KR20180033103A - 도포, 현상 방법 및 도포, 현상 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 표면에 형성된 금속을 포함하는 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 상기 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에의 금속의 부착을 억제하는 것을 과제로 한다.
기판(W)의 표면에 금속을 함유하는 레지스트(74)를 도포하여 레지스트막(71)을 형성하고, 상기 레지스트막(71)을 노광하는 공정과, 상기 기판의 표면에 현상액(77)을 공급하여 상기 레지스트막(71)을 현상하는 현상 공정과, 상기 현상 공정 전에 있어서, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판(W)의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 상기 현상액(77)에 접하는 것을 막는 보호막(72)을 형성하는 공정을 행한다.

Description

도포, 현상 방법 및 도포, 현상 장치{APPLYING, DEVELOPING METHOD AND APPLYING, DEVELOPING APPARATUS}
본 발명은 기판에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 상기 레지스트막을 현상하는 도포, 현상 방법 및 도포, 현상 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)의 표면에의 레지스트의 도포에 의한 레지스트막의 형성과, 레지스트막의 노광과, 노광 후의 레지스트막의 현상에 의한 레지스트 패턴의 형성으로 이루어지는 포토리소그래피 공정이 행해진다. 최근, 예컨대 극단 자외선(EUV)을 이용하여 노광을 행하는 경우의 레지스트 패턴의 해상도가 높아지는 것 및 포토리소그래피 공정 후의 에칭 공정에 있어서 높은 에칭 내성을 갖는 것으로부터, 금속을 함유하는 무기계의 레지스트를 이용하여 레지스트막을 형성하는 것이 검토되고 있다. 또한, 노광 시에 보다 많은 2차 전자를 발생시켜 노광의 고감도화를 도모하기 위해, 유기계의 레지스트에 있어서도 금속을 함유시키는 것이 검토되고 있다.
그런데, 반도체 장치의 제조 공정에서의 웨이퍼의 예정하지 않은 부위에의 금속의 부착은 반도체 장치의 전기 특성에 크게 영향을 끼치기 때문에, 그와 같은 금속의 부착이 일어나지 않도록 엄격하게 관리되고 있다. 그러나, 상기한 바와 같이 금속을 함유하는 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 용해한 레지스트를 포함한 현상액이 웨이퍼의 표면으로부터, 웨이퍼의 둘레 단부면 및 이면의 둘레 가장자리부로 돌아 들어가 버림으로써, 이들 부위가 금속 오염되어 버릴 염려가 있다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼의 오염된 부위가 에칭 장치 등의 웨이퍼의 처리 장치나 웨이퍼의 반송 기구에 접촉하면, 이들 처리 장치나 반송 기구를 통해 상기 웨이퍼 후에 반송 및 처리되는 웨이퍼도 금속 오염되는 것이 생각된다. 즉 크로스 콘터미네이션이 발생할 우려가 있다. 또한, 특허문헌 1에는 웨이퍼의 둘레 가장자리부에 약액을 공급하여 링형의 막을 형성하는 기술에 대해서 기재되어 있지만, 상기 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2013-62436호 공보
본 발명은 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 기판의 표면에 형성된 금속을 포함하는 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 상기 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에의 금속의 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 도포, 현상 방법은, 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
상기 기판의 표면에 현상액을 공급하여 상기 레지스트막을 현상하는 현상 공정과,
상기 현상 공정 전에 있어서, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 상기 현상액에 접하는 것을 막는 제1 보호막을 형성하는 공정,
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 도포, 현상 방법은, 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 공정과,
상기 현상액이 상기 기판의 둘레 가장자리부에 공급되기 전부터, 상기 기판의 표면으로부터 상기 현상액이 제거되기까지의 동안에, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 금속의 부착 방지액을 상기 기판의 둘레를 따라 공급하는 공정,
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도포, 현상 장치는, 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈과,
노광된 후의 상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 모듈과,
상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 현상액에 접하는 것을 막는 보호막을 상기 현상액이 공급되기 전의 기판에 형성하는 보호막 형성 모듈,
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 도포, 현상 장치는, 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈과,
노광된 후의 상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 모듈과,
상기 현상액이 상기 기판의 둘레 가장자리부에 공급되기 전부터, 상기 기판의 표면으로부터 상기 현상액이 제거되기까지의 동안에, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 금속의 부착 방지액을 상기 기판의 둘레를 따라 공급하는 부착 방지액 공급부,
를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 있어서, 현상액이 공급되는 것을 막기 위한 보호막이 형성된 상태로, 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하여 레지스트막을 현상한다. 따라서, 현상 처리 중에 있어서, 레지스트막에 포함되는 금속이, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 부착하는 것을 막을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 발명에 따르면, 현상액이 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 공급되기 전부터 현상액이 기판으로부터 제거되기까지의 동안에, 상기 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 금속의 부착 방지액의 공급이 행해진다. 따라서, 현상 처리 중에 있어서, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 레지스트막에 포함되는 금속이 부착하는 것을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 현상 모듈의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 현상 모듈의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 현상 모듈의 평면도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 보호막 형성 모듈의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 레지스트막 형성 모듈의 종단 측면도이다.
도 7은 웨이퍼의 둘레 가장자리부의 종단 측면도이다.
도 8은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 9는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 10은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 11은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 12는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 13은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 14는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 15는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 16은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 17은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 18은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 19는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 20은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 21은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 22는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 23은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 24는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 25는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 26은 상기 도포, 현상 장치의 구체예를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 27은 상기 도포, 현상 장치의 구체예를 나타내는 사시도이다.
도 28은 상기 도포, 현상 장치의 구체예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 29는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 구성도이다.
도 30은 본 발명의 제3 실시형태에 이용되는 현상 모듈의 종단 측면도이다.
도 31은 상기 제3 실시형태에 따른 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 32는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 33은 상기 제3 실시형태에 따른 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 34는 상기 제3 실시형태에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 35는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 36은 상기 제4 실시형태에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 37은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 38은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 39는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 40은 본 발명의 제5 실시형태에 이용되는 현상 모듈의 종단 측면도이다.
도 41은 상기 제5 실시형태에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 42는 상기 제5 실시형태에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 43은 제5 실시형태의 변형예에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 44는 제5 실시형태의 변형예에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 45는 제5 실시형태의 변형예에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 종단 측면도이다.
도 46은 본 발명의 제6 실시형태에서의 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 47은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 48은 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 49는 상기 웨이퍼의 처리 공정을 나타내는 사시도이다.
도 50은 본 발명의 제7 실시형태에 이용되는 보호막 형성 모듈의 측면도이다.
도 51은 상기 레지스트막 형성 모듈의 변형예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 52는 상기 레지스트막 형성 모듈의 변형예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 53은 보호막이 제거되는 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 54는 보호막이 형성된 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 55는 보호막이 형성된 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 56은 보호막이 형성된 웨이퍼의 종단 측면도이다.
(제1 실시형태)
본 발명의 제1 실시형태에 따른 도포, 현상 장치(1)에 대해서, 도 1의 개략 구성도를 참조하여 설명한다. 이 도포, 현상 장치(1)는, 예컨대 직경이 300 ㎜인 원형의 기판인 웨이퍼(W)를, 반송 기구(11)에 의해 각각 개별의 처리를 행하는 복수의 모듈 사이를 반송시켜, 웨이퍼(W)의 표면에의 금속을 함유하는 레지스트의 도포에 의한 레지스트막의 형성과, 노광 후의 레지스트막에의 현상액의 공급에 의한 현상을 행한다. 상기한 금속을 함유하는 레지스트란, 불순물로서 레지스트에 금속이 혼입되어 있다고 하는 의미가 아니라, 주성분으로서 레지스트에 금속이 포함된다고 하는 의미이다. 또한, 상기 레지스트막의 노광은, 도포, 현상 장치(1)에 접속되는 노광 장치(12)에 의해 행해진다.
상기 반송 기구(11)는 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 상기 웨이퍼(W)를 측방으로부터 둘러싸서 횡방향의 위치를 규제하는 규제부와, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부를 지지하는 지지부를 구비하도록 구성된다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해서도 더욱 자세하게 설명해 두면, 웨이퍼(W)의 표면측, 이면측에는 상기 웨이퍼(W)의 둘레단을 향하여 각각 하강, 상승하는 경사면, 소위 베벨이 형성되어 있고, 각 베벨은 웨이퍼(W)의 수직의 측둘레면과 함께, 웨이퍼(W)의 둘레 단부면을 구성한다.
레지스트에 포함되는 금속이 웨이퍼(W)를 통해 상기 반송 기구(11)를 오염시키는 것을 막기 위해, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 있어서, 표면측의 베벨보다 약간 내측의 위치로부터 측둘레면을 통해 이면측의 베벨보다 약간 내측의 위치에 걸치는 둘레 가장자리부의 영역에 금속이 부착하지 않도록, 상기 레지스트막의 형성 및 현상이 행해진다. 이 둘레 가장자리부의 영역을 금속 부착 방지 영역이라고 부르는 것으로 하고, 보다 자세하게 설명하면, 레지스트의 도포 전에 있어서 상기 금속 부착 방지 영역에는, 약액이 공급됨으로써, 레지스트와의 접촉을 막기 위한 보호막이 형성된다. 즉, 금속 부착 방지 영역이 보호막에 의해 피복된 상태로 웨이퍼(W)에 레지스트의 도포가 행해져, 레지스트막이 형성된다. 이 레지스트막에 있어서 보호막 상에 형성된 부위는, 레지스트의 용제가 공급됨으로써 제거된다.
웨이퍼(W)가 노광 장치(12)에 마련되는 스테이지에 배치되어 노광될 때에, 상기 보호막이 형성되어 있으면, 상기 스테이지에서의 웨이퍼(W)의 높이 위치가 정상적인 위치로부터 어긋남으로써, 웨이퍼(W)에 있어서 노광되는 위치가 정상적인 위치로부터 어긋날 우려가 있다. 이 노광 위치의 어긋남을 막기 위해, 노광이 행해지기 전에, 상기 보호막은 보호막 제거용의 용제가 공급됨으로써 제거된다.
그리고, 노광 후, 현상 전에 있어서, 상기 금속 부착 방지 영역에는 재차, 약액이 공급됨으로써 보호막이 형성되고, 금속 부착 방지 영역이 보호막에 의해 피복된 상태로, 현상액이 공급되어 레지스트막의 현상이 행해진다. 그에 의해, 현상액에 용해된 레지스트에 포함되는 금속이 상기 금속 부착 방지 영역에 부착하는 것이 방지된다. 이 현상 후는, 에칭 등의 후속 공정에서의 처리 시에 보호막이 형성되어 있음으로써 웨이퍼(W)가 배치되는 위치가 정상적인 위치로부터 어긋나거나, 보호막으로부터 파티클이 발생하거나 하는 것을 막기 위해, 보호막 제거용의 용제가 공급됨으로써, 상기 보호막은 제거된다. 상기 각 보호막은 현상액에 용해되지 않는 재질에 의해 구성되고, 예컨대 페놀계 수지, 나프탈렌계 수지, 폴리스티렌계 수지, 혹은 벤젠계 수지 등을 주성분으로 한다.
이러한 처리를 행하기 위해 도포, 현상 장치(1)는, 도 1에 나타내는 보호막 형성 모듈(13), 가열 모듈(14∼16), 레지스트막 형성 모듈(17), 현상 모듈(2) 및 제어부(100)를 구비하고 있다. 도 1에서는, 실선의 화살표로 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있고, 캐리어(18)에 격납된 상태로 도포, 현상 장치(1)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(11)에 의해 보호막 형성 모듈(13)→가열 모듈(14)→레지스트막 형성 모듈(17)→가열 모듈(15)→노광 장치(12)→가열 모듈(16)→현상 모듈(2)→캐리어(18)의 순서로 반송된다.
보호막 형성 모듈(13)은, 레지스트막의 형성 전에 보호막을 형성하는 모듈이다. 레지스트막 형성 모듈(17)은, 레지스트막의 형성과, 레지스트막에 있어서 보호막 상에 형성된 부위를 포함하는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 불필요한 부위의 레지스트막의 제거와, 보호막의 제거를 행한다. 현상 모듈(2)은, 레지스트막의 노광후의 보호막의 형성과, 현상과, 현상 후의 보호막의 제거를 행한다.
가열 모듈(14∼16)은, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판을 각각 구비하고 있다. 가열 모듈(14)은, 보호막이 형성된 후의 웨이퍼(W)를 가열하여, 보호막에 잔류하는 보호막 형성용의 약액을 구성하는 용매를 증발시킨다. 가열 모듈(15)은, 레지스트막의 형성 후, 노광 전의 웨이퍼(W)를 가열하여, 레지스트막에 잔류하는 용제를 증발시킨다. 가열 모듈(16)은, 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열하여, 노광 시에 레지스트막 중에 생긴 정재파를 제거하는, 소위 포스트 익스포저 베이크(PEB)를 행한다.
계속해서 현상 모듈(2)에 대해서, 종단 측면도인 도 2, 도 3과, 평면도인 도 4를 참조하여, 더욱 자세하게 설명한다. 도 2, 도 3은 후술하는 승강 가능한 가동 컵(30)이 상승 위치, 하강 위치에 각각 위치한 상태를 각각 나타내고 있다. 도면 중 21은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 스핀 척이고, 수직의 축부(21A)를 통해 회전 기구(22)에 접속되어 있다. 회전 기구(22)는, 스핀 척(21)을 연직축 둘레로 회전시킨다. 도면 중 23은 승강 가능한 3개의 지지 핀이고, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여, 반송 기구(11)와 스핀 척(21) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
도면 중 24는 원형의 컵이고, 스핀 척(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 측방을 둘러싸도록 마련되어 있고, 그 상단부는 내방측으로 돌출하여 돌출부(24A)를 형성하고 있다. 컵(24)의 저벽에는 각각 기립한 구획벽(25A, 25B)이, 컵(24)의 외측을 향하여 이 순서로, 평면에서 보아 동심 원형으로 마련되어 있다. 그리고, 구획벽(25A, 25B)과 컵(24)의 측벽에 의해, 3개의 원환형의 오목부(26A, 26B, 26C)가, 컵(24)의 외측을 향하여 이 순서로, 동심 원형으로 형성되어 있고, 오목부(26A, 26B, 26C)의 저면에는, 배기구(27A), 배액구(27B), 배액구(27C)가 각각 개구하고 있다.
구획벽(25A) 상에는 원형의 링판(28)이, 축부(21A)에 관통되어 수평으로 마련되어 있다. 이 링판(28)은, 웨이퍼(W)로부터 넘쳐 떨어진 액을 상기 링판(28)의 둘레단부를 향하여 가이드할 수 있도록, 꼭대기부가 웨이퍼(W)의 하방에 위치하는 종단면에서 보아 산형으로 구성되어 있고, 링판(28)의 둘레단부는 하방으로 인출되어, 오목부(26B) 내에 진입하도록 형성되어 있다. 링판(28) 상에는, 보호막 형성용의 약액을 토출하는 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41) 및 보호막 제거용의 용제를 토출하는 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)이 마련되어 있다. 또한, 예컨대 도 4에 나타내는 바와 같이 노즐(41, 42)은 둘레 방향에 근접하여 마련되어 있지만, 도 2에서는 노즐(41, 42)의 양방을 표시하기 위해, 노즐(41, 42)이, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 근접하도록 나타내고 있다. 이들 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41), 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)은, 웨이퍼(W)의 내방측으로부터 외방측을 향하여 경사 상방에 약액, 용제를 각각 토출한다.
도면 중 43은 현상액 노즐이고, 슬릿형으로 형성된 토출구(44)로부터 현상액을 연직 하방에 토출한다. 도면 중 45는 현상액 공급원이고, 저류된 현상액을 현상액 노즐(43)에 공급한다. 도면 중 46은 선단부에서 현상액 노즐(43)을 지지하는 아암이다. 아암(46)의 기단은, 상기 아암(46)을 수평 이동 또한 승강시키는 구동 기구(47)에 접속되어 있다. 구동 기구(47)에 의해, 토출구(44)의 길이 방향을 따라 이동하며, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 현상액이 토출되는 위치가 상기 웨이퍼(W)의 직경 상을 이동하도록, 상기 현상액 노즐(43)은 아암(46)에 마련되어 있다. 또한, 구동 기구(47)에 의해, 현상액 노즐(43)은, 컵(24)의 내측과 외측 사이에서 이동할 수 있다.
도면 중 51은 상측 보호막 형성용 약액 노즐이고, 보호막 형성용의 약액을 웨이퍼(W)의 내방측으로부터 외방측을 향하여 경사 하방에 토출한다. 도면 중 52는 상측 보호막 제거용 용제 노즐이고, 보호막 제거용의 용제를 웨이퍼(W)의 내방측으로부터 외방측을 향하여 경사 하방에 토출한다. 도면 중 53은 보호막 형성용의 약액의 공급원이고, 저류된 약액을, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51)과, 상기 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)에 각각 공급한다. 도면 중 54는 보호막 제거용의 용제의 공급원이고, 저류된 용제를, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)과, 상기 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)에 각각 공급한다. 도면 중 55는 선단부에서 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)을 지지하는 아암이다. 아암(55)의 기단은 상기 아암(55)을 수평 이동 또한 승강시키는 구동 기구(56)에 접속되어 있다. 구동 기구(56)에 의해 각 노즐(51, 52)은, 컵(24)의 내측과 외측 사이에서 이동할 수 있다.
그런데 이 제1 실시형태에서 사용되는 현상액, 보호막 형성용의 약액 및 보호막 제거용의 용제는, 유기 용매를 포함한다. 후술하는 다른 실시형태에 있어서는, 이들 약액 외에, 유기 용매인 액막 형성용 처리액, 염산과 과산화수소수와 물의 혼합액인 SC2, 황산과 과산화수소수와 물의 혼합액인 SPM 및 순수도 이용된다. SC2 및 SPM은 무기 용매이다. 이 컵(24)은, 유기 용매의 폐액과 무기 용매의 폐액이 서로 혼합되지 않고 컵(24) 밖으로 배출되도록 하기 위해, 가동 컵(30)의 위치에 따라 폐액이 진입하는 배액로가 전환되도록 구성되어 있다. 따라서, 이 제1 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 처리 중에 가동 컵(30)의 위치가 고정되지만, 후술하는 다른 실시형태에서는 웨이퍼(W)에 공급하는 액에 따라, 가동 컵(30)의 위치가 이동한다. 유기 용매가 웨이퍼(W)에 공급될 때에는 도 2에 나타내는 상승 위치에, 무기 용매 및 순수가 웨이퍼(W)에 공급될 때에는, 도 3에 나타내는 하강 위치에 각각 가동 컵(30)이 위치한다.
상기 가동 컵(30)은, 스핀 척(21)에 배치된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록, 상하에 간격을 두고 겹쳐 마련된 평면에서 보아 원형의 상측 경사 링판(31) 및 하측 경사 링판(32)에 의해 구성되어 있고, 이들 상측 경사 링판(31) 및 하측 경사 링판(32)은, 상방을 향함에 따라 개구 직경이 작아지도록 경사하고 있다. 하측 경사 링판(32)은 하방을 향하는 도중에 굴곡되고, 그 하단부는, 수직 방향으로 신장하도록 형성된 원통부(33)를 구성하고, 상기 원통부(33)의 안쪽 둘레면에는, 둘레 방향을 따라 링형의 돌기(33A)가 마련되어 있다. 도면 중 30A는 상측 경사 링판(31) 및 하측 경사 링판(32)을 상승 위치와 하강 위치 사이에서 승강시키는 승강 기구이다.
도 2에 나타내는 바와 같이 가동 컵(30)이 상승 위치에 위치할 때는, 상측 경사 링판(31)의 상단과 컵(24)의 돌출부(24A)가 근접하고, 하측 경사 링판(32)의 안쪽 둘레 가장자리부의 하면이, 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 받을 수 있도록, 상기 웨이퍼(W)의 표면의 상방에 위치한다. 또한, 원통부(33)의 돌기(33A)가, 구획벽(25B)의 상방에 위치한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 가동 컵(30)이 하강 위치에 위치할 때에는, 원통부(33)는 오목부(26C) 내에 위치하고, 돌기(33A)가 구획벽(25B)의 바깥 둘레면에 근접한다. 또한, 상측 경사 링판(31)의 상단이 웨이퍼(W)의 표면과 동일, 또는 대략 동일한 높이에 위치한다.
컵(24)의 상방에는 도시하지 않는 에어 공급부가 마련되어, 하방을 향하여 에어를 공급한다. 이 에어의 공급과 상기 컵(24)의 배기구(27A)로부터의 배기가, 예컨대 현상 모듈(2)의 가동 중, 항상 행해져, 에어 공급부로부터 공급된 에어는 컵(24)을 향하는 하강 기류를 형성하여, 상기 배기구(27A)로부터 배기된다. 도 2, 도 3 중의 실선의 화살표는, 컵(24) 내에서의 에어의 주된 흐름을 나타내고 있다.
가동 컵(30)이 상승 위치에 위치할 때, 컵(24) 상으로부터 웨이퍼(W) 표면에 공급된 에어는, 링판(28)과 하측 경사 링판(32)의 하면 사이에 비교적 크게 형성된 공간으로 흘러, 돌기(33A)에 의해, 링판(28)의 바깥 둘레면과 구획벽(25A)의 안쪽 둘레면 사이를 향하여 가이드되어 오목부(26B) 내에 도입되는 한편으로, 오목부(26B)의 외측의 오목부(26C) 내에 유입되는 것이 억제된다. 그리고, 오목부(26B) 내에 유입된 에어는, 구획벽(25A)을 타고 넘어 오목부(26A)의 배기구(27A)에 유입되어 배기된다. 가동 컵(30)이 하강 위치에 위치할 때, 컵(24) 상으로부터 웨이퍼(W) 표면에 공급된 에어는, 컵(24)의 돌출부(24A)와 상측 경사 링판(31)의 상면 사이의 비교적 크게 형성된 공간으로 흘러, 하측 경사 링판(32)의 원통부(33)의 바깥 둘레면과 컵(24)의 측벽의 안쪽 둘레면 사이를 통과하여 오목부(26C) 내에 유입된다. 그리고, 구획벽(25B, 25A)을 순서대로 타고 넘어, 배기구(27A)에 유입되어 배기된다.
가동 컵(30)이 상승 위치에 위치할 때, 웨이퍼(W)로부터 비산한 각 액이, 오목부(36B)의 배액구(37B)에 가이드된다. 도 2에서 점선의 화살표에 의해, 컵(24) 내에서의 이 액의 흐름을 나타내고 있다. 구체적으로 설명하면, 가동 컵(30)이 상승 위치에 배치됨으로써, 상기 액은 링판(28)과 하측 경사 링판(32)의 하면 사이에 비산하여, 상기 에어의 기류에 휩쓸려 오목부(26B)에 도입되고, 상기 배액구(27B)로부터 컵(24) 밖으로 배출된다.
가동 컵(30)이 하강 위치에 위치할 때, 웨이퍼(W)로부터 비산한 각 액이, 오목부(26C)의 배액구(27C)로 가이드된다. 도 3에서 점선의 화살표에 의해, 컵(24) 내에서의 이 액의 흐름을 나타내고 있다. 구체적으로 설명하면, 가동 컵(30)이 하강 위치에 배치됨으로써, 상기 액은 컵(24)의 돌출부(24A)와 상측 경사 링판(31)의 상면 사이 및 하측 경사 링판(32)과 상측 경사 링판(31) 사이에 비산하여, 컵(24)의 측벽의 안쪽 둘레면과 원통부(33)의 바깥 둘레면 사이에 도입된다. 그리고, 상기 에어의 기류에 휩쓸려, 오목부(26C)에 도입되어, 상기 배액구(27C)로부터 컵(24) 밖으로 배출된다.
다음에 보호막 형성 모듈(13)에 대해서, 종단 측면도인 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5 중, 현상 모듈(2)과 동일하게 구성된 부분에는, 현상 모듈(2)의 설명에서 이용한 부호와 동일한 부호를 붙여 나타내고 있다. 현상 모듈(2)과의 차이점으로서, 보호막 형성 모듈(13)에는, 가동 컵(30), 현상액 노즐(43), 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)이 마련되어 있지 않은 것을 들 수 있다. 이들 차이점을 제외하고, 보호막 형성 모듈(13)은, 현상 모듈(2)과 동일하게 구성되어 있다.
계속해서 레지스트막 형성 모듈(17)에 대해서, 종단 측면도인 도 6을 참조하여 설명한다. 이 도 6에 있어서도, 현상 모듈(2)과 동일하게 구성된 부분에는, 현상 모듈(2)의 설명에서 이용한 부호와 동일한 부호를 붙여 나타내고 있다. 레지스트막 형성 모듈(17)의 아암(46)에는, 현상액 노즐(43) 대신에, 연직 하방에 레지스트를 토출하는 레지스트 노즐(61)이 마련되어 있다. 도면 중 62는 레지스트의 공급원이고, 이미 서술한 금속을 함유하는 레지스트를 저류하며, 그 레지스트를 레지스트 노즐(61)에 공급한다.
또한, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41) 대신에, 레지스트의 용제를 토출하는 하측 레지스트막 제거용 용제 노즐(49)이 마련되어 있다. 상기 하측 레지스트막 제거용 용제 노즐(49)은, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)과 마찬가지로 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에, 내방측으로부터 외방측을 향하여 액을 토출한다. 또한 아암(55)에는, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 대신에, 레지스트의 용제를 토출하는 상측 레지스트막 제거용 용제 노즐(59)이 마련되어 있다. 상기 상측 레지스트막 제거용 용제 노즐(59)은, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51)과 마찬가지로 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에, 내방측으로부터 외방측을 향하여 액을 토출한다. 도면 중 48은 레지스트의 용제의 공급원이고, 저류된 용제를 하측 레지스트막 제거용 용제 노즐(49), 상측 레지스트막 제거용 용제 노즐(59)에 각각 공급한다. 이러한 차이점을 제외하고, 레지스트막 형성 모듈(17)은, 현상 모듈(2)과 동일하게 구성되어 있다.
도 1로 되돌아가서, 제어부(100)에 대해서 설명한다. 이 제어부(100)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 도시하지 않는 프로그램 저장부를 가지고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리와, 반송 기구(11)에 의한 모듈 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록, 명령(스텝군)이 짜여진 프로그램이 저장되어 있다. 그리고, 상기 프로그램에 의해 제어부(100)로부터 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력됨으로써, 상기 도포, 현상 장치(1)의 각 부의 동작이 제어된다. 이 프로그램은, 예컨대 하드디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
그런데, 도 7의 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 종단 측면도를 이용하여, 상기 보호막으로 피복되는 금속 부착 방지 영역의 일례를 설명해 둔다. 도면 중, 금속 부착 방지 영역을 70으로 나타내고 있다. 또한, 도면 중 71은 레지스트막이고, 용제에 의해 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 피복하는 불필요한 부위가 제거된 상태를 나타내고 있다. 도면 중 72는 현상 모듈(2) 및 보호막 형성 모듈(13)에 있어서 형성되는 보호막이다. 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, 웨이퍼(W)의 측둘레면과 금속 부착 방지 영역(70)의 웨이퍼(W)의 중심부측의 단부의 거리(L1)는, 예컨대 0.2 ㎜∼0.8 ㎜이다. 웨이퍼(W)의 이면에 있어서, 웨이퍼(W)의 측둘레면과 금속 부착 방지 영역(70)의 웨이퍼(W)의 중심부측의 단부의 거리(L2)는, 예컨대 2.0 ㎜이다. 또한, 레지스트막(71)의 둘레단과 웨이퍼(W)의 측둘레면의 거리(L3)는, 예컨대 1.35 ㎜∼1.65 ㎜이다. 도면 중 L4는, 웨이퍼(W)의 측둘레면과, 웨이퍼(W)의 표면에서의 보호막 제거용의 용제가 공급되는 영역의 웨이퍼(W)의 중심부측의 단부의 거리이며, 예컨대 0.85 ㎜∼1.15 ㎜이다.
레지스트막(71)에 보호막 제거용의 용제가 공급되어 변질되지 않도록, 상기한 바와 같이 거리(L3)＞거리(L4)로서 설정되어 있다. 또한, 상기한 바와 같이 반송 기구(11)는 웨이퍼(W)의 둘레 단부면과 이면 둘레 가장자리부에 접촉하여 웨이퍼(W)를 반송하기 때문에, 거리(L1)에 대해서는 비교적 작게 설정할 수 있기 때문에, 거리(L1)＜거리(L2)로 하고 있다. 이와 같이 거리(L1)를 설정함으로써 거리(L4)가 커지는 것을 억제하여, 보다 확실하게 레지스트막(71)에 보호막 형성용의 용제가 공급되는 것이 억제되도록 하고 있다.
다음에, 도 8∼도 16의 웨이퍼(W)의 사시도와, 도 17∼도 25의 웨이퍼(W)의 종단 측면도를 참조하여, 상기 도포, 현상 장치(1)에서 행해지는 웨이퍼(W)의 처리에 대해서 설명한다. 캐리어(18)로부터 반송된 웨이퍼(W)는, 보호막 형성 모듈(13)의 스핀 척(21)에 배치된다(도 8, 도 17). 웨이퍼(W)가 회전하여, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 각각 약액(73)이 공급된다. 각 노즐(51, 41)로부터 웨이퍼(W)의 외측을 향하여 토출되고 있는 것 및 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면, 이면에 각각 공급된 약액(73)은 웨이퍼(W)의 측둘레면으로 흘러, 그 측둘레면에서 서로 합류하여, 금속 부착 방지 영역(70)이 약액(73)에 의해 피복된다(도 9, 도 18). 계속해서 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)로부터의 약액(73)의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)에 공급된 약액(73)은, 웨이퍼(W)의 회전 및 컵(24)의 배기에 의해 생기는 기류에 노출된다. 그에 의해, 상기 약액(73)에 포함되는 유기 용매가 휘발하여 건조가 진행되어, 상기 약액(73)으로부터 제2 보호막인 보호막(72)이 형성된다.
그러한 후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(14)에 반송되어 가열되어, 보호막(72)에 잔류하는 유기 용매가 증발한다. 그 후, 웨이퍼(W)는 레지스트막 형성 모듈(17)에 반송되고, 스핀 척(21)에 배치되어 회전한다. 상기 웨이퍼(W)의 중심부에 레지스트 노즐(61)로부터 레지스트(74)가 토출되고(도 10), 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해 상기 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로 신장되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 레지스트(74)에 의해 피복된다(도 19). 그리고, 레지스트 노즐(61)로부터의 레지스트(74)의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트(74)가 건조되어, 레지스트막(71)이 형성된다.
그러한 후, 상측 레지스트막 제거용 용제 노즐(59)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에, 하측 레지스트막 제거용 용제 노즐(49)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에, 각각 용제(75)가 토출된다. 각 노즐(59, 49)로부터 웨이퍼(W)의 외측을 향하여 토출되고 있는 것 및 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면, 이면에 각각 공급된 용제(75)는 웨이퍼(W)의 측둘레면으로 흘러, 그 측둘레면으로부터 뿌리쳐진다. 이 용제(75)에 의해, 레지스트막(71)에 있어서 보호막(72) 상에 형성된 부위와, 도 6에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 보호막(72)의 단부로부터 약간 웨이퍼(W)의 중심부 쪽에 이르는 부위가 제거된다(도 11, 도 20).
그 후, 상측 레지스트막 제거용 용제 노즐(59) 및 하측 레지스트막 제거용 용제 노즐(49)로부터의 용제(75)의 토출이 정지되고, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에, 각각 보호막 제거용의 용제(76)가 공급된다. 이 용제(76)에 대해서도, 용제(75)와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 표면, 이면으로부터 웨이퍼(W)의 측둘레면으로 흘러, 그 측둘레면으로부터 뿌리쳐진다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면측에 있어서는, 도 6에서 설명한 영역에 용제(76)가 공급된다. 이 용제(76)에 의해, 보호막(72)이 용해되어 제거된다(도 12, 도 21).
그러한 후, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터의 용제(76)의 토출이 정지되며 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(15)에 반송되어 가열되어, 레지스트막(71)에 포함되는 유기 용매가 증발한다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 노광 장치(12)에 반송되고, 레지스트막(71)이 미리 정해진 패턴을 따라 노광된다.
노광 후의 웨이퍼(W)는, 가열 모듈(16)에 반송되어 PEB가 행해진 후, 현상 모듈(2)에 반송되고, 스핀 척(21)에 배치되어 회전한다. 그리고, 보호막 형성 모듈(13)에서의 처리와 마찬가지로, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)로부터 보호막 형성용의 약액(73)이 토출된다(도 13, 도 22). 각 노즐(51, 41)로부터의 약액(73)의 토출이 정지되면, 웨이퍼(W)에 공급된 약액(73)이 건조하여, 금속 부착 방지 영역(70)을 피복하는 제1 보호막인 보호막(72)이 형성된다. 즉, 보호막(72)은 레지스트막(71)이 형성되어 있지 않은 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 형성된다.
컵(24) 내의 기류에 노출되어 보호막(72)에 포함되는 유기 용매가 충분히 휘발한 후, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부 상에 위치하는 현상액 노즐(43)로부터 그 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 현상액(77)이 토출된다. 그리고, 현상액(77)이 토출되는 위치가 현상액 노즐(43)의 중심부로 이동하도록 현상액 노즐(43)이 수평으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 중심부 상에서 정지되며 웨이퍼(W)의 표면 전체가 현상액에 피복된다. 이 현상액에 의해, 레지스트막(71)의 현상이 진행되고, 노광된 영역을 따라 레지스트막(71)의 일부가 용해되어, 레지스트 패턴이 형성된다(도 14, 도 23).
그 후, 현상액 노즐(43)로부터의 현상액(77)의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 현상액(77)이 뿌리쳐져 웨이퍼(W)로부터 제거되면, 레지스트막 형성 모듈(17)에서 행해지는 처리와 마찬가지로, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)에 용제(76)가 공급되어, 보호막(72)이 제거된다(도 15, 도 24). 그러한 후, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터의 용제(76)의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되어(도 16, 도 25), 웨이퍼(W)는 캐리어(18)에 복귀된다.
이 도포, 현상 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(W)의 둘레 단부면과 이면측 둘레 가장자리부를 포함하는 금속 부착 방지 영역(70)이 보호막(72)에 피복된 상태로, 상기 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막(71)에 현상액(77)이 공급되어 현상이 행해진다. 따라서, 현상액(77)에 용해된 레지스트에 포함되는 금속이, 금속 부착 방지 영역(70)에 부착하는 것을 막을 수 있다. 또한, 금속 부착 방지 영역(70)이 보호막(72)에 피복된 상태로, 상기 웨이퍼(W)의 표면에 금속을 포함하는 레지스트(74)가 공급되어 레지스트막(71)이 형성되기 때문에, 보다 확실하게 금속 부착 방지 영역(70)에의 금속의 부착을 방지할 수 있다.
또한, 이 도포, 현상 장치(1)에서는, 현상 모듈(2)에 있어서 웨이퍼(W)가 스핀 척(21)에 배치된 상태인 채로, 보호막(72)의 형성, 현상 처리, 보호막(72)의 제거가 행해진다. 즉 스핀 척(21)은, 이들 처리에 공통하여 이용되는 배치부이고, 이들 각 처리를 행하기 위해 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 수고를 생략할 수 있다. 따라서, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 이와 같이 현상 모듈(2)은, 보호막 형성 모듈로서 겸용되기 때문에, 도포, 현상 장치(1)에서의 보호막 형성 모듈의 설치수를 억제하고, 현상 모듈(2)의 설치수를 많게 할 수 있다. 그와 같이 현상 모듈(2)의 설치수를 많게 함으로써, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
이 현상 모듈(2)에 있어서, 예컨대 컵(24) 내에 발광 다이오드 등의 가열부를 마련하고, 보호막(72)을 가열함으로써 그 보호막(72) 중의 유기 용매가 조속하게 제거되도록 하여도 좋다. 또한, 보호막 형성 모듈(13)에서 형성된 보호막(72)은, 웨이퍼(W)가 노광 장치(12)에 반입될 때까지 제거하면 좋기 때문에, 예컨대 가열 모듈(15)에서의 가열 후에 제거하여도 좋다.
설명의 편의상, 도 1에서는 도포, 현상 장치(1)의 개략 구성을 나타내었지만, 이하에 도포, 현상 장치(1)의 보다 상세한 구성예에 대해서, 평면도, 사시도, 종단 측면도인 도 26, 도 27, 도 28을 각각 참조하여 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는, 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 횡방향에 직선형으로 접속하여 구성되어 있고, 인터페이스 블록(D3)이 노광 장치(12)에 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1∼D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다. 캐리어 블록(D1)은, 캐리어(18)의 배치대(81)와, 개폐부(82)와, 개폐부(82)를 통해 캐리어(18)로부터 웨이퍼(W)를 반송하는 전달 아암(83)을 구비하고 있다.
처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리 및 가열 처리를 행하는 제1∼제6 단위 블록(E1∼E6)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 각 단위 블록에서는 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다. 또한, 단위 블록(E1, E2)이 동일한 단위 블록이고, 단위 블록(E3, E4)이 동일한 단위 블록이고, 단위 블록(E5, E6)이 동일한 단위 블록이다. 웨이퍼(W)는 동일한 단위 블록 중, 어느 한쪽에 선택되어 반송된다.
단위 블록 중 대표하여 COT층(E3)을, 도 26을 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)을 향하는 반송 영역(84)의 좌우의 한쪽측에는 선반 유닛(U)이 배치되고, 다른쪽측에는 보호막 형성 모듈(13), 레지스트막 형성 모듈(17)이 전후로 배열되어 마련되어 있다. 선반 유닛(U)은, 가열 모듈(14, 15)을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(84)에는, 이 COT층(E3)에 마련되는 각 모듈과, 후술하는 타워(T1, T2)에 있어서 COT층(E3)과 동일한 높이에 마련되는 각 모듈에 액세스하여 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 아암(F3)이 마련되어 있다.
단위 블록(E1, E2)은, 레지스트막 형성 모듈(17) 및 보호막 형성 모듈(13) 대신에, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 웨이퍼(W)에 도포하는 반사 방지막 형성 모듈이 마련되는 것 및 선반 유닛(U)에는 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈이 마련되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일한 구성이다. 단위 블록(E5, E6)은, 레지스트막 형성 모듈(17) 및 보호막 형성 모듈(13) 대신에, 2개의 현상 모듈(2)이 마련되는 것 및 선반 유닛(U)에는 가열 모듈(16)이 마련되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일한 구성이다. 또한, 도 27에서는 각 단위 블록(E1∼E6)의 반송 아암을 F1∼F6으로서 나타내고 있다.
처리 블록(D2)에서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1∼E6)에 걸쳐 상하로 신장하는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 아암(85)이 마련되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 전달 모듈(TRS)을 구비하고 있다. 전달 모듈(TRS)은, 각 블록에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하기 위해 웨이퍼(W)를 일단 배치한다.
인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1∼E6)에 걸쳐 상하로 신장하는 타워(T2, T3, T4)를 구비하고 있고, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 인터페이스 아암(86)과, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 아암(87)과, 타워(T2)와 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(88)이 마련되어 있다. 또한, 이미 서술한 반송 기구(11)는, 인터페이스 아암(86∼88), 반송 아암(F1∼F6) 및 전달 아암(83, 85)에 의해 구성된다.
타워(T2)는, 전달 모듈(TRS), 노광 처리 전의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하여 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있지만, 여기서는, 전달 모듈(TRS) 이외의 모듈의 도시는 생략한다. 또한, 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 마련되어 있지만, 여기서는 설명을 생략한다.
이 도포, 현상 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(18)로부터 전달 아암(83)에 의해, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS0)에 반송되고, TRS0으로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)에 배분되어 반송된다. 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)[반송 아암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈]에 대하여, TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)에 전달하는 경우에는, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 전달 모듈(TRS2)에 대하여, TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 전달은, 전달 아암(85)에 의해 행해진다.
이와 같이 배분된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2)→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→TRS1(TRS2)의 순서로 반송되고, 계속해서 전달 아암(85)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4)에 배분된다. 이와 같이 TRS3, TRS4에 배분된 웨이퍼(W)는, 도 1에서 설명한 바와 같이 보호막 형성 모듈(13)→가열 모듈(14)→레지스트막 형성 모듈(17)→가열 모듈(15)의 순서로 반송되어, 타워(T2)의 전달 모듈[TRS31(TRS41)]에 반송된다.
그러한 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(86, 88)에 의해, 노광 장치(12)에 반송된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(87, 88)에 의해 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS51, TRS61)에 각각 반송된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는 도 1에서 설명한 바와 같이, 가열 모듈(16)→현상 모듈(2)의 순서로 반송되고, 레지스트 패턴이 형성된 후, 타워(T1)의 전달 모듈[TRS5(TRS6)]에 반송되어, 전달 아암(83)을 통해 캐리어(18)에 복귀된다.
(제2 실시형태)
이하, 다른 실시형태에 대해서, 제1 실시형태와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 29는 제2 실시형태에 따른 도포, 현상 장치(91)의 개략 구성을 나타내고 있고, 도 29 중의 실선의 화살표는, 도 1과 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있다. 이 도포, 현상 장치(91)에 있어서는, 노광 장치(12)에 의한 노광 후, 가열 모듈(16)에 의한 PEB를 행하기 전에 보호막(72)의 형성을 행하는 보호막 형성 모듈(92)이 마련되어 있다. 이 보호막 형성 모듈(92)은, 이미 서술한 보호막 형성 모듈(13)과 동일하게 구성되어 있다. 이 보호막 형성 모듈(92)에서 보호막(72)을 형성하기 때문에, 현상 모듈(2)에 있어서는 보호막(72)의 형성은 행해지지 않고, 도 14, 도 15에서 설명한 현상 및 보호막(72)의 제거만이 행해진다.
이 보호막 형성 모듈(92)은, 도 26∼도 28에서 설명한 도포, 현상 장치(1)의 단위 블록(E5, E6)에 있어서, 예컨대 전후에 2개 마련된 현상 모듈(2) 중 하나를 대신해서 마련된다. 즉, 이 도포, 현상 장치(91)의 각 단위 블록(E5, E6)에는, 현상 모듈(2), 보호막 형성 모듈(92)이 전후에 마련된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 단위 블록(E5, E6) 내를 보호막 형성 모듈(92)→가열 모듈(16)→현상 모듈(2)의 순서로 반송된다.
이 제2 실시형태의 도포, 현상 장치(91)에서는, 보호막 형성 모듈(92)에서 보호막(72)을 형성한 후에 가열 모듈(16)에서 PEB를 행하기 때문에, 이 PEB 시에 보호막(72)에 포함되는 유기 용매를 증발시킬 수 있다. 따라서, 보호막 형성 모듈(92)에 있어서 보호막(72)을 형성한 후, 보호막(72) 중에 포함되는 유기 용매가 휘발하도록 웨이퍼(W)를 상기 보호막 형성 모듈(92)의 컵(24) 내에 멈추어 두는 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
(제3 실시형태)
제3 실시형태의 도포, 현상 장치에서의 레지스트막 형성 모듈(17)에 있어서는, 도 6에 나타낸 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)이 마련되지 않고, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 토출되는 용제에 의해, 보호막(72) 중 웨이퍼(W)의 이면측에 형성된 부위만이 제거된다. 그리고, 현상 모듈(2)에서는 보호막(72)의 형성이 행해지지 않기 때문에, 도 30에 나타내는 바와 같이 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)이 마련되어 있지 않다. 그 대신에 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)과 마찬가지로 웨이퍼(W)의 내방측으로부터 외방측으로, 경사 상방에 약액을 토출하는 액막 형성용 처리액 노즐(93)이 마련되어 있다. 도면 중 94는, 이 처리액을 저류하며, 그 처리액을 액막 형성용 처리액 노즐(93)에 공급하는 약액 공급원이다.
이하, 제3 실시형태의 도포, 현상 장치에서의 처리에 대해서 설명한다. 이미 서술한 바와 같이 보호막 형성 모듈(13)에서 보호막(72)이 형성되고, 또한 레지스트막 형성 모듈(17)에 있어서 레지스트막(71)의 형성 및 둘레 가장자리부에서의 불필요한 레지스트막(71)의 제거가 행해진 후에, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터, 용제(76)가 토출된다. 웨이퍼(W)의 이면측의 베벨 및 측둘레면에의 용제(76)가 돌아 들어가는 것이 억제되도록 웨이퍼(W)의 회전수가 제어되고, 웨이퍼(W)의 이면에서의 보호막(72)이 제거되어 그 이면이 평탄해지면(도 31), 용제(76)의 토출과 웨이퍼(W)의 회전이 정지된다. 상기한 바와 같이 용제(76)가 돌아 들어가는 것이 억제됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면, 표면측의 베벨, 측둘레면 및 이면측의 베벨에 있어서, 보호막(72)이 잔류한 상태로 되어 있다.
이 웨이퍼(W)는, 노광 장치(12)에서의 노광, PEB가 순차 행해진 후에, 현상 모듈(2)의 스핀 척(21)에 반송되어 회전한다. 액막 형성용 처리액 노즐(93)로부터 상기 웨이퍼(W)의 이면에 처리액(78)이 토출되고, 토출된 처리액(78)은, 웨이퍼(W)의 이면을 둘레단을 향하여 흐른 후, 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐진다. 웨이퍼(W)가 회전하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면의 전체 둘레에 있어서 처리액(78)에 의한 액막이 형성된다. 그에 의해, 금속 부착 방지 영역(70)은, 처리액(78)의 액막 및 보호막(72)에 의해 피복된 상태가 된다(도 32).
계속해서, 현상액 노즐(43)로부터 현상액(77)이 웨이퍼(W)에 공급된다(도 33). 처리액(78) 및 보호막(72)에 의해, 현상액(77)의 금속 부착 방지 영역(70)에의 접촉이 억제된 상태로 현상이 진행되고, 현상액 노즐(43)로부터의 현상액(77)의 공급이 정지되고, 현상액(77)이 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐지면, 액막 형성용 처리액 노즐(93)로부터의 처리액(78)의 토출이 정지되고, 액막의 형성이 정지된다. 그러한 후, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52), 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 용제(76)가 토출되어, 보호막(72)이 제거된다(도 34).
이 제3 실시형태의 도포, 현상 장치에 있어서는, 노광 장치(12)에의 반송 시에는 보호막(72) 중 웨이퍼(W)의 이면측에 형성된 부위를 한정적으로 제거하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 노광 장치(12)의 스테이지에 배치되었을 때에, 상기 웨이퍼(W)의 높이가 보호막(72)에 의해 정상적인 높이로부터 어긋나는 것을 막을 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)에 있어서 노광되는 위치가 정상적인 위치로부터 어긋나는 것을 막을 수 있다. 그리고, 이 도포, 현상 장치에서는, 보호막(72)이 1회만 형성되기 때문에, 도포, 현상 장치에 있어서, 보호막(72)을 형성하는 것에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 상기 처리액(78)으로서는 보호막(72)을 용해하지 않는 액이면 좋고, 예컨대 유기 용매가 이용된다.
(제4 실시형태)
제4 실시형태의 도포, 현상 장치에 대해서 설명한다. 이 제4 실시형태에 있어서는, 제3 실시형태와 마찬가지로 노광 장치(12)에 웨이퍼(W)를 반입하기 전에, 웨이퍼(W)의 이면측의 보호막이 한정적으로 제거된다. 이 한정적인 보호막의 제거가, 보다 확실하게 행해지도록 하기 위해, 금속 부착 방지 영역(70)을 피복하는 보호막의 상측과 하측을 서로 상이한 재질에 의해 구성하고, 하측의 보호막을 제거할 때에는, 상기 하측의 보호막을 선택적으로 제거할 수 있는 용제를 웨이퍼(W)에 공급한다. 또한, 이와 같이 보호막을 상이한 재질에 의해 구성하기 위해, 도 5에서 설명한 보호막 형성 모듈(13)에서의 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51), 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)은, 서로 성분이 상이한 약액이 저류된 약액의 공급원에 접속된다.
이 제4 실시형태의 도포, 현상 장치의 처리에 대해서 설명하면, 먼저, 보호막 형성 모듈(13)에 있어서, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51)로부터 약액(73)이, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에 토출되고, 그 웨이퍼(W)의 이면측의 베벨에 이르도록 돌아 들어간다(도 35). 그 후, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)로부터 약액(73)과는 성분이 상이한 약액(97)이 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 토출되고, 웨이퍼(W)의 이면의 베벨을 향한다(도 36). 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51), 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)로부터 각각 약액(73), 약액(97)의 토출이 정지되고, 금속 부착 방지 영역(70)을 피복하는 보호막이 형성된다. 약액(73, 97)으로부터 형성된 보호막을 각각, 상측 보호막(98), 하측 보호막(99)이라고 한다.
이들 상측 보호막(98) 및 하측 보호막(99)의 형성 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(14)에서 가열되고, 상측 보호막(98) 및 하측 보호막(99)에 잔류하는 유기 용매의 제거가 행해진 후, 레지스트막 형성 모듈(17)에 반송된다. 이미 서술한 바와 같이 웨이퍼(W)가 회전하며 레지스트 노즐(61)로부터 레지스트(74)가 토출되어(도 37), 레지스트막(71)이 형성된다. 그리고, 용제의 공급에 의해 불필요한 레지스트막(71)이 제거된 후, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 하측 보호막(99)의 용제(101)가 토출된다(도 38). 이 용제(101)는, 상측 보호막(98) 및 하측 보호막(99) 중, 하측 보호막(99)을 선택적으로 용해하여 제거할 수 있는 것이 이용된다.
용제(101)에 의해 하측 보호막(99)이 제거되고, 용제(101)의 토출이 정지된 후는(도 39), 제3 실시형태와 동일하게 처리가 행해진다. 따라서, 현상 시에 있어서, 하측 보호막(99)이 제거된 웨이퍼(W)의 이면에는 처리액(78)에 의한 액막이 형성된다. 이 제4 실시형태에 있어서도, 제3 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 상기 하측 보호막(99)을 형성하는 약액(97)은, 예컨대 네거티브형의 레지스트나 포지티브형의 레지스트에 의해 구성되고, 상기 하측 보호막(99)의 용제(101)는, 레지스트의 시너이다.
(제5 실시형태)
제5 실시형태에서는, 도 40에 나타내는 현상 모듈(2)에 있어서, 금속 부착 방지 영역(70)이 보호막에 의해 피복되어 있지 않은 상태로 현상 처리가 행해지고, 현상 후에 금속 부착 방지 영역(70)에 세정액으로서, SC2, SPM, 순수가 예컨대 이 순서로 공급됨으로써 세정된다. SC2 및 SPM은 웨이퍼(W)에 부착된 금속을 제거하는 금속 제거액이고, 순수는 이들 SC2 및 SPM을 웨이퍼(W)로부터 제거하기 위해 이용된다. 이 제5 실시형태에서 이용되는 현상 모듈(2)에서는, 웨이퍼(W)의 하방에 있어서, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42) 대신에, 하측 SC2 노즐(111), 하측 SPM 노즐(112), 하측 순수 노즐(113)이 마련되어 있고, 각 노즐(111∼113)은, 노즐(41, 42)과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에, 내측으로부터 외측을 향하여 액을 각각 토출할 수 있다.
또한, 아암(55)에는 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 대신에, 상측 SC2 노즐(114), 상측 SPM 노즐(115), 상측 순수 노즐(116)이 마련되어 있고, 각 노즐(114∼116)은, 노즐(51, 52)과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 표면의 둘레 가장자리부에 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측을 향하여 액을 각각 토출할 수 있다. 도면 중 117은 SC2의 공급원이고, 저류된 SC2를 노즐(111, 114)에 공급한다. 도면 중 118은 SPM의 공급원이고, 저류된 SPM을 노즐(112, 115)에 공급한다. 도면 중 119는 순수의 공급원이고, 저류된 순수를 노즐(113, 116)에 공급한다.
이 제5 실시형태에서의 현상 모듈(2)에서의 처리에 대해서 설명한다. 먼저, 웨이퍼(W)에 현상액(77)이 공급되어, 현상된다(도 41). 이미 서술한 바와 같이 이 현상은, 금속 부착 방지 영역(70)이 노출된 상태로 행해진다. 현상액(77)의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 현상액(77)이 뿌리쳐진 후, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면, 표면에 각각 하측 SC2 노즐(111), 상측 SC2 노즐(114)로부터 SC2가 토출된다. 웨이퍼(W)의 이면, 표면에 각각 토출된 SC2는 웨이퍼(W)의 둘레단을 향하여 흘러 측둘레면에서 합류하고, 그 측둘레면으로부터 뿌리쳐진다.
이와 같이 금속 부착 방지 영역(70)에 SC2가 공급되고, 현상에 의해 그 금속 부착 방지 영역(70)에 부착된 금속(63)은, 이 SC2와 함께 웨이퍼(W)로부터 제거된다(도 42). 하측 SC2 노즐(111) 및 상측 SC2 노즐(114)로부터의 SC2의 토출 정지 후, 하측 SPM 노즐(112) 및 상측 SPM 노즐(115)로부터 SPM이 토출되고, 이 SPM은, SC2와 함께 금속 부착 방지 영역(70)에 공급되어, 그 금속 부착 방지 영역(70)에 부착된 금속(63)을 제거한다.
하측 SPM 노즐(112) 및 상측 SPM 노즐(115)로부터의 SPM의 토출 정지 후, 하측 순수 노즐(113) 및 상측 순수 노즐(116)로부터 순수가 토출된다. 이 순수는, SC2, SPM과 마찬가지로 금속 부착 방지 영역(70)에 공급되어, 금속 부착 방지 영역(70)에 잔류하고 있는 SC2 및 SPM을 제거한다. 그러한 후, 하측 순수 노즐(113) 및 상측 순수 노즐(116)로부터 순수의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 현상 모듈(2)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이와 같이 제5 실시형태에서는, 금속(63)이 부착된 웨이퍼(W)의 금속 부착 방지 영역(70)에 금속 제거액인 SC2, SPM이 공급됨으로써 금속(63)이 제거되기 때문에, 현상 모듈(2)로부터 반출되는 웨이퍼(W)의 금속 부착 방지 영역(70)에 금속(63)이 부착하는 것을 억제할 수 있다.
그런데, 상기한 금속 부착 방지 영역(70)은 반송 기구(11)에의 금속의 부착을, 보다 확실하게 막기 위해, 표면측의 베벨 및 그 베벨보다 약간 중심측의 영역도 포함하도록 설정되어 있지만, 적어도 웨이퍼(W)의 측둘레면, 웨이퍼(W)의 이면의 베벨 및 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 대해서, 금속의 부착을 방지할 수 있으면, 상기 반송 기구(11)에의 금속의 부착을 막을 수 있다. 그래서, 상기한 바와 같이 SC2, SPM 및 순수를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 데 있어서, 웨이퍼(W)의 상측에 마련되는 노즐(114∼116)로부터는 각 액의 토출을 행하지 않고, 웨이퍼(W)의 회전수를 조정함으로써 웨이퍼(W)의 하측에 마련되는 노즐(111∼113)로부터 토출된 각 액이, 상기 웨이퍼(W)의 측둘레면을 통해 표면측의 베벨에 올라앉도록 액막을 형성하고, 그 액막에 의해 세정을 행하여도 좋다.
도 43, 44는 그와 같이 노즐(111, 112)로부터 SC2, SPM을 각각 공급함으로써 형성된 액막(121, 122)을 나타내고 있다. 도면 중, 웨이퍼(W)의 표면측의 베벨에 있어서 액막(121, 122)이 접하는 영역의 상단을 위치(C1)로서 나타내고 있다. 도 45는 노즐(113)로부터 순수를 공급함으로써 형성된 액막(123)을 나타내고 있다. 도면 중 웨이퍼(W)의 표면측의 베벨에 있어서, 액막(123)이 접하는 영역의 상단을 위치(C2)로서 나타내고 있다. 위치(C2)는, 위치(C1)보다 높다, 즉, 웨이퍼(W)의 중심부 쪽의 위치로서 설정되어 있다. 이와 같이 위치(C1), 위치(C2)가 설정되어 있기 때문에, SC2, SPM이 레지스트막(71)의 단부에 접하여 버려, 레지스트막(71)을 변질시켜 버리는 것을 막을 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 있어서 SC2 및 SPM이 공급된 영역을 포함하고, 또한 그 영역보다 넓은 범위에 순수가 공급되기 때문에, 확실하게 이들 SC2 및 SPM을 웨이퍼(W)로부터 제거할 수 있다. 또한, 금속 제거액으로서는, 이들 SC2, SPM에 한정되지 않고, 플루오르화수소산 등을 이용하여도 좋다.
(제6 실시형태)
제6 실시형태는, 제5 실시형태와 마찬가지로 금속 부착 방지 영역(70)이 보호막에 의해 피복되어 있지 않은 상태로 현상 처리가 행해진다. 이 현상 처리에는 제5 실시형태에서 설명한 현상 모듈(2)과 대략 동일한 구성의 현상 모듈이 이용된다. 단, 노즐(114), 노즐(111)은, 레지스트막(71)을 용해하지 않는 유기 용매의 공급원에 접속되어, 그 유기 용매를 토출한다.
이 현상 모듈(2)에서의 처리를 설명하면, 금속의 부착 방지액 공급부인 노즐(111) 및 노즐(114)로부터 회전하는 웨이퍼(W)에 유기 용매(65)가 토출되고, 유기 용매(65)가 웨이퍼(W)의 둘레를 따라 공급되어, 금속 부착 방지 영역(70)이 그 유기 용매(65)의 액막에 의해 피복된다(도 46). 그 후, 현상액 노즐(43)로부터 웨이퍼(W)의 표면 둘레 가장자리부에 현상액(77)이 토출되고(도 47), 현상액 노즐(43)이 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 현상액(77)이 공급되는 위치가 웨이퍼(W)의 중심부를 향하여 이동한다(도 48). 용해된 레지스트를 포함하는 현상액(77)은, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 금속 부착 방지 영역(70)을 향하여 흐르지만, 상기 금속 부착 방지 영역(70)에는 현상액(77)이 공급되기 전에 유기 용매(65)가 공급되어 있기 때문에, 상기 현상액(77)은 이 유기 용매(65)에 의해 희석되어, 웨이퍼(W)로부터 비산하거나 넘쳐 떨어지거나 함으로써 제거된다. 이와 같이 희석됨으로써, 현상액(77)에 포함되는 금속이 금속 부착 방지 영역(70)에 부착하는 것이 억제된다.
현상액(77)이 공급되는 위치가 웨이퍼(W)의 중심부에 위치하면, 현상액 노즐(43)의 이동이 정지된다(도 49). 그러한 후, 현상액 노즐(43)로부터의 현상액(77)의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)로부터 현상액(77)이 뿌리쳐져 제거된다. 그 후, 노즐(111) 및 노즐(114)로부터의 유기 용매(65)의 토출이 정지되고, 유기 용매(65)에 의한 액막의 형성이 정지된다. 이 유기 용매(65)도 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐져 제거되면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 현상 모듈(2)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다.
이 제6 실시형태에 따르면, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 금속 부착 방지 영역(70)에 현상액의 공급이 개시되기 전부터, 웨이퍼(W)로부터 현상액이 제거될 때까지, 금속 부착 방지 영역에 유기 용매(65)가 공급된다. 따라서, 현상 처리 중에 금속이 금속 부착 방지 영역(70)에 부착하는 것이 억제된다. 또한, 현상액(77)이 웨이퍼(W)에 공급되어 금속 부착 방지 영역(70)에 이르렀을 때에, 상기 현상액(77)이 이른 부위의 금속 부착 방지 영역(70)에, 상기 현상액(77)보다 먼저 상기 금속 부착 방지 영역(70)에 유기 용매(65)가 공급되어, 상기 현상액(77)이 희석되면 좋다. 따라서, 현상액(77)의 공급 개시 직후, 현상액(77)이 금속 부착 방지 영역(70)에 이르렀을 때, 유기 용매(65)에 의한 액막은 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸치도록은 형성되어 있지 않고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 있어서 이 현상액(77)이 이른 부위에만 형성되어 있어도 좋다.
그런데, 이 제6 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부보다 먼저 중심부에 현상액(77)을 공급하여도 좋다. 그러나, 그와 같이 처리하면, 현상액(77)이 레지스트를 용해하면서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향하여 넓어짐으로써 금속 부착 방지 영역(70) 상의 현상액(77)과 유기 용매(65)의 혼합액 중에서의 금속의 농도가 비교적 커지기 때문에, 그 금속 부착 방지 영역(70)에 금속이 부착되기 쉬워져 버린다. 도 46∼도 49에서 설명한 처리에서는 현상액(77)이 공급되는 위치를, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부측으로부터 중심부측으로 이동시키고 있기 때문에, 레지스트막(71)은 둘레 가장자리부측으로부터 중심부측을 향하여 차츰 용해되어, 금속 부착 방지 영역(70) 상의 혼합액의 금속의 농도를 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 보다 확실하게 금속 부착 방지 영역(70)에의 금속의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 금속의 부착 방지액으로서는, 레지스트가 용해된 현상액을 희석할 수 있는 것이면 좋고, 상기 유기 용매(65) 외에 예컨대 현상액이어도 좋다.
(제7 실시형태)
도 50은 가스 처리를 행함으로써 보호막을 형성하는 보호막 형성 모듈(131)을 나타내고 있다. 이 보호막 형성 모듈(131)에 대해서, 보호막 형성 모듈(13)과의 차이점을 설명하면, 보호막 형성 모듈(131)은, 스핀 척(21)에 배치된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 둘러싸도록, 웨이퍼(W)의 중심부측을 향하여 개구한 측면에서 보아 ㄷ자형의 처리부(132)를 구비하고 있다. 도면 중 133, 134는, 처리부(132)의 상부, 하부에, 웨이퍼(W)의 표면, 이면에 각각 개구하도록 마련된 가스의 토출구이다. 도면 중 135는, 처리부(132)에 있어서 웨이퍼(W)의 측둘레면에 대향하도록 형성된 배기구이고, 도면 중 136은 배기구(135)에 접속되는 배기 기구이다. 가스의 토출구(133, 134)에는, 예컨대 웨이퍼(W)의 표면을 소수화 처리하는 소수화 가스를 저류하여, 이들 가스 토출구(133, 134)에 공급하는 소수화 가스 공급원이 접속되어 있다. 소수화 가스는, 예컨대 HMDS(헥사메틸렌디실란) 가스이다. 도면 중 138은, 웨이퍼(W)가 스핀 척(21)에 대하여 전달되는 것을 방해하지 않도록, 처리부(132)를 ㄷ자형의 개구 방향을 따라 이동시키는 구동 기구이다.
웨이퍼(W)의 회전과, 가스 토출구(133, 134)로부터의 소수화 가스의 토출과, 배기구(125)로부터의 배기가 병행하여 행해지고, 금속 부착 방지 영역(70)이 HMDS 가스에 노출된다. 도면 중 점선의 화살표는, 이 가스의 흐름을 나타내고 있다. 금속 부착 방지 영역(70)의 표면에 존재하는 수산기는, 이 HMDS 가스에 의해 -O-Si(CH3)3, 즉 실릴기가 된다. 수산기에 비해서 실릴기는, 레지스트 중에 포함되는 금속과 결합하기 어렵다. 즉, 소수화 처리에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에는 실릴기로 이루어지는 보호막이 형성된다.
제7 실시형태에서는, 보호막 형성 모듈(13)에 의한 보호막의 형성 대신에, 이 보호막 형성 모듈(131)에 의한 보호막의 형성이 행해진다. 이 보호막의 형성 후는, 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 각 모듈을 반송하여 처리를 받는다. 그런데, 이 실릴기로 이루어지는 보호막은, 이미 서술한 각 실시형태의 보호막 형성 모듈(13)에 있어서 약액(73)의 액막이 건조함으로써 형성되는 보호막(72)에 비해서 매우 얇다. 따라서, 이 제7 실시형태에서는, 이 실릴기의 보호막은 제거되지 않고, 웨이퍼(W)는 보호막이 형성된 상태대로 각 모듈을 반송되어, 캐리어(18)에 복귀된다. 따라서, 현상 모듈(2)로서는 보호막(72)의 형성을 행하지 않아도 좋다.
소수화 가스에 의해서 보호막을 형성하는 보호막 형성 모듈로서는, 상기 구성예에는 한정되지 않는다. 예컨대 처리 용기와, 그 처리 용기의 천장에 마련되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 소수화 가스를 토출하는 가스 샤워 헤드와, 웨이퍼(W)의 중앙부를 지지하는 스테이지를 구비하는 구성으로 하여, 웨이퍼(W)의 이면 둘레 가장자리부 및 측둘레면에 대해서는, 표면으로부터 돌아 들어간 소수화 가스에 의해 처리되도록 한다. 이 소수화 가스에 의한 처리 후는, 레지스트막 형성 모듈(17)에서 레지스트막의 형성과, 레지스트막이 불필요한 부위의 제거를 행한다. 따라서, 본 발명에 있어서 보호막은, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 국소적으로 형성되는 것에는 한정되지 않는다.
그런데, 웨이퍼(W)의 표면에는, 유기물이 부착되어 있는 경우가 있다. 이 유기물을 제거한 쪽이, 보다 확실하게 소수화 가스에 의한 웨이퍼(W)의 표면의 소수화를 행할 수 있다. 그래서, 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에 UV(자외선)를 조사하는 UV 조사 모듈을 마련하고, 그 UV 조사 모듈에서 처리를 행한 후에, 웨이퍼(W)를 상기 보호막 형성 모듈(131)에 반송하여 처리를 행하도록 하여도 좋다. UV 조사 모듈 및 보호막 형성 모듈(131)은, 예컨대 도 26에서 설명한 도포, 현상 장치(1)에서의 타워(T1) 또는 선반 유닛(U)에 마련된다. 또한, HMDS를 액체의 상태로 웨이퍼(W)에 공급하여, 건조시킴으로써 보호막을 형성하여도 좋다.
(레지스트막 형성 모듈의 변형예)
도 51에는 레지스트막 형성 모듈(17)의 변형예를 나타내고 있다. 이 레지스트막 형성 모듈(17)은, 보호막 제거용의 용제의 공급원(54)과, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)을 접속하는 유로를 가열하는 히터(141)를 구비하고 있고, 상기 유로를 유통 중에 용제(76)가 가열되어, 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52) 및 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42)로부터 컵(24) 내의 분위기보다 높은 온도의 용제(76)가 토출된다. 이와 같이 가열된 용제(76)를 공급함으로써, 보호막(72)의 제거를 조속하게 행할 수 있기 때문에, 도포, 현상 장치(1)의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 유로를 유통 중의 용제(76)를 가열하는 것에는 한정되지 않고, 용제의 공급원(54)을 구성한다, 용제를 저류하는 탱크에 히터를 마련하고, 용제(76)가 공급원(54)에 있어서 저류되어 있는 동안에 가열되도록 하여도 좋다.
도 52에는 레지스트막 형성 모듈(17)의 또 다른 변형예를 나타내고 있다. 이 레지스트막 형성 모듈(17)의 컵(24) 내에는, 보호막(72)을 제거하기 위한 브러시(142)가 마련되어 있다. 보호막의 제거부인 브러시(142)는, 예컨대 컵(24)의 측벽을 관통하는 접속부(143)를 통해 컵(24)의 외측에 마련된 구동 기구(134)에 접속되어 있다. 이 구동 기구(144)에 의해, 브러시(142)는, 스핀 척(21)에 배치되는 웨이퍼(W)의 직경의 연장선을 따라 이동할 수 있다.
이 도 52의 레지스트막 형성 모듈(17)에 있어서, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42) 및 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)로부터 용제(76)가 토출될 때에는, 브러시(142)가 회전하는 웨이퍼(W)의 측둘레면에 압박되어, 보호막(72)을 긁어낸다(도 53). 보호막(72)의 제거를 행하지 않을 때에는, 레지스트막(71)의 형성이나 스핀 척(21)에의 웨이퍼(W)의 전달을 방해하지 않도록, 브러시(142)는 컵(24)의 측벽의 근처에 배치된다. 이와 같이 노즐(42, 52)로부터의 용제의 공급과, 브러시(142)에 의한 스크레이핑이 병행하여 행해짐으로써 조속하게 보호막(72)을 제거할 수 있다. 도 51, 도 52에 나타낸 브러시(142) 및 히터(141)는, 이미 서술한 각 실시형태에 적용할 수 있다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(17)에 마련되는 것에 한정되지 않고, 현상 모듈(2)에도 마련할 수 있다.
(제1 실시형태의 변형예)
다음에, 제1 실시형태에서의 처리의 제1 변형예에 대해서 설명한다. 레지스트막 형성 모듈(17)에서, 도 18, 도 19에 나타낸 레지스트막(71)의 형성, 불필요한 레지스트막(71)의 제거를 행한 후, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42) 및 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)로부터 보호막(72)에 용제(76)를 토출한다. 이때 보호막(72)의 표면(상층측)만이 제거되고, 보호막(72)의 하층측이 웨이퍼(W)에 잔류한 상태로 용제(76)의 토출을 정지한다. 즉, 여전히 금속 부착 방지 영역(70)은, 박층화된 보호막(72)에 피복된 상태로 되어 있다(도 54). 노광 장치(12)에의 반입 시는 보호막(72)이 박층화되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)에 있어서 노광되는 위치가 정상적인 위치로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 현상 모듈(2)에서는 새롭게 보호막(72)의 형성을 행하지 않고, 이 잔류한 보호막(72)을 이용하여 현상 처리가 행하여지고, 현상 처리 후는, 제1 실시형태와 마찬가지로 보호막(72)이 제거된다.
또한, 제1 실시형태에서의 제2 변형예를 설명한다. 보호막 형성 모듈(13)에 있어서, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51) 및 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)의 조를 2개 마련하고, 각 조는 서로 상이한 종류의 약액을 토출하도록 구성한다. 그리고, 먼저 한쪽의 조로부터 웨이퍼(W)에 약액을 토출하여 보호막(72)과 동일한 보호막[편의상, 하층 보호막(145)으로 함]을 형성한다. 그 후, 다른쪽의 조로부터 웨이퍼(W)에 약액을 토출하여 하층 보호막(145) 상에 적층되는 보호막[상층 보호막(146)으로 함]을 형성한다. 이와 같이 하층 보호막(145) 및 상층 보호막(146)이 형성된 상태로 레지스트(74)의 도포를 행하고(도 55), 계속해서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 불필요한 레지스트막(71)의 제거를 행한다.
그 후, 하측 보호막 제거용 용제 노즐(42) 및 상측 보호막 제거용 용제 노즐(52)로부터 상층 보호막(146)에 용제(76)를 토출한다(도 56). 예컨대 용제(76)는, 상층 보호막(146) 및 하층 보호막(145) 중 상층 보호막(146)만을 선택적으로 용해시키는 것이 이용된다. 이후는, 제1 실시형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)가 반송되어 처리가 행해진다. 현상 모듈(2)에 있어서는, 보호막의 형성은 행해지지 않고, 하층 보호막(145)을 이용하여 현상이 행해져, 현상 후에 하층 보호막(145)이 제거된다. 이 제2 변형예에 있어서도 노광 장치(12)에의 반입 시는 보호막(72)이 박층화되어 있기 때문에, 노광되는 위치가 정상적인 위치로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
그런데, 상기한 바와 같이 적어도 웨이퍼(W)의 측둘레면, 웨이퍼(W)의 이면의 베벨 및 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 대해서, 금속의 부착을 방지할 수 있으면 좋기 때문에, 이들 영역만을 피복하도록 보호막(72)을 형성하도록 하여도 좋다. 따라서, 상측 보호막 형성용 약액 노즐(51)로부터는 약액(73)의 토출을 행하지 않고, 하측 보호막 형성용 약액 노즐(41)만으로부터 약액(73)의 토출을 행하여, 상기 약액(73)이 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 둘레 가장자리부로부터 측둘레면에 이르도록 액막을 형성하고, 그 액막을 건조시킴으로써 보호막(72)을 형성하여도 좋다.
또한, 레지스트막(71)을 형성하기 전에는 보호막(72)을 형성하지 않아도 좋다. 예컨대 웨이퍼(W)를 회전시키지 않고 레지스트를 토출한 상태의 레지스트 노즐(61)을 이동시킴으로써 웨이퍼(W)에의 레지스트의 도포가 행해지도록 한다. 금속 부착 방지 영역(70)에 레지스트(74)가 공급되지 않도록 레지스트 노즐(61)을 이동시킴으로써, 보호막(72)의 형성이 불필요해진다. 또한, 현상 처리에 있어서는 이미 서술한 바와 같은 현상액 노즐(43)을 이용하는 것에는 한정되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 직경을 커버하는 좁고 긴 토출구를 구비하는 노즐을, 토출구로부터 현상액의 토출을 행하면서, 정지된 웨이퍼(W)의 표면 상을 일단으로부터 타단으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록 하여도 좋다. 또한, 이미 서술한 각 실시형태는 서로 조합하거나, 적절하게 변경하거나 할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 소수화 처리 가스를 공급하여 보호막을 형성한 후, 더욱 약액(73)을 공급하여 보호막(72)을 형성하여도 좋다.
W: 웨이퍼 1: 도포, 현상 장치
13: 보호막 형성 모듈 17: 레지스트막 형성 모듈
100: 제어부 2: 현상 모듈
41: 하측 보호막 형성용 약액 노즐 42: 하측 보호막 제거용 용제 노즐
43: 현상 노즐 51: 상측 보호막 형성용 약액 노즐
52: 상측 보호막 제거용 용제 노즐 71: 레지스트막
72: 보호막

Claims (16)

  1. 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
    상기 기판의 표면에 현상액을 공급하여 상기 레지스트막을 현상하는 현상 공정과,
    상기 현상 공정 전에 있어서, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 상기 현상액에 접하는 것을 막는 제1 보호막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트를 상기 기판에 도포하기 전에, 상기 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 레지스트가 공급되는 것을 막기 위한 제2 보호막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레지스트막을 노광하기 전에, 상기 제2 보호막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 보호막을 제거하는 공정은, 상기 기판의 이면측 둘레 가장자리부에 형성된 상기 제2 보호막을 한정적으로 제거하는 공정을 포함하고,
    상기 현상액이 상기 기판의 이면측 둘레 가장자리부에 공급되기 전에, 상기 이면측 둘레 가장자리부에 제3 보호막을 형성하고,
    상기 제1 보호막은, 상기 기판의 둘레 단부면에 잔류한 상기 제2 보호막과, 상기 제3 보호막에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 보호막은, 회전하는 상기 기판의 이면측 둘레 가장자리부에 공급되는 처리액에 의해 형성되는 액막인 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 보호막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 보호막 또는 상기 제2 보호막을 제거하는 공정은,
    보호막의 용제를 가열하는 공정과,
    가열한 상기 보호막의 용제를 상기 기판에 공급하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 보호막 또는 상기 제2 보호막을 제거하는 공정은,
    보호막을 문지름으로써 제거하는 제거부를, 회전하는 상기 기판의 제1 보호막 또는 제2 보호막에 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 보호막은 상기 레지스트막의 노광 후에 형성되고,
    상기 노광 후, 상기 제1 보호막의 형성 전에 상기 기판을 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 현상 공정 및 상기 제1 보호막의 형성 공정은, 이들 공정에서 공통의 배치부에 상기 기판이 배치되어 행해지는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  11. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 보호막은 상기 레지스트막의 노광 후에 형성되고,
    상기 제1 보호막의 형성 후, 상기 현상 공정을 행할 때까지, 상기 기판을 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  12. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 보호막 또는 상기 제2 보호막을 형성하는 공정은, 상기 기판을 소수화 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  13. 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
    상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 공정과,
    상기 현상액이 상기 기판의 둘레 가장자리부에 공급되기 전부터, 상기 기판의 표면으로부터 상기 현상액이 제거되기까지의 동안에, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 금속의 부착 방지액을 상기 기판의 둘레를 따라 공급하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 현상 공정은,
    상기 기판을 회전시키며 상기 기판에 있어서 상기 현상액이 공급되는 위치를 상기 기판의 둘레 가장자리부로부터 중심부를 향하여 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면을 상기 현상액으로 피복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  15. 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈과,
    노광된 후의 상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 모듈과,
    상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 현상액에 접하는 것을 막는 보호막을 상기 현상액이 공급되기 전의 기판에 형성하는 보호막 형성 모듈
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  16. 기판의 표면에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈과,
    노광된 후의 상기 레지스트막을 현상하기 위해 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상 모듈과,
    상기 현상액이 상기 기판의 둘레 가장자리부에 공급되기 전부터, 상기 기판의 표면으로부터 상기 현상액이 제거되기까지의 동안에, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에, 상기 금속의 부착 방지액을 상기 기판의 둘레를 따라 공급하는 부착 방지액 공급부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
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