JPS6010248A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
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- JPS6010248A JPS6010248A JP11695983A JP11695983A JPS6010248A JP S6010248 A JPS6010248 A JP S6010248A JP 11695983 A JP11695983 A JP 11695983A JP 11695983 A JP11695983 A JP 11695983A JP S6010248 A JPS6010248 A JP S6010248A
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- Japan
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- resist
- solvent
- layer
- vapor
- oap
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はレジスト塗方法に係り、特（ニレジスト塗布の
際のレジスト溶剤の処理（−関するものである。
際のレジスト溶剤の処理（−関するものである。
技術の背景
近年超ＬＳＩの開発が論議されＩＣ，ＬＳＩ等の加工Ｆ
＃度の同上と微細比、高集積【ヒととも（ニホトレジス
トの限界に近い加工（ホトエ・ソチング）がされようと
している。
＃度の同上と微細比、高集積【ヒととも（ニホトレジス
トの限界に近い加工（ホトエ・ソチング）がされようと
している。
従来技術と問題点
例えばシリコンウェハ上に形成された二酸化珪素（邸１
０□）層をホトエ・ソチノグする場介、従来該ＳｉＯ□
層に例えば０ＡＰ（東京芯出工業社製）等のレジスト密
着強化剤を滴下し、乾燥した後。
０□）層をホトエ・ソチノグする場介、従来該ＳｉＯ□
層に例えば０ＡＰ（東京芯出工業社製）等のレジスト密
着強化剤を滴下し、乾燥した後。
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエチルア
セテート等のレジスト溶剤７含んだレジスト乞、該レジ
スト密着剤が塗布さ３たＳｉＯ□層を二塗布することが
行われる。このレジスト塗布方法で最も多く用いらｔて
いるのはウェハ支持台をウェハと共（二回転させるスピ
ニング法である。
セテート等のレジスト溶剤７含んだレジスト乞、該レジ
スト密着剤が塗布さ３たＳｉＯ□層を二塗布することが
行われる。このレジスト塗布方法で最も多く用いらｔて
いるのはウェハ支持台をウェハと共（二回転させるスピ
ニング法である。
このよう７．Ｚレジスト塗布工程ではＯＡＰ等の密着剤
の滴下後、５ｉｎ２層上にＯＡＰの薄膜が形成され、形
成されたＯＡＰＭ膜はスピニング法Ｃ二より容易（二乾
燥せしめられ、同時（二余分な０Ａ−Ｐ蒸気を強制排気
により除去することが行なわれているが充分（二ＯＡＰ
蒸気を排気出来ない場合がある。
の滴下後、５ｉｎ２層上にＯＡＰの薄膜が形成され、形
成されたＯＡＰＭ膜はスピニング法Ｃ二より容易（二乾
燥せしめられ、同時（二余分な０Ａ−Ｐ蒸気を強制排気
により除去することが行なわれているが充分（二ＯＡＰ
蒸気を排気出来ない場合がある。
７にレジスト塗布中レジスト中のレジスト溶剤がレジス
ト近傍の雰ｌ侃中（二蒸発する傾向にありににのためレ
ジスト表面と内部とで、レジストの質ζ二差が生じ、ス
ピニング後のレジスト塗布ムラ蚤：影響していると思わ
れる。待１： ＯＡ Ｐが充分Ｃ二排気されないでレジ
スト近傍の雰囲気に残留し℃いる場合、レジスト残膜率
曲線りＢｔｈが大きくなり。
ト近傍の雰ｌ侃中（二蒸発する傾向にありににのためレ
ジスト表面と内部とで、レジストの質ζ二差が生じ、ス
ピニング後のレジスト塗布ムラ蚤：影響していると思わ
れる。待１： ＯＡ Ｐが充分Ｃ二排気されないでレジ
スト近傍の雰囲気に残留し℃いる場合、レジスト残膜率
曲線りＢｔｈが大きくなり。
レジストの感度が見かけ上悪比する。
またレジスト溶剤が上記のようＣ−必要μ上に雰囲気中
に蒸発すると、レジスト塗布後の次工程であるレジスト
溶剤乾燥工種において時間が短くレジストの膜厚が不拘
−Ｃ二なる欠点があった。
に蒸発すると、レジスト塗布後の次工程であるレジスト
溶剤乾燥工種において時間が短くレジストの膜厚が不拘
−Ｃ二なる欠点があった。
発明の目的
上記欠点を鑑み本発明の目的は安定したレジスト感度良
好なレジスト塗布方法を提供することである。
好なレジスト塗布方法を提供することである。
本発明の他の目的は均一なレジスト膜を形成するための
レジスト塗布方法を提供することである。
レジスト塗布方法を提供することである。
発明の構成
本発明の目的は半導体基板近傍（ニレジスト溶剤蒸気雰
囲気を形成した後、該半導体基板上Ｃニレジストを塗布
することを特徴とするレジスト塗布方法ｌ二よって達成
される。
囲気を形成した後、該半導体基板上Ｃニレジストを塗布
することを特徴とするレジスト塗布方法ｌ二よって達成
される。
発明の実施例
以下本発明の実施例を図面（二基づいて説明する。
８１図は本発明の工実施例を説明するための概略断面図
である。
である。
ｉ１図Ｃ二Ｊ：ｎばスピンヘッド１上じシリコンウェハ
２．そしてシリコンウェハ２上にＳｉＯ□を脅３が形成
さ３ている。該ＳｉＯ□層３上にレジスト乞塗布するｔ
３ｉ、ｒ ｌニレジス）をｓｉＯ□禎３（二良好に密着
させる１ｃめ１：、＠着剤、例えば０ＡＰ（図示せず）
をＳｉＯ□層３の表面に滴下しスピンヘッドｌ乞回転さ
せることＣニエってＯＡＰ模を形成した。
２．そしてシリコンウェハ２上にＳｉＯ□を脅３が形成
さ３ている。該ＳｉＯ□層３上にレジスト乞塗布するｔ
３ｉ、ｒ ｌニレジス）をｓｉＯ□禎３（二良好に密着
させる１ｃめ１：、＠着剤、例えば０ＡＰ（図示せず）
をＳｉＯ□層３の表面に滴下しスピンヘッドｌ乞回転さ
せることＣニエってＯＡＰ模を形成した。
次（二例えば２−エトキシエチルアセテートのレジスト
溶剤５ａの蒸気５ｂＹ例えば片面多孔質円板６から放出
させ画室（図示せず）円の特（ニシリコンウェハ２上の
近傍雰囲気に充満させる。もし出来るならばシリコンウ
ェハ近傍雰囲気が局部的１；レジスト溶剤の飽和状態が
形成されるのが好ましいＯ このようＣニレジスト溶剤蒸気５ｂを画室内１：充満さ
せ７’Ｃ後、レジスト溶剤（２−エトキシエチルアセデ
ート）を含んだレジストを従来同様５ｉ０２層３上Ｃ二
滴干し、スピンヘッド五を回転させる。
溶剤５ａの蒸気５ｂＹ例えば片面多孔質円板６から放出
させ画室（図示せず）円の特（ニシリコンウェハ２上の
近傍雰囲気に充満させる。もし出来るならばシリコンウ
ェハ近傍雰囲気が局部的１；レジスト溶剤の飽和状態が
形成されるのが好ましいＯ このようＣニレジスト溶剤蒸気５ｂを画室内１：充満さ
せ７’Ｃ後、レジスト溶剤（２−エトキシエチルアセデ
ート）を含んだレジストを従来同様５ｉ０２層３上Ｃ二
滴干し、スピンヘッド五を回転させる。
いワユるスピニング（スピンコード）法Ｃ二よりてレジ
スト塗布な行なった。
スト塗布な行なった。
先Ｃ二ＳｉＯ□ａ３表面シニ形成しｆｃ密着剤ＯＡＰの
残存ＯＡＰ蒸気はレジスト溶剤蒸気の充満ζ：より排気
されてしまいシリコンウェハ上方近傍（二はＯＡＰがほ
ぼ存在しない状態と同様になり、ＯＡＰの残存蒸気（−
よるレジスト感度不安定性が解消されること（：なる。
残存ＯＡＰ蒸気はレジスト溶剤蒸気の充満ζ：より排気
されてしまいシリコンウェハ上方近傍（二はＯＡＰがほ
ぼ存在しない状態と同様になり、ＯＡＰの残存蒸気（−
よるレジスト感度不安定性が解消されること（：なる。
またレジスト塗布前（ニレジスト溶剤の蒸気を充満して
いるために、レジスト中（二予め含まｔ′Ｌ′ｆｃレジ
スト溶剤はレジスト塗布中蒸発するのが抑えられる。従
ってレジスト膜４（破線）内（二含まれるレジスト溶剤
は均一性な維持し１次工程であるベーキング工程Ｃ二お
い℃充分な乾燥時間を得ることが出来るため同一クエへ
内で均一な膜厚のレジスト層を得ることが出来る。
いるために、レジスト中（二予め含まｔ′Ｌ′ｆｃレジ
スト溶剤はレジスト塗布中蒸発するのが抑えられる。従
ってレジスト膜４（破線）内（二含まれるレジスト溶剤
は均一性な維持し１次工程であるベーキング工程Ｃ二お
い℃充分な乾燥時間を得ることが出来るため同一クエへ
内で均一な膜厚のレジスト層を得ることが出来る。
本発明においてレジストの溶剤の蒸発は第１図に示した
ようＣ；タンク７円Ｃニレジスト溶剤５ａｇ充填し、供
給管８を介してＨｏｔ窒素９をレジスト溶剤５ａ中Ｃ：
供給し１次Ｃ：供給管８の供給先端（二装備された多孔
質バブラー１０（二よって泡立℃ること（−よってなさ
れる。このよう６ニして発生したレジスト溶剤蒸気５ｂ
はｌｌｉ介して片面多孔質円板６〃λら放出される。
ようＣ；タンク７円Ｃニレジスト溶剤５ａｇ充填し、供
給管８を介してＨｏｔ窒素９をレジスト溶剤５ａ中Ｃ：
供給し１次Ｃ：供給管８の供給先端（二装備された多孔
質バブラー１０（二よって泡立℃ること（−よってなさ
れる。このよう６ニして発生したレジスト溶剤蒸気５ｂ
はｌｌｉ介して片面多孔質円板６〃λら放出される。
該片面多孔質円板６はステンレス裏か又は多、ル性スチ
ールが好ましい。なお本発明ではレジスト溶剤として２
−エトキシエチルアセテートの他（二２−メトキシエチ
ルアセテート、キシレン、ブチルアセテート等も用いら
れる。
ールが好ましい。なお本発明ではレジスト溶剤として２
−エトキシエチルアセテートの他（二２−メトキシエチ
ルアセテート、キシレン、ブチルアセテート等も用いら
れる。
発明の詳細
な説明した通り本発明（；よればレジスト密着剤の影響
が除去出来るのでレジスト感［’に安定して維持するこ
とが可能であり、またレジスト溶剤がレジスト中から蒸
発しないためレジスト溶剤乾燥が光分ζ二行なわれ均一
な厚さのレジスト膜な得ることが出来る。
が除去出来るのでレジスト感［’に安定して維持するこ
とが可能であり、またレジスト溶剤がレジスト中から蒸
発しないためレジスト溶剤乾燥が光分ζ二行なわれ均一
な厚さのレジスト膜な得ることが出来る。
第１図は本発明の１災施例〉説明するための概略断面図
である。 １・・・・−・スピンヘッド、２・・・・・・シリコン
フェノＳ１３・・・・・・二酸化珪素櫃（ＳｉＯ□層）
、４・・・・・・レジスト暎、５ａ・・・・・・し・シ
スト溶剤、５ｂ・・・・・・レジスト溶剤蒸気、６・・
・・・・片面多孔質円板、７・・・・・・タンク。 ８．１１・・・・・・供給管、９・・・・・・Ｈｏ を
窒素、１０・・・・・・多孔質バブラー。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
である。 １・・・・−・スピンヘッド、２・・・・・・シリコン
フェノＳ１３・・・・・・二酸化珪素櫃（ＳｉＯ□層）
、４・・・・・・レジスト暎、５ａ・・・・・・し・シ
スト溶剤、５ｂ・・・・・・レジスト溶剤蒸気、６・・
・・・・片面多孔質円板、７・・・・・・タンク。 ８．１１・・・・・・供給管、９・・・・・・Ｈｏ を
窒素、１０・・・・・・多孔質バブラー。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、半導体基鈑近傍Ｃニレジスト溶剤蒸気雰囲気を形成
した後、該半導体基板上（ニレジストを塗布すること乞
特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11695983A JPS6010248A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11695983A JPS6010248A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010248A true JPS6010248A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14699972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11695983A Pending JPS6010248A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010248A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211643A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 密着強化剤塗布方法 |
| JPS6379635U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | ||
| EP0403086A2 (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving deposit of photoresist on wafers |
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2010181536A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 乾燥装置及びそれを用いた乾燥方法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11695983A patent/JPS6010248A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211643A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 密着強化剤塗布方法 |
| JPS6379635U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | ||
| EP0403086A2 (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving deposit of photoresist on wafers |
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2010181536A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 乾燥装置及びそれを用いた乾燥方法 |
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