JPH11354485A

JPH11354485A - 基板処理装置及び方法

Info

Publication number: JPH11354485A
Application number: JP16058498A
Authority: JP
Inventors: Masato Tanaka; 眞人田中; Kazunori Fujikawa; 和憲藤川
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-06-09
Filing date: 1998-06-09
Publication date: 1999-12-24
Anticipated expiration: 2018-06-09
Also published as: JP3604906B2

Abstract

(57)【要約】【課題】減圧乾燥を行うときに、パーティクルの基板
への付着を防止することができる基板処理装置および方
法を提供することを目的とする。【解決手段】処理槽５６２において純水による洗浄が
終了した基板は引き上げられてケーシング５６０内の所
定位置に保持される。このときには、ヒータＨ２にて加
熱されたＩＰＡ蒸気がＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５から供
給される。その後、ヒータＨ１にて加熱されたＮ₂がＮ₂
供給部５６６から供給される。さらに、その後、配管５
６０ｂから排気されることにより、ケーシング５６０内
が減圧され、基板の減圧乾燥が行われる。減圧前に基板
の温度がＩＰＡ蒸気およびＮ₂によって高められている
ため、基板の温度が減圧によって水蒸気またはＩＰＡ蒸
気の露点以下にまで低下することはなく、それらが結露
することはなくなり、結露した液滴の乾燥によるパーテ
ィクル発生が防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、純水による洗浄
処理が終了した半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の薄板
状基板（以下、単に「基板」とする）に有機溶剤を供給
した後、減圧状態とすることによって乾燥処理を行う基
板処理装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、密閉処理室に収容された処理槽内のフッ酸等のエッ
チング液に基板を浸漬してエッチング処理ないし洗浄処
理を施した後、処理槽内のエッチング液を純水に置換し
て当該基板の洗浄処理を行い、さらにその後純水から引
き上げた基板に処理室内にて減圧乾燥処理を行う基板処
理装置が用いられている。

【０００３】かかる装置においては、通常、純水による
洗浄処理が終了した後、処理槽の純水から基板を引き上
げる前、または基板を引き上げつつ有機溶剤であるイソ
プロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）の蒸
気を処理室内に供給し、基板表面にＩＰＡを凝縮させる
ことによって当該基板に付着した水をＩＰＡに置換して
いる。そして、処理室内雰囲気を不活性ガスである窒素
ガスに置換するとともに処理槽の純水を排液した後、密
閉した処理室を減圧状態とすることによって基板の乾燥
処理を行っている（減圧乾燥処理）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この乾
燥処理の工程においては、減圧乾燥処理後に基板表面に
パーティクルが付着している現象がしばしば認められ
た。そして、乾燥処理において付着したパーティクル
は、最終製品たる半導体デバイス等の品質を劣化させ、
その歩留まりを低下させるという問題を生じることとな
る。

【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、減圧乾燥を行うときに、パーティクルの基板へ
の付着を防止することができる基板処理装置および方法
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、純水による洗浄処理が終了した
基板に有機溶剤の蒸気を供給して前記基板に付着した前
記純水を前記有機溶剤に置換した後、減圧状態とするこ
とによって前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であ
って、(a)前記洗浄処理を行う処理槽と、(b)前記処理槽
を収容し、前記乾燥処理を行う処理室と、(c)前記乾燥
処理時における前記基板の温度をその時点の前記処理室
内の水の露点および前記有機溶剤の露点のうちいずれか
高い温度よりも高くする基板温度昇温手段と、を備えて
いる。

【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記基板温度昇温手段
に、前記処理室に前記乾燥処理の前に供給されるガスを
加熱することによって、前記乾燥処理時における前記基
板の温度を前記水の露点および前記有機溶剤の露点のう
ちいずれか高い温度よりも高くするガス加熱手段を含ま
せている。

【０００８】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記ガス加熱手段に、前
記処理室に供給する前記ガスの温度を１２５℃以上とさ
せている。

【０００９】また、請求項４の発明は、請求項２または
請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記ガス
加熱手段に、前記有機溶剤の蒸気を加熱させている。

【００１０】また、請求項５の発明は、請求項２または
請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記ガス
加熱手段に、前記処理室に供給される不活性ガスを加熱
させている。

【００１１】また、請求項６の発明は、純水による洗浄
処理が終了した基板に処理室にて乾燥処理を行う基板処
理方法であって、(a)前記洗浄処理が終了した基板に有
機溶剤の蒸気を供給して前記基板に付着した前記純水を
前記有機溶剤に置換する有機溶剤供給工程と、(b)前記
基板の周辺に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程
と、(c)前記基板の周辺を減圧状態にして前記基板の乾
燥処理を行う乾燥工程と、(d)前記乾燥処理工程におけ
る前記基板の温度がその時点の前記処理室内の水の露点
および前記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度より
も高くなるように、前記有機溶剤の蒸気および／または
前記不活性ガスを加熱する加熱工程と、を備えている。

【００１２】

【発明の実施の形態】＜Ａ．課題解決のための基礎とな
る知見および本発明の原理＞上述した課題、すなわち減
圧乾燥処理におけるパーティクル付着の問題を解決すべ
く、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、以下のような知
見を見いだしたので、まずそれについて説明する。

【００１３】上述した従来の技術においては、減圧乾燥
を行う前に処理室内雰囲気を窒素ガスに置換しているも
のの、処理室内には依然としてＩＰＡの蒸気が残留して
いるものと考えられる。また、排液後の処理槽には水滴
が付着しているため、減圧前の処理室内には水蒸気も存
在することになる。

【００１４】一方、処理室内を減圧状態にすると、室内
の気体の内部エネルギーが減少するとともに、処理槽に
付着した水滴の気化が促進されることに伴って気化熱が
奪われることにより、温度低下が生じる。そして、基板
の温度が低下して、水蒸気またはＩＰＡ蒸気の露点より
も低くなると、基板表面に水またはＩＰＡが結露するこ
とになる。このことを図６を用いつつさらに説明する。

【００１５】図６は、飽和蒸気圧曲線を示す図である。
上述の如く、減圧前においては、水蒸気およびＩＰＡ蒸
気が処理室内に存在しており、減圧中においてもそれら
の一部は残存している。そして、減圧中における水また
はＩＰＡの蒸気圧をＰ₁とすると、図６に示す如く、温
度Ｔ₁が水またはＩＰＡの露点となる。

【００１６】ここで、従来においては、減圧前の基板の
温度がＴ₂であり、減圧による温度低下によって基板温
度が徐々に低下し、やがて温度Ｔ₁以下となると水また
はＩＰＡの基板面への結露が生じるのである。もっと
も、処理室内は減圧されているため水またはＩＰＡの蒸
気圧が減少して露点自体も低下しているものと考えられ
るが、露点の低下よりも基板の温度低下の方が大きい場
合は、基板温度が露点以下となり、結露が生じるものと
推察される。また、水に関しては、減圧によって処理槽
に付着した水滴の気化が促進され、処理室内における水
蒸気圧低下が抑制されることとなり、その結果露点の低
下も小さくなるものと推考される。

【００１７】処理室内の水またはＩＰＡの蒸気は処理室
内に浮遊する微粒子を吸着していることもあり、基板面
に結露した水またはＩＰＡの液滴が乾燥されると、その
微粒子が基板面に残留し、パーティクルになるものと考
えられる。

【００１８】本発明者は、減圧乾燥に伴うパーティクル
発生の原因について以上のような現象を究明し、この知
見に基づいて本発明を完成させたのである。

【００１９】すなわち、図６において、減圧乾燥前の基
板温度をＴ₃程度としておけば、減圧によって基板温度
が低下しても、露点Ｔ₁以下となることはなくなり、基
板面に結露が生じることもなくなる。その結果、結露し
た液滴が乾燥することによるパーティクル発生が防止で
きるのである。逆に言えば、減圧乾燥処理時における基
板の温度がその時点の処理室内の水の露点およびＩＰＡ
の露点のうちいずれか高い温度Ｔ₁よりも高くなるよう
に減圧乾燥前の基板温度をＴ₃まで上昇させておけば、
パーティクルの発生が防止できるのである。

【００２０】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形
態について詳細に説明する。

【００２１】＜Ｂ．基板処理装置の構成＞図１は、本発
明の実施の形態の基板処理装置１の全体構成を示す斜視
図である。図示のように、この装置は、未処理基板を収
納しているカセットＣが投入されるカセット搬入部２
と、このカセット搬入部２からのカセットＣが載置され
内部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部３
と、カセットＣから取り出された未処理基板が順次洗浄
処理に供される基板処理部５と、洗浄処理後の複数の処
理済み基板が同時にカセットＣ中に収納される基板収納
部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣが払い
出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の
前側（−Ｙ側）には、基板取出部３から基板収納部７に
亙って基板移載搬送機構９が配置されており、洗浄処理
前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から別の
箇所に搬送したり移載したりする。

【００２２】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。

【００２３】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カ
セットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送
ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５
に投入される。

【００２４】基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽を
備える薬液処理部５２と、純水を収容する水洗槽を備え
る水洗処理部５４と、単一槽内で各種の薬液処理や水洗
処理を行う処理槽５６２を備える多機能処理部５６とか
ら構成される。

【００２５】基板処理部５において、薬液処理部５２及
び水洗処理部５４の後方側（＋Ｙ側）には、第１基板浸
漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び
横行可能なリフタヘッドＬＨ１によって、搬送ロボット
ＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽に浸
漬したり、水洗処理部５４の水洗槽に浸漬したりする。
また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機
構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリ
フタヘッド５６３ａによって、搬送ロボットＴＲから受
け取った基板を多機能処理部５６の処理槽５６２内に支
持する。

【００２６】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣ中に収納する。

【００２７】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットＣをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載
する。

【００２８】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
１、９２よって基板を把持することにより、基板取出部
３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５
の第１基板浸漬機構５５に設けたリフタヘッドＬＨ１側
に移載したり、このリフタヘッドＬＨ１側から隣の第２
基板浸漬機構５７に設けたリフタヘッド５６３ａ側に移
載したり、このリフタヘッド５６３ａ側から基板収納部
７のホルダ７ａ、７ｂに移載したりする。

【００２９】次に、多機能処理部５６の正面断面図およ
び側面断面図である図２および図３を用いて、その構成
および概略動作を説明する。

【００３０】多機能処理部５６は主にケーシング（処理
室）５６０、シャッタ５６１、処理槽５６２、リフタ５
６３、リフタ駆動部５６４、ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５
およびＮ₂供給部５６６を備えている。

【００３１】ケーシング５６０は上面に基板搬出入口Ｔ
Ｏを備え、その周囲にシール部材５６０ａを固着し、ま
た、底面には排気用の配管５６０ｂを備えている。

【００３２】シャッタ５６１は遮蔽板５６１ａとそれを
前後から挟むようにしてケーシング５６０の側面上端に
設けられたガイド５６１ｂを備えており、当該ガイド５
６１ｂのガイドレールに沿って遮蔽板５６１ａが若干上
下動するとともに水平方向にスライドすることによって
開閉する。なお、ケーシング５６０上面に設けられたシ
ール部材５６０ａにより、シャッタ５６１が閉じた状態
ではケーシング５６０の気密性が保たれている。

【００３３】処理槽５６２はエッチング液であるフッ酸
（ＨＦ）および洗浄液である純水（以下、併せて「処理
液」という。）を貯留することが可能で、それらに基板
Ｗが浸漬されて、それぞれエッチング処理や洗浄処理が
行われる。また、処理槽５６２の底面には処理液の帰還
用の配管５６２ｃ、廃液用の配管５６２ｄ、処理液供給
用の配管５６２ｅが連結されている。さらに、処理槽５
６２の四方の外側面の上端には処理液回収溝５６２ａが
設けられており、それには処理液回収用の配管５６２ｂ
が連結されている。

【００３４】リフタ５６３はリフタヘッド５６３ａと保
持板５６３ｂとの間に、基板Ｗが保持される保持溝を所
定間隔で多数備えた基板ガイド５６３ｃを３本備えてい
る。

【００３５】リフタ駆動部５６４はサーボモータ５６４
ａに取り付けられたタイミングベルト５６４ｂに、その
長手方向が鉛直方向となっているシャフト５６４ｃが連
結されるとともに、シャフト５６４ｃの上端はリフタ５
６３のリフタヘッド５６３ａに連結されており、サーボ
モータ５６４ａの駆動によりリフタ５６３およびそれに
保持された複数の基板Ｗを昇降させ、図２および図３に
示した基板Ｗの搬送ロボットＴＲとの受け渡し位置Ｔ
Ｐ、基板Ｗの乾燥位置ＤＲ、基板Ｗの上記処理液への浸
漬位置ＤＰに位置させることが可能となっている。

【００３６】ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５は、ケーシング
５６０の内部側面に一対のＩＰＡ・Ｎ₂供給管５６５ａ
がそれぞれブラケット５６５ｂによって保持されること
により、処理槽５６２に貯留されている処理液の液面
（処理槽５６２の上端）より下の位置に取り付けられて
いる。ＩＰＡ・Ｎ₂供給管５６５ａには有機溶剤である
ＩＰＡをキャリアガスＮ₂とともに供給するための複数
の供給口ＩＯが上向きに開孔して設けられている。ま
た、図２および図３には図示しないがＩＰＡ・Ｎ₂供給
管５６５ａには配管５６５ｃ（図４参照）が連結されて
いる。

【００３７】Ｎ₂供給部５６６もケーシング５６０の内
部側面に一対のＮ₂供給管５６６ａがそれぞれブラケッ
ト５６６ｂによって保持されることにより取り付けられ
ている。Ｎ₂供給管５６６ａにはＮ₂を供給するための複
数の供給口ＮＯ（図３には一部にのみ参照符号を付し
た）が設けられている。また、図２および図３には図示
しないがＮ₂供給管５６６ａには配管５６６ｃ（図４参
照）が連結されている。

【００３８】図４は多機能処理部５６へのガス給排機構
を示す模式図である。多機能処理部５６のガス給排機構
は、大別してＮ₂をキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をケ
ーシング５６０に供給する機能と、Ｎ₂のみを供給する
機能と、ケーシング５６０から排気することによってケ
ーシング５６０内を減圧する機能とを有している。

【００３９】Ｎ₂をキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をケ
ーシング５６０に供給する機能は、Ｎ₂供給源６０から
配管６０ｂを通してＩＰＡ供給源６１にキャリアガスＮ
₂を送るとともに、三方弁Ｖ２に配管６１ａと配管５６
５ｃとを連通させることによって実現される。Ｎ₂をキ
ャリアガスとしたＩＰＡ蒸気はＩＰＡ供給源６１にて発
生し、配管６１ａ、フィルタＦおよび配管５６５ｃを経
由してＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５からケーシング５６０
内に供給される。ここで、配管５６５ｃには、ヒータＨ
２が設けられており、ケーシング５６０内に供給される
ＩＰＡ蒸気を加熱することが可能である。

【００４０】ケーシング５６０にＮ₂のみを供給する機
能は、バルブＶ１を開いて配管６０ｃと配管５６６ｃと
を連通させることによって実現される。Ｎ₂は、配管６
０ｃおよび配管５６６ｃを介してＮ₂供給部５６６から
ケーシング５６０内に供給される。配管５６６ｃにもヒ
ータＨ１が設けられており、ケーシング５６０内に供給
されるＮ₂を加熱することが可能である。Ｎ₂のみの供給
経路としては、三方弁Ｖ２に配管６０ａと配管５６５ｃ
とを連通させ、ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５からケーシン
グ５６０内に供給する経路でもよい。この場合、配管５
６５ｃに設けられたヒータＨ２によってＮ₂を加熱する
ことが可能である。なお、ヒータＨ１、Ｈ２が「ガス加
熱手段」に相当する。

【００４１】ケーシング５６０から排気する機能は、バ
ルブＶ３を開くとともに、排気ポンプＡＰを作動させる
ことによって実現される。配管５６０ｂは、施設内の排
気ラインに接続されており、密閉状態のケーシング５６
０内の気体が排気ラインへと排出されることによりケー
シング５６０内が減圧される。

【００４２】＜Ｃ．処理手順＞以上のような構成を有す
る基板処理装置１の多機能処理部５６における処理手順
について説明する。本実施形態の多機能処理部５６で
は、ＨＦによる基板Ｗのエッチング処理、純水による洗浄処理、ＩＰＡ蒸気の供給および基板Ｗの引き上げ、Ｎ₂の供給および純水排液、減圧乾燥、という手順に従って一連の処理が実行される。

【００４３】まず、ＨＦによる基板Ｗのエッチング処理
が終了すると配管５６２ｄを介してＨＦが排出され、配
管５６２ｅから処理槽５６２に純水が供給される。そし
て、基板Ｗが純水に浸漬されることにより、基板Ｗに付
着しているＨＦが洗浄される。

【００４４】次に、純水による基板Ｗの洗浄が終了する
と、リフタ５６３が基板Ｗを純水から引き上げる。すな
わち、リフタ５６３が基板Ｗを浸漬位置ＤＰから乾燥位
置ＤＲまで上昇させる。このときの引き上げ速度は５mm
/sec.程度である。基板Ｗを純水から引き上げるときに
は、三方弁Ｖ２に配管５６５ｃと配管６１ａとを繋が
せ、ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５からケーシング５６０内
にＩＰＡ蒸気を供給させる。

【００４５】ここで、ケーシング５６０内に供給される
ＩＰＡ蒸気はヒータＨ２によって１２５℃（ヒータＨ２
の出口温度）にまで加熱・昇温されている。高温のＩＰ
Ａ蒸気がケーシング５６０内の基板Ｗ周辺に供給される
ことによって、ＩＰＡ蒸気が基板Ｗ表面に凝縮して水と
置換しやすくなるとともに、基板Ｗ自体の温度も高めら
れることになる。

【００４６】ＩＰＡ蒸気の供給によって基板Ｗ表面の水
がＩＰＡに置換されると、三方弁Ｖ２を閉じてＩＰＡ・
Ｎ₂供給部５６５からのＩＰＡ蒸気の供給を停止すると
ともに、バルブＶ１を開いてＮ₂供給部５６６より乾燥
位置ＤＲに位置するリフタ５６３の基板ガイド５６３ｃ
付近に向けてＮ₂を供給し、その保持溝内に残った純水
を吹き飛ばす。このときに、Ｎ₂はヒータＨ１によって
１２５℃にまで加熱・昇温されている。また、同時に、
処理槽５６２内の純水は配管５６２ｄから排出される。

【００４７】次に、三方弁Ｖ２を作動させて、配管６０
ａを配管５６５ｃにつなぎ、ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５
からもＮ₂のみを供給し、ケーシング５６０内を窒素雰
囲気で満たす。このときにも、供給されるＮ₂はヒータ
Ｈ２によって１２５℃にまで加熱・昇温されている。ヒ
ータＨ１およびヒータＨ２によってケーシング５６０内
に供給されるＮ₂が加熱されることにより、基板Ｗの温
度が高められた状態が維持されることとなる。

【００４８】そして、その後、バルブＶ３を開き、配管
５６０ｂによりケーシング５６０内の雰囲気を配管５６
０ｂを通じて排気し、シャッタ５６１によって密閉され
たケーシング５６０内の気圧を減圧する。これにより、
基板Ｗに凝縮したＩＰＡは完全に乾燥される。

【００４９】このときには、既述したように、減圧に伴
う気体内部エネルギーの低下によって、温度低下が生じ
るのであるが、減圧前に基板Ｗの温度が高められている
ため、減圧中にケーシング５６０内に存在する水蒸気ま
たはＩＰＡ蒸気の露点以下にまで基板Ｗの温度が低下す
ることはない。従って、基板Ｗの表面に水またはＩＰＡ
が結露することはなくなり、結露したそれらの液滴が乾
燥することによるパーティクル発生が防止できる。

【００５０】最後に、シャッタ５６１を開いて大気解放
し、リフタ５６３を受け渡し位置ＴＰまで上昇させるこ
とにより基板Ｗをケーシング５６０外に取り出して、一
連の基板処理を終了する。

【００５１】＜Ｄ．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態における多機能処
理部５６では有機溶剤としてＩＰＡを用い、不活性ガス
としてＮ₂を用いたが、これに限られず、有機溶剤とし
てエタノールやメタノール等のその他の有機溶剤、不活
性ガスとしてヘリウムガスやアルゴンガス等のその他の
不活性ガスを用いてもよい。

【００５２】また、上記実施形態においては、ケーシン
グ５６０内に供給されるＩＰＡ蒸気およびＮ₂を加熱・
昇温することによって減圧前の基板Ｗの温度を高め、減
圧中の結露を防止していたが、本発明はこの手法に限定
されるものではない。すなわち、減圧乾燥処理時の基板
Ｗの温度をその時点のケーシング５６０内に存在する水
蒸気の露点およびＩＰＡ蒸気の露点の双方よりも高くで
きるような形態であればよい。具体的には、例えば、図
５に示すような多機能処理部５６であってもよい。

【００５３】図５は、多機能処理部５６の他の例を示す
正面断面図である。この多機能処理部５６が上記実施形
態である図２の多機能処理部５６と異なる点は、ケーシ
ング５６０の内壁に赤外線ヒータＩＲを設けている点で
ある。赤外線ヒータＩＲは、乾燥位置ＤＲに位置する基
板Ｗに対して赤外線を照射し、その基板Ｗを加熱・昇温
することが可能である。そして、減圧乾燥中に赤外線ヒ
ータＩＲが基板Ｗを加熱し、基板Ｗの温度を減圧中のケ
ーシング５６０内に存在する水蒸気の露点およびＩＰＡ
蒸気の露点の双方よりも高くすれば、基板Ｗの表面に水
またはＩＰＡが結露することはなくなり、上記実施形態
と同様の効果を得ることができる。

【００５４】また、上記実施形態における多機能処理部
５６ではＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５を処理槽５６２の上
端より下方位置の側方に供給口ＩＯを上方に向けた状態
で設け、それによりＩＰＡ蒸気を上向きに供給するもの
としたが、これに限定されるものではなく、ケーシング
５６０内にＩＰＡ蒸気を供給できる供給部であれば、そ
の設置位置、蒸気供給方向は任意に定めることができ
る。例えば、ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６５を処理槽５６２
の上端より上に設け、さらに、供給口ＩＯを斜め上方向
に向けて設けてもよい。また、Ｎ₂供給部５６６からＩ
ＰＡ蒸気を供給するようにしてもよい。

【００５５】さらに、上記実施形態においては、処理槽
５６２に貯留されている純水からリフタ５６３によって
基板Ｗを引き上げることにより基板Ｗを露出させるよう
にしていたが、これを配管５６２ｄを介して純水を排出
することにより実現するようにしてもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、乾燥処理時における基板の温度をその時点の処
理室内の水の露点および有機溶剤の露点のうちいずれか
高い温度よりも高くしているため、乾燥処理時に基板の
表面に水または有機溶剤が結露することはなくなり、そ
の結果結露した液滴が乾燥することによるパーティクル
付着が防止できる。

【００５７】また、請求項２、請求項３、請求項４およ
び請求項５の発明によれば、処理室に乾燥処理の前に供
給されるガスを加熱することによって、乾燥処理時にお
ける基板の温度を水の露点および有機溶剤の露点のうち
いずれか高い温度よりも高くしているため、請求項１の
発明の効果を容易に得ることができる。

【００５８】また、請求項６の発明によれば、乾燥処理
工程における基板の温度がその時点の処理室内の水の露
点および有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも
高くなるように、有機溶剤の蒸気および／または不活性
ガスを加熱しているため、請求項１の発明と同様の効果
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜
視図である。

【図２】図１の基板処理装置の多機能処理部の正面断面
図である。

【図３】図１の基板処理装置の多機能処理部の側面断面
図である。

【図４】多機能処理部へのガス給排機構を示す模式図で
ある。

【図５】多機能処理部の他の例を示す正面断面図であ
る。

【図６】飽和蒸気圧曲線を示す図である。

【符号の説明】

１基板処理装置５６多機能処理部５６０ケーシング５６２処理槽５６５ＩＰＡ・Ｎ₂供給部５６６Ｎ₂供給部ＩＲ赤外線ヒータＨ１、Ｈ２ヒータＷ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水による洗浄処理が終了した基板に有
機溶剤の蒸気を供給して前記基板に付着した前記純水を
前記有機溶剤に置換した後、減圧状態とすることによっ
て前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、 (a) 前記洗浄処理を行う処理槽と、 (b) 前記処理槽を収容し、前記乾燥処理を行う処理室
と、 (c) 前記乾燥処理時における前記基板の温度をその時点
の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点の
うちいずれか高い温度よりも高くする基板温度昇温手段
と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記基板温度昇温手段は、前記処理室に前記乾燥処理の
前に供給されるガスを加熱することによって、前記乾燥
処理時における前記基板の温度を前記水の露点および前
記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くす
るガス加熱手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項２記載の基板処理装置において、前記ガス加熱手段は、前記処理室に供給する前記ガスの
温度を１２５℃以上とすることを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】請求項２または請求項３記載の基板処理
装置において、前記ガス加熱手段は、前記有機溶剤の蒸気を加熱するこ
とを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項２または請求項３記載の基板処理
装置において、前記ガス加熱手段は、前記処理室に供給される不活性ガ
スを加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】純水による洗浄処理が終了した基板に処
理室にて乾燥処理を行う基板処理方法であって、 (a) 前記洗浄処理が終了した基板に有機溶剤の蒸気を供
給して前記基板に付着した前記純水を前記有機溶剤に置
換する有機溶剤供給工程と、 (b) 前記基板の周辺に不活性ガスを供給する不活性ガス
供給工程と、 (c) 前記基板の周辺を減圧状態にして前記基板の乾燥処
理を行う乾燥工程と、 (d) 前記乾燥処理工程における前記基板の温度がその時
点の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点
のうちいずれか高い温度よりも高くなるように、前記有
機溶剤の蒸気および／または前記不活性ガスを加熱する
加熱工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。