KR960015708A - 기질을 균일하게 피복시키는 방법 - Google Patents
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- B05D3/0486—Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
Abstract
균일한 두께의 필름을 제조하기 위해 기질을 중합체 용액으로 피복시키는 방법 및 장치는 밀폐된 하우징 내부에 기질의 실치, 및 주압구를 통해 하우징내로 용매 증기를 함유하는 가스입 수 있는 조절 가스의 통과를 포함한다. 중합체 용액을 하우징내의 기질이 표면 상에 침착시키고 기질을 이어서 스피닝시킨다. 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 조절 가스에 분산되어 있는 미립자 오염물을 배출구를 통해 하우징으로부터 배출하고, 용매 중기 농도가 하우징의 온도, 및 용매 증기를 함유하는 가스를 생성하는 하우징으로부터 용매의 온도를 조절함으로써 조절된다. 대신에 농도를 상이한 용매 농도를 갖는 가스를 혼합함으로써 조절할 수 있다. 가스의 습도도 조절될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 스핀 피복 배열의 하나의 양태의 단면도를 도식한 것이다.
Claims (41)
- a) 기질을 밀폐된 하우징 내부에 설치하고; b) 조절 가스를 주입구를 통해 하우징내로 통과시키고; c) 중합체 용액을 하우징내의 기질의 표면 상에 침착시키고; d) 기질을 스피닝시키고; e) 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 조절 가스에 분산되어 있는 미립자 오염물을 배출구를 통해 하우징으로부터 배출시킴을 특징으로 하여, 중합체 용액으로 기질의 표면을 피복시키는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 이전에 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 동안에 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 이후에 수행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스가 용매 증기를 함유하는 가스 또는 용매를 함유하지 않는 가스인 방법.
- 제5항에 있어서, 용매-증기를 함유하는 가스가 용매를 통해 가스를 버블링시킴으로써 생성되는 방법.
- 제6항에 있어서, 용매의 온도를 조절하여 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 하우징의 온도를 조절하여 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 용에 증기를 함유하는 가스를 상이한 용매 증기 농도를 갖는 제2의 가스와 혼합시켜 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
- 제9항에 있어서, 용매 증기를 함유하는 가스 및 제2의 가스를, 하우징 내로의 가스 유속 및 하우징 내로 유동하는 조절 가스의 조성을 조절하기 위한 전기적으로 조절되는 밸브가 설치된 도관을 따라 하우징에 도입되는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스가 공기 또는 불활성 가스를 함유하는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스가 질소를 함유하는 방법.
- 제1항에 있어서, 중합체 용액이 포토레지스트 중합체를 함유하는 방법.
- 제l3항에 있어서, 중합체 용액이 강렬한 자외선 포토레지스트 중합체를 함유하는 방법.
- 제1항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 건조 여과된 가스를 피복된 기질 상에 통과시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제15항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 건조 여과된 가스의 온도를 조절하는 방법.
- 제1항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 습윤 가스를 피복된 기질 상에 통과시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제17항에 있어서, 습윤 가스의 습도가 중합체 용액에 의해 요구되는 상대 습도를 갖도륵 온도 및 습도 조절기에 의해 조절되는 방법.
- 제18항에 있어서, 습윤 가스의 습도가 40% 내지 45%의 상대 습도를 갖도륵 조절되는 방법.
- 제17항에 있어서, 습윤 가스의 온도가 온도 및 습도 조절기에 의해 조절되는 방법.
- 제1항에 있어서, 조절 가스가 연속 조절된 선상 유동으로 기질 상에 통과하는 방법.
- 제2l항에 있어서, 조절 가스가 기질 상에 설치된 샤우어헤드 디스펜서를 통해 하우징내로 통과하는 방법.
- 제1항에 있어서, 하우징내에 기질을 설치하는 단계가 회전가능한 척크에 기질을 고정시키는 것을 포함하는 방법.
- 제23항에 있어서, 척크에 기질을 고정시키는 단계가 기질과 척크 사이에 진공을 생성시키는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 기질이 반도체 웨이퍼를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 중합체 용액 중의 용질 합량이 10중량% 내지 50중량%인 방법.
- 밀폐뒨 하우징; 기질을 지지하기 위해 하우징내에 설치된 회전가능한 척크; 하우징내에서 기질의 표면 상에 중합제 용액을 침착시키기 위한 침착 수단; 조절 가스를 하우징에 공급하기 의해 하우징과 유동 전달방식으로 연결된 조절 가스 공급 수단; 및 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 미립자 오염물을 하우징으로부터 배출시키기 위해 하우징에 연결된 배출 수단을 포함함을 특징으로 하여, 중합체 용액으로 기질의 표면을 피복시키기 위한 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 침착 수단이 기질의 표면 상에 중합체 용액의 스트림을 분배하기 위해 척크 상에 설치된 분배 수단을 포함하며, 이 분배 헤드 수단은 기질에 대해 이동가능한 피복 장치.
- 제28항에 있어서, 분배 헤드 수단이 원형 기질의 표면을 교차하여 실질적으로 방사형으로 이동가능한 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 침착 수단이 중합체 용액의 스트림을 기질의 표면 상으로 분배하기 위해 척크 상에 설치된 압축 헤드를 갖은 필름 압출 수단을 포함하는 피복 장치.
- 제30항에 있어서, 압출 헤드가 방사형으로 확장하는 중합체 용액의 스트림을 원형 기질의 표면 상으로 분배하기 위해 척크 상에 설치된 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 회전가능한 척크가 변속 모터에 연결된 피복 장치.
- 제32항에 있어서, 변속 모터의 속도를 조절하기 의한 조절 수단을 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 하우징이 업스트림 측면을 가지고. 용에 증기를 함유하는 가스 공급 수단이 하우징의 업스트림 측면에 설치된 하우징에 대한 주입구를 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 기질 상에 설치된 샤우어헤드 디스펜서를 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 도관, 및 하우징내로 유동하는 조절 가스의 속도 및 조절가스의 조성을 조절하기 위한 하나 이상의 도관내의 전기적으로 조절된 밸브를 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 배출 수단이 하우징으로부터 가스 및 존재하는 오염물의 배출을 조절하기 위한 밸브 수단을 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 하우징이 다운스트림 측면을 가지고. 배출 수단이 하우징의 다운스트림 측면에 설치된 배출구를 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 청정하고 건조 여과된 가스 공급원 및 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 버블러를 포함하는 피복 장치.
- 제27항에 있어서, 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 온도 및 습도 조절된 가스 공급원을 포함하는 피복 장치.
- 제40항에 있어서, 온도 및 습도 조절된 가스 공급원이 온도 및 습도 조절된 가스 공급원에 의해 공급된 가스의 온도 및 습도를 조절하기 위한 온도 조절 수단 및 습도 조절 수단을 포함하는 피복 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33004594A | 1994-10-27 | 1994-10-27 | |
US08/330045 | 1994-10-27 | ||
US08/330,045 | 1994-10-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960015708A true KR960015708A (ko) | 1996-05-22 |
KR100370728B1 KR100370728B1 (ko) | 2003-04-07 |
Family
ID=23288081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950036679A KR100370728B1 (ko) | 1994-10-27 | 1995-10-23 | 기판을균일하게코팅하는방법및장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5670210A (ko) |
JP (1) | JP3935983B2 (ko) |
KR (1) | KR100370728B1 (ko) |
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FPAY | Annual fee payment |
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