JPS61151645A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS61151645A JPS61151645A JP27753784A JP27753784A JPS61151645A JP S61151645 A JPS61151645 A JP S61151645A JP 27753784 A JP27753784 A JP 27753784A JP 27753784 A JP27753784 A JP 27753784A JP S61151645 A JPS61151645 A JP S61151645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- chamber
- solvent
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置等の製造工程において広く行われて
いるレジスト塗布方法の改善に関する。
いるレジスト塗布方法の改善に関する。
例えば半導体装置の不純物導入領域、電極或いは配線な
どのパターンを形成する際に、リソグラフィ法は最も基
本的な技術となっている。
どのパターンを形成する際に、リソグラフィ法は最も基
本的な技術となっている。
リングラフィ工程は通常所要のパターンをレジストで形
成するプロセスと、レジストのパターンに従ってその下
地の膜等に例えばエツチング、イオン注入等の加工を行
い、レジストを除去するプロセスとに大別されるが、パ
ターンの微細、高密度化及びスループットの増大等を推
進するために、レジストの研究が露光方法等と共に強力
に進められている。
成するプロセスと、レジストのパターンに従ってその下
地の膜等に例えばエツチング、イオン注入等の加工を行
い、レジストを除去するプロセスとに大別されるが、パ
ターンの微細、高密度化及びスループットの増大等を推
進するために、レジストの研究が露光方法等と共に強力
に進められている。
リソグラフィ法に用いるレジストとして、紫外線露光用
には例えばキノンジアジド系、合成ゴム系など、電子ビ
ーム露光用には例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭ
？ｌＡ）系など、目的とするエネルギ線に適応する感光
基を有する種々のポリマーが選択されている。
には例えばキノンジアジド系、合成ゴム系など、電子ビ
ーム露光用には例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭ
？ｌＡ）系など、目的とするエネルギ線に適応する感光
基を有する種々のポリマーが選択されている。
これらのレジストは溶媒に溶解されてマスクブランク、
ウェーハ等に塗布されるが、塗布方法としてはスピン塗
布法が最も一般的である。スピン塗布法では、水平面内
で例えば２０００〜５０００ｒｐａ＋程度で回転するウ
ェーハにレジスト溶液を滴下し、これが時間の経過とと
もに中心から波状に拡がって、レジストの粘度と回転に
よる遠心力とが釣り合ったところで膜厚が決まる。
ウェーハ等に塗布されるが、塗布方法としてはスピン塗
布法が最も一般的である。スピン塗布法では、水平面内
で例えば２０００〜５０００ｒｐａ＋程度で回転するウ
ェーハにレジスト溶液を滴下し、これが時間の経過とと
もに中心から波状に拡がって、レジストの粘度と回転に
よる遠心力とが釣り合ったところで膜厚が決まる。
このスピン塗布法でレジスト膜厚が均一となり、しかも
溶液が糸を引かない溶媒は、例えば、エチルセロソルブ
アセテート（ＥＣＡ） 、メチルセロソルブアセテート
（１’１ＣＡ） 、キシレン、シクロヘキサノンなどに
従来限られている。
溶液が糸を引かない溶媒は、例えば、エチルセロソルブ
アセテート（ＥＣＡ） 、メチルセロソルブアセテート
（１’１ＣＡ） 、キシレン、シクロヘキサノンなどに
従来限られている。
半導体装置等のパターンの微細、高精度化を進め、かつ
スループントを増大するために、レジストについて解像
度、感度、密着性及び耐エツチング性等を向上し、かつ
薄く均一な膜厚としてピンホール等の欠陥を生じないな
どの改善が要望されている。
スループントを増大するために、レジストについて解像
度、感度、密着性及び耐エツチング性等を向上し、かつ
薄く均一な膜厚としてピンホール等の欠陥を生じないな
どの改善が要望されている。
この改善を進めるに際して、レジスト塗布に用いる溶媒
が前記例程度に限定されることは新しいレジストの可能
性を制限するものであり、これらの溶媒より多くのポリ
マーを溶解する揮発性の高い溶媒などを用いて、良好な
レジスト膜を形成することが可能なレジスト塗布方法が
要望されている。
が前記例程度に限定されることは新しいレジストの可能
性を制限するものであり、これらの溶媒より多くのポリ
マーを溶解する揮発性の高い溶媒などを用いて、良好な
レジスト膜を形成することが可能なレジスト塗布方法が
要望されている。
前記問題点は、レジスト布室内の雰囲気を封止してレジ
スト溶液を塗布し、塗布された該溶液中の溶媒の蒸発を
制御する本発明によるレジスト塗布方法により解決され
る。
スト溶液を塗布し、塗布された該溶液中の溶媒の蒸発を
制御する本発明によるレジスト塗布方法により解決され
る。
本発明によるレジスト塗布方法においては、レジスト溶
液の塗布を行う際にレジスト塗布室を封止してレジスト
溶媒の蒸気を室内の雰囲気中に留め、この雰囲気によっ
て塗布されたレジスト溶液中の溶媒の蒸発を制御、特に
抑制する。
液の塗布を行う際にレジスト塗布室を封止してレジスト
溶媒の蒸気を室内の雰囲気中に留め、この雰囲気によっ
て塗布されたレジスト溶液中の溶媒の蒸発を制御、特に
抑制する。
レジスト塗布室内の雰囲気の温度を制御することは、こ
の制御を行う手段として特に効果的である。
の制御を行う手段として特に効果的である。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
下記各実施例においては、例えば添付図面に示す如き構
造のレジスト塗布装置を使用し、かつレジストとしては
周知のＰ聞Ａを用いている。
造のレジスト塗布装置を使用し、かつレジストとしては
周知のＰ聞Ａを用いている。
図に示すレジスト塗布装置では、スピンドルへフドｌを
収容するレジスト塗布室２は気密に閉じられ（図示を省
略）、その壁には室内の温度を制御、通常は冷却するた
めの配管３が埋設されており、更にレジスト塗布室２内
にガスを導入するための配管４を備えてい名。
収容するレジスト塗布室２は気密に閉じられ（図示を省
略）、その壁には室内の温度を制御、通常は冷却するた
めの配管３が埋設されており、更にレジスト塗布室２内
にガスを導入するための配管４を備えてい名。
（例１；１０ｗｔ％メチルエチルケトン溶液）従来方法
により、スピンドルヘッドの回転数を例えば３０００ｒ
ｐ−として塗布した場合に、滴下する溶液が糸を引き、
しかも溶媒の蒸発が速やかであるためにレジスト膜面に
粒子状の突起が散在する結果となった。
により、スピンドルヘッドの回転数を例えば３０００ｒ
ｐ−として塗布した場合に、滴下する溶液が糸を引き、
しかも溶媒の蒸発が速やかであるためにレジスト膜面に
粒子状の突起が散在する結果となった。
（ａ） これに対し、前記レジスト塗布装置を使用し
、その室内に予め冷却した乾燥窒素（Ｎ２）ガスを流し
室内温度を約０℃として、同一回転数で塗布した実施例
で、本溶液は糸を引かず、かつ良好なレジスト膜が得ら
れている。
、その室内に予め冷却した乾燥窒素（Ｎ２）ガスを流し
室内温度を約０℃として、同一回転数で塗布した実施例
で、本溶液は糸を引かず、かつ良好なレジスト膜が得ら
れている。
（ｂ） また、レジスト塗布室壁の冷却管に例えば冷
却したアルコールを通じて室内温度を約２℃とし、塗布
室内に乾燥窒素ガスを満たして同様の塗布を行い、上記
実施例と同様の良好な結果が得られている。
却したアルコールを通じて室内温度を約２℃とし、塗布
室内に乾燥窒素ガスを満たして同様の塗布を行い、上記
実施例と同様の良好な結果が得られている。
なお本実施例においては、例えば窒素ガスを乾燥して置
換することにより、雰囲気内の水分が塗布されたレジス
ト内に取り込まれて膜が不均一となることを防止してい
る。
換することにより、雰囲気内の水分が塗布されたレジス
ト内に取り込まれて膜が不均一となることを防止してい
る。
（例２ ； ７．５ｗｔ％ベンゼン溶液）従来方法によ
り、スピンドルヘッドの回転数を例えば３０００ｒｐｍ
として塗布した場合に、滴下する溶液が糸を引き、しか
も溶媒の蒸発が速やかであるためにレジスト膜面に線状
の凹凸を生ずるなどして均一なレジスト膜を得ることが
出来ない。
り、スピンドルヘッドの回転数を例えば３０００ｒｐｍ
として塗布した場合に、滴下する溶液が糸を引き、しか
も溶媒の蒸発が速やかであるためにレジスト膜面に線状
の凹凸を生ずるなどして均一なレジスト膜を得ることが
出来ない。
これに対して、前記例１の（ａ）及び（ｂ）と同一の方
法により、この溶液についても良好なレジスト膜が得ら
れている。
法により、この溶液についても良好なレジスト膜が得ら
れている。
（例３；５Ｈｔ％１．４−ジオキサン溶液）従来方法に
よれば、前記例１の１０ｗｔ％メチルエチルケトン溶液
と同様の結果となる。
よれば、前記例１の１０ｗｔ％メチルエチルケトン溶液
と同様の結果となる。
これに対して、レジスト塗布室内の雰囲気を封止し、例
えば温度１５〜２０℃程度で溶媒を飽和させることによ
り、この溶液についても良好なレジスト膜が得られてい
る。
えば温度１５〜２０℃程度で溶媒を飽和させることによ
り、この溶液についても良好なレジスト膜が得られてい
る。
前記各側の他に、クロロホルム、テトラヒドロフラン等
についても、これを溶媒として本発明の方法により良好
なレジスト膜が得られている。
についても、これを溶媒として本発明の方法により良好
なレジスト膜が得られている。
以上説明した如く本発明によれば、レジスト溶液の溶媒
の蒸発を制御することができ、従来より揮発性が高い溶
媒を使用して良好な膜を形成することが可能となって、
従来は良好な膜を塗布形成することが不可能であったポ
リマーを、レジストとして使用する可能性が得られる。
の蒸発を制御することができ、従来より揮発性が高い溶
媒を使用して良好な膜を形成することが可能となって、
従来は良好な膜を塗布形成することが不可能であったポ
リマーを、レジストとして使用する可能性が得られる。
添付図面は本発明の実施例に用いたレジスト塗布装置を
示す模式斜視図である。 図において、 １はスピンドルヘッド、 ２はレジスト塗布室、 ３は該室内の温度を制御する配管、 ４は該室内にガスを導入する配管を示す。 陀
示す模式斜視図である。 図において、 １はスピンドルヘッド、 ２はレジスト塗布室、 ３は該室内の温度を制御する配管、 ４は該室内にガスを導入する配管を示す。 陀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジスト塗布室内の雰囲気を封止してレジスト溶液
を塗布し、塗布された該溶液中の溶媒の蒸発を制御する
ことを特徴とするレジスト塗布方法。 ２、前記溶媒の蒸発を制御する手段として、レジスト塗
布室内の雰囲気の温度を制御することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27753784A JPS61151645A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27753784A JPS61151645A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151645A true JPS61151645A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17584934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27753784A Pending JPS61151645A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075049A (ja) * | 1997-08-05 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27753784A patent/JPS61151645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075049A (ja) * | 1997-08-05 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
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