JPS61251134A - 自動現像装置 - Google Patents

自動現像装置

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JPS61251134A
JPS61251134A JP9313885A JP9313885A JPS61251134A JP S61251134 A JPS61251134 A JP S61251134A JP 9313885 A JP9313885 A JP 9313885A JP 9313885 A JP9313885 A JP 9313885A JP S61251134 A JPS61251134 A JP S61251134A
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JP
Japan
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substrate
stage
developer
developing
arm
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Pending
Application number
JP9313885A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Matsuoka
康男 松岡
Nobuji Tsuchiya
土屋 宜司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9313885A priority Critical patent/JPS61251134A/ja
Publication of JPS61251134A publication Critical patent/JPS61251134A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は被処理基板上に被覆されたレジストの現像を自
動的に高精度で行なう装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
ホトマスク又は半導体ウェハ上のパターンを形成する際
には、リソグラフィ工程が行われる。このリソグラフィ
工程においては、処理基板上にレジストを塗布し、選択
的に紫外線等の所定波長域の電磁線による露光あるいは
電子線等の粒子線による描画を行なった後、レジストの
現像を行なう。
この現像の方式は、基本的にはディップ(浸漬)方式、
スプレ一方式及びパドル方式の3つに大別される。
ディップ(浸漬)方式は、レジストが被覆された被処理
基板を現像液に浸漬するものである。この方式では、現
像液の使用量が少ないことと、温度側−性が良好で、レ
ジストパターンの寸法バラツキが比較的小さいという利
点がある。しかし、この方式の最も大きな欠点は、現像
を続けると現像液中に浮遊する異物が多くなり、こうし
た異物の付着等により欠陥が生じ易く、所定のレジスト
パターンの形成が困難となることである。また、操作性
が悪く、自動化が困難であるという欠点がある。更に、
現像処理後、被処理基板の移動中に現像液によりレジス
トパターンの溶解が進行するため、パターンの精度要求
がより厳しくなってきている傾向には十分に対応できな
いという問題がある。
スプレ一方式は、被処理基板上のレジストに清浄な現像
液をスプレーするものである。この方式では、現像工程
の自動化が容易であり、しかも常に清浄な現像液が使用
されるので、レジストパターンに発生する欠陥が少ない
という利点がある。
しかし、現像液の温度制御が困難であるうえに、気化熱
の影響により被処理基板面内で現像液に温度差が生じる
ため、レジストパターンに寸法バラツキが生じ易いとい
う欠点がある。
パドル方式は、レジストが被覆された被処理基板を静止
又は緩い回転状態とし、レジスト上に現像液を滴下して
現像液の液膜を形成するものである。この方式は、スプ
レ一方式とディップ方式との中間的な方式として位置づ
けられる。すなわち、ディップ方式と同様に現像液の使
用量が少ないうえに、自動化が容易である。しかし、こ
のパドル方式でも、スプレ一方式と同様に現像時の現像
液の温度制御が困難であり、レジストパターンの寸法バ
ラツキが大きくなり易いという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、レジ
ストパターン中の欠陥発生を防止するとともに、レジス
トパターンの現像精度をより高精度化し得る自動現像装
置を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明の自動現像装置は、レジストが塗布され、露光工
程又は描画工程が終了した被処理基板が載置されるステ
ージと、このステージ上に載置された被処理基板上に密
着して被せられる移動可能な密閉枠と、この密閉枠内に
現像液を供給する供給管とを具備したことを特徴とする
ものである。
このような自動現像装置によれば、ディップ方式を自動
化することにより、現像時の現像液の温度制御が容易で
あるという利点を生かし、現像精度を高精度化するとと
もに、現像毎に常に清浄な現像液を使用するので、レジ
ストパターン中の欠陥発生を防止することができ、る。
なお、瑛像後ただちにリンスが行なえるようにリンス液
をスプレーするノズルを取付ければ、被処理基板の移動
中のレジストパターンの溶解が生じることがないので、
現像精度をより高精度化できることが期待される。
(発明の実施例) 以下、本発明の実施例を第1図を参照して説明する。
第1図において、本発明に係る自動現像装置の主要部は
例えばフッ素樹脂(テフロンなど)製の密閉可能な処理
槽1内に収容されている。この処理槽1の底部下方には
モータ2が配置されている。
このモータ2の駆動力により回転する回転軸3が処理槽
1の底部中央から処理槽1内部に挿入され、この回転軸
3上には基板ステージ4が載置されている。これら回転
軸3及び基板ステージ4内部には恒温水の流通孔5が設
けられており、これら流通孔5は処理槽1の外部の回転
軸3側面で開口しており、これら開口部に対応してブラ
シ6.6が設けられている。これらブラシ6.6には電
子恒濃槽7及びポンプ8を介装した配管9が接続されて
おり、前記回転軸3及び基板ステージ4の内部へ恒温水
を供給するようになっている。なお、ブラシ6.6が設
けられている流通孔5の開口部近傍はシール材10によ
りシールされている。
また、前記基板ステージ4上には基板受爪11が設けら
れている。前記処理槽1内壁には先端部が屈曲したアー
ム12が回転自在に取付けられ、その先端に環状枠13
が固定されている。この環状枠13はアーム12の回転
により前記基板受爪11外周の基板ステージ4上に設置
され、アーム12の回転により設置位置からはずされる
。この環状枠13はリングシール又はバキュームシール
により基板ステージ4との間がシールされ、基板ステー
ジ4とともに現像槽を形成する。そして、前記処理槽1
を貫通して環状枠13と基板ステージ4とで形成される
現像槽の内部に現像液を供給する供給管14が設けられ
ている。
また、処理槽1の側壁には基板搬入口15及び基板搬出
口16が設けられている。前記基板搬入口15の外側に
は例えばガラス上にCrが被着され、更にレジストの塗
布、ベーク、電子線描画工程が終了した基板が搬送され
るコンベア17及び基板を処理槽1内へ搬入する搬入ア
ーム18が設けられている。また、前記搬出口16の外
側には基板を次工程へ搬送するコンベア19及び基板を
処理槽1内からコンベア19上に搬出する搬出アーム2
0が設けられている。
更に、処理槽1上部にはリンス液をスプレーするノズル
21が設けられている。現像液やリンス液等の処理液は
処理槽1の底部に設けられた排液口22から処理槽1外
部へ排出される。なお、この排液口22は処理槽1内の
雰囲気ガスの排気口としても用いられる場合がある。
上記自動現像装置を用いた基板の現像は以下のようにし
て行われる。
まず、アーム12を回転させて環状枠13を基板ステー
ジ4上に設置する。次に、供給管14から現像液を環状
枠14及び基板ステージ4で形成される現像槽内に供給
する。つづいて、基板搬入口15を図示しないペンシリ
ンダ等により開いた後、搬入アーム18により基板23
を基板受爪11上に載置し、現像を開始する。なお、現
像時には現像液中に温度センサを浸し、現像液の温度が
設定温度からはずれた場合には、制御信号を電子恒温槽
7の温度制御機構にフィードバックし、現像液の温度調
整をより厳密に行なうことが望ましい。つづいて、所定
時間の現像を行なった後、アーム12を回転させて環状
枠13を基板ステージ4上から移動させ、現像液を流出
させて現像を終了する。その後、モータ2を回転させな
がら、ノズル21からリンス液をスプレーさせ、リンス
を行なう。更に、基板ステージ4を2000 rD−程
度の回転数で高速回転させることにより基板23の乾燥
を行なう。次いで、搬出アーム20により基板23を基
板受爪11からはずし、処理槽1外へ搬出した後、コン
ベア19上に載せて次工程へ搬送する。
上記のような自動現像装置によれば、ディップ方式を自
動化することにより、現像時の現像液の温度制御が容易
であるという利点を生かし、現像精度を高精度化すると
ともに、現像毎に常に清浄な現像液を使用するので、レ
ジストパターン中の欠陥発生を防止することができる。
更に、上記実施例の自動現像装置では、現像後ただちに
リンスが行なえるようにリンス液をスプレーするノズル
21を取付けているので、従来のディップ方式のように
基板23移動中のレジストパターンの溶解が生じること
がなく、レジストパターンの現像精度を従来のディップ
方式より高精度とすることが期待できる。
実際に、上記実施例の自動現像装置によ、る現像と、従
来のディップ方式(比較例1)及びスプレ一方式(比較
例2)による現像とでパターン幅精度及びレジストパタ
ーン中の欠陥数を比較した結果を第2図(パターン幅精
度)及び第3図(欠陥数)に示す。
第2図から明らかなように、実施例ではスプレ一方式(
比較例2)と比較してレジストパターンの面内バラツキ
がかなり少なく、ディップ方式の利点を有している。ま
た、第3図から明らかなように、実施例と従来のディッ
プ方式(比較例1)とを比較すると、レジストパターン
中の欠陥数は大幅に減少してスプレ一方式と同程度とな
っている。
なお、上記実施例では基板ステージ4中に恒温水を流す
ことにより現像時の現像液の温度制御を行なったが、環
状枠13に恒温水を流すことにより現像液の温度制御を
行なってもよい。また、現像液自体の温度制御を行なっ
てもよい。
また、上記実施例では現像液中に温度センサを浸し、フ
ィードバック制御を行なう場合について説明したが、更
にこの温度センサにより現像液の温度をモニタし、その
積分を行ない、現像時間を補正してもよい。
更に、現像液の温度制御については、環状枠13周囲に
温度制御された不活性ガス(例えば窒素ガス)を流し、
排液口22又は他の位置に設けられた排気口から排気す
る操作を加えてより厳密にすることができる。ただし、
現像中は排気を停止させることが望ましい。
(発明の効果〕 以上詳述した如く本発明の自動現像装置によれば、レジ
ストパターンに発生する欠陥数を減少できるとともに、
現像精度の高精度化を達成できる等顕著な効果を奏する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における自動現像装置の構成図
、第2図は本発明の実施例における自動現像装置と従来
のディップ方式及びスプレ一方式による現像のパターン
幅精度を示す分布図、第3図は本発明の実施例における
自動現像装置と従来のディップ方式及びスプレ一方式に
よる現像のレジストパターン中の欠陥数を示す分布図で
ある。 1・・・処理槽、2・・・モータ、3・・・回転軸、4
・・・基板ステージ、5・・・流通孔、6・・・ブラシ
、7・・・電子恒温槽、8・・・ポンプ、9・・・配管
、10・・・シール材、11・・・基板受爪、12・・
・アーム、13・・・環状枠、14・・・供給管、15
・・・基板搬入口、16、基板搬出口、17.19・・
・コンベア、18・・・搬入アーム、20・・・搬出ア
ーム、21・・・ノズル、22・・・排液口、23・・
・基板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 )lfSfI収(個)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ステージと、このステージ上に設置される移動可
    能な環状枠と、前記ステージ上に設置された環状枠内に
    現像液を供給する供給管と、レジストが塗布され、露光
    工程又は描画工程が終了した被処理基板を前記ステージ
    上に搬送し、現像液に浸漬させる搬送機構とを具備した
    ことを特徴とする自動現像装置。
  2. (2)ステージ、環状枠及び現像液供給管を処理槽内に
    収容し、この処理槽にリンス液をスプレーするノズルを
    取付けるとともに、前記ステージを回転可能とし、前記
    処理槽に処理液を排出する排液口を設けたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の自動現像装置。
  3. (3)ステージ内又は環状枠内に恒温水を流すことによ
    り現像時の現像液の温度調整を行なうことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の自動現像装置。
JP9313885A 1985-04-30 1985-04-30 自動現像装置 Pending JPS61251134A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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