JPS6083034A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS6083034A JPS6083034A JP58191623A JP19162383A JPS6083034A JP S6083034 A JPS6083034 A JP S6083034A JP 58191623 A JP58191623 A JP 58191623A JP 19162383 A JP19162383 A JP 19162383A JP S6083034 A JPS6083034 A JP S6083034A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- air
- projection exposure
- dust
- supply mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Holders For Sensitive Materials And Originals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は塵埃の耐着をなくした投影露光方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
半導体ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体部品、磁気バブルメモ
リなどの電子部品は半導体結晶や磁性体結晶からなる薄
層基板（通称ウエノ・）上に薄膜形成技術と写真蝕刻技
術（ホトリックラフィ）とを用いて微細回路が形成され
ている。
リなどの電子部品は半導体結晶や磁性体結晶からなる薄
層基板（通称ウエノ・）上に薄膜形成技術と写真蝕刻技
術（ホトリックラフィ）とを用いて微細回路が形成され
ている。
すなわち薄膜形成技術を用いてウェハ上にエピタキシャ
ル層、ヘテロエピタキシャル層、金属膜。
ル層、ヘテロエピタキシャル層、金属膜。
絶縁膜などを形成しこの上にホトレジストを被覆した状
態で電子回路パターンの投影露光或は密着露光を行って
ホトレジストを部分的に感光させ、ホトレジストとして
ネガタイプを用いる場合は感光部が現像液に不溶となる
現象を利用し、またポジタイプを用いる場合は感光部が
可溶となる現象を利用してレジス） ＩＩＫに窓開けを
行い、次にこれにリアクティブイオンエツチングやプラ
ズマエツチングなどのドライエツチング或はケミカルエ
ツチングを施すことにより微細な薄膜パターンが形成さ
れている。
態で電子回路パターンの投影露光或は密着露光を行って
ホトレジストを部分的に感光させ、ホトレジストとして
ネガタイプを用いる場合は感光部が現像液に不溶となる
現象を利用し、またポジタイプを用いる場合は感光部が
可溶となる現象を利用してレジス） ＩＩＫに窓開けを
行い、次にこれにリアクティブイオンエツチングやプラ
ズマエツチングなどのドライエツチング或はケミカルエ
ツチングを施すことにより微細な薄膜パターンが形成さ
れている。
こ＼でＬＳＩを形成する場合を例にとればシリコン（Ｓ
ｉ）≠結晶などからなるウェハ上に密着露光【７て多数
のチップを形成するのに使用するマスクはコピーマスク
と言われ４〔インチ〕或は５〔インチ〕角のガラス基板
或は石英基板上にクローム（Ｃｒ）金属薄膜を用いて微
細パターンを形成したものが使われているが、か＼るコ
ピーマスクはマスタマスフを転写して作られたものであ
り、またマスタマスクはレチクルと言われる原板を元と
＼して縮少して作られたものである。具体的に１えはレ
チクルは例えば５〔インチ〕角のガラス基板上にＣｒ金
属薄膜を用いてＬＳＩチップ−要分だけのパターンが画
かれている原画であり、一方マスタマスクは４〔インチ
〕角或は５〔インチ〕角の基板上に投影露光機を用いて
レチクルの原画を１／１０に縮少露光して多数のチップ
のパターンをＣｒ薄膜を用いて作ったものであり、才だ
コピーマスクはマスタマスクの像を反転させて作ったＣ
ｒマスクである。
ｉ）≠結晶などからなるウェハ上に密着露光【７て多数
のチップを形成するのに使用するマスクはコピーマスク
と言われ４〔インチ〕或は５〔インチ〕角のガラス基板
或は石英基板上にクローム（Ｃｒ）金属薄膜を用いて微
細パターンを形成したものが使われているが、か＼るコ
ピーマスクはマスタマスフを転写して作られたものであ
り、またマスタマスクはレチクルと言われる原板を元と
＼して縮少して作られたものである。具体的に１えはレ
チクルは例えば５〔インチ〕角のガラス基板上にＣｒ金
属薄膜を用いてＬＳＩチップ−要分だけのパターンが画
かれている原画であり、一方マスタマスクは４〔インチ
〕角或は５〔インチ〕角の基板上に投影露光機を用いて
レチクルの原画を１／１０に縮少露光して多数のチップ
のパターンをＣｒ薄膜を用いて作ったものであり、才だ
コピーマスクはマスタマスクの像を反転させて作ったＣ
ｒマスクである。
（ｃ） 従来技術と問題点
マスタマスクは投影露光機を用いてレチクルのパターン
を縮少露光して作ったものであり、この作業は清浄度が
１００以下に保たれたクリーンルーム中で行われている
。
を縮少露光して作ったものであり、この作業は清浄度が
１００以下に保たれたクリーンルーム中で行われている
。
第１図はこれに使用する投影露光機の溝底を示すもので
、レチクル１は真空チャック機構２を４隅に備えた筐体
３の上に置かれ位置決めが終ると減圧吸引し固定される
。
、レチクル１は真空チャック機構２を４隅に備えた筐体
３の上に置かれ位置決めが終ると減圧吸引し固定される
。
次に筐体３の中ｌｄま集光レンズ４と縮少レンズ５とが
あり、この例の場合レチクル１の・くターンを１／１０
に縮少する。
あり、この例の場合レチクル１の・くターンを１／１０
に縮少する。
一万マスタマスクを形成するガラス基板６はこの上にＣ
ｒ蒸着膜とホトレジストを被覆した状態で基台７の上に
あってマニュプレータによりＸＹ方向に移動可能なステ
ージ８の上にセットされている。
ｒ蒸着膜とホトレジストを被覆した状態で基台７の上に
あってマニュプレータによりＸＹ方向に移動可能なステ
ージ８の上にセットされている。
また光源としては水銀ランプ９が使われており、投影露
光が使われる毎にステージ８を自動的に１チップ分づつ
移動することにより数多くのチップからなる縮少パター
ンが露光されてゆく０か＼る投影露光操作において、レ
チクル１の上に塵埃が存在しているとこれがそのま＼縮
少露光されるので致命的となる。そこで従来は投影露光
機の筐体３にセットする前に明るい照明にあて一塵埃耐
着の有無を目視により調べ塵埃がある場合は窒素（Ｎ２
）ガスなどを吹きつけて飛ばしレチクル１の表裏面に塵
埃が耐着していないことを確認して筐体３の上にセット
していた。
光が使われる毎にステージ８を自動的に１チップ分づつ
移動することにより数多くのチップからなる縮少パター
ンが露光されてゆく０か＼る投影露光操作において、レ
チクル１の上に塵埃が存在しているとこれがそのま＼縮
少露光されるので致命的となる。そこで従来は投影露光
機の筐体３にセットする前に明るい照明にあて一塵埃耐
着の有無を目視により調べ塵埃がある場合は窒素（Ｎ２
）ガスなどを吹きつけて飛ばしレチクル１の表裏面に塵
埃が耐着していないことを確認して筐体３の上にセット
していた。
然し乍ら筐体３の上にセットした後でもクリーンルーム
内を浮遊する塵埃が耐着する場合があり、露光工程を通
じて無塵埃の状態を保つことは困難であった。
内を浮遊する塵埃が耐着する場合があり、露光工程を通
じて無塵埃の状態を保つことは困難であった。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的はレチクルを投影露光してマスタマスクを
形成する際レチクルの表裏面に塵埃を耐着させない方法
を提供することを目的とする。
形成する際レチクルの表裏面に塵埃を耐着させない方法
を提供することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の目的はガラス基板上に形成された薄膜にホトエ
ツチングを施して微＋：５１１１パターンを形成してな
るレチクルを投影露光機に装府してマスタマスクを形成
する際、前記投影露光機のレチクル設置部にフィルタを
備えたエア供給４７％ Ｍｌを設け、該供給機構にある
複数個のノズルよりレチクルの表裏面にエア流を付与し
ながら使用することを特徴とする防塵投影露光方法によ
り達成することができる。
ツチングを施して微＋：５１１１パターンを形成してな
るレチクルを投影露光機に装府してマスタマスクを形成
する際、前記投影露光機のレチクル設置部にフィルタを
備えたエア供給４７％ Ｍｌを設け、該供給機構にある
複数個のノズルよりレチクルの表裏面にエア流を付与し
ながら使用することを特徴とする防塵投影露光方法によ
り達成することができる。
（ｆ） Ａ明の実施例
本発明は投影露光工程を通じてレチクルにフィルタを通
してエアを送ることにより做少な塵埃が浮遊しレチクル
にｌ’ｆ’Ｊ”７ｇするのを防止するものである。投影
露光が行われるクリーンルームは清浄度が１００以下と
極力無塵化が保たれているが微少な塵埃は室内を浮遊し
ておりまた作業者に耐着している繊維が移行して耐着す
る場合もある。そこで露光工程中弱い空気流でレチクル
の表良面を覆って塵埃の耐着を遮断する。
してエアを送ることにより做少な塵埃が浮遊しレチクル
にｌ’ｆ’Ｊ”７ｇするのを防止するものである。投影
露光が行われるクリーンルームは清浄度が１００以下と
極力無塵化が保たれているが微少な塵埃は室内を浮遊し
ておりまた作業者に耐着している繊維が移行して耐着す
る場合もある。そこで露光工程中弱い空気流でレチクル
の表良面を覆って塵埃の耐着を遮断する。
第２図は不発明を実施した筐体３上部の第１°ｑ成を示
すもので真空チャック機構２が４隅に設けである点は変
りないが、それ以外にエア供給機構９が設けられている
。
すもので真空チャック機構２が４隅に設けである点は変
りないが、それ以外にエア供給機構９が設けられている
。
すなわちコンプレッサにより加圧した空気をフィルタ１
０を通してレチクル１の表面旧よび裏面に一様に流す。
０を通してレチクル１の表面旧よび裏面に一様に流す。
第２区１はエア供給機構９を筐体３の側面から見た断面
図また纂３図は平面構成図である。
図また纂３図は平面構成図である。
すなわちコンプレッサにより加圧された空気はフィルタ
１０により無塵化された後、レチクル１を挿んで上下に
分れその後複数個のノズル１１を備えた１字形の給気管
１２に供給され吠き出される。ここで２個の給気管１２
に設けられているノズル１１はレチクル１に空気膜を作
るようにそれぞれ傾斜して設けられている。
１０により無塵化された後、レチクル１を挿んで上下に
分れその後複数個のノズル１１を備えた１字形の給気管
１２に供給され吠き出される。ここで２個の給気管１２
に設けられているノズル１１はレチクル１に空気膜を作
るようにそれぞれ傾斜して設けられている。
このように投影露光機にレチクル１をセットした後はエ
ア供給機構から清浄な空気を送り続は常に表裏面を倣弱
なエア流により被覆することにより塵埃の落着を防ぐこ
とができる。
ア供給機構から清浄な空気を送り続は常に表裏面を倣弱
なエア流により被覆することにより塵埃の落着を防ぐこ
とができる。
（ｇ）＠明の効果
本発明はレチクルを投影露光してマスタマスクを作る際
に塵埃の阿（着を防ぐため異常な注意を要するのを解決
する方法としてなされたもので本発明の実施により塵埃
の落着を無くすることができる。
に塵埃の阿（着を防ぐため異常な注意を要するのを解決
する方法としてなされたもので本発明の実施により塵埃
の落着を無くすることができる。
第１図は従来の投影露光機の構成図、第２図は本発明を
適用した投影露光機の筐体上部の側面構成図、また第３
図はエア供給機構の平面構成図である。 図において、１はレチクル、３は筐体、６はガラス基板
、９はエア供給機構、１０１まフィルタ。 １１はノズル、］２はｒ； ７．５ｒｔ 、。
適用した投影露光機の筐体上部の側面構成図、また第３
図はエア供給機構の平面構成図である。 図において、１はレチクル、３は筐体、６はガラス基板
、９はエア供給機構、１０１まフィルタ。 １１はノズル、］２はｒ； ７．５ｒｔ 、。
Claims (1)
- ガラス基板上にパターンを形成してなるレチクルを投影
露光機に装着してマスタマスクを形成する際、前記投影
露光機のレチクル設置部にエア供給機構を設け、該供給
機構からレチクルの表裏面にエア流を付与しながら使用
することを特徴とする防塵投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191623A JPS6083034A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191623A JPS6083034A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083034A true JPS6083034A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16277716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191623A Pending JPS6083034A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP58191623A patent/JPS6083034A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
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