KR960015708A - 기질을 균일하게 피복시키는 방법 - Google Patents

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Abstract

균일한 두께의 필름을 제조하기 위해 기질을 중합체 용액으로 피복시키는 방법 및 장치는 밀폐된 하우징 내부에 기질의 실치, 및 주압구를 통해 하우징내로 용매 증기를 함유하는 가스입 수 있는 조절 가스의 통과를 포함한다. 중합체 용액을 하우징내의 기질이 표면 상에 침착시키고 기질을 이어서 스피닝시킨다. 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 조절 가스에 분산되어 있는 미립자 오염물을 배출구를 통해 하우징으로부터 배출하고, 용매 중기 농도가 하우징의 온도, 및 용매 증기를 함유하는 가스를 생성하는 하우징으로부터 용매의 온도를 조절함으로써 조절된다. 대신에 농도를 상이한 용매 농도를 갖는 가스를 혼합함으로써 조절할 수 있다. 가스의 습도도 조절될 수 있다.

Description

기질을 균일하게 피복시키는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 스핀 피복 배열의 하나의 양태의 단면도를 도식한 것이다.

Claims (41)

  1. a) 기질을 밀폐된 하우징 내부에 설치하고; b) 조절 가스를 주입구를 통해 하우징내로 통과시키고; c) 중합체 용액을 하우징내의 기질의 표면 상에 침착시키고; d) 기질을 스피닝시키고; e) 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 조절 가스에 분산되어 있는 미립자 오염물을 배출구를 통해 하우징으로부터 배출시킴을 특징으로 하여, 중합체 용액으로 기질의 표면을 피복시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 이전에 수행되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 동안에 수행되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 조절 가스 및 오염물을 배출하는 단계가 침착 단계 이후에 수행되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 조절 가스가 용매 증기를 함유하는 가스 또는 용매를 함유하지 않는 가스인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 용매-증기를 함유하는 가스가 용매를 통해 가스를 버블링시킴으로써 생성되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 용매의 온도를 조절하여 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 하우징의 온도를 조절하여 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제5항에 있어서, 용에 증기를 함유하는 가스를 상이한 용매 증기 농도를 갖는 제2의 가스와 혼합시켜 용매 증기를 함유하는 가스의 용매 증기 농도를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 용매 증기를 함유하는 가스 및 제2의 가스를, 하우징 내로의 가스 유속 및 하우징 내로 유동하는 조절 가스의 조성을 조절하기 위한 전기적으로 조절되는 밸브가 설치된 도관을 따라 하우징에 도입되는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 조절 가스가 공기 또는 불활성 가스를 함유하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 조절 가스가 질소를 함유하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 중합체 용액이 포토레지스트 중합체를 함유하는 방법.
  14. 제l3항에 있어서, 중합체 용액이 강렬한 자외선 포토레지스트 중합체를 함유하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 건조 여과된 가스를 피복된 기질 상에 통과시키는 단계를 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 건조 여과된 가스의 온도를 조절하는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 용매를 함유하지 않는 습윤 가스를 피복된 기질 상에 통과시키는 단계를 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 습윤 가스의 습도가 중합체 용액에 의해 요구되는 상대 습도를 갖도륵 온도 및 습도 조절기에 의해 조절되는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 습윤 가스의 습도가 40% 내지 45%의 상대 습도를 갖도륵 조절되는 방법.
  20. 제17항에 있어서, 습윤 가스의 온도가 온도 및 습도 조절기에 의해 조절되는 방법.
  21. 제1항에 있어서, 조절 가스가 연속 조절된 선상 유동으로 기질 상에 통과하는 방법.
  22. 제2l항에 있어서, 조절 가스가 기질 상에 설치된 샤우어헤드 디스펜서를 통해 하우징내로 통과하는 방법.
  23. 제1항에 있어서, 하우징내에 기질을 설치하는 단계가 회전가능한 척크에 기질을 고정시키는 것을 포함하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 척크에 기질을 고정시키는 단계가 기질과 척크 사이에 진공을 생성시키는 것을 포함하는 방법.
  25. 제1항에 있어서, 기질이 반도체 웨이퍼를 포함하는 방법.
  26. 제1항에 있어서, 중합체 용액 중의 용질 합량이 10중량% 내지 50중량%인 방법.
  27. 밀폐뒨 하우징; 기질을 지지하기 위해 하우징내에 설치된 회전가능한 척크; 하우징내에서 기질의 표면 상에 중합제 용액을 침착시키기 위한 침착 수단; 조절 가스를 하우징에 공급하기 의해 하우징과 유동 전달방식으로 연결된 조절 가스 공급 수단; 및 조절 가스 및 존재하는 용매 증기 및 미립자 오염물을 하우징으로부터 배출시키기 위해 하우징에 연결된 배출 수단을 포함함을 특징으로 하여, 중합체 용액으로 기질의 표면을 피복시키기 위한 피복 장치.
  28. 제27항에 있어서, 침착 수단이 기질의 표면 상에 중합체 용액의 스트림을 분배하기 위해 척크 상에 설치된 분배 수단을 포함하며, 이 분배 헤드 수단은 기질에 대해 이동가능한 피복 장치.
  29. 제28항에 있어서, 분배 헤드 수단이 원형 기질의 표면을 교차하여 실질적으로 방사형으로 이동가능한 피복 장치.
  30. 제27항에 있어서, 침착 수단이 중합체 용액의 스트림을 기질의 표면 상으로 분배하기 위해 척크 상에 설치된 압축 헤드를 갖은 필름 압출 수단을 포함하는 피복 장치.
  31. 제30항에 있어서, 압출 헤드가 방사형으로 확장하는 중합체 용액의 스트림을 원형 기질의 표면 상으로 분배하기 위해 척크 상에 설치된 피복 장치.
  32. 제27항에 있어서, 회전가능한 척크가 변속 모터에 연결된 피복 장치.
  33. 제32항에 있어서, 변속 모터의 속도를 조절하기 의한 조절 수단을 포함하는 피복 장치.
  34. 제27항에 있어서, 하우징이 업스트림 측면을 가지고. 용에 증기를 함유하는 가스 공급 수단이 하우징의 업스트림 측면에 설치된 하우징에 대한 주입구를 포함하는 피복 장치.
  35. 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 기질 상에 설치된 샤우어헤드 디스펜서를 포함하는 피복 장치.
  36. 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 도관, 및 하우징내로 유동하는 조절 가스의 속도 및 조절가스의 조성을 조절하기 위한 하나 이상의 도관내의 전기적으로 조절된 밸브를 포함하는 피복 장치.
  37. 제27항에 있어서, 배출 수단이 하우징으로부터 가스 및 존재하는 오염물의 배출을 조절하기 위한 밸브 수단을 포함하는 피복 장치.
  38. 제27항에 있어서, 하우징이 다운스트림 측면을 가지고. 배출 수단이 하우징의 다운스트림 측면에 설치된 배출구를 포함하는 피복 장치.
  39. 제27항에 있어서, 조절 가스 공급 수단이 청정하고 건조 여과된 가스 공급원 및 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 버블러를 포함하는 피복 장치.
  40. 제27항에 있어서, 하우징에 유동 전달방식으로 연결된 온도 및 습도 조절된 가스 공급원을 포함하는 피복 장치.
  41. 제40항에 있어서, 온도 및 습도 조절된 가스 공급원이 온도 및 습도 조절된 가스 공급원에 의해 공급된 가스의 온도 및 습도를 조절하기 위한 온도 조절 수단 및 습도 조절 수단을 포함하는 피복 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827793B1 (ko) * 2000-11-07 2008-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리방법 및 액처리장치

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6022806A (en) * 1994-03-15 2000-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming a film in recess by vapor phase growth
US7030039B2 (en) * 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US6977098B2 (en) * 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7018943B2 (en) 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
KR970063423A (ko) * 1996-02-01 1997-09-12 히가시 데쓰로 막형성방법 및 막형성장치
US6248398B1 (en) 1996-05-22 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing
AT407586B (de) * 1997-05-23 2001-04-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
US5893950A (en) * 1997-07-31 1999-04-13 The Dexter Corporation Method and apparatus for applying a water-based coating composition to a substrate
US6027760A (en) * 1997-12-08 2000-02-22 Gurer; Emir Photoresist coating process control with solvent vapor sensor
US6177133B1 (en) 1997-12-10 2001-01-23 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
US6248168B1 (en) 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
EP1523031B1 (en) * 1997-12-15 2007-11-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for setting a coating and apparatus for coating
US6309508B1 (en) * 1998-01-15 2001-10-30 3M Innovative Properties Company Spinning disk evaporator
US5985364A (en) * 1998-04-06 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method of exhaust control for spin-on films with reduced defects
US6068881A (en) * 1998-05-29 2000-05-30 International Business Machines Corporation Spin-apply tool having exhaust ring
TW428216B (en) 1998-07-29 2001-04-01 Tokyo Electron Ltd Substrate process method and substrate process apparatus
US6780461B2 (en) 1998-09-14 2004-08-24 Asml Holding N.V. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6254936B1 (en) * 1998-09-14 2001-07-03 Silicon Valley Group, Inc. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6350316B1 (en) * 1998-11-04 2002-02-26 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming coating film
US6530340B2 (en) 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6387825B2 (en) 1998-11-12 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US6225240B1 (en) 1998-11-12 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Rapid acceleration methods for global planarization of spin-on films
US6317642B1 (en) 1998-11-12 2001-11-13 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and methods for uniform scan dispensing of spin-on materials
US6200913B1 (en) 1998-11-12 2001-03-13 Advanced Micro Devices, Inc. Cure process for manufacture of low dielectric constant interlevel dielectric layers
US6407009B1 (en) 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
JP3395696B2 (ja) 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6352747B1 (en) 1999-03-31 2002-03-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Spin and spray coating process for curved surfaces
US6287987B1 (en) 1999-04-30 2001-09-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for deposition of porous silica dielectrics
TW480612B (en) 1999-10-19 2002-03-21 Steag Micro Tech Gmbh Device and method for cleaning substrates
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6327793B1 (en) * 2000-03-20 2001-12-11 Silicon Valley Group Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
US20030072689A1 (en) * 2001-08-15 2003-04-17 Third Wave Technologies, Inc. Polymer synthesizer
US6528117B2 (en) * 2001-01-19 2003-03-04 Paul Lewis Method for coating a substance on one side of a substrate using a single miniscus
CN1912744B (zh) * 2001-02-28 2010-06-23 Asml控股公司 均匀涂布基片的方法
US6797108B2 (en) * 2001-10-05 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer
JP2003156858A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理システム
US20040001921A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Imation Corp. Coating in an environment that includes solvent vapor
US6716285B1 (en) 2002-10-23 2004-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spin coating of substrate with chemical
EP1569759B1 (en) * 2002-12-05 2008-02-13 OC Oerlikon Balzers AG Method and apparatus for control of layer thicknesses
JP2004228335A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Sony Corp 水蒸気酸化装置
KR20050040969A (ko) * 2003-10-29 2005-05-04 삼성전자주식회사 확산 시스템
US7326437B2 (en) * 2003-12-29 2008-02-05 Asml Holding N.V. Method and system for coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber
US7078355B2 (en) * 2003-12-29 2006-07-18 Asml Holding N.V. Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate
JP4282493B2 (ja) 2004-01-15 2009-06-24 株式会社東芝 膜形成方法及び基板処理装置
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7228645B2 (en) * 2005-01-11 2007-06-12 Xuyen Ngoc Pham Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
US20070185432A1 (en) * 2005-09-19 2007-08-09 Transport Pharmaceuticals, Inc. Electrokinetic system and method for delivering methotrexate
US20070066934A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Transport Pharmaceuticals, Inc. Electrokinetic delivery system and methods therefor
US7435692B2 (en) * 2005-10-19 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
EP1840940B8 (de) * 2006-03-28 2014-11-26 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines mikro- und/oder nanostrukturierten Struktursubstrats
US20070237897A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Erich Thallner Device and method for coating a microstructured and/or nanostructured structural substrate
US8529993B2 (en) * 2006-05-01 2013-09-10 Zetta Research andDevelopment LLC—RPO Series Low volatility polymers for two-stage deposition processes
US7811640B2 (en) * 2006-05-02 2010-10-12 Rpo Pty Limited Methods for fabricating polymer optical waveguides on large area panels
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
US8944080B2 (en) 2011-08-02 2015-02-03 Visera Technologies Company Limited Cleaning system, cleaning device, and method of using cleaning device
TWI654666B (zh) 2014-01-27 2019-03-21 Veeco Instruments, Inc. 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
JP6434847B2 (ja) * 2015-03-31 2018-12-05 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置
DE102017112699A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Schwäbische Hüttenwerke Automotive GmbH Außenzahnradpumpe
US11014103B2 (en) * 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11020766B2 (en) 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE279033C (ko) *
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4132357A (en) * 1976-06-23 1979-01-02 Inmont Corporation Apparatus and method for spray application of solvent-thinned coating compositions
US4068019A (en) * 1976-11-08 1978-01-10 International Business Machines Corporation Spin coating process for prevention of edge buildup
JPS6053675B2 (ja) * 1978-09-20 1985-11-27 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
JPS5927229B2 (ja) * 1979-09-19 1984-07-04 富士通株式会社 スピンナ−
US4347302A (en) * 1980-06-06 1982-08-31 Alexander Gotman Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it
JPS591385B2 (ja) * 1980-09-01 1984-01-11 富士通株式会社 回転塗布方法及びその装置
JPS57130432A (en) * 1981-02-04 1982-08-12 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
US4438159A (en) * 1982-03-08 1984-03-20 Techsight Corporation Coating process
US4451507A (en) * 1982-10-29 1984-05-29 Rca Corporation Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness
US4514440A (en) * 1983-12-12 1985-04-30 Allied Corporation Spin-on dopant method
JPS6010248A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法
US4510176A (en) * 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
US4518678A (en) * 1983-12-16 1985-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Selective removal of coating material on a coated substrate
JPS60226125A (ja) * 1984-04-25 1985-11-11 Matsushita Electronics Corp レジスト膜の形成方法
JPS6129125A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Hitachi Ltd 塗布装置
US4600597A (en) * 1984-10-29 1986-07-15 Rca Corporation Method and device for determining the contour of spin-coated thin films of material on substrate topography
US4741926A (en) * 1985-10-29 1988-05-03 Rca Corporation Spin-coating procedure
JPS62225269A (ja) * 1986-03-26 1987-10-03 Hitachi Ltd 塗布装置
JPS6354725A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd スピンコ−テイング方法及びその装置
US4732785A (en) * 1986-09-26 1988-03-22 Motorola, Inc. Edge bead removal process for spin on films
JPS63119531A (ja) * 1986-11-07 1988-05-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造におけるフオトレジスト塗布装置
US4800836A (en) * 1987-03-27 1989-01-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist coating apparatus
US4946710A (en) * 1987-06-02 1990-08-07 National Semiconductor Corporation Method for preparing PLZT, PZT and PLT sol-gels and fabricating ferroelectric thin films
US4886012A (en) * 1987-06-30 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating apparatus
US4932353A (en) * 1987-12-18 1990-06-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Chemical coating apparatus
US5143552A (en) * 1988-03-09 1992-09-01 Tokyo Electron Limited Coating equipment
JPH01238017A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Fujitsu Ltd レジスト層の形成方法
FR2636546B1 (fr) * 1988-09-15 1991-03-15 Sulzer Electro Tech Procede et dispositif pour l'application uniformement reguliere d'une couche de resine sur un substrat
US4963390A (en) * 1988-10-05 1990-10-16 The Aerospace Corporation Metallo-organic solution deposition (MOSD) of transparent, crystalline ferroelectric films
JPH0298126A (ja) * 1988-10-05 1990-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd ホトレジスト塗布装置
JPH02119226A (ja) * 1988-10-28 1990-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機溶液の回転塗布方法
US5264246A (en) * 1989-05-02 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating method
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
KR0138097B1 (ko) * 1989-05-22 1998-06-15 고다까 토시오 도포장치
US5066616A (en) * 1989-06-14 1991-11-19 Hewlett-Packard Company Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent
JPH0341715A (ja) * 1989-07-07 1991-02-22 Toshiba Ceramics Co Ltd スピンコーター
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
US5318800A (en) * 1989-09-15 1994-06-07 Academy Of Applied Science Method of forming high temperature thermally stable micron metal oxide coatings on substrates and improved metal oxide coated products
JP2803859B2 (ja) * 1989-09-29 1998-09-24 株式会社日立製作所 流動体供給装置およびその制御方法
US5094884A (en) * 1990-04-24 1992-03-10 Machine Technology, Inc. Method and apparatus for applying a layer of a fluid material on a semiconductor wafer
JPH049823A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Hitachi Ltd 光クロスバスイッチ
US5234499A (en) * 1990-06-26 1993-08-10 Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. Spin coating apparatus
JP2940086B2 (ja) * 1990-06-30 1999-08-25 ソニー株式会社 レジスト塗布方法
JPH04104158A (ja) * 1990-08-23 1992-04-06 Nec Corp フォトレジスト膜形成方法
JPH0734890B2 (ja) * 1991-10-29 1995-04-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション スピン・コーティング方法
JPH05166712A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布方法
US5271955A (en) * 1992-04-06 1993-12-21 Motorola, Inc. Method for making a semiconductor device having an anhydrous ferroelectric thin film
US5358740A (en) * 1992-06-24 1994-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus
US5366757A (en) * 1992-10-30 1994-11-22 International Business Machines Corporation In situ resist control during spray and spin in vapor
JP2854210B2 (ja) * 1992-12-02 1999-02-03 オリジン電気株式会社 スピンナ装置
US5378511A (en) * 1993-03-22 1995-01-03 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5395803A (en) * 1993-09-08 1995-03-07 At&T Corp. Method of spiral resist deposition
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827793B1 (ko) * 2000-11-07 2008-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리방법 및 액처리장치

Also Published As

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