JPH0253060A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0253060A JPH0253060A JP63205182A JP20518288A JPH0253060A JP H0253060 A JPH0253060 A JP H0253060A JP 63205182 A JP63205182 A JP 63205182A JP 20518288 A JP20518288 A JP 20518288A JP H0253060 A JPH0253060 A JP H0253060A
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- JP
- Japan
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- patterns
- type photoresist
- resist
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- negative
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
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- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造工程Ｄレジストパターン形戎
工穆において、極めて微細でコントラストの高いホール
形のレジストパターンを安定に形成することのできる半
導体装置の製造方法に関するものである。
工穆において、極めて微細でコントラストの高いホール
形のレジストパターンを安定に形成することのできる半
導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置の高集積化に伴い極めて微細なレジストパタ
ーンを形成する技術が求められている。
ーンを形成する技術が求められている。
特にメモリー素子のトレンチキャパシターやコンタクト
窓を加工するための微細なホール形レジストパターンの
形成に、従来の単層レジストプロセス、いわゆる基板上
に杉成しだホトフシスト膜に回路パターンを転写２光後
、現像処理を施してレジストパターンを形成する方法で
は、壁面が切り立ったレジストパターンを安定に形成す
ることが困雅である。
窓を加工するための微細なホール形レジストパターンの
形成に、従来の単層レジストプロセス、いわゆる基板上
に杉成しだホトフシスト膜に回路パターンを転写２光後
、現像処理を施してレジストパターンを形成する方法で
は、壁面が切り立ったレジストパターンを安定に形成す
ることが困雅である。
発明が解決しようとする課題
本発明は、単層レジストプロセスの問題点である微細な
ホール形レジストパターンの形成で、解像度の低下や断
面形状が劣化する問題点の解決を図ったものであり、コ
ントラストが高く、壁面が切り立ったホール形レジスト
パターンを安定に形成する半導体装置の製造方法を提供
するものである。
ホール形レジストパターンの形成で、解像度の低下や断
面形状が劣化する問題点の解決を図ったものであり、コ
ントラストが高く、壁面が切り立ったホール形レジスト
パターンを安定に形成する半導体装置の製造方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するための手段として本発明の半導体装
置の製造方法は、基板上に形成されたポジ型ホトレジス
トパターンを、他のネガ型ホトレジスト物質で被う１原
と、そのネガ型ホトレジスト物質をポジ型ホトレジスト
パターンが露出する厚さまで除去する工程およびポジ型
ホトレジストパターンを選択的に除去する工程を備えて
いる。
置の製造方法は、基板上に形成されたポジ型ホトレジス
トパターンを、他のネガ型ホトレジスト物質で被う１原
と、そのネガ型ホトレジスト物質をポジ型ホトレジスト
パターンが露出する厚さまで除去する工程およびポジ型
ホトレジストパターンを選択的に除去する工程を備えて
いる。
作用
この構成によって単層レジストパターンなどで容易に形
成できる形状の良いボール状のポジ型ホトレジストパタ
ーンを基板上だ形成した後、そのレジストパターンを被
う厚さまで基板表面全体をレジスト物質で被い、その表
面からネガ型ホトレジスト物質をポジ型ホトレジストパ
ターンが露出するまで均一に除去した後、その表面から
ポジ型およびネガ型ホトレジストの感光波長を含む光を
全面照射してから現像処理を施すことによりポール状の
ポジ型ホトレジスト部分を選択的に除去し。
成できる形状の良いボール状のポジ型ホトレジストパタ
ーンを基板上だ形成した後、そのレジストパターンを被
う厚さまで基板表面全体をレジスト物質で被い、その表
面からネガ型ホトレジスト物質をポジ型ホトレジストパ
ターンが露出するまで均一に除去した後、その表面から
ポジ型およびネガ型ホトレジストの感光波長を含む光を
全面照射してから現像処理を施すことによりポール状の
ポジ型ホトレジスト部分を選択的に除去し。
その除去された部分に形状の良いホール状のパターンが
安定に形成されることになる。
安定に形成されることになる。
実施例
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。第１図は本発明による一実施例を示したものである。
。第１図は本発明による一実施例を示したものである。
同図ａは基板２上にポール状のポジ型ホトレジストパタ
ーン１を形成したところを示す。ホトレジストには、ノ
ボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを使用し、高さが
約１．２μｍのパターンを形成する。同図すはホ）Ｌ／
レジストパターンを被う厚さにネガ型ホトレジスト物質
３で基板２を被う工程を示す。ネガ型ホトレジスト物質
３には、イソプレンゴム系ネガ型ホトレジストを使用し
１回転塗布法によって膜を形成する。同図Ｃはネガ型ホ
トレジスト物質３をホトフシストパターン１が露出する
まで除去する工程を示す。
ーン１を形成したところを示す。ホトレジストには、ノ
ボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを使用し、高さが
約１．２μｍのパターンを形成する。同図すはホ）Ｌ／
レジストパターンを被う厚さにネガ型ホトレジスト物質
３で基板２を被う工程を示す。ネガ型ホトレジスト物質
３には、イソプレンゴム系ネガ型ホトレジストを使用し
１回転塗布法によって膜を形成する。同図Ｃはネガ型ホ
トレジスト物質３をホトフシストパターン１が露出する
まで除去する工程を示す。
市販のキンレンタイプのネガ用現像液を用い浸漬法で除
去を行う。同図ｄはポジ型ホトレジスト１が露出した表
面から紫外光を全面照射する工程を示す。紫外光の波長
は４３８１ｕを使用し、照射量はｓｏｏｍＪ／Ｃｒｌ
である。同図θはポジ型ホトレジスト１が除去され基板
２上にレジスト物質３によってホール状のパターンが形
成されたところを示す。ポジをホトレジストの除去には
、市販のアルカリ現儂液を浸漬法で使用する。この実施
例で重要な点はネガ型レジスト物質３がアルカリ現像液
に浸されない条件を満たせば、池の感光性レジスト物質
でも吏用可能であり、極めて強靭で耐熱性の高いレジス
トパターンを形成することも可能である。
去を行う。同図ｄはポジ型ホトレジスト１が露出した表
面から紫外光を全面照射する工程を示す。紫外光の波長
は４３８１ｕを使用し、照射量はｓｏｏｍＪ／Ｃｒｌ
である。同図θはポジ型ホトレジスト１が除去され基板
２上にレジスト物質３によってホール状のパターンが形
成されたところを示す。ポジをホトレジストの除去には
、市販のアルカリ現儂液を浸漬法で使用する。この実施
例で重要な点はネガ型レジスト物質３がアルカリ現像液
に浸されない条件を満たせば、池の感光性レジスト物質
でも吏用可能であり、極めて強靭で耐熱性の高いレジス
トパターンを形成することも可能である。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、極めテ微細な
ホール状レジストパターンを安定して形成できるため、
高集積度の半導体メモリー装置に使用されるトレンチキ
ャパシターの加工やコンタクト窓の加工などに有効であ
シ、工業的、ＷＪ値が高い。
ホール状レジストパターンを安定して形成できるため、
高集積度の半導体メモリー装置に使用されるトレンチキ
ャパシターの加工やコンタクト窓の加工などに有効であ
シ、工業的、ＷＪ値が高い。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例
を示した工、原順の断面図である。 １・・・・・・ポジ型ホトレジストパターン、２・・・
・・基板、３・・・・・・ネガ型ホトレジスト物質、４
・・・・・・紫外光。
を示した工、原順の断面図である。 １・・・・・・ポジ型ホトレジストパターン、２・・・
・・基板、３・・・・・・ネガ型ホトレジスト物質、４
・・・・・・紫外光。
Claims (1)
- 基板上にポジ型ホトレジストを用いて回路パターンを形
成後、前記回路パターンが覆われるに充分な厚さに前記
基板表面の全体をネガ型レジスト物質で覆った後、前記
回路パターンが露出するまで前記ネガ型レジスト物質を
表面から均一に除去し、その表面にポジ型およびネガ型
ホトレジストの感光波長の光で全面照射を行った後、前
記ポジ型ホトレジストを除去する工程を有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205182A JPH0253060A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205182A JPH0253060A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0253060A true JPH0253060A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16502774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205182A Pending JPH0253060A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0253060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135462A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | リソグラフィによるダブルパターンニング方法 |
| JP2009218556A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | リソグラフィパターンの形成方法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205182A patent/JPH0253060A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135462A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | リソグラフィによるダブルパターンニング方法 |
| US7935477B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench |
| JP2009218556A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | リソグラフィパターンの形成方法 |
| US8048616B2 (en) | 2008-03-12 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench in photolithography |
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