JP2640815B2 - 薄膜形成物質塗布方法 - Google Patents
薄膜形成物質塗布方法Info
- Publication number
- JP2640815B2 JP2640815B2 JP62246349A JP24634987A JP2640815B2 JP 2640815 B2 JP2640815 B2 JP 2640815B2 JP 62246349 A JP62246349 A JP 62246349A JP 24634987 A JP24634987 A JP 24634987A JP 2640815 B2 JP2640815 B2 JP 2640815B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- coating
- solution
- film forming
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、薄膜形成物質塗布方法に関し、さらに詳
しくは、半導体製造工程におけるCVD等の薄膜形成前
に、その前処理として酸化膜等をウエハ上に形成する場
合の塗布装置において、そのノズルに異物が付着し難い
ようにした塗布方法の改良に関する。
しくは、半導体製造工程におけるCVD等の薄膜形成前
に、その前処理として酸化膜等をウエハ上に形成する場
合の塗布装置において、そのノズルに異物が付着し難い
ようにした塗布方法の改良に関する。
［従来の技術］ LSI等の半導体製造装置にあっては、シリコン単結晶
基板上に単結晶を成長させるために、CVDとか、PVDによ
るエピタキシャル成長成膜装置が用いられる。
基板上に単結晶を成長させるために、CVDとか、PVDによ
るエピタキシャル成長成膜装置が用いられる。
エピタキシャル成長成膜装置によりウエハ上に酸化膜
等を形成する場合に、すでに形成したパターン部の側壁
部分で段差を生じ、この段差の発生が高集積化する上で
問題となる。そこで、酸化膜形成の前処理として酸化膜
組成物である酸化膜，スピンオングラス（SOG）膜，リ
ンガラス（PSG）膜等の塗布が行われ、その後に成膜装
置で成膜処理が行われる。
等を形成する場合に、すでに形成したパターン部の側壁
部分で段差を生じ、この段差の発生が高集積化する上で
問題となる。そこで、酸化膜形成の前処理として酸化膜
組成物である酸化膜，スピンオングラス（SOG）膜，リ
ンガラス（PSG）膜等の塗布が行われ、その後に成膜装
置で成膜処理が行われる。
このような方法で使用されるノズルとしては、第３図
（ａ），（ｂ）に見るような二重ノズルが使用されてい
て、外側ノズルにアルコール等の有機溶剤が、内側ノズ
ルに酸化膜形成液（例えばSOG液）が供給される。
（ａ），（ｂ）に見るような二重ノズルが使用されてい
て、外側ノズルにアルコール等の有機溶剤が、内側ノズ
ルに酸化膜形成液（例えばSOG液）が供給される。
なお、図中、１は、ウエハを回転して塗布する塗布装
置における二重ノズルであり、２はその内側ノズル、３
はその外側ノズル、４はキャップである。
置における二重ノズルであり、２はその内側ノズル、３
はその外側ノズル、４はキャップである。
［解決しようとする問題点］ 第３図（ａ）に見るような二重ノズル１にあっては、
例えば、SOG液塗布後にノズル先端部にあるSOG液が乾燥
して付着し、それがフレークとなり異物と化してしまう
欠点がある。したがって、それがウエハ上又は周囲の雰
囲気にフレークが浮遊し、質のよい塗布が出来ない問題
点がある。
例えば、SOG液塗布後にノズル先端部にあるSOG液が乾燥
して付着し、それがフレークとなり異物と化してしまう
欠点がある。したがって、それがウエハ上又は周囲の雰
囲気にフレークが浮遊し、質のよい塗布が出来ない問題
点がある。
このようなことを回避するために、第３図（ｂ）に見
るよに、塗布動作をしていないときには、キャップ４を
かぶせ、待機時はノズル先端部を密閉状態としてSOG液
の乾燥を防ぐものがある。
るよに、塗布動作をしていないときには、キャップ４を
かぶせ、待機時はノズル先端部を密閉状態としてSOG液
の乾燥を防ぐものがある。
このようなものでは、キャップを取外すために上下移
動させるようなキャップ着脱機構が必要となり、操作及
び機構が面倒となるばかりでなく、塗布処理効率も悪く
なる。
動させるようなキャップ着脱機構が必要となり、操作及
び機構が面倒となるばかりでなく、塗布処理効率も悪く
なる。
この発明は、このような従来技術の問題点を解決する
ものであって、異物が発生し難い薄膜形成物質塗布方法
を提供することを目的とする。
ものであって、異物が発生し難い薄膜形成物質塗布方法
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ このような目的を達成するためのこの発明の薄膜形成
物質塗布方法の特徴は、薄膜形成物質を解かした溶液を
二重ノズルの一方へ供給し、揮発性溶剤を前記ノズルの
他方に供給してウエハに薄膜形成物質を塗布する薄膜形
成物質塗布装置において、溶液を供給するノズル側に溶
剤を供給する流路を設け、ウエハに溶液を塗布した後に
溶液の供給を停止して二重ノズルの双方に溶剤を供給
し、ノズル洗浄し、次の溶液の塗布供給の手前で溶液を
二重ノズルの一方に満たす空出し処理を行うものであ
る。
物質塗布方法の特徴は、薄膜形成物質を解かした溶液を
二重ノズルの一方へ供給し、揮発性溶剤を前記ノズルの
他方に供給してウエハに薄膜形成物質を塗布する薄膜形
成物質塗布装置において、溶液を供給するノズル側に溶
剤を供給する流路を設け、ウエハに溶液を塗布した後に
溶液の供給を停止して二重ノズルの双方に溶剤を供給
し、ノズル洗浄し、次の溶液の塗布供給の手前で溶液を
二重ノズルの一方に満たす空出し処理を行うものであ
る。
［作用］ このように塗布溶液側のノズルにも溶剤を供給して洗
浄することにより、塗布動作停止中にあっては、塗布溶
液側のノズルには溶剤が残留して満たされている状態と
なる。
浄することにより、塗布動作停止中にあっては、塗布溶
液側のノズルには溶剤が残留して満たされている状態と
なる。
その結果、待機状態でのノズルの先端には塗布溶液が
なく、その乾燥による汚物の発生もほとんど生じない。
なく、その乾燥による汚物の発生もほとんど生じない。
しかも、ここでは、次の溶液の塗布に当たって塗布側
のノズルに溶液を満たす空出し処理を一旦行なった後
に、次の塗布に必要な量の溶剤を供給するようにしてい
るので、液の送出時間制御が短く、かつ、確実な液量を
送出できる。
のノズルに溶液を満たす空出し処理を一旦行なった後
に、次の塗布に必要な量の溶剤を供給するようにしてい
るので、液の送出時間制御が短く、かつ、確実な液量を
送出できる。
その結果、塗布量を一定に保持することが容易にでき
る。
る。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例について図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、この発明の薄膜形成物質塗布方法を適用し
たSOG塗布装置のノズルとそのレジスト液供給系につい
ての概要図であり、第２図は、そのレジスト塗布制御の
タイミングチャートである。
たSOG塗布装置のノズルとそのレジスト液供給系につい
ての概要図であり、第２図は、そのレジスト塗布制御の
タイミングチャートである。
第１図において、10は、塗布装置の二重ノズルであ
り、11がその内側ノズル、12がその外側ノズルである。
り、11がその内側ノズル、12がその外側ノズルである。
内側ノズル11は、供給管21の接続されていて供給管21
は、元が２つに分かれたＴ字形であり、２つの流入系を
持つ。一方の流入系は、フィルタ13,バルブ14を介してS
OG液供給源15に接続されている。他方の流入系は、サッ
クバック16,バルブ17を介してSOG液に対する揮発性溶剤
としてのアルコール供給源18に接続されている。また、
アルコール供給源18に接続されているバルブ17の手前の
供給管22は枝分かれしていて、アルコール供給源18から
のアルコールがバルブ19,サックバック20を介して二重
ノズル10の外側ノズル12の部屋12aへと導かれている。
は、元が２つに分かれたＴ字形であり、２つの流入系を
持つ。一方の流入系は、フィルタ13,バルブ14を介してS
OG液供給源15に接続されている。他方の流入系は、サッ
クバック16,バルブ17を介してSOG液に対する揮発性溶剤
としてのアルコール供給源18に接続されている。また、
アルコール供給源18に接続されているバルブ17の手前の
供給管22は枝分かれしていて、アルコール供給源18から
のアルコールがバルブ19,サックバック20を介して二重
ノズル10の外側ノズル12の部屋12aへと導かれている。
ここで、サックバック16,20は、ベローズとバルブと
を備えたアルコール溜め室であって、そのバルブを開け
てベローズを操作することにより所定量のアルコールが
内側ノズル11及び外側ノズル12にそれぞれ供給される。
を備えたアルコール溜め室であって、そのバルブを開け
てベローズを操作することにより所定量のアルコールが
内側ノズル11及び外側ノズル12にそれぞれ供給される。
なお、23は、塗布対象となるウエハであり、回転台の
上にチャックされている。
上にチャックされている。
このような構成でSOG液とその溶剤としてアルコール
を供給システムを持つSOG塗布装置の塗布動作について
説明すると、第２図に見るように、塗布状態では、ま
ず、バルブ17及び19とサックバック20のバルブとがそれ
ぞれ閉じていて、バルブ14が塗布膜厚に対応する所定期
間開（“ON"）となる。このとき同時にサックバック16
のバルブも前記期間に対応して開（“ON"）かれてい
る。
を供給システムを持つSOG塗布装置の塗布動作について
説明すると、第２図に見るように、塗布状態では、ま
ず、バルブ17及び19とサックバック20のバルブとがそれ
ぞれ閉じていて、バルブ14が塗布膜厚に対応する所定期
間開（“ON"）となる。このとき同時にサックバック16
のバルブも前記期間に対応して開（“ON"）かれてい
る。
その結果、内側ノズル11からはSOG液が回転している
ウエハ23の表面上に塗布される。
ウエハ23の表面上に塗布される。
所定の塗布期間が経過すると、サックバック20のバル
ブ及びバルブ14が閉じる。そして塗布されたウエハがSO
G塗布装置から搬出された後に、洗浄処理期間に入り、
バルブ14が閉じられた状態でバルブ17,19とサックバッ
ク16及び20の各バルブが開かれて、サックバック16及び
20に所定量のアルコールが補給されるとともに、内側ノ
ズル11及び外側ノズル12にアルコールが供給され、二重
ノズル10の洗浄が行われる。
ブ及びバルブ14が閉じる。そして塗布されたウエハがSO
G塗布装置から搬出された後に、洗浄処理期間に入り、
バルブ14が閉じられた状態でバルブ17,19とサックバッ
ク16及び20の各バルブが開かれて、サックバック16及び
20に所定量のアルコールが補給されるとともに、内側ノ
ズル11及び外側ノズル12にアルコールが供給され、二重
ノズル10の洗浄が行われる。
この洗浄処理が終了した時点では、内側ノズル11及び
外側ノズル12ともにアルコールが充填されていて、特
に、内側ノズル11には、SOG液が残留することなく押し
流されてしまっている。その結果、内側ノズル11は、SO
G液が満たされていない。
外側ノズル12ともにアルコールが充填されていて、特
に、内側ノズル11には、SOG液が残留することなく押し
流されてしまっている。その結果、内側ノズル11は、SO
G液が満たされていない。
したがって、次のSOG塗布に際しては、塗布前処理と
して、SOGを内側ノズル11に充填する処理を行う。この
処理が次のSOG空出し処理であって、塗布すべきウエハ
が搬入される前に、バルブ14とサックバック16のバルブ
とを所定期間開いて、内側ノズル11の先端部までSOG液
が充填されるような処理をする。このことにより、二重
ノズル10の状態は１つ前のサイクルの塗布前の状態とな
る。そこで、次の塗布サイクルでの塗布膜厚がSOG塗布
の際の塗布量に正確に対応付けられる。
して、SOGを内側ノズル11に充填する処理を行う。この
処理が次のSOG空出し処理であって、塗布すべきウエハ
が搬入される前に、バルブ14とサックバック16のバルブ
とを所定期間開いて、内側ノズル11の先端部までSOG液
が充填されるような処理をする。このことにより、二重
ノズル10の状態は１つ前のサイクルの塗布前の状態とな
る。そこで、次の塗布サイクルでの塗布膜厚がSOG塗布
の際の塗布量に正確に対応付けられる。
ウエハ23が搬入されて塗布が開始できる状態になる
と、先に説明したようにバルブ17及び19とサックバック
20のバルブとが閉じた状態で、バルブ14及びサックバッ
ク16のバルブが塗布膜厚に対応する所定期間開（“O
N"）となり、内側ノズル11からは、SOG液が回転するウ
エハ23の表面上に滴下されて塗布される。
と、先に説明したようにバルブ17及び19とサックバック
20のバルブとが閉じた状態で、バルブ14及びサックバッ
ク16のバルブが塗布膜厚に対応する所定期間開（“O
N"）となり、内側ノズル11からは、SOG液が回転するウ
エハ23の表面上に滴下されて塗布される。
以上のように制御することにより、塗布終了から次の
塗布までの待機期間のうちのほとんどは、内側ノズル11
及び供給管21のノズル接続部分にはアルコールが充填さ
れている。したがって、SOG液は乾燥することがない。
その結果、二重ノズル10に異物が発生しない。また、塗
布終了時点でも、内側ノズル11及び供給管21のノズル接
続部分に残留しているSOG液が排出されてしまうので、
ウエハの上部に異物が発生するようなこともない。
塗布までの待機期間のうちのほとんどは、内側ノズル11
及び供給管21のノズル接続部分にはアルコールが充填さ
れている。したがって、SOG液は乾燥することがない。
その結果、二重ノズル10に異物が発生しない。また、塗
布終了時点でも、内側ノズル11及び供給管21のノズル接
続部分に残留しているSOG液が排出されてしまうので、
ウエハの上部に異物が発生するようなこともない。
また、実施例では、膜液としてSOG液を使用し、アル
コールを溶剤とした例について説明しているが、この発
明は、SOG膜の塗布に限定されるものではなく、酸化膜
組成物としての酸化膜やリンガラス（PSG）膜等を使用
でき、いわゆる異物を発生するような薄膜形成物質の塗
布一般に適用できることはもちろんである。
コールを溶剤とした例について説明しているが、この発
明は、SOG膜の塗布に限定されるものではなく、酸化膜
組成物としての酸化膜やリンガラス（PSG）膜等を使用
でき、いわゆる異物を発生するような薄膜形成物質の塗
布一般に適用できることはもちろんである。
［発明の効果］ 以上の説明から理解できるように、この発明にあって
は、塗布後に塗布溶液側のノズルにも溶剤を供給して洗
浄することにより、塗布動作停止中にあっては、塗布溶
液側のノズルには溶剤が残留して満たされている状態と
なる。
は、塗布後に塗布溶液側のノズルにも溶剤を供給して洗
浄することにより、塗布動作停止中にあっては、塗布溶
液側のノズルには溶剤が残留して満たされている状態と
なる。
その結果、待機状態でのノズルの先端には塗布溶液が
なく、その乾燥による汚物の発生もほとんど生じない。
なく、その乾燥による汚物の発生もほとんど生じない。
しかも、ここでは、次の溶液の塗布に当たって塗布側
のノズルに溶液を満たす空出し処理を一旦行なった後
に、次の塗布に必要な量の溶剤を供給するようにしてい
るので、液の送出時間制御が短く、かつ、確実な液量を
送出できる。
のノズルに溶液を満たす空出し処理を一旦行なった後
に、次の塗布に必要な量の溶剤を供給するようにしてい
るので、液の送出時間制御が短く、かつ、確実な液量を
送出できる。
その結果、塗布量を一定に保持することが容易にでき
る。
る。
第１図は、この発明の薄膜形成物質塗布方法を適用した
SOG塗布装置のノズルとそのレジスト液供給系について
の概要図、第２図は、そのレジスト塗布制御のタイミン
グチャート、第３図（ａ）及び（ｂ）は、従来のノズル
のSOG液供給方法の説明図である。 10……二重ノズル、11……内側ノズル、12……外側ノズ
ル、13……フィルタ、14,17,19……バルブ、16,20……
サックバック、15……SOG液供給源、18……アルコール
供給源、21,22……供給管。
SOG塗布装置のノズルとそのレジスト液供給系について
の概要図、第２図は、そのレジスト塗布制御のタイミン
グチャート、第３図（ａ）及び（ｂ）は、従来のノズル
のSOG液供給方法の説明図である。 10……二重ノズル、11……内側ノズル、12……外側ノズ
ル、13……フィルタ、14,17,19……バルブ、16,20……
サックバック、15……SOG液供給源、18……アルコール
供給源、21,22……供給管。
Claims (3)
- 【請求項１】薄膜形成物質を解かした溶液を二重ノズル
の一方へ供給し、揮発性溶剤を前記ノズルの他方に供給
してウエハに薄膜形成物質を塗布する薄膜形成物質塗布
装置において、前記溶液を供給するノズル側に前記溶剤
を供給する流路を設け、前記ウエハに前記溶液を塗布し
た後に前記溶液の供給を停止して前記二重ノズルの双方
に前記溶剤を供給し、ノズル洗浄し、次の前記溶液の塗
布供給の手前で前記溶液を前記二重ノズルの一方に満た
す空出し処理を行うことを特徴とする薄膜形成物質塗布
方法。 - 【請求項２】薄膜形成物質は、酸化膜を形成する物質で
あり、溶剤は有機溶剤であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜形成物質塗布方法。 - 【請求項３】薄膜形成物質は、スピンオングラス又はリ
ンガラスであり、有機溶剤はアルコールであることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜形成物質塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62246349A JP2640815B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 薄膜形成物質塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62246349A JP2640815B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 薄膜形成物質塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6490034A JPS6490034A (en) | 1989-04-05 |
| JP2640815B2 true JP2640815B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=17147236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62246349A Expired - Fee Related JP2640815B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 薄膜形成物質塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640815B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110918333A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光阻喷头装置及涂布光阻的方法 |
| JP7378345B2 (ja) * | 2020-04-24 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 二重配管の内部洗浄方法及び処理液供給装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50136333A (ja) * | 1974-04-17 | 1975-10-29 | ||
| JPS60113929A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
| JPS60210843A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | Canon Inc | 薬液滴下用ノズル |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP62246349A patent/JP2640815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6490034A (en) | 1989-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2520833B2 (ja) | 浸漬式の液処理装置 | |
| JPH1070071A (ja) | 半導体処理用の制御可能な加圧処理チャンバを有するコーター | |
| US8580340B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US10144033B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH0573245B2 (ja) | ||
| US6202653B1 (en) | Processing solution supplying apparatus, processing apparatus and processing method | |
| KR20070036865A (ko) | 노즐 세정 장치 | |
| JP2640815B2 (ja) | 薄膜形成物質塗布方法 | |
| US6537734B2 (en) | Method and apparatus for improving resist pattern developing | |
| JP2640815C (ja) | ||
| JP3703281B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002204992A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS62121669A (ja) | 塗布装置 | |
| US20090011612A1 (en) | Method of shortening photoresist coating process | |
| JP2000077293A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JPH08299878A (ja) | 回転式塗布装置および回転式塗布方法 | |
| JPH0628224Y2 (ja) | 基板回転処理装置 | |
| JPH0225501B2 (ja) | ||
| JP2664733B2 (ja) | 塗布装置およびこれを用いた塗布方法 | |
| JPS60139363A (ja) | レジスト自動塗布装置の排気制御装置 | |
| JPH06190326A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH03296213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| KR100272521B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPH0132357Y2 (ja) | ||
| JPH11276972A (ja) | レジストコーティング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |