JP7378345B2 - 二重配管の内部洗浄方法及び処理液供給装置 - Google Patents

Description

本開示は、二重配管の内部洗浄方法及び処理液供給装置に関する。

特許文献１には、基板を内部に導入して基板に膜塗布を行うための塗布容器と、塗布液を保持する塗布液容器と、塗布液容器から塗布液を塗布容器に輸送する液輸送系とを含む膜塗布装置が開示されている。この膜塗布装置には、塗布された膜内における水分の含有を抑制する手段が設けられている。また、特許文献１には、抑制手段が二重樹脂配管を含み、二重樹脂配管の内管と外管との間の空間に不活性ガスを含むガスを存在せしめ、二重樹脂配管を液輸送系において用いることが開示されている。

特開２００８－８５２６３号公報

本開示にかかる技術は、処理液の貯留源と吐出ノズルとを接続する二重配管で構成される液供給管の内部を適切に洗浄する。

本開示の一態様は、二重配管の内部洗浄方法であって、前記二重配管は、基板に処理液を吐出する吐出ノズルに処理液を供給する処理液供給装置において、前記処理液の貯留源と前記吐出ノズルを接続し、前記二重配管の内管の内部空間、及び、前記内管と外管との間隙空間の圧力は、流体の供給によりそれぞれ独立して圧力制御が可能に構成され、前記圧力制御により、前記内管の管壁内に侵入したパーティクルを前記内部空間、又は、前記間隙空間に放出する工程と、前記内部空間、又は、前記間隙空間からパーティクルを前記二重配管の外部に排出する工程と、を含む。

本開示によれば、処理液の貯留源と吐出ノズルとを接続する二重配管で構成される液供給管の内部を適切に洗浄することができる。

本実施形態にかかるレジスト液供給装置を備えるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図１のレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 本実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示すシステム図である。 液供給管の構成の概略を示す断面図である。 本実施形態にかかる液供給管の内部洗浄の主な工程を示す説明図である。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）上に所望のレジストパターンを形成するために、レジスト液をウェハに塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理等が行われる。

上述のレジスト膜形成処理を行うレジスト塗布装置には、ウェハにレジスト液を吐出する吐出ノズルと、吐出ノズルにレジスト液を供給する液供給管とが設けられている。液供給管には多くの場合、ＰＦＡ等から成る樹脂チューブが用いられる。

ところで、近年、デバイスの高密度化及び高積層化の観点から、次世代レジスト液の材料候補として、有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料を用いた光凝集分子状金属酸化物レジストが注目されている。しかしながら、ハイブリッド材料を用いたレジスト液は配管周辺の環境により大きく劣化することが知られている。特に、レジスト液に水分が混入した場合、この水分を介してパーティクルが発生し、これによりプロセス性能の低下が懸念される。

そこで、このハイブリッド材料の劣化を抑制するため、特許文献１にも開示されるように、レジスト液を供給する液供給管を二重配管にして、二重配管の内管と外管の間の空間に不活性ガスを供給することが行われている。このようにレジスト液を供給する内管の外側に不活性ガスを供給することにより、水分が内管の管壁中を透過することが抑制され、すなわち、レジスト液への水分の混入によるパーティクルの発生が抑制される。

しかしながら、このようにレジスト液中への水分の混入を抑制した場合であっても、当該レジスト液中に微量のパーティクルが存在する場合がある。そして、このようにレジスト液がパーティクルを含む場合、当該レジスト液を二重配管の内管中に滞留させると当該内管中のパーティクルが増加し、これによりレジスト液を通流させる内管に詰まりを発生させる原因となり得る。

そこで、本開示に係る技術は、処理液としてのレジスト液の貯留源と吐出ノズルとを接続する二重配管で構成される液供給管の内部を適切に洗浄する。より具体的には、レジスト液の供給により二重配管の内部において発生、蓄積したパーティクルを、二重配管の外部へと適切に排出する。

以下、本実施形態にかかる処理液供給装置を含むレジスト塗布装置及び二重配管で構成された液供給管の内部洗浄方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１はレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。図２はレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。

図１及び図２に示すように、レジスト塗布装置１は、内部を密閉可能な処理容器１０を有している。処理容器１０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器１０の内部には、ウェハＷの裏面を真空吸着することにより当該ウェハＷを水平に保持するスピンチャック１１が設けられている。スピンチャック１１は、例えばモータ等を備えた駆動機構１２に接続されており、当該駆動機構１２により鉛直軸周りに回転可能に構成されている。また、駆動機構１２には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１１は上下動可能に構成されている。

スピンチャック１１の側方には、当該スピンチャック１１に保持されたウェハＷを取り囲むように、ウェハＷからのレジスト液の飛散、落下を受け止め、回収するカップ１３が設けられている。カップ１３の底部には、回収したレジスト液を排出する排液管１４と、カップ１３内の雰囲気を排気する排気管１５が接続されている。

図２に示すように、処理容器１０におけるカップ１３のＸ軸負方向側には、Ｙ軸方向に沿って延伸するレール２０が形成されている。レール２０は、例えばカップ１３のＹ軸負方向側の外方からＹ軸正方向側の外方まで形成されている。レール２０には、駆動機構２１を介してアーム２２が取り付けられている。

アーム２２は、駆動機構２１からＸ軸方向に沿って延伸して設けられており、その先端には、ノズルヘッド２３が支持されている。ノズルヘッド２３の下面には、図１に示すように、スピンチャック１１に保持されたウェハＷに対してレジスト液を吐出する吐出ノズル２３ａが支持されている。吐出ノズル２３ａから吐出されるレジスト液は、例えば有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料を用いた光凝集分子状金属酸化物レジストである。

図２の駆動機構２１は、レール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。この駆動機構２１の駆動により、吐出ノズル２３ａは、カップ１３の外方（図２のＹ軸正方向側）に設けられた待機部２４から、カップ１３内のウェハＷの上方まで移動できる。また、駆動機構２１によってアーム２２は昇降自在であり、吐出ノズル２３ａの高さを調節できる。

また、吐出ノズル２３ａには、図１に示すように処理液供給装置としてのレジスト液供給機構３０が接続されている。なお、レジスト液供給機構３０の詳細な構成については後述する。

なお、レジスト塗布装置１には、吐出ノズル２３ａから吐出される後述の洗浄液（酸溶媒やアセトン）を回収するための回収部（図示せず）が更に設けられていてもよい。回収部は、例えばカップ１３の外方に設けられる。また、回収部は、吐出ノズル２３ａから吐出される洗浄液の種類に応じて複数、本実施形態においては例えば２つ設けられることが好ましい。

以上のレジスト塗布装置１には、制御部としての制御装置１００が設けられている。制御装置１００は例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト塗布装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、レジスト液供給機構３０における後述の液供給管３１の内部洗浄を実現するためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１００にインストールされたものであってもよい。

本実施形態にかかるレジスト塗布装置１は以上のように構成されている。次に、上述した処理液供給装置としてのレジスト液供給機構３０について説明する。図３は、レジスト液供給機構３０の構成の概略を示すシステム図である。

図３に示すようにレジスト液供給機構３０には、吐出ノズル２３ａに対して処理液としてのレジスト液を供給する液供給管３１が設けられている。液供給管３１は、図４に示すように内管３１ａと外管３１ｂとから成る二重管構造を有している。なお、以下の説明においては二重配管構造の断面視において、内管３１ａの内側の空間を「内部空間Ｖ１」、内管３１ａと外管３１ｂとの間の空間を「間隙空間Ｖ２」とそれぞれ呼称する場合がある。

内管３１ａ（内部空間Ｖ１）は、図３に示すように、一端部が内管供給系４０、他端部が吐出ノズル２３ａとそれぞれ接続されている。また、内管３１ａの吐出ノズル２３ａの近傍には、吐出ノズル２３ａへの流体の供給を制御する供給制御弁３２が設けられている。そして。内管３１ａは、供給制御弁３２の開閉動作により吐出ノズル２３ａに対する流体の供給量を任意に制御することができる。供給制御弁３２の開閉動作は、例えば上述の制御装置１００により制御される。

外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）は、図３に示すように、一端部が外管供給系５０、他端部が排出系６０とそれぞれ接続されている。

内管供給系４０には、流体供給源４１、バッファタンク４２及び機器群４３が設けられている。流体供給源４１、バッファタンク４２及び機器群４３は、液供給管３１に対するレジスト液の供給経路の上流側からこの順に配置されている。

流体供給源４１としては、例えば、通常の製造プロセス時にはレジスト液を貯留する処理液供給源が用いられ、後述の液供給管３１の内部洗浄時には流体としての洗浄液（酸溶媒又はアセトン）貯留する洗浄用流体供給源や、不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給する工場用力が用いられる。すなわち流体供給源４１は、通常の製造プロセス時においては本開示の技術内容に係る「貯留源」として機能し、液供給管３１の内部洗浄時においては本開示の技術内容に係る「供給源」として機能する。

また、流体供給源４１には、当該流体供給源４１に貯留されたレジスト液や洗浄液を内管３１ａ（内部空間Ｖ１）へと送出するための不活性ガス供給源７０が接続されている。不活性ガス供給源としては、例えば工場用力が用いられる。そして、流体供給源４１は、当該流体供給源４１に不活性ガス供給源７０からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が供給されることにより内部圧力が上昇し、これにより当該流体供給源４１に貯留されたレジスト液や洗浄液が内管３１ａに送出される。

なお、不活性ガス供給源７０は、液供給管３１の内部洗浄時における洗浄用流体供給源として用いられてもよい。すなわち、液供給管３１の内部洗浄時において、流体としての不活性ガスを内管３１ａ（内部空間Ｖ１）に対して供給できるように、内管供給系４０に対して接続されてもよい。

バッファタンク４２は、流体供給源４１から送出されたレジスト液や洗浄液を一時的に貯留する。これによりレジスト液供給機構３０においては、例えば流体供給源４１の交換時であっても、バッファタンク４２内に貯留されたレジスト液や洗浄液を内管３１ａに対して供給することができる。なお、バッファタンク４２の上部には、当該バッファタンク４２内の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が設けられている。

機器群４３は内管３１ａ（内部空間Ｖ１）の一端部に接続され、内管３１ａに対してレジスト液、洗浄機又は不活性ガスを送出するポンプと、内管３１ａに供給されるレジスト液や洗浄液に含まれるパーティクルを除去するフィルタを備えている。

また、内管供給系４０には、第１の圧力計４４が設けられている。第１の圧力計４４は、内管３１ａ（内部空間Ｖ１）の内部圧力を計測する。なお、第１の圧力計４４の設置位置は図示の例に限定されるものではなく、内管３１ａ（内部空間Ｖ１）の内部圧力を計測できれば、例えば内管供給系４０に代えて内管３１ａに直接設けられてもよい。

内管３１ａに供給された洗浄液は、内管３１ａの他端部に接続された吐出ノズル２３ａから吐出されることにより液供給管３１の外部、具体的にはレジスト塗布装置１に設けられた上述の回収部（図示せず）に回収される。ただし、内管３１ａに供給された洗浄液の液供給管３１からの排出方法はこれに限定されるものではない。例えば、内管３１ａの他端部を排出部としての後述の排出系６０と更に接続し、当該排出系６０により、内管３１ａに供給された洗浄液を液供給管３１の外部に排出するように構成してもよい。

外管供給系５０には、複数、例えば２つの洗浄液貯留源５１、５２と、切換え弁５３が設けられている。

供給源としての洗浄液貯留源５１及び洗浄液貯留源５２には、液供給管３１の内部洗浄を行う流体としての洗浄液（酸溶媒及びアセトン）がそれぞれ貯留されている。また、洗浄液貯留源５１及び洗浄液貯留源５２には、貯留された洗浄液を外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）へと送出するための不活性ガス供給源７０が接続されている。そして、洗浄液貯留源５１及び洗浄液貯留源５２は、内部に不活性ガス供給源７０からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が供給されることにより内部圧力が上昇し、これにより当該洗浄液貯留源５１及び洗浄液貯留源５２に貯留された洗浄液をそれぞれ外管３１ｂに送出可能に構成されている。

なお、以下の説明においては液供給管３１の洗浄液として酸溶媒及びアセトンを用いる場合を例に説明を行うが、洗浄液の種類や組み合わせはこれに限定されるものではなく、液供給管３１中に発生、蓄積するパーティクルの種類に応じて適宜選択しうる。例えば、酸溶媒、又は、両親媒性をもつアセトンに代えて、又は加えて、アルカリ溶媒を用いてもよい。

なお、外管３１ｂに接続される洗浄液貯留源の数は本実施形態には限定されない。例えば外管３１ｂに対して洗浄液貯留源を一つのみ接続し、接続された洗浄液貯留源を交換することで洗浄液の種類を変更可能に構成してもよい。また例えば、３つ以上の洗浄液貯留源を外管３１ｂに対して接続してもよい。

切換え弁５３には、外管３１ｂの一端部、供給源としての洗浄液貯留源５１、５２及び供給源としての不活性ガス供給源７０が接続されている。切換え弁５３は、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）に対して供給する流体の種類を洗浄液（酸溶媒又はアセトン）、又は不活性ガスのいずれかに切り替える。なお、切換え弁５３の動作は、例えば上述の制御装置１００により制御される。

また、外管供給系５０には、第２の圧力計５４が設けられている。第２の圧力計５４は、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）の内部圧力を計測する。なお、図示の例においては第２の圧力計５４は複数、具体的には洗浄液貯留源５１、５２及び不活性ガス供給源７０のそれぞれに対応して３つ設けたが、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）の内部圧力を計測できれば、例えば外管３１ｂに対して１つのみが設けてられてもよい。

排出部としての排出系６０は、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）に供給された洗浄液としての酸溶媒、アセトンをそれぞれ回収するドレインタンク６１、６１と、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）に供給された不活性ガスを開放する開放弁６２を有している。排出系６０は、これらドレインタンク６１、６１、及び開放弁６２により、外管３１ｂに供給された洗浄液、不活性ガスを液供給管３１の外部に排出する。

なお、排出系６０は、上述のように、内管３１ａに供給された洗浄液、不活性ガスを更に液供給管３１の外部に排出可能に構成されてもよい。

以上のレジスト液供給機構３０は、前述の制御装置１００によってその動作が制御される。

例えば制御装置１００は、内管供給系４０と外管供給系５０の動作を独立に制御し、液供給管３１の内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２に対して独立して異なる流体を供給する。具体的には、例えばレジスト塗布装置１の製造プロセス時には、内部空間Ｖ１に対してレジスト液を供給するとともに、間隙空間Ｖ２に対して不活性ガスを供給することができる。また、液供給管３１の内部洗浄時には、例えば内部空間Ｖ１に対して不活性ガスを供給すると共に、間隙空間Ｖ２に対して洗浄液を供給することができる。

また、制御装置１００は、例えば、液供給管３１の内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２に対する流体の供給により、当該内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２の内部圧力を独立して制御することができる。具体的には、例えば内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２のそれぞれに洗浄液を供給した場合において、内部空間Ｖ１の内部圧力に対して高圧に制御することができる。

本実施形態にかかるレジスト液供給機構３０は以上のように構成されている。

ここで、上述したようにレジスト液中には機器群４３のフィルタによっては回収できない微細なパーティクルが含まれている場合がある。レジスト液に微細なパーティクルが含まれる場合、例えば供給制御弁３２を閉止することで液供給管３１の内部、より具体的には内部空間Ｖ１にレジスト液を滞留させると、当該内部空間Ｖ１内のパーティクル量が増加する。そしてこのように内部空間Ｖ１内のパーティクル量が増加すると、その程度により当該内部空間Ｖ１を閉塞させる原因となるおそれがある。

また、このように内部空間Ｖ１において発生、蓄積したパーティクルは、内管３１ａの内表面に形成された微細な孔部（図示せず）に侵入し、その結果、内管３１ａの管壁内に入り込んでしまう場合がある。このように管壁内に入り込んだパーティクルは、例えばレジスト塗布装置１の製造プロセスにおいてウェハＷ上に塗布されることでプロセス性能低下の原因となるおそれや、内部空間Ｖ１におけるパーティクル蓄積の媒介となるおそれがある。

そこで、本実施形態にかかるレジスト液供給機構３０においては、上記構成により二重配管構造を有する液供給管３１の内部洗浄を行い、液供給管３１において発生、蓄積したパーティクルを適切に当該液供給管３１の外部に排出する。以下、本実施形態にかかる二重配管の内部洗浄方法について説明する。図５は、本実施形態にかかる二重配管の内部洗浄の主な工程を示す液供給管３１の断面図である。

レジスト塗布装置１の製造プロセス時には図５（ａ）に示すように内部空間Ｖ１にレジスト液、間隙空間Ｖ２に不活性ガスがそれぞれ供給されている。この製造プロセスにおいては、上述したように内部空間Ｖ１内にパーティクルＰが発生、蓄積する場合がある。また、内管３１ａの管壁内に当該パーティクルＰが入り込む場合がある。

そこで、液供給管３１の内部洗浄にあたっては、先ず、流体供給源４１を処理液供給源から洗浄用流体供給源（酸溶媒）に取り換える。そして、図５（ｂ）に示すように、内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２に洗浄液としての酸溶媒を供給し、当該酸溶媒を液供給管３１の内部に滞留させる。これにより、内部空間Ｖ１に発生、蓄積した一部のパーティクルＰ、具体的には無機材料を主とするパーティクルＰが溶解する。
またこの時、間隙空間Ｖ２の内部圧力を内部空間Ｖ１の内部圧力よりも高くする。これにより、内管３１ａの管壁内に入り込んだ一部のパーティクルＰが、その圧力差により内部空間Ｖ１へと放出される。

内管３１ａの管壁内のパーティクルＰが内部空間Ｖ１へと放出されると、次に、流体供給源４１を洗浄用流体供給源（酸溶媒）から不活性ガスを供給する工場用力に切り替える。そして、図５（ｃ）に示すように、内部空間Ｖ１に不活性ガスを供給する。これにより、内部空間Ｖ１に発生していたパーティクルＰ、及び、酸溶媒の滞留により内部空間Ｖ１に放出されたパーティクルＰを酸溶媒と共にドレインタンク６１へと押し出して排出する。
またこの時、内部空間Ｖ１の内部圧力を間隙空間Ｖ２の内部圧力よりも高くする。これにより、内管３１ａの管壁内に入り込んだパーティクルＰのうち、酸溶媒により溶解したものの、例えば位置関係等により内部空間Ｖ１には放出されなかったパーティクルＰが、その圧力差により間隙空間Ｖ２に放出される。
間隙空間Ｖ２に放出されたパーティクルＰは、排出系６０により間隙空間Ｖ２に供給された酸溶媒と共に液供給管３１の外部、具体的にはドレインタンク６１へと排出される。
そして、その後さらに内部空間Ｖ１への不活性ガスの供給を継続し、これにより内部空間Ｖ１の内部を乾燥する。

間隙空間Ｖ２内の酸溶媒が排出されると、次に、図５（ｄ）に示すように、間隙空間Ｖ２に不活性ガスを供給する。これにより、間隙空間Ｖ２に残留する酸溶媒及びパーティクルＰをドレインタンク６１へと押し出して排出する。
液供給管３１に供給された不活性ガスは、排出系６０の開放弁６２を開放することにより、液供給管３１の外部へと排出される。
そして、その後さらに間隙空間Ｖ２への不活性ガスの供給を継続し、これにより内部空間Ｖ１の内部を乾燥する。

酸溶媒による内部洗浄が完了した液供給管３１は、次に、図５（ｅ）～図５（ｇ）に示すように、酸溶媒による内部洗浄と同様の方法により、洗浄液としてのアセトンを用いた内部洗浄が行われる。
すなわち、流体供給源４１を不活性ガスを供給する工場用力から洗浄用流体供給源（アセトン）に切り替えた後、図５（ｅ）に示す内部空間Ｖ１及び間隙空間Ｖ２へアセトンを供給する。またその後、流体供給源４１を洗浄用流体供給源（アセトン）から不活性ガスを供給する工場用力に切り替えた後、図５（ｆ）に示す内部空間Ｖ１への不活性ガスの供給、図５（ｇ）に示す間隙空間Ｖ２への不活性ガスの供給、が順次行われる。
これにより、酸溶媒によっては溶解されなかった残りのパーティクルＰ、具体的には有機材料を主とするパーティクルＰが溶解され、内部空間Ｖ１又は間隙空間Ｖ２に放出された後、アセトンと共に液供給管３１の外部、具体的にはドレインタンク６１に排出される。なお、アセトンが排出されるドレインタンク６１は、酸溶媒が排出されたドレインタンク６１とは別のものであることが望ましい。

その後、液供給管３１に供給された不活性ガスが、排出系６０の開放弁６２の開放により液供給管３１の外部へと排出されると、液供給管３１の一連の内部洗浄が完了する。
内部洗浄が完了した液供給管３１は、図５（ｈ）に示すように、内部空間Ｖ１にレジスト液、間隙空間Ｖ２に不活性ガスをそれぞれ供給することで製造プロセスが再開される。

以上のように、本実施形態では、二重管構造を有する液供給管３１の洗浄において、液供給管３１の内管３１ａ（内部空間Ｖ１）と外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）の圧力を独立して制御することにより、液供給管３１の洗浄を適切に行うことができる。具体的には、内部空間Ｖ１と間隙空間Ｖ２との圧力差により、内管３１ａの管壁内に侵入したパーティクルを内部空間Ｖ１又は間隙空間Ｖ２に放出し、液供給管３１の外部に排出することができる。すなわち、断面視における二重配管の全面を適切に洗浄することができる。

また、本実施形態では、このように液供給管３１の内部を任意の圧力に制御できるため、液供給管３１の配管詰まりのリカバリーが容易である。すなわち、内管３１ａにパーティクルが蓄積されて詰まりが生じた場合であっても、当該内部空間Ｖ１の内部圧力を高圧に制御することにより、適切に蓄積されたパーティクルＰを除去することができる。

また、本実施形態では、液供給管３１の内部洗浄のサイクルを、複数の異なる洗浄液（本実施形態においては酸溶媒及び両親媒性をもつアセトン）を用いて繰り返し行う。これにより、有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料から生成され、液供給管３１の内部に発生、蓄積したパーティクルＰを、適切に液供給管３１の外部に排出することができる。

また、本実施形態にかかるレジスト液供給機構３０によれば、例えば液供給管３１の内部に、パーティクルＰの発生、肥大化の原因となる水分が混入してしまった場合であっても、上述の内部洗浄を行うことにより当該混入した水分を適切に液供給管３１の外部に排出することができる。

なお、以上の実施形態においては、内管３１ａ（内部空間Ｖ１）に供給される流体の切り替えを流体供給源４１の取換え、切換えにより、外管３１ｂ（間隙空間Ｖ２）に供給される流体の切り替えを切換え弁５３の動作により、それぞれ制御した。しかしながら、内管３１ａ及び外管３１ｂへの流体の切り替え方法はこれに限定されるものではなく、それぞれ、流体供給源や洗浄液供給源の取り換え、切換え弁の動作等、任意の方法により行うことができる。また、これら流体供給源、洗浄液供給源の取り換えや切換え弁の動作は、例えばオペレータ等が手動で行ってもよいし、例えば制御装置１００等により自動制御してもよい。

なお、以上の実施形態においては、液供給管３１（内部空間Ｖ１又は間隙空間Ｖ２）に不活性ガスを導入することで、液供給管３１から洗浄液（酸溶媒又はアセトン）を排出し、更に液供給管３１の乾燥を行った。しかしながら、液供給管３１への不活性ガスの供給タイミングはこれに限定されるものではなく、例えば洗浄液の供給による内管３１ａの管壁内のパーティクルＰの放出、及び液供給管３１内の洗浄液及びパーティクルの排出を行った後に不活性ガスを供給し、液供給管３１に残留する洗浄液、及びパーティクルＰを押し出して液供給管３１を乾燥させてもよい。換言すれば、不活性ガスを液供給管３１の内部の乾燥のみにおいて用い、上述の液供給管３１の外部への洗浄液及びパーティクルＰの排出は排出系６０の動作のみにより行ってもよい。

なお、本実施形態では図５に示したように酸溶媒による液供給管３１の内部洗浄と、アセトンによる液供給管３１の内部洗浄と、をこの順に行ったが、液供給管３１の内部洗浄の順序はこれに限定されるものではない。例えばアセトンによる液供給管３１の内部洗浄を、酸溶媒による液供給管３１の内部洗浄に先立って行ってもよい。

なお、以上の実施形態においては、内管３１ａの管壁内に入り込んだパーティクルＰを、内部空間Ｖ１、又は間隙空間Ｖ２のいずれかに放出した後に液供給管３１から排出した。しかしながら、パーティクルＰは製造プロセスにおけるレジスト液の吐出経路である内部空間Ｖ１に放出されるよりも、製造プロセスにおいてはレジスト液の吐出経路とはならない間隙空間Ｖ２に放出されることが好ましい。すなわち具体的には、液供給管３１の洗浄においては、パーティクルＰの内部空間Ｖ１への放出時における内部空間Ｖ１と間隙空間Ｖ２の圧力差を小さく、パーティクルＰの間隙空間Ｖ２への放出時における内部空間Ｖ１と間隙空間Ｖ２の圧力差を大きく制御することが好ましい。

なお、以上の実施形態においては液供給管３１が内管３１ａ及び外管３１ｂから成る二重配管構造を有する場合を例に説明を行ったが、本開示に係る技術は、液供給管３１が三重配管以上の構造を有する場合であっても適用することができる。すなわち、液供給管３１の内部の各空間に対して独立して流体を供給可能に構成し、かつ、各空間の圧力を独立して制御可能に構成することで、三重配管以上の構造を有する場合であっても適切に洗浄を行うことができる。

また、以上の実施形態においてはウェハＷにレジスト液を吐出する吐出ノズル２３ａにレジスト液を供給するレジスト液供給機構３０における、液供給管３１の内部洗浄を行う場合を例に説明を行った。しかしながら、本開示に係る技術は、内部洗浄の対象となる二重配管構造以上の配管を有する任意の装置に適用することができ、例えば、洗浄装置やＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置に用いられてもよい。また、吐出ノズル２３ａから供給される処理液はレジスト液に限られるものではなく、洗浄液や反射防止膜（ＢＡＲＣやＴＡＲＣ等）形成用の塗布液等であってもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

２３ａ 吐出ノズル
３０ レジスト液供給機構
３１ 液供給管
４１ 流体供給源
Ｐ パーティクル
Ｖ１ 内部空間
Ｖ２ 間隙空間
Ｗ ウェハ

Claims (13)

1. 二重配管の内部洗浄方法であって、
   前記二重配管は、基板に処理液を吐出する吐出ノズルに処理液を供給する処理液供給装置において、前記処理液の貯留源と前記吐出ノズルを接続し、
   前記二重配管の内管の内部空間、及び、前記内管と外管との間隙空間の圧力は、流体の供給によりそれぞれ独立して圧力制御が可能に構成され、
   前記圧力制御により、前記内管の管壁内に侵入したパーティクルを前記内部空間、又は、前記間隙空間に放出する工程と、
   前記内部空間、又は、前記間隙空間からパーティクルを前記二重配管の外部に排出する工程と、を含む、二重配管の内部洗浄方法。
2. 前記パーティクルを放出する工程は、前記内部空間、又は、前記間隙空間の少なくともいずれか一方に洗浄液を供給することにより行われる、請求項１に記載の二重配管の内部洗浄方法。
3. 前記洗浄液は酸溶媒、アルカリ溶媒又はアセトンである、請求項２に記載の二重配管の内部洗浄方法。
4. 前記パーティクルを放出する工程と、前記パーティクルを排出する工程と、を含むサイクルを繰り返し行い、
   繰り返し行われる前記サイクルにおいては異なる前記洗浄液が用いられる、請求項３に記載の二重配管の内部洗浄方法。
5. 前記パーティクルを排出する工程は、前記内部空間、又は、前記間隙空間に不活性ガスを供給することにより行われる、請求項１～４のいずれか一項に記載の二重配管の内部洗浄方法。
6. 不活性ガスの供給により、前記二重配管の内部を乾燥させる工程を更に含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の二重配管の内部洗浄方法。
7. 前記処理液は、有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料である、請求項１～６のいずれか一項に記載の二重配管の内部洗浄方法。
8. 基板に処理液を吐出する吐出ノズルに処理液を供給する処理液供給装置であって、
   前記処理液の貯留源と吐出ノズルとを接続する、二重配管で構成される液供給管と、
   前記二重配管の内部洗浄を行うための流体の供給源と、
   前記二重配管に対する前記流体の供給を制御する制御部と、を有し、
   前記供給源は、前記二重配管の内管の内部空間、及び、前記内管と外管との間隙空間に対して、それぞれ独立して前記流体を供給可能に構成され、
   前記制御部は、前記内部空間、及び、前記間隙空間の圧力を、前記流体の供給によりそれぞれ独立して圧力制御する、処理液供給装置。
9. 前記内部空間の圧力を計測する第１の圧力計と、
   前記間隙空間の圧力を計測する第２の圧力計と、を更に有する、請求項８に記載の処理液供給装置。
10. 前記二重配管には複数の前記供給源が接続される、請求項８又は９に記載の処理液供給装置。
11. 複数の前記供給源からそれぞれ供給される前記流体は、不活性ガス、酸溶媒、アルカリ溶媒又はアセトンである、請求項１０に記載の処理液供給装置。
12. 前記二重配管に供給された前記流体を、当該二重配管の外部に排出する排出部を更に有する、請求項８～１１のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
13. 前記処理液は、有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料である、請求項８～１２のいずれか一項に記載の処理液供給装置。

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