JPS5980931A - ウエ−ハ整合方法 - Google Patents

ウエ−ハ整合方法

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Publication number
JPS5980931A
JPS5980931A JP58157806A JP15780683A JPS5980931A JP S5980931 A JPS5980931 A JP S5980931A JP 58157806 A JP58157806 A JP 58157806A JP 15780683 A JP15780683 A JP 15780683A JP S5980931 A JPS5980931 A JP S5980931A
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JP
Japan
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wafer
mask
air
mounting table
separating
Prior art date
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Granted
Application number
JP58157806A
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English (en)
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JPS5932892B2 (ja
Inventor
Susumu Komoriya
進 小森谷
Kiyoshi Yoshida
清 吉田
Hiroshi Nishizuka
西塚 弘
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58157806A priority Critical patent/JPS5932892B2/ja
Publication of JPS5980931A publication Critical patent/JPS5980931A/ja
Publication of JPS5932892B2 publication Critical patent/JPS5932892B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェーハに所定のパターンを有するマス
クを位置合せするためのウェーハ整臼・に関するもので
あろう この種のウェーハ整合においてはウェーハ載置台の上に
表面にホトレジスト膜を有する半導体ウェーハを載置し
、さらにこのウェーハ上に所定のパターンを有するマス
クを配置し0両者を密着してマスクのパターンをウェー
ハ上のホトレジスト層に焼付ける。この際、ウエーノ・
とマスクの中間に存在する空気が部分的に密封状態とな
って1両者を所定の関係位置に保持しつつ密封状態にす
るのに時間がかかり、また逆に、良好に密着したマスク
をウェーハから引離す場合、両者の間に空気が入り込み
にくいので、そのり団ILLにも時間がかかる。この種
部しの困難さは/l’tにクロム製マスクを使用し、か
つ真望密着方式とした場合において著しいものである。
本発明の目的は、ウェーハ載置台上に載置されたウェー
ハとマスクとのWjMおよびその引離しの容易な9工−
ハ整合方法を提供することにある。
この目的を達成′[るため本発明による9ニー/〜整ば
方法は、中央部圧空気吹出しに1を有し1周辺部に空気
吸込み口を有するウェー・・4i121#台と、このウ
ェーハ載置台上に載置されたウェーハの−Hに配置され
るマスクと、前記空筒、吹出l−口から空気を吹出させ
る手段と、前記空気吸込み口から空気を吸込ませる手段
とを準備し、前記ウェーハ胱置台上に載置されたウェー
ハは、前nj2空気吹出し口からの空気吹出し作用によ
り中央部が盛上げられ。
かつ前記空気吸込み口からの空気吸込み作用により周辺
部が前記ウェー八載置台上に吸着される。
これにより前記ウェーハそりを生じさせることにより、
r7エーハとマスクとの相互の4酵しく(分離)作業は
極めて容易になる、 第1図及び第2図において11は本発明の実施に供する
ウェーハ載置台である。このウェーハ載置台11には中
央部に適当間隔で複数0・′iの空気吹出し口12が設
けられ、また周辺部にほぼ等間隔に周方向に分布して空
気吸込み口13が設けられている。各空気吹出し口12
は環状の連通孔14を介して相互に連通しており、しか
も載置台】1の側面に開口する連通孔16を介して圧縮
空気源に接続される、また各空気吸込み[113は環状
の連1rf1孔17を介して相互に連通され、上記と同
様に載置台11の側面に開口する連通孔18を介して真
空装置に接続される。
つ:r−/%&置台11の上に表面にホトレジスト層を
有するウェーハ21が位置され、さらにその上にマスク
22が配眞されるウウエーハ21は例えば半導体ウェー
ハであり、マスク22は例えばクロムマスクであり5ろ
、そしてウェーハ21およびマスク22は真空チャック
ないし真空ピンセットを用いてウェーハ載置台11上に
持ってきたり、そこから持っていったりすることかで・
きるうさて、ウェーハとマスクの整合が完了した後。
ウェーハとマスクを密着するどきには、空気吹出し口1
2かもの空気吹出し、および空気吸込み口13からの空
気吸込みを行−)で、ウェーハ21を図示のごとく中央
部は上方に盛上がらせ0周辺部はウェーハ載置台11上
に(1々着さぜる。このようにし゛C,ウェーハ21を
そらぜておい”C,マスク22をウェーハ21の上にi
ll見tt″t−′3−4)ど両者はウェーハ21の中
央盛上がり部のみで当接し1両者の間に空気が密封状態
となることはないので、マスク22をウェーハ21上の
nt定敞1ハ′に容易に位置させることができる。この
Ve * Af9.(、吹出しおよび空気吸込みを中止
してワエー/・2]の盛上がり変形を解除すれば、ウェ
ーハ21とマスク22とは中央部から同辺部へと容易に
密着状態へと移行することになる。
ウェーハ21にマスク22のパターンをiQ +=、+
ケ露光した後は、再び空気吹出し口12がらの空気吹出
し、および空気吸込み日13がらの空気吸込みを行って
ウェーハ21を図示のごとくそり変形させてマスク分離
を行う。この島台も、ウェーハ21とマスク22との間
に周辺方向から自由に空気が入り込めるので、マスク2
2は9エーハ2Iから容易に引Ml〜ことかできる。
以上述べたように本発明によれば、9工−ハ戦置台上に
!、 僅されたウェーハとマスクとの引離しの容易なウ
ェーハ整合方法を提供゛す゛るごとができる。
また1本発明の方法によれば周辺から徐々に引きはがす
ため、マスクへのレジストのスティッキングを防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に供丁4)9工−ハ整合装置の一
例を示す縦断面図、第2図()、第1図のn−H′線か
ら見た平面図である、 和−号の説明 11・・・ウェーハ載fF?:台、12・・・空気吹出
し11゜13・・・空気吸込み口、14.16.17.
18・・・連通孔、21・・・ウニ・−バ、22・・・
マ、スク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、  tal  ウェーハ及びマスクの相対位置を自
    せる工程 (b)  上記ウェーハ及びマスクを密着させて露光す
    る工程 (c)  上記ウェーハ中央部を突出させて徐々に上記
    ウェーハ周辺より上記ウェーハとマスクの間にガスを導
    込する工程 ldl  上記ウェーハとマスクを完全に引きはなす工
    程 よりなるウェーハ整合方法。
JP58157806A 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法 Expired JPS5932892B2 (ja)

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JP58157806A JPS5932892B2 (ja) 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法

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JP51146522A Division JPS6053464B2 (ja) 1976-12-08 1976-12-08 ウエ−ハ整合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5980931A true JPS5980931A (ja) 1984-05-10
JPS5932892B2 JPS5932892B2 (ja) 1984-08-11

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ID=15657691

Family Applications (1)

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JP58157806A Expired JPS5932892B2 (ja) 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法

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JP (1) JPS5932892B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61272927A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 Hitachi Electronics Eng Co Ltd ウエハとマスクとの分離方法
KR101237617B1 (ko) 2010-09-07 2013-02-26 삼성전기주식회사 기판 노광장치
US10838685B2 (en) 2017-03-23 2020-11-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Information processing device and non-transitory computer-readable medium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61272927A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 Hitachi Electronics Eng Co Ltd ウエハとマスクとの分離方法
KR101237617B1 (ko) 2010-09-07 2013-02-26 삼성전기주식회사 기판 노광장치
US10838685B2 (en) 2017-03-23 2020-11-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Information processing device and non-transitory computer-readable medium

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JPS5932892B2 (ja) 1984-08-11

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