JP3935983B2 - 基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法およびその装置 - Google Patents

基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法およびその装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3935983B2
JP3935983B2 JP27773695A JP27773695A JP3935983B2 JP 3935983 B2 JP3935983 B2 JP 3935983B2 JP 27773695 A JP27773695 A JP 27773695A JP 27773695 A JP27773695 A JP 27773695A JP 3935983 B2 JP3935983 B2 JP 3935983B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
solvent
housing
substrate
polymer solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP27773695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08236436A (ja
Inventor
ピー. マンダル ロバート
アール. ソーアー ドナルド
スィー. グランボウ ジェイムズ
スィー. ベッツ テッド
ガラー エミール
アール. ウォード エドマンド
Original Assignee
エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド filed Critical エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド
Publication of JPH08236436A publication Critical patent/JPH08236436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3935983B2 publication Critical patent/JP3935983B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0486Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に溶液を蒸着する方法および装置に関し、特に、マイクロチップの製造における半導体ウエハを被覆する方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路の製造では、マスク上の幾何学的形状を半導体ウエハの表面に転写することが必要である。その後、幾何学的形状に対応する半導体ウエハ又はその幾何学的形状間の領域に対応する半導体ウエハが、エッチングによって除去される。マスクから半導体ウエハへの幾何学的形状の転写では、典型的にはリトグラフ法が必要である。これには、半導体ウエハに感光性プレポリマー溶液を塗布することが含まれている。プレポリマー中の溶媒は蒸発によって除去され、その結果生ずるポリマーフィルムは焼成される。
【0003】
このフィルムは、所望の幾何学的パターンを支持するフォトマスク(感光性マスク)を介して放射線、例えば紫外線にさらされる。その後、感光性物質中の画像は、ウエハを現像液中に浸漬することによって現像される。感光性物質の性質に依存して、放射線にさらされた溶液又はさらされない領域が現像工程中で除去される。
【0004】
その後、ウエハはエッチング溶液中に配置され、感光性物質によって保護されていない領域をエッチングにより除去する。エッチング工程に対するそれらの耐性のために、感光性物質はフォトレジスト(感光性レジスト)としても知られている。例えば、これらは、紫外線、電子ビーム、X線又はイオンビームに対して感光性とすることができる。
【0005】
フォトレジストプレポリマーの価格は高いため、ポリマー溶液の消費量を最小にするように被覆工程の効率を改良する方法を発明することが望ましい。さらに、集積回路の製造において、フォトレジスト層の厚さを均一にすることが重要な基準である。それは、半導体ウエハ上に幾何学的パターンの良好な複写を保証するものである。
【0006】
フォトレジストの溶媒は、塗布中に蒸発し易く、ポリマー溶液の粘度が増加し、その結果生ずるフィルムが一様になるのを妨げている。これにより不均一な厚さが生ずる。従って、ポリマー溶液からの溶媒の蒸発速度を制御できることが望ましい。
【0007】
周囲の湿度は、フォトレジスト層の厚さに影響を及ぼす要因の一つである。典型的には、フォトレジストコーティングの均一性がウエハ内に15乃至20オングストロームのオーダーであり、一つのウエハから次のウエハまでおよびバッチごとおよび日ごとに20乃至25オングストロームであることが必要である。これは相対湿度の1%の差異の効果よりも少ない。さらに、感光性ジアゾキノン化合物を使用する一般に使用される正のフォトレジストにおいて、光分解反応の生成物と反応して必要とされる水溶性カルボン酸を生成するために水分が必要である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半導体ウエハのような基板の表面に塗布されるポリマー溶液の厚さの均一性を改良する方法および装置を提供することを目的とする。
【0009】
また、本発明は、基板のコーティングに使用するフォトレジストプレポリマー溶液のようなポリマー溶液の消費量を少なくすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法が提供される。この方法は、密閉ハウジング内に基板を取り付け、入口からハウジング内に制御ガスを通し、ハウジング内の基板の表面にポリマー溶液を蒸着させ、基板を回転させ、制御ガス、溶媒蒸気および制御ガスに浮遊した粒状汚染物質を出口を介してハウジングから排出する工程を含む。
【0011】
制御ガスは溶媒蒸気運搬ガス又は溶媒を含まないガスにすることができる。
【0012】
制御ガス、溶媒蒸気および汚染物質を排出する工程は、蒸着工程前、蒸着工程中又は蒸着工程後に行うことができる。
【0013】
溶媒蒸気運搬ガスは、典型的には、溶媒にガスを吹き込むことによって生成されるが、溶媒の温度を制御することによって溶媒蒸気運搬ガスの溶媒蒸気濃度を制御する工程を含むことができる。また、溶媒蒸気運搬ガスの溶媒蒸気濃度は、ハウジングの温度を制御することによって、又は溶媒蒸気運搬ガスを異なった溶媒蒸気濃度を有する第2のガスと混合することによって制御することもできる。
【0014】
溶媒蒸気運搬ガスは、典型的には空気又は窒素のような不活性ガスからなる。
【0015】
ウエハ上に連続的な制御された層流ガスを流すことを確実にするために、基板のすぐ上に配置されたシャワーヘッド状のディスペンサからハウジング内に制御ガスを通すことができる。
【0016】
ポリマー溶液は、フォトレジストポリマー、例えば、深紫外フォトレジストポリマーを含むことができる。
【0017】
この方法は、温度制御された溶媒を含まず乾いた且つ濾過されたガスを被覆された基板上に通す工程を含むことができる。また、この方法は、溶媒を含まない湿気のあるガスを被覆した基板上に通す工程を含むこともできる。湿気のあるガスの湿度は、ポリマー溶液に必要とされる相対湿度を持つように制御することができる。この相対湿度は、典型的には、40%乃至45%の範囲である。温度および湿度制御装置によって湿気のあるガスの温度を制御することもできる。
【0018】
ハウジング内に基板を取り付ける工程は、例えば、基板と回転可能なチャックとの間を真空にすることによって、チャックに基板を固定することを含むことができる。
【0019】
基板は典型的には半導体ウエハからなり、ポリマー溶液中の溶質含有量は、典型的には10重量%乃至50重量%である。
【0020】
さらに、本発明によれば、基板の表面をポリマー溶液で被覆する被覆装置が提供される。この装置は、密閉ハウジングと、このハウジング内に取り付けられて基板を支持する回転可能なチャックと、ハウジング内の基板の表面にポリマー溶液を蒸着させる蒸着手段と、ハウジングに連通して制御ガスをハウジングに供給する制御ガス供給手段と、ハウジングに接続されてハウジングから制御ガスと溶媒蒸気と粒状汚染物質を排出する排出手段とを含む。
【0021】
蒸着手段は、チャックの上方に取り付けられて基板の表面にポリマー溶液の流れを蒸着させる分散ヘッド手段を含むことができ、この分散ヘッド手段は基板に対して移動することができる。基板が略円形であれば、分散ヘッド手段は、典型的には基板の表面を横切って略半径方向に動くことができる。あるいは、蒸着手段は、チャックの上方に取り付けられた押出ヘッドを有し且つ基板の表面にポリマー溶液の流れを分散させるフィルム押出手段からなることもできる。この場合、基板が略円形であれば、押出ヘッドは、典型的にはチャックの上方に取り付けられて、ポリマー溶液の半径方向に延びる流れを基板の表面に分散させる。
【0022】
回転可能なチャックは、典型的には可変速モータに接続され、被覆装置は可変速モータの速度を制御する制御手段を含むことができる。
【0023】
ハウジングは上流側と下流側を有し、溶媒蒸気運搬ガス供給手段はハウジングの上流側に取り付けられたハウジングの入口を含み、排出手段はハウジングの下流側に取り付けられた出口を含むことができる。制御ガスの供給手段は、ハウジングと連通する導管(ダクト)を含むとともに、ハウジングに流れ込む制御ガスの速度および制御ガスの組成を制御するために少なくとも一つのダクト内に電子制御バルブを含むことができる。また、排出手段は、ハウジングからのガスおよび汚染物質の排気を制御するバルブ手段を含むこともできる。溶媒蒸気運搬ガス供給手段は、純粋な乾いた且つ濾過されたガスのガス源と、ハウジングと連通する泡立て器(バブラー)とを含むことができる。
【0024】
さらに、被覆装置は、ハウジングと連通する温度および湿度を制御したガスのガス源を含むことができる。温度および湿度を制御したガスのガス源は、そのガス源によって供給されたガスの温度および湿度を制御するために温度制御手段と湿度制御手段を含むことができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の具体例を説明する。
【0026】
本発明は、基板に溶液を蒸着するときに生成するコーティングの厚さの均一性を改良する方法に関する。さらに、本発明は、このような溶液の浪費を減少させる方法に関する。特に、本発明の方法を、集積回路の製造に使用する半導体ウエハおよび半導体ウエハの表面にフォトレジストプレポリマー溶液を塗布する場合について説明する。集積回路の製造に使用するフィルムおよびコーティングは、フォトレジスト層に限定されるものではなく、例えば、有機プラナライゼーションフィルム(organic planarization films )、反射防止フィルム、シロキサンのスピンオングラスフィルム(spin-on-glass films )、ポリイミドフィルムおよびポリイミドシロキサンフィルムのような物質を含むことができる。
【0027】
上述したように、被覆工程前にこれらの物質に含まれる溶質含有量は、典型的には10重量%乃至50重量%の範囲である。
【0028】
以下の説明から明らかなように、ハウジング又はチャンバ内において半導体ウエハの被覆工程を行い、チャンバ内の雰囲気を少なくとも部分的に溶媒分子で飽和させることが望ましい。これは、基板の表面に溶媒の単分子層のコーティングを行うことによってキャストフィルムの湿潤性を改良する利点がある。さらに、チャンバ内のガス中の溶媒の濃度を制御することによって、基板上のポリマー溶液フィルムの厚さの均一性を改良することができる。これは、スピンキャストフィルム、スプレー被覆されたフィルム又は他の同様なコーティング法が採用される場合である。
【0029】
スピンキャスト法では、基板が静止しているか、線状に移動しているか又は回転している間に溶液が基板に塗布される。その後、基板は回転され、溶液は基板の表面上に広がる。溶液が基板表面に広がった後、溶液中の溶媒は蒸発によって除去され、基板の表面上に溶質の層を残す。基板の大きさが大きくなる場合、又は基板の表面に塗布される流体の量を最小にすることによって費用を削減する試みがなされる場合には、典型的には基板上に不均一な厚さの溶質の層が生ずる。これは、一部は基板の周囲と中央の間の接線速度の差の結果として生ずるものである。基板の周囲に沿った不均一な空気流は、溶媒の不均一な蒸発を引き起こし、コーティングの厚さの不均一性を生ずる。中央付近が均一になるようにするために基板がより大きくなるとより速い回転速度が必要となるので、基板の周囲付近で溶液と接触する空気との不均一な相互作用のために、基板の周囲付近に螺旋および細溝が生ずる。これらの特徴はエクマン螺旋として知られている。
【0030】
また、不十分なコーティング溶液を使用すると問題が生ずる。スピンコーティング中に基板の表面に塗布されるコーティング溶液の量を最小にすることによって費用の削減をする試みがなされると、溶媒の体積が少ないため不均一性を引き起こす。被覆工程中の溶媒の蒸発は、種々の欠陥および不規則性を生ずる。同様に、スプレー被覆されたフィルムでは、塗布中に溶媒が蒸発し易く、従って粘度が増大し、その結果得られるフィルムが一様になるのを妨げ、再び厚さの不均一性を生ずる。
【0031】
上述したように、光分解反応の生成物と反応するために、フォトレジストはある程度の水分を必要とする。これらの理由のため、チャンバ内の空気の湿度を制御できることが望ましい。
【0032】
本発明を、スピンコーティング工程を使用する具体例について、特に詳細に説明する。これらの具体例では、基板は半導体ウエハであり、半導体ウエハに塗布される溶液はフォトレジストプレポリマー溶液である。
【0033】
図1は、本発明の方法により使用されるスピンコーティング装置10の一具体例を示している。スピンコーティング装置10は、密閉ハウジング14内に取り付けられた回転可能な支持チャック12を含む。チャック12は、ハウジング14内の開口部18を貫通する軸16まで延びている。ハウジング14は、シャワーヘッド状のディスペンサ20の形態の入力を含む。これは、ガスとある濃度の溶媒とからなる制御ガスがハウジング14中に流れ込むことができるようにしている。制御ガスは、溶媒を含まないガス又は溶媒運搬ガスとすることができ、空気又は窒素のような不活性ガスを含むことができる。
【0034】
ディスペンサ20は、チャック12に取り付けられた基板の上方に直接取り付けられる。入力ダクト24は、その一端でシャワーヘッド状のディスペンサ20まで延びている。温度および湿度が制御された空気又は窒素を供給して温度および湿度を制御したガス源(図示しない)は、ダクト26を介してダクト24に接続されている。
【0035】
純粋な乾いた且つ濾過されたガスのガス源からバブラー30まで第2のダクト28が延びている。バブラー30は、溶媒34を入れる溶媒タンク32内に収容されている。典型的には、空気又は窒素からなる純粋な乾いた且つ濾過されたガスは、バブラー30を通り、ダクト36を介してダクト24に流れる溶媒運搬ガスを形成する。
【0036】
ダクト26内にはバルブ38が設けられ、ダクト36内にはバルブ40が設けられている。バルブ38、40は、温度および湿度を制御したガスと溶媒運搬ガスの一方又は両方をハウジング14まで運ぶことができるようにしている。バルブ38、40は、典型的には、ガスの流量および組成を自動的に制御するための電子制御バルブである。
【0037】
バブラー30によって供給される溶媒運搬ガスの温度は、ダクト28によって供給されるガス又は溶媒34又はその両方の温度を制御する加熱/冷却コイルによって制御される。通常、蒸発のために失われる熱を補償するために溶媒34に熱を加えなければならない。また、温度および湿度を制御されたガスの温度および湿度は、冷凍装置、ボイラおよび温度/湿度センサからなる特別な温度および湿度制御装置(温度/湿度制御装置)を使用して制御される。あるいは、温度および湿度を制御したガスの温度および湿度は、バブラー装置を使用する温度/湿度制御装置によって制御することもできる。
【0038】
具体例では、ダクト26は、2つに分岐したダクト(図示しない)によって供給される。これは、バブラー又は湿度制御源(湿度が制御されたガスのガス源)への接続を可能にする。バブラーは、典型的には、スピンコーティング装置10の残りの部分を含む外側ハウジング内に取り付けられる。対照的に、上述した特別な湿度制御装置は別体の構造からなる。湿気のある空気が供給されると、相対湿度は、ポリマー溶液に必要なレベル、典型的には40%乃至45%に維持される。明らかに、適当な環境において湿度をゼロに保持することができる。
【0039】
さらに、スピンコーティング装置10は、チャック12に取り付けられたウエハ44に溶液(この場合はフォトレジストプレポリマー溶液)を滴下させる分散ヘッド42を含む。
【0040】
ハウジング14の底部は、空気又は窒素のようなガス用の排気管48と液体用の排水管50を有する環状チャネル46を画定する。
【0041】
典型的な方法では、半導体ウエハ44は、チャック12とウエハ44との間を真空にするような標準的な方法を使用してチャック12に固定される。その後、ハウジング14へのウエハ輸送ドア52が閉じられる。ハウジング14は、溶媒を含まない乾いたガスでパージされる。次いで、ハウジング14に制御ガスが供給される。コーティング溶液が基板上に分散される前、その間およびその後に、制御ガスの溶媒濃度を制御することができる。
【0042】
溶媒は、バルブ38および40を操作することによって、バルブ40を介してダクト36に沿って流れ、その後ダクト24に沿って流れて、ハウジング14に流れ込む。溶媒の制御された分圧は、バブラー30を介して窒素又は空気からなるガスを吹き込むことによって達成することができる。この具体例のバブラー30は多孔質ガラスを含み、そこから出たガスは適当な設定温度に維持された液状の溶媒34中を通る。その結果生ずる適当な濃度の溶媒を含む溶媒運搬ガスは、コーティング工程前およびコーティング工程中に半導体ウエハ上を通る。明らかに、溶媒タンク32は、溶媒運搬ガス中の所望の溶媒濃度を維持できるように十分な溶媒を含まなければならず、溶媒タンク32にそのような十分な溶媒を供給しなければならない。
【0043】
ウエハ44上にフォトレジストの層を蒸着するために、ポリマー溶液が分散ヘッド42を介してウエハ44の表面を横切って塗布される。これは、ウエハ44が比較的低速度で回転しているか又は静止している間に、ノズル54からの連続的な流れ中のポリマー溶液をウエハ44上に分散させることによって達成される。具体例では、ノズル54は、ウエハ44を横切って略半径方向に動かされる。あるいは、基板の中央に溶液を分散させるか、又は多数のノズルを使用することもできる。ウエハ44の回転速度を調節することによって、ノズル54の移動、ポリマー溶液が分散される速度、溶液の適当な分配を達成できる。
【0044】
他の具体例では、図2に示されるように、ポリマー溶液は、ウエハが1回転だけ回転する間に従来の押出し機と同様のフィルム押出し機60によってウエハ上に蒸着する。押出し機60は、ウエハ70上にポリマー溶液のフィルムを蒸着させる。略円形ではないウエハをコーティングしなければならない場合には、ウエハは、典型的には、ポリマー溶液の蒸着工程中に長手方向に動かされる。
【0045】
押出し工程はその他の点で図1の具体例と同一であるので、図1を参照して押出し工程を説明する。溶液がウエハ44上に蒸着した後、溶液がウエハ44の上面を横切って広がるようにするために、ウエハ44の回転速度が速くなる。ウエハ44のコーティング前およびコーティング中に、溶媒を含むガスおよび溶媒運搬ガス中に浮遊する粒状汚染物質を排気管48を介して排気することによって、ウエハ44の上面にフォトレジストプレポリマー溶液の均一な層を形成できる。その後、ダクト24を介してチャンバ内に通されたガスは、バルブ38、40によって空気又は窒素のような温度および湿度を制御した溶媒を含まないガスに切り替えられる。バルブ38および40は、典型的には、マイクロプロセッサ(図示しない)によって制御される。
【0046】
次いで、ウエハ44上に蒸着したポリマー溶液中の多量の溶媒を除去するために、制御ガス中の溶媒濃度を減少させ又は制御ガスの温度を上昇させる。典型的には、溶媒を含まないガスがハウジングに供給され、ポリマー溶液からの溶媒の蒸発を高める。所望の量の蒸発が起こり十分に堅いフォトレジスト層を生成すると、ウエハ44が止まり、ウエハ輸送ドアが開き、被覆されたウエハがハウジング14から取り出される。
【0047】
上述したように、乾いた又は湿気のあるガス、即ち、溶媒を含まないガス又は溶媒運搬ガスが、種々の段階においてハウジング14から排気管48を介して除去される。このようにして、ガスがシャワーヘッド状のディスペンサ20の上流側から排気管48の下流側までウエハ44上を流れる。排気の流れはバルブ74によって制御でき、それによってハウジング14内のガス圧力を制御できる。バルブ74は、典型的には、マイクロプロセッサ(図示しない)によって制御される。粒状汚染物質を含むポリマー溶液は、環状チャネル46内に集められ、排水管50を介して除去される。
【0048】
上述したように、バブラー30に供給される液状溶媒又はガスの温度は調整可能である。このようにして溶媒運搬ガス中の溶媒の分圧を調整できる。これは、上述したような加熱/冷却コイルを使用することによって達成できる。あるいは、異なった溶媒濃度のガスを加えることによって、濃度を調整することもできる。これは、ダクト36に接続されたダクト(図示しない)を介して供給することもできる。
【0049】
バブラー30とハウジング14の温度が同じであれば、明らかに溶媒運搬ガスは溶媒で飽和するであろう。バブラー30の温度が高ければハウジング14中の溶媒運搬ガスは過飽和になり、バブラー30の温度が低ければハウジング14中の溶媒運搬ガスは飽和しないであろう。典型的には、バブラー30によって供給される溶媒運搬ガスおよびハウジング14は、溶媒の飽和を維持するために同じ温度に保持される。上述したように、スピンコーティング装置10は、典型的には外側ハウジング(図示しない)内に取り付けられる。外側ハウジングはそれを維持するために制御された温度であり、スピンコーティング装置10の構成要素の温度は、典型的には22℃に維持される。
【0050】
通常、バブラーに含まれ、ガスよって運ばれる溶媒は、ウエハ上に蒸着される溶液中に含まれる溶媒と同じである。同様に、溶液が1以上の溶媒を含む場合には、バブラーは同じ比率の同様の溶媒を含むことができる。しかし、ウエハ上に蒸着される溶液中の溶媒と異なった溶媒をバブラー中に使用することが、ある環境では望ましいことがある。
【0051】
バブラー以外の技術を利用して溶媒運搬ガスを生成することもできる。
【0052】
溶媒の蒸気圧は、蒸気圧測定器によって正確に決定できる。あるいは、不活性ガスを溶液の試料に通し、時間の関数として除去された溶媒の重量を測定することによって、蒸気圧を正確に決定することができる。ダクト36によって供給されるガス中の溶媒の分圧は、ポリマー溶液中の溶媒によって生成される平衡蒸気圧に対応するように最適に調整することができる。これは、蒸着されるフィルム又はコーティングから溶媒が蒸発する速度が、ガス状の環境から溶媒がフィルムによって吸収される速度と等しくなることを保証している。
【0053】
上述したように、ハウジング14中の溶媒の分圧は、バブラー又はガスの温度を制御することによって調整できる。あるいは、異なった溶媒の濃度を含むガスを、溶媒が飽和したガスと混合することもできる。コーティング工程中の時間の関数としてハウジングの雰囲気における溶媒の分圧の最適なプロフィールは、経験的に決定できる。
【0054】
溶媒運搬ガス又は湿気のある空気を排気管48を介して連続的に排気することによって、ハウジング内の湿度および溶媒の分圧をコーティング工程中に容易に調整して、半導体ウエハの表面上の溶液層の均一な厚さを保証することができる。同様に、ウエハ44上に蒸着したポリマー溶液からの溶媒の早期蒸発の影響を排除できる。これは、ポリマー溶液の使用を少なくし、これによってコストを減らすことができる。
【0055】
本発明は、明らかに、上述した具体例に限定されるものではない。例えば、ダクト28はダクト36に直接接続することができる。このようにして、温度および湿度を制御したガスのガス源によって供給されるガスもバブラー30に供給することができる。温度および湿度を制御したガスのガス源の湿度は、バブラー30に供給する間に単にゼロまで減少させることができる。乾いた又は湿ったガスをハウジング14に供給しなければならない場合には、ダクト28に溶媒が吸い上げられないことを確実にするために、ダクト28内のバルブは閉じられる。
【0056】
進歩した深紫外フォトレジスト物質が使用される場合には、湿気のないキャスティング環境を使用できる。従って、温度および湿度を制御したガスの湿度はゼロに保持される。
【0057】
本発明は、スピンコーティング装置への応用に制限されるものではなく、他の溶液蒸着技術を使用する装置にも適用できる。
【0058】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、半導体ウエハのような基板の表面に塗布されるポリマー溶液の厚さの均一性を改良することができ、また、基板のコーティングに使用するフォトレジストプレポリマー溶液のようなポリマー溶液の消費量を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明によるスピンコーティング装置の一具体例の概略部分側面図である。
【図2】図2は本発明によるスピンコーティング装置の他の具体例の概略部分側面図である。
【符号の説明】
10…スピンコーティング装置
12…支持チャック
14…密閉ハウジング
16…軸
18…開口部
20…ディスペンサ
24、26、28、36…導管(ダクト)
30…泡立て器(バブラー)
32…溶媒タンク
34…溶媒
38、40、74…バルブ
42…分散ヘッド
44、70…半導体ウエハ
46…環状チャネル
48…排気管
50…排水管
52…ウエハ輸送ドア
54…ノズル
60…フィルム押出し機

Claims (8)

  1. 以下を含む、基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法:
    密閉ハウジング内に基板を取り付ける;
    第1の溶媒蒸気運搬ガスを、異なった溶媒蒸気濃度を有する第2のガスと混合することにより、制御ガスの溶媒蒸気濃度を制御する;
    前記制御ガスを入口から前記ハウジング内に流す;
    前記ハウジング内の前記基板の表面にポリマー溶液を付着させる;
    前記基板を回転させる;
    前記制御ガスと溶媒蒸気と前記制御ガス内に浮遊する粒状汚染物質とを出口を介して前記ハウジングから排出する;および
    被覆した基板上に、温度および湿度制御手段によって湿度と温度が制御された溶媒を含まないガスを通す
  2. ハウジング内に供給されるガス流量と制御ガスの組成を制御する電気制御バルブが取り付けられたダクトを通じて、前記第1の溶媒蒸気運搬ガスおよび第2のガスがハウジング内に供給される、請求項1に記載の方法
  3. 前記制御ガスが、空気、窒素および不活性ガスからなる群から選ばれる1種を少なくとも含む、請求項1または2に記載の方法
  4. 前記ポリマー溶液がフォトレジストポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記ポリマー溶液が遠紫外線フォトレジストポリマーを含む、請求項に記載の方法。
  6. 前記温度と湿度が制御された溶媒を含まないガスの湿度が、40%乃至45%の範囲の相対湿度を有するように制御される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 以下を含む、基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法:
    密閉ハウジング内に基板を取り付ける;
    第1の溶媒蒸気運搬ガスを、異なった溶媒蒸気濃度を有する第2のガスと混合することにより、制御ガスの溶媒蒸気濃度を制御する;
    前記制御ガスを入口から前記ハウジング内に流す;
    前記ハウジング内の前記基板の表面にポリマー溶液を付着させる;
    被覆した基板上に、溶媒を含まず乾いた且つ濾過されたガスを通す;
    前記基板を回転させる;および
    前記制御ガスと溶媒蒸気と前記制御ガス内に浮遊する粒状汚染物質とを出口を介して前記ハウジングから排出する。
  8. 前記溶媒を含まず乾いた且つ濾過されたガスの温度が制御されている、請求項記載の方法。
JP27773695A 1994-10-27 1995-10-25 基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法およびその装置 Expired - Lifetime JP3935983B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33004594A 1994-10-27 1994-10-27
US08/330,045 1994-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08236436A JPH08236436A (ja) 1996-09-13
JP3935983B2 true JP3935983B2 (ja) 2007-06-27

Family

ID=23288081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27773695A Expired - Lifetime JP3935983B2 (ja) 1994-10-27 1995-10-25 基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法およびその装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US5670210A (ja)
JP (1) JP3935983B2 (ja)
KR (1) KR100370728B1 (ja)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6022806A (en) * 1994-03-15 2000-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming a film in recess by vapor phase growth
US6977098B2 (en) * 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7030039B2 (en) * 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7018943B2 (en) * 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US6228561B1 (en) * 1996-02-01 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US6248398B1 (en) 1996-05-22 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing
AT407586B (de) * 1997-05-23 2001-04-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
US5893950A (en) * 1997-07-31 1999-04-13 The Dexter Corporation Method and apparatus for applying a water-based coating composition to a substrate
US6027760A (en) * 1997-12-08 2000-02-22 Gurer; Emir Photoresist coating process control with solvent vapor sensor
US6177133B1 (en) 1997-12-10 2001-01-23 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
US6248168B1 (en) * 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
EP1523031B1 (en) * 1997-12-15 2007-11-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for setting a coating and apparatus for coating
US6309508B1 (en) * 1998-01-15 2001-10-30 3M Innovative Properties Company Spinning disk evaporator
US5985364A (en) * 1998-04-06 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method of exhaust control for spin-on films with reduced defects
US6068881A (en) * 1998-05-29 2000-05-30 International Business Machines Corporation Spin-apply tool having exhaust ring
KR100609766B1 (ko) * 1998-07-29 2006-08-09 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법 및 기판처리장치
US6254936B1 (en) 1998-09-14 2001-07-03 Silicon Valley Group, Inc. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6780461B2 (en) 1998-09-14 2004-08-24 Asml Holding N.V. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6350316B1 (en) * 1998-11-04 2002-02-26 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming coating film
US6317642B1 (en) 1998-11-12 2001-11-13 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and methods for uniform scan dispensing of spin-on materials
US6200913B1 (en) 1998-11-12 2001-03-13 Advanced Micro Devices, Inc. Cure process for manufacture of low dielectric constant interlevel dielectric layers
US6225240B1 (en) 1998-11-12 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Rapid acceleration methods for global planarization of spin-on films
US6387825B2 (en) 1998-11-12 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US6407009B1 (en) 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
US6530340B2 (en) 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
JP3395696B2 (ja) 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6352747B1 (en) 1999-03-31 2002-03-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Spin and spray coating process for curved surfaces
US6287987B1 (en) 1999-04-30 2001-09-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for deposition of porous silica dielectrics
TW480612B (en) 1999-10-19 2002-03-21 Steag Micro Tech Gmbh Device and method for cleaning substrates
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6327793B1 (en) * 2000-03-20 2001-12-11 Silicon Valley Group Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
JP3616748B2 (ja) * 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置
US20030072689A1 (en) * 2001-08-15 2003-04-17 Third Wave Technologies, Inc. Polymer synthesizer
US6528117B2 (en) * 2001-01-19 2003-03-04 Paul Lewis Method for coating a substance on one side of a substrate using a single miniscus
CN1900823B (zh) * 2001-02-28 2013-01-23 Asml控股公司 均匀涂布基片的方法
US6797108B2 (en) * 2001-10-05 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer
JP2003156858A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理システム
US20040001921A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Imation Corp. Coating in an environment that includes solvent vapor
US6716285B1 (en) 2002-10-23 2004-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spin coating of substrate with chemical
AU2003281895A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-23 Unaxis Balzers Ag Method and apparatus for control of layer thicknesses
JP2004228335A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Sony Corp 水蒸気酸化装置
KR20050040969A (ko) * 2003-10-29 2005-05-04 삼성전자주식회사 확산 시스템
US7078355B2 (en) * 2003-12-29 2006-07-18 Asml Holding N.V. Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate
US7326437B2 (en) * 2003-12-29 2008-02-05 Asml Holding N.V. Method and system for coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber
JP4282493B2 (ja) 2004-01-15 2009-06-24 株式会社東芝 膜形成方法及び基板処理装置
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7228645B2 (en) * 2005-01-11 2007-06-12 Xuyen Ngoc Pham Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
US20070185432A1 (en) * 2005-09-19 2007-08-09 Transport Pharmaceuticals, Inc. Electrokinetic system and method for delivering methotrexate
US20070066934A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Transport Pharmaceuticals, Inc. Electrokinetic delivery system and methods therefor
US7435692B2 (en) * 2005-10-19 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
EP1840940B8 (de) * 2006-03-28 2014-11-26 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines mikro- und/oder nanostrukturierten Struktursubstrats
US20070237897A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Erich Thallner Device and method for coating a microstructured and/or nanostructured structural substrate
US8529993B2 (en) * 2006-05-01 2013-09-10 Zetta Research andDevelopment LLC—RPO Series Low volatility polymers for two-stage deposition processes
US7811640B2 (en) * 2006-05-02 2010-10-12 Rpo Pty Limited Methods for fabricating polymer optical waveguides on large area panels
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
US8944080B2 (en) * 2011-08-02 2015-02-03 Visera Technologies Company Limited Cleaning system, cleaning device, and method of using cleaning device
SG11201606084RA (en) 2014-01-27 2016-08-30 Veeco Instr Inc Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
JP6434847B2 (ja) * 2015-03-31 2018-12-05 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置
DE102017112699A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Schwäbische Hüttenwerke Automotive GmbH Außenzahnradpumpe
US11014103B2 (en) * 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11020766B2 (en) 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE279033C (ja) *
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4132357A (en) * 1976-06-23 1979-01-02 Inmont Corporation Apparatus and method for spray application of solvent-thinned coating compositions
US4068019A (en) * 1976-11-08 1978-01-10 International Business Machines Corporation Spin coating process for prevention of edge buildup
JPS6053675B2 (ja) * 1978-09-20 1985-11-27 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
JPS5927229B2 (ja) * 1979-09-19 1984-07-04 富士通株式会社 スピンナ−
US4347302A (en) * 1980-06-06 1982-08-31 Alexander Gotman Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it
JPS591385B2 (ja) * 1980-09-01 1984-01-11 富士通株式会社 回転塗布方法及びその装置
JPS57130432A (en) * 1981-02-04 1982-08-12 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
US4438159A (en) * 1982-03-08 1984-03-20 Techsight Corporation Coating process
US4451507A (en) * 1982-10-29 1984-05-29 Rca Corporation Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness
US4514440A (en) * 1983-12-12 1985-04-30 Allied Corporation Spin-on dopant method
JPS6010248A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法
US4510176A (en) * 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
US4518678A (en) * 1983-12-16 1985-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Selective removal of coating material on a coated substrate
JPS60226125A (ja) * 1984-04-25 1985-11-11 Matsushita Electronics Corp レジスト膜の形成方法
JPS6129125A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Hitachi Ltd 塗布装置
US4600597A (en) * 1984-10-29 1986-07-15 Rca Corporation Method and device for determining the contour of spin-coated thin films of material on substrate topography
US4741926A (en) * 1985-10-29 1988-05-03 Rca Corporation Spin-coating procedure
JPS62225269A (ja) * 1986-03-26 1987-10-03 Hitachi Ltd 塗布装置
JPS6354725A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd スピンコ−テイング方法及びその装置
US4732785A (en) * 1986-09-26 1988-03-22 Motorola, Inc. Edge bead removal process for spin on films
JPS63119531A (ja) * 1986-11-07 1988-05-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造におけるフオトレジスト塗布装置
US4800836A (en) * 1987-03-27 1989-01-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist coating apparatus
US4946710A (en) * 1987-06-02 1990-08-07 National Semiconductor Corporation Method for preparing PLZT, PZT and PLT sol-gels and fabricating ferroelectric thin films
US4886012A (en) * 1987-06-30 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating apparatus
US4932353A (en) * 1987-12-18 1990-06-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Chemical coating apparatus
US5143552A (en) * 1988-03-09 1992-09-01 Tokyo Electron Limited Coating equipment
JPH01238017A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Fujitsu Ltd レジスト層の形成方法
FR2636546B1 (fr) * 1988-09-15 1991-03-15 Sulzer Electro Tech Procede et dispositif pour l'application uniformement reguliere d'une couche de resine sur un substrat
US4963390A (en) * 1988-10-05 1990-10-16 The Aerospace Corporation Metallo-organic solution deposition (MOSD) of transparent, crystalline ferroelectric films
JPH0298126A (ja) * 1988-10-05 1990-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd ホトレジスト塗布装置
JPH02119226A (ja) * 1988-10-28 1990-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機溶液の回転塗布方法
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
US5264246A (en) * 1989-05-02 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating method
US5127362A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Tokyo Electron Limited Liquid coating device
US5066616A (en) * 1989-06-14 1991-11-19 Hewlett-Packard Company Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent
JPH0341715A (ja) * 1989-07-07 1991-02-22 Toshiba Ceramics Co Ltd スピンコーター
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
US5318800A (en) * 1989-09-15 1994-06-07 Academy Of Applied Science Method of forming high temperature thermally stable micron metal oxide coatings on substrates and improved metal oxide coated products
JP2803859B2 (ja) * 1989-09-29 1998-09-24 株式会社日立製作所 流動体供給装置およびその制御方法
US5094884A (en) * 1990-04-24 1992-03-10 Machine Technology, Inc. Method and apparatus for applying a layer of a fluid material on a semiconductor wafer
JPH049823A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Hitachi Ltd 光クロスバスイッチ
US5234499A (en) * 1990-06-26 1993-08-10 Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. Spin coating apparatus
JP2940086B2 (ja) * 1990-06-30 1999-08-25 ソニー株式会社 レジスト塗布方法
JPH04104158A (ja) * 1990-08-23 1992-04-06 Nec Corp フォトレジスト膜形成方法
JPH0734890B2 (ja) * 1991-10-29 1995-04-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション スピン・コーティング方法
JPH05166712A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布方法
US5271955A (en) * 1992-04-06 1993-12-21 Motorola, Inc. Method for making a semiconductor device having an anhydrous ferroelectric thin film
US5358740A (en) * 1992-06-24 1994-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus
US5366757A (en) * 1992-10-30 1994-11-22 International Business Machines Corporation In situ resist control during spray and spin in vapor
JP2854210B2 (ja) * 1992-12-02 1999-02-03 オリジン電気株式会社 スピンナ装置
US5378511A (en) * 1993-03-22 1995-01-03 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5395803A (en) * 1993-09-08 1995-03-07 At&T Corp. Method of spiral resist deposition
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08236436A (ja) 1996-09-13
US5670210A (en) 1997-09-23
US5954878A (en) 1999-09-21
KR100370728B1 (ko) 2003-04-07
KR960015708A (ko) 1996-05-22
US6238735B1 (en) 2001-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3935983B2 (ja) 基板の表面をポリマー溶液で被覆する方法およびその装置
US7030039B2 (en) Method of uniformly coating a substrate
JP3747403B2 (ja) 溶剤蒸気センサーを有するホトレジスト塗布工程制御装置
US6977098B2 (en) Method of uniformly coating a substrate
KR20040030517A (ko) 기판을 균일하게 코팅하는 방법
US5902399A (en) Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
US6402845B1 (en) Process liquid dispense method and apparatus
US7942967B2 (en) Method and system of coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber
JPS62225269A (ja) 塗布装置
JPH0629204A (ja) レジスト現像方法及び装置
CN1900823B (zh) 均匀涂布基片的方法
JP2003068632A (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
JPH03245870A (ja) 塗布液塗布装置および塗布液塗布方法
JPS58206124A (ja) レジスト塗布方法
Kitano Novel coating apparatus using nozzle-scan technique
JPH05310412A (ja) 有機溶液の回転塗布装置
JPS61251134A (ja) 自動現像装置
JPH08257470A (ja) 塗布装置
KR20070024130A (ko) 포토리소그래피 공정 쳄버
JPH1187215A (ja) レジスト塗布装置,レジスト塗布方法,レジスト現像装置及びレジスト現像方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050404

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050804

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061124

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20061124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070322

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070405

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070803

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20070911

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20071122

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140330

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term