JPH0384921A - 半導体ウエハの露光方法 - Google Patents
半導体ウエハの露光方法Info
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- JPH0384921A JPH0384921A JP22039089A JP22039089A JPH0384921A JP H0384921 A JPH0384921 A JP H0384921A JP 22039089 A JP22039089 A JP 22039089A JP 22039089 A JP22039089 A JP 22039089A JP H0384921 A JPH0384921 A JP H0384921A
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- Japan
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- semiconductor
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- semiconductor wafer
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
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- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程において用いられる半
導体製造装置に関する。
導体製造装置に関する。
〔従来の技術）
半導体装置の製造工程においては、一般に薄い円板状の
半導体ウェハ上に多数個の半導体チップを作り付け、ホ
トリソグラフィー、エツチング、イオン打込み等の各種
工程が一括して行われる。
半導体ウェハ上に多数個の半導体チップを作り付け、ホ
トリソグラフィー、エツチング、イオン打込み等の各種
工程が一括して行われる。
なお、露光装置は例えば、「電子材料別冊、超ＬＳＩ製
造・試験装置、ガイドブック」９７〜１０４頁、「光露
光装置Ｊ 、１９８４年工業調査会発行、で知られてい
る。
造・試験装置、ガイドブック」９７〜１０４頁、「光露
光装置Ｊ 、１９８４年工業調査会発行、で知られてい
る。
【発明が解決しようとする課題］
円形の半導体ウェハ上に多数個の矩形の半導体チップを
形成するので、ウェハの周縁部に階段状の不要な領域（
以下、不要領域と称す）が存在する。従って、ホトリソ
グラフィー技術を用いてパターンを形成するとき、ホト
レジストはウェハ全面に塗布されるのでこの不要領域に
もホトレジストが塗布され、しかもこの不要領域は露光
されないので、ホトレジストがポジ型の場合ホトレジス
トがそのまま残存し、後のドライエツチング工程やイオ
ン打込み工程等においてウェハ周縁部を保持する際、ホ
トレジストが剥がれて異物となり、この異物に起因して
半導体素子の性能が低下したり、歩留りが低下する問題
があった。
形成するので、ウェハの周縁部に階段状の不要な領域（
以下、不要領域と称す）が存在する。従って、ホトリソ
グラフィー技術を用いてパターンを形成するとき、ホト
レジストはウェハ全面に塗布されるのでこの不要領域に
もホトレジストが塗布され、しかもこの不要領域は露光
されないので、ホトレジストがポジ型の場合ホトレジス
トがそのまま残存し、後のドライエツチング工程やイオ
ン打込み工程等においてウェハ周縁部を保持する際、ホ
トレジストが剥がれて異物となり、この異物に起因して
半導体素子の性能が低下したり、歩留りが低下する問題
があった。
本発明の目的は、このような異物の発生を防止できる半
導体製造装置を提供することにある。
導体製造装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段１
上記の課題を解決するために、本発明の半導体製造装置
は、露光用光源と、半導体ウェハの支持部材と、ポジ型
ホトレジストが塗布された上記半導体ウェハの半導体素
子領域を除く周縁部（不要領域）を選択的に露光する手
段を有することを特徴とする。
は、露光用光源と、半導体ウェハの支持部材と、ポジ型
ホトレジストが塗布された上記半導体ウェハの半導体素
子領域を除く周縁部（不要領域）を選択的に露光する手
段を有することを特徴とする。
また、上記周縁部に半導体ウェハ識別用マークを上記露
光の際に同時に露光する手段を有することを特徴とする
。
光の際に同時に露光する手段を有することを特徴とする
。
ポジ型ホトレジストが塗布された半導体ウェハの不要領
域を選択的に露光する手段を有するので、不要領域のホ
トレジストを除去でき、ウェハ周縁部を保持しても異物
が発生しない。
域を選択的に露光する手段を有するので、不要領域のホ
トレジストを除去でき、ウェハ周縁部を保持しても異物
が発生しない。
また、周縁部に半導体ウェハ識別用マークを同時に露光
する手段を有するので、該マークが形成でき、製品の管
理の効率が向上する。
する手段を有するので、該マークが形成でき、製品の管
理の効率が向上する。
［実施例］
第１図は、本発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
略図、第３図は、半導体ウェハの概略平面図である。
略図、第３図は、半導体ウェハの概略平面図である。
第１図で、１は回転ステージ、２は半導体ウェハ、３は
Ｈｇランプ等の光源、４はレンズ、５はマスク、６はモ
ータである。第３図で、７は半導体ウェハ２の向きを知
るためのオリエンテーションフラット部（以下、オリフ
ラ部と記す）、８は半導体チップ（素子部）、９は階段
状の不要領域（実際はチップ８の数がもっと多いので、
不要領域９はもっと段数が多い）、１０は半導体ウェハ
２を識別するためのマークである。
Ｈｇランプ等の光源、４はレンズ、５はマスク、６はモ
ータである。第３図で、７は半導体ウェハ２の向きを知
るためのオリエンテーションフラット部（以下、オリフ
ラ部と記す）、８は半導体チップ（素子部）、９は階段
状の不要領域（実際はチップ８の数がもっと多いので、
不要領域９はもっと段数が多い）、１０は半導体ウェハ
２を識別するためのマークである。
ポジ型ホトレジストが塗布された半導体ウェハ２が回転
ステージ１上に吸着保持されている。ウェハ２の不要領
域９に、光源３からの光がレンズ４を介して導かれ、マ
スク５を通して照射される。
ステージ１上に吸着保持されている。ウェハ２の不要領
域９に、光源３からの光がレンズ４を介して導かれ、マ
スク５を通して照射される。
マスク５はモータ６により回転し、マスク５に形成され
たパターン（第３図の不要領域９を露光するための階段
状のパターンおよび識別用マーク１０のパターン）によ
りウェハ２の周縁部が露光される。
たパターン（第３図の不要領域９を露光するための階段
状のパターンおよび識別用マーク１０のパターン）によ
りウェハ２の周縁部が露光される。
第２図は、本発明の半導体製造装置の別の実施例を示す
概略図である。
概略図である。
第１図と同様の回転ステージ１およびウェハ２に対して
、矢印方向に駆動するシャッタ１３により処理された光
源３からの光がレンズ４、光ファイバ１２およびレンズ
１１を介してウェハ２の周縁部に照射される。このとき
、レンズ１１がウェハ２の周縁部の上方で矢印方向に駆
動することにより、ウェハ２の周縁部を選択的に露光で
きる。
、矢印方向に駆動するシャッタ１３により処理された光
源３からの光がレンズ４、光ファイバ１２およびレンズ
１１を介してウェハ２の周縁部に照射される。このとき
、レンズ１１がウェハ２の周縁部の上方で矢印方向に駆
動することにより、ウェハ２の周縁部を選択的に露光で
きる。
第１図および第２図に示した装置により露光された半導
体ウェハの一例を第３図に示す。素子部すなわち半導体
チップ８の外側の階段状の不要領域９が露光され、オリ
フラ部７には識別用マークＩＯが露光されている。この
半導体ウェハ２を現像することにより、不要領域９のホ
トレジストが除去され、かつオリフラ部７に識別用マー
ク１０が形成される。すなわち、半導体ウェハ２の周縁
部のホトレジストを除去できるので、後の工程、例えば
エツチング工程においてエツチング速度のウェハ内の均
一性が向上し、ウェハ周縁部を接触して保持する機構に
よりホトレジストが剥がれて異物が発生するのを抑制で
きる。従って、素子の性能向上および歩留りの向上が図
れる。また、識別用マーク１０を同時に形成できるので
、製品の管理の効率が向上する。
体ウェハの一例を第３図に示す。素子部すなわち半導体
チップ８の外側の階段状の不要領域９が露光され、オリ
フラ部７には識別用マークＩＯが露光されている。この
半導体ウェハ２を現像することにより、不要領域９のホ
トレジストが除去され、かつオリフラ部７に識別用マー
ク１０が形成される。すなわち、半導体ウェハ２の周縁
部のホトレジストを除去できるので、後の工程、例えば
エツチング工程においてエツチング速度のウェハ内の均
一性が向上し、ウェハ周縁部を接触して保持する機構に
よりホトレジストが剥がれて異物が発生するのを抑制で
きる。従って、素子の性能向上および歩留りの向上が図
れる。また、識別用マーク１０を同時に形成できるので
、製品の管理の効率が向上する。
第１図の実施例では、ウェハ２を回転させ、かつ所定の
パターンを形成したマスク５を機械的に駆動してウェハ
２の周縁部を選択的に露光した。
パターンを形成したマスク５を機械的に駆動してウェハ
２の周縁部を選択的に露光した。
また、第２図の実施例では、ウェハ２を回転させ、かつ
シャッタ１３により処理された光を照射するレンズ１１
を駆動してウェハ２の周縁部を選択的に露光した。しか
し、第１図、第２図の構成は例示であり、本発明はこれ
らに限定されない。すなわち、光源またはウェハのいず
れか一方のみを駆動してもよく、また双方を同期して駆
動してもよい。これらの駆動とマスクまたはシャッタの
駆動を同期して行ってもよい。ウェハ、光源、マスクす
べてを駆動させないで、ウェハ全面上にマスクを配置し
、光源により光を全面に照射してもよい。
シャッタ１３により処理された光を照射するレンズ１１
を駆動してウェハ２の周縁部を選択的に露光した。しか
し、第１図、第２図の構成は例示であり、本発明はこれ
らに限定されない。すなわち、光源またはウェハのいず
れか一方のみを駆動してもよく、また双方を同期して駆
動してもよい。これらの駆動とマスクまたはシャッタの
駆動を同期して行ってもよい。ウェハ、光源、マスクす
べてを駆動させないで、ウェハ全面上にマスクを配置し
、光源により光を全面に照射してもよい。
また、光源とウェハ間に配置し、機械的に駆動しパター
ンを形成したマスクの代わりに、液晶素子を用いて電気
的制御によりパターンを形成してもよい。マスクやシャ
ッタを用いないで、あらかじめ入力したプログラムに基
づいて光源、レンズまたは光ファイバを２次元的に駆動
させてもよい。
ンを形成したマスクの代わりに、液晶素子を用いて電気
的制御によりパターンを形成してもよい。マスクやシャ
ッタを用いないで、あらかじめ入力したプログラムに基
づいて光源、レンズまたは光ファイバを２次元的に駆動
させてもよい。
この場合、ウェハも同期して回転させてもよい。
さらに、第３図に示すように、ウェハの周縁部を必ずし
も階段状に露光しなくてもよく、少なくとも後の工程で
保持する部分を露光すればよい。
も階段状に露光しなくてもよく、少なくとも後の工程で
保持する部分を露光すればよい。
を発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体製造装置では、半
導体ウェハの周縁部のホトレジストを除去できるので、
後の工程によりホトレジストが剥がれて異物が発生する
のを抑制できる。従って、素子の性能向上および歩留り
の向上が図れる。また、ウェハ識別用マークを形成でき
るので、製品の管理の効率が向上できる。
導体ウェハの周縁部のホトレジストを除去できるので、
後の工程によりホトレジストが剥がれて異物が発生する
のを抑制できる。従って、素子の性能向上および歩留り
の向上が図れる。また、ウェハ識別用マークを形成でき
るので、製品の管理の効率が向上できる。
第１図は、本発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
略図、第２図は、本発明の半導体製造装置の別の実施例
を示す概略図、第３図は、本発明の装置により露光され
た半導体ウェハの概略平面図である。 ｌ・・・回転ステージ ２・・・半導体ウェハ ３・・・光源 ４・・・レンズ ５・・・マスク ６・・・モータ ７・・・オリフラ部 ８・・・半導体チップ（素子部） ９・・・階段状の不要領域 １０・・・半導体ウェハ識別用マーク １１・・・レンズ １２・・・光ファイバ １３・・・シャッタ
略図、第２図は、本発明の半導体製造装置の別の実施例
を示す概略図、第３図は、本発明の装置により露光され
た半導体ウェハの概略平面図である。 ｌ・・・回転ステージ ２・・・半導体ウェハ ３・・・光源 ４・・・レンズ ５・・・マスク ６・・・モータ ７・・・オリフラ部 ８・・・半導体チップ（素子部） ９・・・階段状の不要領域 １０・・・半導体ウェハ識別用マーク １１・・・レンズ １２・・・光ファイバ １３・・・シャッタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光用光源と、半導体ウェハの支持部材と、ポジ型
ホトレジストが塗布された上記半導体ウェハの半導体素
子領域を除く周縁部を選択的に露光する手段を有するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 ２、上記周縁部に半導体ウェハ識別用マークを上記露光
の際に同時に露光する手段を有することを特徴とする請
求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22039089A JP2886193B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体ウエハの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22039089A JP2886193B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体ウエハの露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384921A true JPH0384921A (ja) | 1991-04-10 |
| JP2886193B2 JP2886193B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=16750369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22039089A Expired - Lifetime JP2886193B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体ウエハの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2886193B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135105A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135106A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10214810A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-08-11 | Lsi Logic Corp | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
| EP2039257A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Circle Tekko Co., Ltd. | Agricultural product peeling apparatus |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22039089A patent/JP2886193B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135105A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135106A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10214810A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-08-11 | Lsi Logic Corp | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| JP4620189B2 (ja) * | 1996-12-23 | 2011-01-26 | エルエスアイ コーポレーション | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
| EP2039257A1 (en) | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Circle Tekko Co., Ltd. | Agricultural product peeling apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2886193B2 (ja) | 1999-04-26 |
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