JPS63160223A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS63160223A JPS63160223A JP31489586A JP31489586A JPS63160223A JP S63160223 A JPS63160223 A JP S63160223A JP 31489586 A JP31489586 A JP 31489586A JP 31489586 A JP31489586 A JP 31489586A JP S63160223 A JPS63160223 A JP S63160223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cup
- photoresist
- vapor pressure
- resist coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔蛾痰上の利用分野〕
本発明はレジスト塗布装置、時忙、高い課厚均−性が要
求されるレジスト塗布装置に関する。
求されるレジスト塗布装置に関する。
従来のレジスト塗布装置は、例えば、ａ下電器技報Ｖｏ
Ｉ ２９ Ｎｏ、５ ｒレーザによる光グイスフの
原盤作製ＪＫ示されているよ５にスピンチャックと、該
スピンチャックに保持回転された基板に７オトレジスト
を滴下する手段と、該基板を内包密閉するカップと、該
カップ内を排気する手段と、を含んで構成される。
Ｉ ２９ Ｎｏ、５ ｒレーザによる光グイスフの
原盤作製ＪＫ示されているよ５にスピンチャックと、該
スピンチャックに保持回転された基板に７オトレジスト
を滴下する手段と、該基板を内包密閉するカップと、該
カップ内を排気する手段と、を含んで構成される。
次に、従来のレジスト塗布装置について図面を参照して
詳細に説明する。第３図は従来のレジスト塗布９＠置の
一例を示す＃１゛面図である。スピンチャック１に保持
された基１ｊ ２へ７オトレジスト供給ノズル３よりフ
ォトレジストを滴下し、基板２をＥ０１転させ基板２の
全面に均一な厚さの７オトレジスト膜を生成する。排気
は常時行い、回転数と７オトレジストの＃度とによシフ
オドレジストのバシ厚をｍ１１１１１″ｆる〇 更に、例えば光ディスクを製造するグロセスに要求され
るような他めて膜厚が博く、膜厚の均一性に秀れたフォ
トレジスト１１％を生成する場合、排気速琥の微妙な変
化によりストライエージ、ンが発生することを防ぐため
に、一般九フオドレジストｘａ時には排気を行わない。
詳細に説明する。第３図は従来のレジスト塗布９＠置の
一例を示す＃１゛面図である。スピンチャック１に保持
された基１ｊ ２へ７オトレジスト供給ノズル３よりフ
ォトレジストを滴下し、基板２をＥ０１転させ基板２の
全面に均一な厚さの７オトレジスト膜を生成する。排気
は常時行い、回転数と７オトレジストの＃度とによシフ
オドレジストのバシ厚をｍ１１１１１″ｆる〇 更に、例えば光ディスクを製造するグロセスに要求され
るような他めて膜厚が博く、膜厚の均一性に秀れたフォ
トレジスト１１％を生成する場合、排気速琥の微妙な変
化によりストライエージ、ンが発生することを防ぐため
に、一般九フオドレジストｘａ時には排気を行わない。
その時、カッグ内の伏態、すなわち、フォトレジスト塗
布液中に含有される溶剤蒸気圧の変動がフォトレジスト
膜厚の変動要因となる。カップ内の該溶剤蒸気圧は、ス
ピンコードの時飛散したフォトレジスト、または、カッ
プ底部に残留したフォトレジストからの揮発など様々な
条件により決定される。そこで、これらの条件をとり除
くために７オトレジスト塗布前に必ず排気を行い、前記
溶剤蒸気圧の変動を収り除いた後、排気を停止しフォト
レジストを塗布する。
布液中に含有される溶剤蒸気圧の変動がフォトレジスト
膜厚の変動要因となる。カップ内の該溶剤蒸気圧は、ス
ピンコードの時飛散したフォトレジスト、または、カッ
プ底部に残留したフォトレジストからの揮発など様々な
条件により決定される。そこで、これらの条件をとり除
くために７オトレジスト塗布前に必ず排気を行い、前記
溶剤蒸気圧の変動を収り除いた後、排気を停止しフォト
レジストを塗布する。
上述した従来のレジスト塗布装置は、溶剤蒸気圧の変動
による影響を７オトレジスト塗布前の排気により取り除
いているが排気しても充分に前記影褥の除去ができない
ため、フォトレジスト塗布時のカップ内の７オトレジス
ト塗布液中に含有される溶剤蒸気圧が７オトレジスト党
布毎に変動し、それにともないフォトレジスト膜厚も変
動し、膜厚Ｆ［性の良いフォトレジスト塗布ができない
という欠点があった。
による影響を７オトレジスト塗布前の排気により取り除
いているが排気しても充分に前記影褥の除去ができない
ため、フォトレジスト塗布時のカップ内の７オトレジス
ト塗布液中に含有される溶剤蒸気圧が７オトレジスト党
布毎に変動し、それにともないフォトレジスト膜厚も変
動し、膜厚Ｆ［性の良いフォトレジスト塗布ができない
という欠点があった。
また、連続してフォトレジスト塗布を行っても塗布前の
排気を長時間行えば膜厚再現性の良いフォトレジスト塗
布ができる可能性もあるが、溶剤蒸気圧の変動による影
響を取り除くために排気時間が非常に長くなり、したが
って製造コストが＾くなるとい５欠点がある。
排気を長時間行えば膜厚再現性の良いフォトレジスト塗
布ができる可能性もあるが、溶剤蒸気圧の変動による影
響を取り除くために排気時間が非常に長くなり、したが
って製造コストが＾くなるとい５欠点がある。
本発明のレジスト塗布装置は、スピンチャックと、該ス
ピンチャックに保持回転された基板にフォトレジストを
滴下する滴下手段と、該基板を内包するカップと、該カ
ップ内を排気する排気手段と該カップ内圧排気量以上の
清浄で乾燥した不活性ガスを導入するガス導入手段とを
含んで構成される。
ピンチャックに保持回転された基板にフォトレジストを
滴下する滴下手段と、該基板を内包するカップと、該カ
ップ内を排気する排気手段と該カップ内圧排気量以上の
清浄で乾燥した不活性ガスを導入するガス導入手段とを
含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
スピンチャック１と、該スピンチャックに保持回転され
た基板２に７オトレジストを滴下するフォトレジスト供
給ノズル３と、該基板２を内包するカップ４と、該カッ
プ内を排気する排気管５と、該カップ内に排気量以上の
窒素ガスを導入する窒素ガス供給管７とを含んで構成さ
れる。
た基板２に７オトレジストを滴下するフォトレジスト供
給ノズル３と、該基板２を内包するカップ４と、該カッ
プ内を排気する排気管５と、該カップ内に排気量以上の
窒素ガスを導入する窒素ガス供給管７とを含んで構成さ
れる。
次に、第１図に示した本発明のレジスト塗布装置の動作
を説明する。まず、電磁弁６を開とし、排気管５よシ排
気を行うと同時に電磁弁８を開とし、窒素ガス供給管７
からカップ内へ窒素ガスを導入することによシカ、グ内
の溶剤蒸気圧の変動を完全に除去する。次に、基板２を
スピンチャック１へ取シ付け、電磁弁６及び８を閉とし
た後、基板２にフォトレジスト供給ノズル３よす、／ク
レイ・ファーイースト化３１１ｇＭＰ−１３５０７オト
レジス）１０％一度の値布液を滴下する。基板２を２０
Ｏｒｐｍ ６０秒回転することによシ、膜厚基板上に
生成できる。基板２をとシ出した後、前記要領にて溶剤
蒸気圧の変動をなくすためスピンコードの時飛散したフ
ォトレジストまたはカップ底部に残留したフォトレジス
トから揮発した蒸気を完全に取り除いた後、次の基板を
取り付け、フォトレジスト塗布を行う。
を説明する。まず、電磁弁６を開とし、排気管５よシ排
気を行うと同時に電磁弁８を開とし、窒素ガス供給管７
からカップ内へ窒素ガスを導入することによシカ、グ内
の溶剤蒸気圧の変動を完全に除去する。次に、基板２を
スピンチャック１へ取シ付け、電磁弁６及び８を閉とし
た後、基板２にフォトレジスト供給ノズル３よす、／ク
レイ・ファーイースト化３１１ｇＭＰ−１３５０７オト
レジス）１０％一度の値布液を滴下する。基板２を２０
Ｏｒｐｍ ６０秒回転することによシ、膜厚基板上に
生成できる。基板２をとシ出した後、前記要領にて溶剤
蒸気圧の変動をなくすためスピンコードの時飛散したフ
ォトレジストまたはカップ底部に残留したフォトレジス
トから揮発した蒸気を完全に取り除いた後、次の基板を
取り付け、フォトレジスト塗布を行う。
上記要領にて８回連続し’１−７．トレジストを塗布−
した場合の膜厚変化を第２図に示す。縦軸が膜厚、横軸
が頭布回数であり、Ｏ印が本発明、Δ印が従来である。
した場合の膜厚変化を第２図に示す。縦軸が膜厚、横軸
が頭布回数であり、Ｏ印が本発明、Δ印が従来である。
膜厚測定にはエリグツメータを用い、基数上の８点を測
定した。本発明によると膜厚再現性±ＩＯＡ以下という
非常に良好な結果が得られた。−力、従来装置九よると
膜厚は塗布毎に薄くなっていくのが判る。これは、７オ
トレジＸ）塗布前に排気するだけでは、前回のスピンコ
ード時に飛散したフォトインストまたはカップ底部に残
留したフォトレジストから揮発した蒸気を充分に除去で
きず、フォトレジスト塗布時のカップ内の溶剤蒸気圧が
局〈なっていき、滴下された□フォトレジスト中に含有
される溶剤の揮発がおさえられたためと予想される。不
夷験では、８−目に塗布した膜厚は１回目より１００Ａ
近く薄くなりている。排気時間は本発明では３０秒１便
米装置では３分とした。時間は１／６に短縮されている
。
定した。本発明によると膜厚再現性±ＩＯＡ以下という
非常に良好な結果が得られた。−力、従来装置九よると
膜厚は塗布毎に薄くなっていくのが判る。これは、７オ
トレジＸ）塗布前に排気するだけでは、前回のスピンコ
ード時に飛散したフォトインストまたはカップ底部に残
留したフォトレジストから揮発した蒸気を充分に除去で
きず、フォトレジスト塗布時のカップ内の溶剤蒸気圧が
局〈なっていき、滴下された□フォトレジスト中に含有
される溶剤の揮発がおさえられたためと予想される。不
夷験では、８−目に塗布した膜厚は１回目より１００Ａ
近く薄くなりている。排気時間は本発明では３０秒１便
米装置では３分とした。時間は１／６に短縮されている
。
なお、本実施例ではカップ内に窒素ガスを導入している
が、基板、フォトレジストと反応しない。
が、基板、フォトレジストと反応しない。
かつ清浄で乾燥したガスであればよい。
不発明のレジスト塗布装置は、カップ内に排気量以上の
清浄で乾燥した不活性ガスを尋人する手段を追加するこ
とにより、カップ内の溶剤蒸気圧のｆ勅による影替を完
全に取り除くことかでさるため、喚厚均−性の秀れた膜
厚再塊性の向いフォトレジストは亜ができるという効果
がある。
清浄で乾燥した不活性ガスを尋人する手段を追加するこ
とにより、カップ内の溶剤蒸気圧のｆ勅による影替を完
全に取り除くことかでさるため、喚厚均−性の秀れた膜
厚再塊性の向いフォトレジストは亜ができるという効果
がある。
また、排気時間も大１ｌｌＩ！に短縮できるため塗布時
間が短くなり製造コストを低減できるとＶｌう効果もあ
る。
間が短くなり製造コストを低減できるとＶｌう効果もあ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図に示すレジスト塗布装置による塗布回数と膜厚変化と
の関係を示すグツ７、第３図は従来の一例を示すｗｒＦ
ｆＪ図である。 ｌ・・・・・・スピンチャック、２・・・・・・基板、
３・・・・・・フォトレジスト供給ノズル、４・・・・
・・カップ、５・・・・・・排気管、６．８・・・・・
・を自弁、７・・・・・・窒素ガス供給管。 茅 ７ｆｆｉ 第２図 ／２３４！；６７８ Ｖ序 ＠太 （田］
図に示すレジスト塗布装置による塗布回数と膜厚変化と
の関係を示すグツ７、第３図は従来の一例を示すｗｒＦ
ｆＪ図である。 ｌ・・・・・・スピンチャック、２・・・・・・基板、
３・・・・・・フォトレジスト供給ノズル、４・・・・
・・カップ、５・・・・・・排気管、６．８・・・・・
・を自弁、７・・・・・・窒素ガス供給管。 茅 ７ｆｆｉ 第２図 ／２３４！；６７８ Ｖ序 ＠太 （田］
Claims (1)
- スピンチャックと、該スピンチャックに保持回転された
基板にフォトレジストを滴下する滴下手段と、該基板を
内包するカップと、該カップ内を排気する排気手段と、
該カップ内に排気量以上の清浄で乾燥した不活性ガスを
導入するガス導入手段とを含むことを特徴とするレジス
ト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31489586A JPS63160223A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31489586A JPS63160223A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160223A true JPS63160223A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=18058922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31489586A Pending JPS63160223A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013544433A (ja) * | 2010-11-07 | 2013-12-12 | セントフェクス リミターダ エ コマンディータ | パターニングされた基板の製造装置 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31489586A patent/JPS63160223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013544433A (ja) * | 2010-11-07 | 2013-12-12 | セントフェクス リミターダ エ コマンディータ | パターニングされた基板の製造装置 |
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