JPH04314863A - プラズマ反応装置 - Google Patents
プラズマ反応装置Info
- Publication number
- JPH04314863A JPH04314863A JP10886591A JP10886591A JPH04314863A JP H04314863 A JPH04314863 A JP H04314863A JP 10886591 A JP10886591 A JP 10886591A JP 10886591 A JP10886591 A JP 10886591A JP H04314863 A JPH04314863 A JP H04314863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- plasma
- resist film
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空室内に収納された
基板上に、反応ガスをプラズマ反応を利用して堆積させ
るプラズマ反応装置に関する。詳しくは、基板上に金属
膜あるいはレジスト膜などを形成するために利用できる
。
基板上に、反応ガスをプラズマ反応を利用して堆積させ
るプラズマ反応装置に関する。詳しくは、基板上に金属
膜あるいはレジスト膜などを形成するために利用できる
。
【０００２】
【背景技術】半導体集積回路（ＬＳＩ）の製造プロセス
は、図５に示す如く、シリコンやガラスなどの基板１の
表面に半導体膜や金属膜などの薄膜２を被着させるスパ
ッタリング工程（Ａ）、薄膜２の上にレジスト膜３をコ
ーティングするレジストコート工程（Ｂ）、そのレジス
ト膜３に光、電子線、レーザ線４などを照射して必要な
パターンを描画する露光工程（Ｃ）、レジスト膜３を現
像する現像工程（Ｄ）、現像工程で残ったレジスト膜３
をマスクとして薄膜２を部分的にエッチングで除去する
エッチング工程（Ｅ）、最後にマスクとして使用したレ
ジスト膜３を除去するアッシング工程（Ｆ）からなる。
は、図５に示す如く、シリコンやガラスなどの基板１の
表面に半導体膜や金属膜などの薄膜２を被着させるスパ
ッタリング工程（Ａ）、薄膜２の上にレジスト膜３をコ
ーティングするレジストコート工程（Ｂ）、そのレジス
ト膜３に光、電子線、レーザ線４などを照射して必要な
パターンを描画する露光工程（Ｃ）、レジスト膜３を現
像する現像工程（Ｄ）、現像工程で残ったレジスト膜３
をマスクとして薄膜２を部分的にエッチングで除去する
エッチング工程（Ｅ）、最後にマスクとして使用したレ
ジスト膜３を除去するアッシング工程（Ｆ）からなる。
【０００３】ところで、従来、上記レジストコート工程
（Ｂ）において、薄膜２の上にレジスト膜３をコーティ
ングする方法としては、基板１を高速で回転させながら
、レジスト用高分子塗膜材料を液状にして滴下して基板
１の表面にレジスト膜３をコーティングするスピンコー
ト式のほかに、レジスト用高分子塗膜材料を霧状に噴霧
して基板１上にコーティングするスプレー式、レジスト
用高分子塗膜材料液中に基板１を浸漬するディップ式、
レジスト用高分子塗膜材料を薄いシート状に形成し、こ
れを基板１上に重ね合わせるラミネート式などが知られ
ている。とりわけ、半導体用としては、スピンコート式
が多用されている。
（Ｂ）において、薄膜２の上にレジスト膜３をコーティ
ングする方法としては、基板１を高速で回転させながら
、レジスト用高分子塗膜材料を液状にして滴下して基板
１の表面にレジスト膜３をコーティングするスピンコー
ト式のほかに、レジスト用高分子塗膜材料を霧状に噴霧
して基板１上にコーティングするスプレー式、レジスト
用高分子塗膜材料液中に基板１を浸漬するディップ式、
レジスト用高分子塗膜材料を薄いシート状に形成し、こ
れを基板１上に重ね合わせるラミネート式などが知られ
ている。とりわけ、半導体用としては、スピンコート式
が多用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のコーティング方
法のうち、半導体用として多用されているスピンコート
式は、基板１の回転による遠心力を利用してレジスト膜
３をコーティングする方法であるから、基板１の表面が
平坦面に限られる。また、形成されるレジスト膜３の膜
厚は、主に、基板１の回転速度やレジスト用高分子塗膜
材料の粘度によって決まるものの、下地材料、温度、湿
度などによっても変動するから、レジスト膜３の膜厚を
正確に管理することはきわめて困難である。
法のうち、半導体用として多用されているスピンコート
式は、基板１の回転による遠心力を利用してレジスト膜
３をコーティングする方法であるから、基板１の表面が
平坦面に限られる。また、形成されるレジスト膜３の膜
厚は、主に、基板１の回転速度やレジスト用高分子塗膜
材料の粘度によって決まるものの、下地材料、温度、湿
度などによっても変動するから、レジスト膜３の膜厚を
正確に管理することはきわめて困難である。
【０００５】また、これらのコーティングを大気中で行
っている関係から、空気中の塵埃がコーティングされた
レジスト膜３に付着しやすく、その結果、レジスト膜３
にピンホールが発生するという問題が生じる。しかも、
基板１の表面にレジスト膜３をコーティングした後に、
レジスト膜３と下地材料との接着性を増すため所定温度
で加熱乾燥する必要があるので、後処理が必要となる。
っている関係から、空気中の塵埃がコーティングされた
レジスト膜３に付着しやすく、その結果、レジスト膜３
にピンホールが発生するという問題が生じる。しかも、
基板１の表面にレジスト膜３をコーティングした後に、
レジスト膜３と下地材料との接着性を増すため所定温度
で加熱乾燥する必要があるので、後処理が必要となる。
【０００６】そこで、これらの問題を解決するための方
法として、プラズマ反応装置を用いて、基板１の表面に
レジスト膜３を堆積させる方法が提案されている。図３
および図４はプラズマ反応装置を示している。図３にお
いて、１１は開閉可能な反応容器で、内部にプラズマ生
成室１２を有する真空室１３が形成されている。真空室
１３には、排気口１４を通じて排気系（図示省略）が接
続されているとともに、内部に前記基板１を取り付けた
基板電極１５が配置されている。
法として、プラズマ反応装置を用いて、基板１の表面に
レジスト膜３を堆積させる方法が提案されている。図３
および図４はプラズマ反応装置を示している。図３にお
いて、１１は開閉可能な反応容器で、内部にプラズマ生
成室１２を有する真空室１３が形成されている。真空室
１３には、排気口１４を通じて排気系（図示省略）が接
続されているとともに、内部に前記基板１を取り付けた
基板電極１５が配置されている。
【０００７】また、前記プラズマ生成室１２には、その
外部に高周波電源１６に接続されたプラズマ生成用電極
１７が配置されているとともに、その上端部側にプラズ
マ生成用電極１７によってプラズマ状態が生成される領
域内にアルゴンなどの不活性キャリアガスＣＧを導入す
るキャリアガス導入口１８が、下端部側に反応ガスＧを
導入する反応ガス導入管１９がそれそれ設けられている
。なお、図４に示すプラズマ反応装置は、２種類の反応
ガスＧａ，Ｇｂを導入するための２本の反応ガス導入管
１９ａ，１９ｂを備える点を除いて、図３と基本的構成
が同一である。
外部に高周波電源１６に接続されたプラズマ生成用電極
１７が配置されているとともに、その上端部側にプラズ
マ生成用電極１７によってプラズマ状態が生成される領
域内にアルゴンなどの不活性キャリアガスＣＧを導入す
るキャリアガス導入口１８が、下端部側に反応ガスＧを
導入する反応ガス導入管１９がそれそれ設けられている
。なお、図４に示すプラズマ反応装置は、２種類の反応
ガスＧａ，Ｇｂを導入するための２本の反応ガス導入管
１９ａ，１９ｂを備える点を除いて、図３と基本的構成
が同一である。
【０００８】従って、排気口１４および排気系を通じて
真空室１３内を所定の真空圧に排気してから、キャリア
ガス導入口１８を通じてアルゴンなどの不活性キャリア
ガスＣＧを真空室１３内へ導入する。続いて、プラズマ
生成用電極１７に高周波電源１６から高周波電力を印加
すると、プラズマ生成用電極１７にプラズマが発生する
。この状態において、反応ガス導入管１９，１９ａ，１
９ｂから反応ガスＧ，Ｇａ，Ｇｂを真空室１３内へ導入
すると、その反応ガスＧ，Ｇａ，Ｇｂは励起およびイオ
ン化されて基板１上に堆積される。
真空室１３内を所定の真空圧に排気してから、キャリア
ガス導入口１８を通じてアルゴンなどの不活性キャリア
ガスＣＧを真空室１３内へ導入する。続いて、プラズマ
生成用電極１７に高周波電源１６から高周波電力を印加
すると、プラズマ生成用電極１７にプラズマが発生する
。この状態において、反応ガス導入管１９，１９ａ，１
９ｂから反応ガスＧ，Ｇａ，Ｇｂを真空室１３内へ導入
すると、その反応ガスＧ，Ｇａ，Ｇｂは励起およびイオ
ン化されて基板１上に堆積される。
【０００９】このようなプラズマ反応装置を用いてレジ
スト膜３を成膜する方法は、膜厚の管理が容易で、しか
も、真空室１３内での処理であるためピンホールなどの
問題もなく、また、レジスト膜３のコーティング後の加
熱乾燥工程を不要にできるから、従来のウエット式レジ
スト成膜方法の欠点を全て解消できる利点がある。その
上、平坦面に限らず凹凸面にも均一にレジスト膜３をコ
ーティングできる利点がある。
スト膜３を成膜する方法は、膜厚の管理が容易で、しか
も、真空室１３内での処理であるためピンホールなどの
問題もなく、また、レジスト膜３のコーティング後の加
熱乾燥工程を不要にできるから、従来のウエット式レジ
スト成膜方法の欠点を全て解消できる利点がある。その
上、平坦面に限らず凹凸面にも均一にレジスト膜３をコ
ーティングできる利点がある。
【００１０】しかし、図３および図４に示す従来のプラ
ズマ反応装置では、プラズマ生成用電極１７が１つであ
るため、プラズマ生成領域が狭い。このため、レジスト
コーティング面積が大きい基板１には適用することがで
きない。ちなみに、従来のプラズマ反応装置では、直径
が約２５ｍｍ程度の大きさが限度であった。従って、近
年、半導体分野では、生産効率の向上を目的として、基
板の大口径化が進んでいることに伴い、これに対応でき
るプラズマ反応装置の開発が要望されている。
ズマ反応装置では、プラズマ生成用電極１７が１つであ
るため、プラズマ生成領域が狭い。このため、レジスト
コーティング面積が大きい基板１には適用することがで
きない。ちなみに、従来のプラズマ反応装置では、直径
が約２５ｍｍ程度の大きさが限度であった。従って、近
年、半導体分野では、生産効率の向上を目的として、基
板の大口径化が進んでいることに伴い、これに対応でき
るプラズマ反応装置の開発が要望されている。
【００１１】ここに、本発明の目的は、このような従来
のプラズマ反応装置の利点を維持しつつ、その欠点を解
消し、基板上の広い面積に反応ガスを堆積させることが
できるプラズマ反応装置を提供することにある。
のプラズマ反応装置の利点を維持しつつ、その欠点を解
消し、基板上の広い面積に反応ガスを堆積させることが
できるプラズマ反応装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明のプラ
ズマ反応装置では、真空室内に収納された基板上に、反
応ガスをプラズマ反応を利用して堆積させるプラズマ反
応装置において、前記プラズマを生成するためのプラズ
マ生成用電極を前記基板の堆積面に沿って複数設けたこ
とを特徴としている。
ズマ反応装置では、真空室内に収納された基板上に、反
応ガスをプラズマ反応を利用して堆積させるプラズマ反
応装置において、前記プラズマを生成するためのプラズ
マ生成用電極を前記基板の堆積面に沿って複数設けたこ
とを特徴としている。
【００１３】
【作用】プラズマを生成するためのプラズマ生成用電極
を前記基板の堆積面に沿って複数設けられているから、
プラズマを広い範囲に亘って生成することができる。従
って、基板の広い範囲に亘って反応ガスを基板に堆積さ
せることができるから、大面積の基板にも適用すること
ができる。
を前記基板の堆積面に沿って複数設けられているから、
プラズマを広い範囲に亘って生成することができる。従
って、基板の広い範囲に亘って反応ガスを基板に堆積さ
せることができるから、大面積の基板にも適用すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
基づいて説明する。なお、これらの図の説明に当たって
、上述した図３〜図５と同一構成要件については、同一
符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
基づいて説明する。なお、これらの図の説明に当たって
、上述した図３〜図５と同一構成要件については、同一
符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
【００１５】図１は真空リソグラフィ装置を示している
。同図において、ＣＢは予備室、ＴＲは搬送室、ＳＰは
真空中で基板１上に薄膜２を形成するためのスパッタ室
、ＰＰは真空中で前記薄膜２上にレジスト膜３を形成す
るためのプラズマ重合室、ＥＢは真空中で前記レジスト
膜３を露光して必要なパターンを描画するための電子線
描画室、ＲＩＥは真空中で前記現像レジスト膜３をマス
クとして前記薄膜２を部分的にエッチングするためのエ
ッチング室、ＲＰは真空中で前記パターン描画後のレジ
スト膜３を現像する現像室と前記マスクとして使用した
レジスト膜３を除去するための除去室とを兼ねる現像・
アッシング室である。
。同図において、ＣＢは予備室、ＴＲは搬送室、ＳＰは
真空中で基板１上に薄膜２を形成するためのスパッタ室
、ＰＰは真空中で前記薄膜２上にレジスト膜３を形成す
るためのプラズマ重合室、ＥＢは真空中で前記レジスト
膜３を露光して必要なパターンを描画するための電子線
描画室、ＲＩＥは真空中で前記現像レジスト膜３をマス
クとして前記薄膜２を部分的にエッチングするためのエ
ッチング室、ＲＰは真空中で前記パターン描画後のレジ
スト膜３を現像する現像室と前記マスクとして使用した
レジスト膜３を除去するための除去室とを兼ねる現像・
アッシング室である。
【００１６】これら各室ＣＢ，ＴＲ，ＳＰ，ＰＰ，ＲＩ
Ｅ，ＲＰ，ＥＢは、排気系ポンプＰにそれぞれ接続され
、かつ、その排気系ポンプＰによってそれぞれが独立的
に真空保持可能に形成されている。各室のうち、前記ス
パッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩ
Ｅおよび現像・アッシング室ＲＰは、それぞれ仕切バル
ブ装置Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５を介して前記搬送室ＴＲ
にそれぞれ連結されている。また、前記電子線描画室Ｅ
Ｂは、仕切バルブ装置Ｖ６を介して前記予備室ＣＢに連
結されている。予備室ＣＢと搬送室ＴＲとは、仕切バル
ブ装置Ｖ１を介して互いに連結されている。
Ｅ，ＲＰ，ＥＢは、排気系ポンプＰにそれぞれ接続され
、かつ、その排気系ポンプＰによってそれぞれが独立的
に真空保持可能に形成されている。各室のうち、前記ス
パッタ室ＳＰ、プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩ
Ｅおよび現像・アッシング室ＲＰは、それぞれ仕切バル
ブ装置Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５を介して前記搬送室ＴＲ
にそれぞれ連結されている。また、前記電子線描画室Ｅ
Ｂは、仕切バルブ装置Ｖ６を介して前記予備室ＣＢに連
結されている。予備室ＣＢと搬送室ＴＲとは、仕切バル
ブ装置Ｖ１を介して互いに連結されている。
【００１７】前記各仕切バルブ装置Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，
Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６は、開閉自在に構成され、かつ、開か
れた状態では前記基板１を各室に出し入れ可能な大きさ
に保持されるとともに、閉じられた状態では各室を真空
状態に隔離可能に構成されている。なお、これらの仕切
バルブ装置Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６の開閉
は、予め定められて順序に従って自動的に制御されるよ
うになっている。
Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６は、開閉自在に構成され、かつ、開か
れた状態では前記基板１を各室に出し入れ可能な大きさ
に保持されるとともに、閉じられた状態では各室を真空
状態に隔離可能に構成されている。なお、これらの仕切
バルブ装置Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６の開閉
は、予め定められて順序に従って自動的に制御されるよ
うになっている。
【００１８】前記予備室ＣＢには、基板１を搬入するた
めの仕切バルブ装置Ｖ１１が前記仕切バルブ装置Ｖ１と
は反対側面に取り付けられている。前記搬送室ＴＲは、
前記プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現
像・アッシング室ＲＰに亘る長さを有する。搬送室ＴＲ
の内部には、前記各室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰにそれぞれ対
応した位置に搬送ロボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３がそれぞれ
設けられているとともに、それらの搬送ロボットＲ１，
Ｒ２，Ｒ３の間に基板受けＳ１，Ｓ２がそれぞれ設けら
れている。
めの仕切バルブ装置Ｖ１１が前記仕切バルブ装置Ｖ１と
は反対側面に取り付けられている。前記搬送室ＴＲは、
前記プラズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現
像・アッシング室ＲＰに亘る長さを有する。搬送室ＴＲ
の内部には、前記各室ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰにそれぞれ対
応した位置に搬送ロボットＲ１，Ｒ２，Ｒ３がそれぞれ
設けられているとともに、それらの搬送ロボットＲ１，
Ｒ２，Ｒ３の間に基板受けＳ１，Ｓ２がそれぞれ設けら
れている。
【００１９】図２は前記プラズマ重合室ＰＰを示してい
る。同プラズマ重合室ＰＰは、前記真空室１３に連通す
る３つのプラズマ生成室１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを備え
る。各プラズマ生成室１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃには、そ
の外部に高周波電源１６に接続されたプラズマ生成用電
極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが配置されているとともに、
上端部側にプラズマ生成用電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ
によってプラズマ状態が生成される領域内にアルゴンな
どの不活性キャリアガスＣＧを導入するキャリアガス導
入口１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃがそれそれ設けられている
。
る。同プラズマ重合室ＰＰは、前記真空室１３に連通す
る３つのプラズマ生成室１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを備え
る。各プラズマ生成室１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃには、そ
の外部に高周波電源１６に接続されたプラズマ生成用電
極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが配置されているとともに、
上端部側にプラズマ生成用電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ
によってプラズマ状態が生成される領域内にアルゴンな
どの不活性キャリアガスＣＧを導入するキャリアガス導
入口１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃがそれそれ設けられている
。
【００２０】次に、本実施例の作用を説明する。予め、
予備室ＣＢを除いた各室ＴＲ，ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，Ｒ
Ｐ，ＥＢを排気系ポンプＰによって所定の真空圧に排気
しプロセス処理が可能な状態に待機させておく。この状
態において、基板１を予備室ＣＢ内に搬入した後、予備
室ＣＢ内を排気して所定の真空圧に設定する。ここで、
予備室ＣＢと搬送室ＴＲとの間の仕切バルブ装置Ｖ１を
開き、搬送ロボットＲ１を作動させて予備室ＣＢ内の基
板１を搬送室ＴＲ内に搬入した後、予め定めた手順に従
ってプロセス処理を進める。
予備室ＣＢを除いた各室ＴＲ，ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，Ｒ
Ｐ，ＥＢを排気系ポンプＰによって所定の真空圧に排気
しプロセス処理が可能な状態に待機させておく。この状
態において、基板１を予備室ＣＢ内に搬入した後、予備
室ＣＢ内を排気して所定の真空圧に設定する。ここで、
予備室ＣＢと搬送室ＴＲとの間の仕切バルブ装置Ｖ１を
開き、搬送ロボットＲ１を作動させて予備室ＣＢ内の基
板１を搬送室ＴＲ内に搬入した後、予め定めた手順に従
ってプロセス処理を進める。
【００２１】まず、搬送室ＴＲ内の基板１をスパッタ室
ＳＰ内に搬入し、そこで、基板１の表面にクロムなどの
薄膜２を被着させる。その後、搬送室ＴＲ内に戻した後
、プラズマ重合室ＰＰ内に搬入し、そこで、プラズマ反
応を利用して反応ガスを堆積させて薄膜２の上にレジス
ト膜３を形成する。
ＳＰ内に搬入し、そこで、基板１の表面にクロムなどの
薄膜２を被着させる。その後、搬送室ＴＲ内に戻した後
、プラズマ重合室ＰＰ内に搬入し、そこで、プラズマ反
応を利用して反応ガスを堆積させて薄膜２の上にレジス
ト膜３を形成する。
【００２２】これには、基板１を反応容器１１内の基板
電極１５上にセットした後、真空室１３内を所定の真空
圧まで排気してから、キャリアガス導入口１８Ａ〜１８
Ｃを通じてアルゴンなどの不活性キャリアガスＣＧを真
空室１３内へ導入する。続いて、プラズマ生成用電極１
７Ａ〜１７Ｃに高周波電源１６から高周波電力を印加す
ると、プラズマ生成用電極１７Ａ〜１７Ｃにプラズマが
発生する。この状態において、反応ガス導入管１９から
反応ガスＧを真空室１３内へ導入すると、その反応ガス
Ｇは励起およびイオン化されて基板１上に堆積される。
電極１５上にセットした後、真空室１３内を所定の真空
圧まで排気してから、キャリアガス導入口１８Ａ〜１８
Ｃを通じてアルゴンなどの不活性キャリアガスＣＧを真
空室１３内へ導入する。続いて、プラズマ生成用電極１
７Ａ〜１７Ｃに高周波電源１６から高周波電力を印加す
ると、プラズマ生成用電極１７Ａ〜１７Ｃにプラズマが
発生する。この状態において、反応ガス導入管１９から
反応ガスＧを真空室１３内へ導入すると、その反応ガス
Ｇは励起およびイオン化されて基板１上に堆積される。
【００２３】このとき、プラズマ重合室ＰＰには、複数
のプラズマ生成用電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが設けら
れているから、広い範囲に亘ってプラズマを生成するこ
とができる。よって、基板１の広い面積に亘って反応ガ
スＧを堆積させることができるから、大面積の基板１に
もレジスト膜３を形成することができる。その後、基板
１を搬送室ＴＲ内に戻す。
のプラズマ生成用電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが設けら
れているから、広い範囲に亘ってプラズマを生成するこ
とができる。よって、基板１の広い面積に亘って反応ガ
スＧを堆積させることができるから、大面積の基板１に
もレジスト膜３を形成することができる。その後、基板
１を搬送室ＴＲ内に戻す。
【００２４】次に、搬送室ＴＲ内の基板１を、一旦、予
備室ＣＢに戻した後、電子線描画室ＥＢ内に搬入し、そ
こで、レジスト膜３に電子線を照射しながパターンを描
画する。その後、予備室ＣＢおよび搬送室ＴＲを通して
現像・アッシング室ＲＰ内に搬入し、そこで、レジスト
膜３を現像した後、搬送室ＴＲ内へ戻す。続いて、エッ
チング室ＲＩＥ内へ搬入し、そこで、エッチングを行っ
た後、搬送室ＴＲ内へ戻す。最後に、現像・アッシング
室ＲＰ内へ搬入し、そこで、不要になったレジスト膜３
を除去した後、搬送室ＴＲおよび予備室ＣＢを介して大
気へ取出す。
備室ＣＢに戻した後、電子線描画室ＥＢ内に搬入し、そ
こで、レジスト膜３に電子線を照射しながパターンを描
画する。その後、予備室ＣＢおよび搬送室ＴＲを通して
現像・アッシング室ＲＰ内に搬入し、そこで、レジスト
膜３を現像した後、搬送室ＴＲ内へ戻す。続いて、エッ
チング室ＲＩＥ内へ搬入し、そこで、エッチングを行っ
た後、搬送室ＴＲ内へ戻す。最後に、現像・アッシング
室ＲＰ内へ搬入し、そこで、不要になったレジスト膜３
を除去した後、搬送室ＴＲおよび予備室ＣＢを介して大
気へ取出す。
【００２５】従って、本実施例によれば、プラズマ重合
室ＰＰにおいて、複数のプラズマ生成用電極１７Ａ，１
７Ｂ，１７Ｃを設けたので、プラズマの生成域を単一の
プラズマ生成電極に比べ拡大させることができる。よっ
て、基板１の広い範囲に亘って反応ガスＧを堆積させる
ことができるから、大面積の基板１にもレジスト膜３を
形成することができる。
室ＰＰにおいて、複数のプラズマ生成用電極１７Ａ，１
７Ｂ，１７Ｃを設けたので、プラズマの生成域を単一の
プラズマ生成電極に比べ拡大させることができる。よっ
て、基板１の広い範囲に亘って反応ガスＧを堆積させる
ことができるから、大面積の基板１にもレジスト膜３を
形成することができる。
【００２６】また、搬送室ＴＲにスパッタ室ＳＰ、プラ
ズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現像・アッ
シング室ＲＰを連結するとともに、搬送室ＴＲと連結さ
れた予備室ＣＢに電子線描画室ＥＢを連結した構成であ
るから、基板１に薄膜２の被着からレジスト膜３の除去
までのリソグラフィプロセスを真空中で連続的に行うこ
とができる。この間、基板１を大気に晒すことがないか
ら、大気中の塵埃による汚染を少なくすることができる
。
ズマ重合室ＰＰ、エッチング室ＲＩＥおよび現像・アッ
シング室ＲＰを連結するとともに、搬送室ＴＲと連結さ
れた予備室ＣＢに電子線描画室ＥＢを連結した構成であ
るから、基板１に薄膜２の被着からレジスト膜３の除去
までのリソグラフィプロセスを真空中で連続的に行うこ
とができる。この間、基板１を大気に晒すことがないか
ら、大気中の塵埃による汚染を少なくすることができる
。
【００２７】また、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰ，Ｅ
Ｂはそれぞれ独立的に真空保持可能に形成されていると
ともに、仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ６を介して搬送室ＴＲ
に連結されているから、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰ
，ＥＢをそれぞれ独立的に真空状態に保つことができる
。よって、他の室の影響を受けることが少なく、かつ、
各室での雰囲気を一定に維持させることができるから、
各プロセスでの処理条件を安定させることができる。
Ｂはそれぞれ独立的に真空保持可能に形成されていると
ともに、仕切バルブ装置Ｖ１〜Ｖ６を介して搬送室ＴＲ
に連結されているから、各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰ
，ＥＢをそれぞれ独立的に真空状態に保つことができる
。よって、他の室の影響を受けることが少なく、かつ、
各室での雰囲気を一定に維持させることができるから、
各プロセスでの処理条件を安定させることができる。
【００２８】また、搬送室ＴＲ内には、プラズマ重合室
ＰＰと、エッチング室ＲＩＥと、スパッタ室ＳＰおよび
現像・アッシング室ＲＰとにそれぞれ対応して３台の搬
送ロボットＲ１〜Ｒ３を設けるとともに、これらの間に
基板受けＳ１，Ｓ２を設けたので、搬送ロボットＲ１〜
Ｒ３によって基板１を各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに
対して自動的に搬入、搬出させることができる。
ＰＰと、エッチング室ＲＩＥと、スパッタ室ＳＰおよび
現像・アッシング室ＲＰとにそれぞれ対応して３台の搬
送ロボットＲ１〜Ｒ３を設けるとともに、これらの間に
基板受けＳ１，Ｓ２を設けたので、搬送ロボットＲ１〜
Ｒ３によって基板１を各室ＳＰ，ＰＰ，ＲＩＥ，ＲＰに
対して自動的に搬入、搬出させることができる。
【００２９】また、基板１の搬入および搬出を予備室Ｃ
Ｂから行うようにしたので、基板１の搬入および搬出に
当たって、予備室ＣＢのみを大気に解放すればよいから
、つまり、全ての室を大気に解放する従来のものに比べ
、全ての室を再び所定の真空圧に設定しなくても済むの
で、プロセス処理を能率的に行えるとともに、経済的で
もある。
Ｂから行うようにしたので、基板１の搬入および搬出に
当たって、予備室ＣＢのみを大気に解放すればよいから
、つまり、全ての室を大気に解放する従来のものに比べ
、全ての室を再び所定の真空圧に設定しなくても済むの
で、プロセス処理を能率的に行えるとともに、経済的で
もある。
【００３０】以上、本発明について好適な実施例を挙げ
て説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能なことは勿論である。
て説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能なことは勿論である。
【００３１】例えば、プラズマ生成用電極の数について
は、上記実施例で述べた３個に限られるものでなく、２
個または４個以上であればよい。また、配列についても
、上記実施例の配列に限られるものではない。要するに
、プラズマ生成用電極の数および配列については、基板
１の大きさや形状に応じて選択すればよい。
は、上記実施例で述べた３個に限られるものでなく、２
個または４個以上であればよい。また、配列についても
、上記実施例の配列に限られるものではない。要するに
、プラズマ生成用電極の数および配列については、基板
１の大きさや形状に応じて選択すればよい。
【００３２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、従来のプ
ラズマ反応装置の利点を維持しつつ、その欠点を解消し
、基板上の広い面積に反応ガスを堆積させることができ
るプラズマ反応装置を提供することができる。
ラズマ反応装置の利点を維持しつつ、その欠点を解消し
、基板上の広い面積に反応ガスを堆積させることができ
るプラズマ反応装置を提供することができる。
【図１】本発明を適用した真空リソグラフィ装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のプラズマ重合室を示す断面図である。
【図３】従来のプラズマ反応装置を示す断面図である。
【図４】従来の他のプラズマ反応装置を示す断面図であ
る。
る。
【図５】半導体集積回路の製造プロセスを示す説明図で
ある。
ある。
１ 基板、
３ レジスト膜
１１ 反応容器
１３ 真空室
１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ プラズマ生成用電極Ｇ
反応ガス
反応ガス
Claims (1)
- 【請求項１】 真空室内に収納された基板上に、反応
ガスをプラズマ反応を利用して堆積させるプラズマ反応
装置において、前記プラズマを生成するためのプラズマ
生成用電極を前記基板の堆積面に沿って複数設けたこと
を特徴とするプラズマ反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108865A JP2563689B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | プラズマ反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108865A JP2563689B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | プラズマ反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314863A true JPH04314863A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2563689B2 JP2563689B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=14495548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108865A Expired - Lifetime JP2563689B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | プラズマ反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563689B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187092A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | F O I:Kk | プラズマ発生装置 |
| JPH11149995A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPS6182958U (ja) * | 1984-11-02 | 1986-06-02 | ||
| JPH01230782A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3108865A patent/JP2563689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPS6182958U (ja) * | 1984-11-02 | 1986-06-02 | ||
| JPH01230782A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
| JP4654176B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-16 | 住友精密工業株式会社 | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| JPH1187092A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | F O I:Kk | プラズマ発生装置 |
| JPH11149995A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2563689B2 (ja) | 1996-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8623765B2 (en) | Processed object processing apparatus, processed object processing method, pressure control method, processed object transfer method, and transfer apparatus | |
| US5127987A (en) | Continuous etching process and apparatus therefor | |
| US20060151115A1 (en) | Dry stripping equipment comprising plasma distribution shower head | |
| JP4148346B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS60249328A (ja) | 半導体ウエ−ハ用ドライエツチング・化学気相生成装置 | |
| JPH0312921A (ja) | エッチング方法およびこれに用いられるエッチング装置 | |
| JP2563689B2 (ja) | プラズマ反応装置 | |
| JPH0463414A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH0298126A (ja) | ホトレジスト塗布装置 | |
| JPH06279998A (ja) | 円筒内面のドライコーティング方法 | |
| JP2990551B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPH04314349A (ja) | 真空リソグラフィ装置 | |
| JPS59166675A (ja) | エツチング装置 | |
| US20090023297A1 (en) | Method and apparatus for hmds treatment of substrate edges | |
| JPH1126370A (ja) | 露光前処理装置 | |
| JPH07176526A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS631035A (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
| JP2928555B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6235264B2 (ja) | ||
| JPS6355860B2 (ja) | ||
| JPS59115763A (ja) | 超音波フオグ処理装置 | |
| KR20070088863A (ko) | 퍼징 유닛을 구비한 반도체 소자 제조 설비 | |
| JPS6158252A (ja) | 真空排気リ−ク装置 | |
| JPH0814032B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS61141144A (ja) | ウエハ−処理装置におけるクリ−ニング機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960723 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 15 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 15 |