行い、２００μｍの貫通穴
を基板に形成させた。（１気圧＝１０⁵Ｐａ）。

【００４５】そして、本実施例における加工条件として
は、パウダー噴射量が約８０ｇ／ｍｉｎ、パウダー噴射
ノズルと基板との距離が１００ｍｍ、パウダーとしては
平均粒径８μｍの炭化ケイ素粒子を使用した。

【００４６】［加工装置の実施例１］次に、前述した加
工方法を実施するために用いられる加工装置の実施例に
ついて図面を参照して説明すると、図１は、本実施例の
加工装置のブロック図であり、図において１は、基板の
エッチングを行うための加工室である。

【００４７】また、図において２は、パウダー定量供給
装置であり、このパウダー定量供給装置２は、パウダー
供給ホース１４を介して、前記加工室１内に備えたパウ
ダー噴射ノズル１０に連結されており、これにより、前
記加工室１内にパウダー１１を供給するとともに、前記
パウダー噴射ノズル１０より加工基板２０に向けてパウ
ダー１１を吹き付けることを可能としている。なお、こ
のパウダー定量供給装置２には、適宜、高圧ガス供給装
置を連結しておくとよい。

【００４８】更に、図において７はホッパーであり、こ
のホッパー７は前記加工室１の下方に備えられ、前記噴
射されたパウダー１１を回収するために用いられる。

【００４９】そして、このホッパー７には第一の吸い込
み用ホース１３の一端が連結されるとともに、この第一
の吸い込み用ホース１３の他端はサイクロン５に連結さ
れている。

【００５０】そして、このサイクロン５には、第二の吸
い込み用ホース１２を介して、真空ポンプ４が連結され
ており、更に、前記真空ポンプ４には集塵機３が連結さ
れている。

【００５１】一方、前記サイクロン５にはパウダー捕集
タンク６が連結され、前記噴射されたパウダー１１はこ
の捕集タンク６に回収される構成としている。

【００５２】なお、図において１６は、前記パウダー定
量供給装置２に備えたガス供給手段であり、また、図に
おいて９は前記集塵機３に備えた排気ノズルである。

【００５３】このような構成において、前記真空ポンプ
４を作動させて加工室１内を大気圧の半分以下の負圧に
すると、パウダー定量供給装置２内のパウダーは、パウ
ダー供給ホース１４を介して前記加工室１内に吸い込ま
れ、パウダー噴射ノズル１０より加工基板２０に向けて
噴射される。そしてこれにより、これにより基板のエッ
チング加工が可能となる。

【００５４】あるいはこのとき、高圧ガス供給手段を作
動させ、更に高圧ガスにてパウダーを加工室内に導入し
て噴射させても良い。

【００５５】なおこのとき、前記パウダー定量供給装置
２内には、ガス供給手段１６を介して、空気若しくは不
活性ガスを供給し、これにより微粒子供給装置内が負圧
にならないようにすると良い

【００５６】一方、加工基板２０に吹き付けられたパウ
ダー１１は、その後、ホッパー７及び第一の吸い込み用
ホース１３を介してサイクロン５に入る。

【００５７】そして、サイクロン５において、パウダー
１１はパウダー捕集タンク６に入るとともに、加工基板
２０との衝突により破砕したパウダーと加工基板２０を
加工した粉塵は、第二の吸い込み用ホース１２を介して
真空ポンプ４から集塵機３に入って捕集される。そし
て、集塵機３に送り込まれたガスは排気ノズル９より外
部に排気される。

【００５８】このように、本実施例の加工装置では、加
工室内を負圧にすることを特徴としているため、加工室
内に噴射された微粒子パウダーは空気抵抗を受けること
が少なく、そのため、失速することなく効率良く加工基
板をエッチングすることが可能となる。

【００５９】［加工装置の実施例２］次に、本発明の加
工装置の第二の実施例について説明すると、図２は、本
実施例の構成を示すブロック図であり、本実施例におい
ては、不活性ガス等の高価なガスを雰囲気ガスとして用
いる場合の実施例であり、本実施例では、集塵機３に備
えた排気ノズル９をパウダー定量供給装置２に連結して
いる。そして、これにより、不活性ガスを循環可能とし
ている。

【００６０】即ち、図において１は、基板のエッチング
を行うための加工室であり、この加工室１内にはパウダ
ー噴射ノズル１０が備えられるとともに、このパウダー
噴射ノズル１０は、パウダー供給ホース１４を介してパ
ウダー定量供給装置２に連結され、これにより、前記加
工室１内にパウダー１１を供給するとともに、前記パウ
ダー噴射ノズル１０より加工基板２０に向けてパウダー
１１を吹き付けることを可能としている。

【００６１】また、前記加工室１にはホッパー７が備え
られ、このホッパー７には第一の吸い込み用ホース１３
の一端が連結されるとともに、この第一の吸い込み用ホ
ース１３の他端はサイクロン５に連結されている。そし
て、サイクロン５には、第二の吸い込み用ホース１２を
介して真空ポンプ４が連結され、更に、前記真空ポンプ
４には集塵機３に連結されている。

【００６２】そして、集塵機３には排気用ホース９が備
えられるとともに、この排気用ホース９は前記パウダー
定量供給ホース２に連結されている。

【００６３】一方、前記サイクロン５にはパウダー捕集
タンク６が連結され、前記噴射されたパウダー１１はこ
の捕集タンク６に回収される構成としている。

【００６４】そして、このような構成による本実施例の
加工装置を使用して基板のエッチングを行う場合には、
加工室１内に加工基板２０を設置した状態において、ま
ず加工室１内を不活性ガス雰囲気にしておき、この状態
で、真空ポンプ４により加工室１内を負圧にする。

【００６５】そうすると、加工室１内の負圧力によりパ
ウダー定量供給装置２から加工室１内へパウダーが吸い
込まれ、これにより、パウダー噴射ノズル１０から加工
基板２０に向けてパウダー１１が噴射されて加工基板の
エッチングが行われる。

【００６６】そして、その後は、加工室１内において噴
射されたパウダー１１はホッパー７から第一の吸い込み
用ホース１３を通ってサイクロン５に入る。

【００６７】そして、サイクロン５において、再利用可
能なパウダーはパウダー捕集タンク６に入り、一方、破
砕されたパウダーと加工基板２０を加工した粉塵は第二
の吸い込み用ホース１２を通り、真空ポンプ４を介して
集塵機３に捕集される。

【００６８】一方、集塵機３から排出される不活性ガス
は、パウダー定量供給装置２に連結された排出ホース９
を介してパウダー定量供給装置２に入り、再び、パウダ
ーとともに加工室１内に噴射される。

【００６９】このように、本実施例においては、加工室
内を負圧にするとともに、雰囲気ガスをリサイクル可能
な構成としているために、加工室内に噴射されたパウダ
ーが空気抵抗を受けることが少なくそのため失速するこ
となく効率良く加工基板をエッチングすることが可能で
あるとともに、特に高価な不活性ガスを用いて加工を行
う場合には、加工コストを低く抑えることが可能であ
る。

【００７０】［加工装置の実施例３］次に、図３を用い
て本発明の加工装置の第三の実施例について説明する
と、本実施例においては、基板の加工に用いられるパウ
ダーを循環させて連続加工を可能とした点に特徴を有す
る。

【００７１】即ち、図において１は、基板のエッチング
を行うための加工室であり、また図において２は、パウ
ダー定量供給装置である。そして、前記パウダー定量供
給装置２にはパウダー供給ホース１４が連結されるとと
もに、このパウダー供給ホース１４は、加工室１内に備
えられたパウダー噴射ノズル１０に連結され、これによ
り、パウダー噴射ノズル１０より加工基板２０に向けて
パウダー１１を噴射可能としている。

【００７２】一方、加工室１にはホッパー７が備えられ
るとともに、このホッパー７には、一端がサイクロン５
に連結された第一の吸い込み用ホース１３が連結され、
前記サイクロン５には、第二の吸い込み用ホース１２を
介して、真空ポンプ４が連結された集塵機３が連結して
いる。

【００７３】一方、前記サイクロン５にはまた、ロータ
リーバルブあるいはスクリュー等のパウダー捕集手段７
を介してパウダー定量供給装置２が連結されており、こ
れにより、サイクロン５により選別されたパウダーを再
利用可能としている。

【００７４】即ち、このような構成において、真空ポン
プ４を作動させて加工室１内を大気圧の半分以下の負圧
にすると、パウダー定量供給装置２から加工室１内へパ
ウダーが吸い込まれるとともに、この吸い込まれたパウ
ダーが噴射ノズル１０より加工基板２０に向けて噴射さ
れ、これにより、基板のエッチングが行われる。

【００７５】そして、その後、加工室１内において噴射
されたパウダー１１はホッパー７から第一の吸い込み用
ホース１３を通ってサイクロン５に入る。

【００７６】そして、サイクロン５において、再利用可
能なパウダーは、捕集手段７を介してパウダー定量供給
装置２内に回収され、これにより、パウダーを循環させ
ることが可能となる。

【００７７】一方、破砕されたパウダーと加工基板２０
を加工した粉塵は第二の吸い込み用ホース１２を通り集
塵機３に捕集される。

【００７８】このように、本実施例においては、加工室
内を負圧にするとともに、パウダーを循環させて使用す
ることを可能としているため、加工室内に噴射されたパ
ウダーが空気抵抗を受けることが少なくそのため失速す
ることなく効率良く加工基板をエッチングすることが可
能であるとともに、加工コストを低く抑えることも可能
である。

【００７９】

【発明の効果】本発明の加工方法及びそれを実施する
ために用いられる加工装置は以上説明した形態で実施さ
れ、以下に記載するような効果を奏する。

【００８０】本発明の加工方法及びそれを実施するため
に用いられるパウダー噴射装置では、加工する基材を大
気圧の半分以下の雰囲気内にセットした状態において、
切削性のある微粒子を基材に向けて噴射させることによ
り、基材のエッチング加工を行うことを特徴としてい
る。

【００８１】そのため、加工時にパウダーが空気抵抗に
より失速することが少なくなり、効率の良い加工が可能
になる。即ち、加工室内の圧力が大気圧の半分より高い
場合には、加工室内の空気抵抗により、噴射したパウダ
ーが失速してしまい、より有効に基材を加工することが
困難になってしまうが、本発明では、加工室を大気圧の
半分以下の負圧にしているため、加工室内におけるパウ
ダーの失速を防止することができ、効率の良い加工を可
能とすることができ、高性能のパウダー噴射装置及びそ
れを用いた加工方法を提供できる効果が得られる。特
に、基材を深く加工する際にはその効果は顕著である。

【００８２】また、本発明では、加工室内を大気圧の半
分以下にするため、加工中に加工室が加圧になることが
なく、加工室からパウダーが吹出す可能性がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の加工装置の第一の実施例の構成を示
すブロック図である。

【図２】本発明の加工装置の第二の実施例の構成を示
すブロック図である。

【図３】本発明の加工装置の第三の実施例の構成を示
すブロック図である。

【符号の説明】

１加工室２パウダー定量供給装置３集塵機４真空ポンプ５サイクロン６パウダー捕集タンク７ホッパー８排気用ホース９排気用ホース１０パウダー噴射ノズル１１パウダー
１２第一の吸い込み用ホース１３第二の吸い込み用ホース１４パウダー供給用ホース１６ガス吸い込み口２０加工基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加工室内において基材に微粒子を吹き付け
ることにより基板のエッチングを行う加工方法であっ
て、前記加工室内の圧力を大気圧の半分以下にした状態
において前記基材に微粒子を吹き付けることを特徴とす
る加工方法。
【請求項２】前記微粒子の平均粒径を４０μｍ以下にす
ることを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】前記加工室内の負圧力により前記加工室内
に微粒子を吸い込み、該吸い込んだ微粒子を基材に吹き
付けることにより基材をエッチングすることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の加工方法。
【請求項４】高圧ガスを用いることにより、基材に微粒
子を吹きつけることにより基材をエッチングすることを
特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の加工方法。
【請求項５】前記基材に予めパターンを施し、所定部分
のみをエッチングすることを特徴とする請求項１乃至請
求項４のいずれかに記載の加工方法。
【請求項６】請求項１乃至請求項５に記載した加工方法
を実施するために用いられる加工装置であって、予め設
置した基材に微粒子を吹き付けることにより基板のエッ
チングを行うための加工室１と、該加工室内に備えた微
粒子噴出手段１０と、該微粒子噴出手段１０に微粒子を
供給するための微粒子供給手段２と、前記加工室内の圧
力を大気圧の半分以下の状態にするための圧力調整手段
４とを備えたことを特徴とする加工装置。