JPH0213958A - レジスト現像装置 - Google Patents

レジスト現像装置

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JPH0213958A
JPH0213958A JP16560988A JP16560988A JPH0213958A JP H0213958 A JPH0213958 A JP H0213958A JP 16560988 A JP16560988 A JP 16560988A JP 16560988 A JP16560988 A JP 16560988A JP H0213958 A JPH0213958 A JP H0213958A
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JP
Japan
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temperature
substrate
developer
chamber
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP16560988A
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English (en)
Inventor
Shuichi Matsuda
修一 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0213958A publication Critical patent/JPH0213958A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はレジスト現像装置に関するものであり、特に
、再現性良く、かつ1IIi度良く、微細パターンを現
像することができるように改良されたレジスト現像装置
に関するものである。
[従来の技術] 従来、rはγ線レジストの8L像は、肢現像試t1を現
像液(主に゛Ff機溶剤)に浸漬するか、またはスプレ
ー法で披現像試t−1の表面に現像液を噴霧するかの、
いずれかの方法で行なわれている。
第2図は、後者の方法を採用した、従来のレジスト現れ
!装置の1IIi面図である。
第2図を参照して、1は密閉空間を形成するチトンバで
ある。チャンバ1内には、基板4たとえば半導体基板を
下から支Ijjする治具3が設けられている。治具3は
、基板4を下がら支持する支持面部3aと、該支持面部
3aをi、’、1定する内定?X+s 3bを含んでい
る。支持面部3aは、第3図にその平面図が示されるよ
うに、十字形の形状を有しており、その端部には、それ
ぞれ上方に延びる当たりILめ部3cが形成されている
。基板4は、この4つの当たり止め部3cに挾まれるよ
うにして、支持面部3aに下から支17される。この当
たり止め部3cがあることにより、固定部3bがその軸
心を中心として回転しても、基板4は支持面部3aに安
定な状態で支持される。固定部3bは回転モータ5に接
続されており、支持面部3aが水(14面内で回転でき
るように構成されている。
チャンバ1には、取出口6が設けられており、この取出
口6より、基、lN 4の出し入れが行なわれる。また
、チャンバ1の底部には、ul:気管18が設けられて
いる。さらに、チャンバ1は、上記支持rfo 部3 
aの斜め上の位置に設けられたノズル2を備えている。
ノズル2には、現像液タンク1つ内に蓄えられた現像液
7が(3%給される。現像itkタンク19にはレギュ
レータ8が設けられている。
このレギュレータ8は、現像液タンク19内の現(V;
! lr& 7を所定の窒素圧力により加圧することに
よって、ノズル2から出る現像液7の噴霧圧力を調整す
るものである。
現(& i& 7には、レジストとしてポジ型の電子線
レジストたとえば東し製のEBR−9を用いた場合には
、メチルイソブチルケトンとイソプロピルフルコール(
9: 1)あるいはメチルイソブチルケトンとイソプロ
ピルアルコール(8: 2)等の混合有機溶媒が好まし
く使用される。
次に、この装置を用いて、レジストを現像する方法につ
いて説明する。
取出口6を開けて、マスクプレート等の基板4を、当た
り!I−め部3cに挾まれるように、支持面fll(3
aの上に置く。この基板4上には、たとえば上述のレジ
スI−E B R−9が形成されている。次に、回転モ
ータ5を駆動し、支持面部3aを水平面内に回転させる
。回転が一定になった後に、レギュレタ−8により、窒
素ガスを11c g / c m’の圧力で現像液タン
ク19内に入れる。すると、現1象岐7が11cg/c
m2の圧力でノズル2がら、基板4に向けて噴霧される
。噴霧された現像液はレジストを溶かし、その後、遠心
力により水平方向に飛ばされて、チャンバ1の内壁に当
たり、t、If気管18より排気され、vr液留(図示
せず)に送られる。これにより、現像処理が完了する。
その後、イソプロピルアルコールを、リンス液として、
別のノズル(図示せず)から噴霧する。そして、基板4
をスピン乾燥にて高速回転し、十分乾燥させる。その後
、基板4は取出口6より取出されて、次の工程へと送ら
れる。
[発明が解決しようとする課題] 従来のレジスト現像装置は以上のように構成されていた
ので、基板の温度変化、現像液の温度変化およびチャン
バ内の雰囲気の温度変化等があった場合には、それを補
正する手段がなかった。それゆえ、温度変化により現像
特性が変動し、微細パターンを、再現性良く、かつ精度
良く、yla+することができないという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、温度変化による現像特性の変動を防止するこ
とのできるレジスト現像装置を提供することを目的とす
る。
[課題を解決するための手段] この発明は、基板表面にレジストの現像を行なう装置で
あり、上記レジストが形成された上記基板を密閉空間内
に置き、上記基板に向けて現像液。
をスプレー状に噴霧し、上記レジストの現像を行なう装
置に係るものである。そして、上記問題点を解決するた
めに、上記現像液、基板および上記密閉空間内の雰囲気
を一定の温度に保つ温度制御手段を備えている。
[作I[目 現1象llk 、基板および密閉空間内の雰囲気を一定
の温度に保つ温度制御手段を備えているので、これらは
常に一定の温度に保たれる。それゆえ、これらの温度変
化に起因する現像特性の変動はなくなり、一定の7!A
tf!:条件下で、現像が遂行される。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、この発明の一実施例の概念図である。
第1図に示す実施例は、以下の点を除いて、m2図に示
す従来例と同様であり、相当する部分には同一の参照番
号を付し、その説明を省略する。以下に、相違点を中心
に説明する。
第1図を参照して、チャンバ1は透明フィルタ17で上
方部1aと下方部1bの2つに区分されている。上h゛
部1aには、下方部1bに向けて赤外線を送り込む赤外
線ランプ9が設けられている。
この赤外線ランプ9は、温度コントロールシステム12
に電気的接続されている。赤外線ランプ9の上方には、
反射板10が設けられており、これにより、赤外線ラン
プ9から出る赤外線はすべて下方部1bに向けて送り込
まれる。チャンバ1の上方部1aには、この赤外線ラン
プ9を冷却するための、冷却用ガスの導入口15aと排
出口15bが設けられている。
また、チャンバ1の下方部1bの外壁には、温水管13
が設けられ、該温水管13は外壁パネル14で保獲され
ている。この温水管13は、温度コントロールシステム
12に、連絡管13aおよび連絡管13bによって連絡
されている。連絡管13aは、温水が温度コンI・ロー
ルシステム12から温水管13に流れ込む管であり、連
絡管13bは温水管13内を通ってきた水を温度コント
ロールシステム12に戻す管である。
チャンバ1の下方部1bには、チャンバ内の雰囲気の温
度およびチャンバ1の内壁部の温度を監視する、温度セ
ンサ11が設けられている。治具3は熱伝導性の材料で
形成されているので、基板4の温度はチャンバ1の内壁
の温度を監視することにより、間接的に監視され得る。
ノズル2と現像液タンク19を結ぶ現Ii液供給管20
は、温水槽21内を通過するように構成されている。温
水槽21と温度コントロールシステム12は、連絡管2
1aと連絡管21bで連絡されて(入る。連絡管21a
は温水が温度コントロールシステム12から温水槽21
内に流れ込む管であり、連絡管21bは、温水槽21を
通ってきた水を温度コントロールシステム12に戻す管
である。
排気管18には、自動ダンパ16が設けられており、現
像処理によって、溜まってきた排気を、自動的に外部に
排出できるように構成されている。
次に、現像の動作について説明する。温水管13と温度
コントロールシステム12と温度センサ11の動きによ
り、チャンバ1の内壁の温度は一定に保たれている。温
水槽21と温度コントロールシステム12の動きにより
、現像液の温度は一定に保たれている。また、赤外線ラ
ンプ9と温度コントロールシステム12の働きにより、
基板4およびチャンバ1の下方部1bの雰囲気の温度が
一定に保たれている。これらの制御手段により、現像液
、基板およびチャンバ1内の下方部1bの雰囲気を、た
とえば23℃にコントロールしておく。
次に、取出口6を開けて、マスクプレート等の基板4を
、当たり止め部3Cに挾まれるように支持面部3aの上
に置く。この基板4には、電子線で所定のパターンの露
光がなされたたとえばEBR9レジストが形成されてい
る。次に、回転モータ5を駆動し、支持面部3aを水平
面内で低速回転させ、その回転を一定にする。それと同
時に、赤外線ランプ9を照らし、基板4表面を加熱する
次に、N2ガスで1kg/am2の圧力にレギュレータ
8で調整された加圧で、ノズル2より現像液7を噴霧し
、基板4上のレジストを現像する。
その際に、温度コントロールシステム12が動き、チャ
ンバ1内の雰囲気の温度を温度センサ11で検知し、チ
ャンバ1の内壁の温度を調整し、赤外線ランプ9の照射
強度を調整し、温度変化を少なくするようにする。また
、雰囲気のjR度を一定に保つために、自動ダンパ16
が、現1象中、1)1−気を止める。
以上の動作により、現像が一定の温度条件下で遂行され
る。これにより、微細パターンを、再現性良くかつ精度
良く現像することができるようになる。
その後、イソプロピルアルコールを、リンス液として別
のノズル(図示せず)から噴霧し、一定時間後、スピン
乾燥させる。このとき、上記赤外線ランプ9を点灯する
と、乾燥がより速くなる。
また、このとき自動ダンパ16で十分排気することによ
り、さらに乾燥を速めることができる。
なお、上記実施例では、加熱手段として赤外線ランプ9
を用いたが、この発明はこれに限られるものでなく、紫
外線ランプであっても実施例と同様の効果を実現する。
また、上記実施例では基板に半導体基板を用いた場合を
例示して説明したが、この発明はこれに限られるもので
なく、ガラス基板であっても実施例と同様の効果を実現
する。
また、試料の出し入れは手作業で行なってもよいし、自
動搬送によって行なってもよい。
以上、具体的な実施例を挙げて、この発明のレジスト現
像装置について説明したが、本発明は、その精神または
主要な特徴から逸脱することなく、他の色々な形で実施
することができる。それゆえ、前述の実施例はあらゆる
点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない
。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すもので
あって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特
許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、すべて
本発明の範囲内のものである。
[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明によれば、現像液、基板
および密閉空間内の雰囲気を一定の温度に保つ温度制御
手段を備えているので、これらは常に一定の温度に保た
れる。それゆえ、一定の温度条件下で現像ができるよう
になり、微細パターンを+1現性良くかつ精度良(現像
できるようになり、スループットが向上するという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概念図である。第2
図は従来のレジスト現像装置の断面図である。第3図は
レジスト現像装置で用いる治具の部分拡大図である。 図において、1はチャンバ、2はノズル、4は基板、7
は現1象液、9は赤外線ランプ、11は温度センサ、1
2は温度コントロールシステム、13は温水管、21は
温水槽である。 なお、各図中、同一符号は同一または)11当部分を示
す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板表面にレジストの現像を行なう装置であって、前記
    レジストが形成された前記基板を密閉空間内に置き、前
    記基板表面に向けて現像液をスプレー状に噴霧し、前記
    レジストの現像を行なう装置において、 前記現像液、前記基板および前記密閉空間内の雰囲気を
    一定の温度に保つ温度制御手段を備えたことを特徴とす
    る、レジスト現像装置。
JP16560988A 1988-06-30 1988-06-30 レジスト現像装置 Pending JPH0213958A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6196734B1 (en) * 1999-10-05 2001-03-06 Advanced Micro Devices CD uniformity by active control of developer temperature
KR20140026307A (ko) * 2012-08-23 2014-03-05 램 리서치 아게 웨이퍼 형상 물품의 액체 처리를 위한 방법 및 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6196734B1 (en) * 1999-10-05 2001-03-06 Advanced Micro Devices CD uniformity by active control of developer temperature
KR20140026307A (ko) * 2012-08-23 2014-03-05 램 리서치 아게 웨이퍼 형상 물품의 액체 처리를 위한 방법 및 장치
JP2014042027A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lam Research Ag ウエハ状物品の液体処理のための方法及び装置

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