CN100456430C - 用于漂洗和干燥半导体衬底的系统及其方法 - Google Patents

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Abstract

一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外，采用了快速排放处理，以增加处理量，以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。

Description

用于漂洗和干燥半导体衬底的系统及其方法
背景技术
在布置在晶片衬底上的阵列中的半导体器件的制造过程中，晶片经受各种化学处理。该处理是在器件的形成过程中，晶片经历大量处理步骤的形式，包括层的形成、处理和除去、光刻工序等。在某些步骤之后，对后续工序可能具有副作用的外来颗粒可能残留在衬底上，在现代制造技术中，衬底被漂洗和干燥，以除去这种颗粒。
对于漂洗晶片，通常使用去离子水(DI)或商品化的清洗液如SC1。当干燥衬底时，通常使用异丙醇(IPA)。但是，基于IPA的干燥处理通常在衬底上留下颗粒和水印。为了改进基于IPA的干燥处理，已盛行称为Marongoni技术的干燥技术。
在Marongoni技术中，晶片被慢慢地提升出DI浴器，或DI浴器被慢慢地排放。此时，露出的晶片被浸于IPA蒸汽中。由于在与DI浴器的界面IPA蒸汽的浓度最高，因此在该区域水的最终表面张力很低。这导致一种称为远离晶片表面的DI水浴器的Marongoni流动的现象，由此干燥晶片表面。尽管Marongoni方法对于从晶片除去颗粒稍微有效，但是因为缓慢的排放过程急速地减少处理量。例如，12英寸晶片的排放时间可以是225秒的数量级。此外，在Marongoni流动过程之后水印可能残留在衬底上。
为了改进通过IPA蒸汽除去颗粒和水印的有效性，也可以将热氮气N2引入处理室。在美国专利No.6,328,809中公开了该技术，在此将其内容引入作为参考。参考图1，在该方法中，IPA蒸汽被传送到使用热氮气源的晶片处理室中。参考图1，在加热器12加热从氮气源N2流经阀门11的氮气，并流经阀门15A进入包含IPA溶液的槽10中。通过加热器14IPA溶液被部分地加热变为槽内的蒸汽。热氮气的压力强迫组合的氮气和IPA气体流经阀门15C并进入处理室20。组合的IPA/N2气体被引入处理室20，以进行IPA净化步骤。在该步骤过程中，阀门15B被关闭。此后，在洗涤步骤中，热N2气体通过关闭的阀门15A和15C以及打开的阀门15B直接流入处理室，以便挥发残留在晶片上的任何凝聚的IPA。
为了确保颗粒和水印的除去，在IPA净化步骤过程中，处理室中的氮气与IPA气体的比率是关键因素，因为该比率与器件成品率紧密相关。但是。在常规方法中对该比率的控制受到限制，因为在净化过程期间，氮气被专门地用作IPA气体的传送介质。
发明内容
本发明旨在通过提供干燥流体与清洗液比率的更高级控制，例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率，以增加成品率的方式提供一种用于漂洗、净化和干燥半导体晶片的系统和方法。此外，采用了迅速的排放处理，以增加处理量，且进一步增加漂洗、净化和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。
在一个方面，本发明旨在提供一种用于处理半导体晶片的系统。提供用于干燥流体的第一供应品的第一入口。还提供用于干燥流体的第二供应品的第二入口。干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关。燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关，其中在第一入口提供干燥流体的第一供应品的同时，第二入口提供干燥流体的第二供应品。存储净化流体的供应品的净化流体槽，该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口，以及具有用于以基于干燥流体的第二供应品的供应速率的速率提供干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的出口。容纳待清洁的和干燥的半导体晶片的处理室。该处理室包括用于同时接收干燥流体的第一供应品以及干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的入口。
干燥流体的第一供应品和干燥流体的第二供应品包括例如氮气。可以提供用于加热第一入口和处理室之间干燥流体的第一供应品的第一加热器。可以提供用于加热第二入口和净化流体槽之间干燥流体的第二供应品的第二加热器。
第三加热器可以耦接到净化流体槽，用于加热槽中的净化流体。通过第三加热器槽中的净化流体被部分地加热，从流体变为蒸汽，以及干燥流体的第二供应品驱动净化流体通过净化流体槽的出口。净化流体槽的入口可以包括用于在低于流体液面的水平面接收干燥流体的第二供应品的第一入口以及在高于流体液面的水平面接收干燥流体的供应品的第二入口。
在干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品被释放到处理室中之前，第四加热器可以耦接到管线，又耦接到用于加热干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品的处理室入口。
在处理室接收的干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品优选是汽态。
可以提供耦合管，用于有选择地将干燥流体的第一供给品耦接到到净化流体槽。此外，可以提供耦合管，用于将干燥流体的第二供应品有选择地直接耦接到处理室。同样，可以提供耦合管，用于有选择地将第一入口耦接到第二入口。
该处理室还包括排放口和耦接到处理室的排放口的缓冲槽，在一个实施例中，该排放口包括多个排放口，以及多个排放口耦接到缓冲槽。多个排放口例如具有确保处理室快速排放的宽度，例如在约小于50秒的时间周期内或例如在约7和17秒之间的时间周期范围内。在处理室中多个排放口被隔开，以保证当排放处理室时，待从处理室排放的流体顶表面保持与剩余平面相同的平面。缓冲槽优选具有大于或等于处理室容量的容量。
提供用于控制第一干燥流体的供应速率的第一供应速率控制器和用于控制第二干燥流体的供应速率的第二供应速率控制器，第一和第二供应速率控制器彼此不相关，以便第一干燥流体的供应速率和第二干燥流体的供应速率相互之间是独立的。
该处理室还可以包括分布在处理室中分布的多个排气口，以提供处理室中的净化流体和干燥流体的层流。
在另一方面，本发明旨在提供一种用于处理半导体晶片的系统，包括：提供干燥流体的第一供应品的第一入口；提供干燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关，其中在第一入口提供干燥流体的第一供应品的同时，第二入口提供干燥流体的第二供应品；用于接收净化流体的供应品的净化流体入口；以及用于容纳待清洗和干燥的半导体晶片的处理室，该处理室具有用于同时接收干燥流体的第一和第二供应品以及干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的入口。
在另一方面，本发明旨在提供一种用于处理半导体晶片的方法。以第一供应速率提供干燥流体的第一供应品和还以第二供应速率提供干燥流体的第二供应品。干燥流体的第二供应品的第二供应速率与干燥流体的第一供应品的第一供应速率无关。与提供以第二供应速率的干燥流体的第二供应品同时提供以第一供应速率的干燥流体的第一供应品。在净化流体槽中存储净化流体的供应品。该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口，以及具有用于以基于干燥流体的第二供应品的第二供应速率的速率提供干燥流体的第二供应品与净化流体的组合的出口。干燥流体的第一供应品以及净化流体和干燥流体的第一供应品的组合同时提供给处理室，以净化其中包含的半导体晶片。
在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之前，提供漂洗流体例如DI水到包含半导体晶片的处理室中，用于漂洗半导体晶片。然后从处理室迅速地排放漂洗流体，例如排放到缓冲槽中。
在优选实施例中，在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之前，完全排放漂洗流体。
在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之后，提供干燥流体例如氮气到包含半导体晶片的干燥室中。
在本说明书和权利要求中，在此根据其真实定义使用了术语“流体”，因此包括任何非固态物质例如气体、蒸汽和液体。
附图说明
如附图所示，由本发明的优选实施例的更具体描述，本发明的上述及其他目的、特点和优点是明显的，在附图中对于不同的示图相同的参考标记始终指相同的部分。附图没有必要按比例，重点放在图示本发明的原理。
图1是用于清洗和干燥半导体晶片的常规清洗和干燥系统的示意性框图。
图2是根据本发明的清洗和干燥系统的框图。
图3是根据本发明用于清洗和干燥半导体晶片的第一清洗和干燥系统的示意性框图。
图4是根据本发明用于清洗和干燥半导体晶片的第二清洗和干燥系统的示意性框图。
图5是根据本发明的处理室排放系统的框图。
图6图示了根据本发明作为氮蒸汽的流速函数的残余颗粒密度的曲线图。
图7图示了根据本发明作为排放时间的函数的残余颗粒密度的曲线图。
图8图示了根据本发明的载体氮蒸汽和洗涤氮蒸汽选择的最佳流速的曲线图。
图9是根据本发明的晶片清洗和干燥处理的流程图。
具体实施方式
图2是根据本发明的清洗和干燥系统的框图。该系统包括在其内漂洗、净化以及干燥半导体晶片的处理室100、用于漂洗晶片的去离子(DI)水源101、以及用于净化和干燥晶片的异丙醇(IPA)源102和氮气源104。漂洗步骤之后，使用“快速排放”工序，来自处理室100的废漂洗流体通过多个排放管线218(如下所述)迅速地排放到缓冲槽220中。下面进一步详细描述了快速排放工序。缓冲槽通过排放管线224释放废漂洗流体，且在废料设备中处理该废流体，此外，从处理室例如在排气口217(如下所述)排出有机气体例如IPA气体，在洗涤器225处理，以防止燃烧和释放毒素。
下面附加参考图9的流程图描述随后的工序。为了启动清洗和干燥处理，将待处理的晶片装载到处理室100中。执行漂洗操作，以除去处理化学剂例如刻蚀化学剂。在晶片的放置之前或之后，由水源101提供的DI水流入室，以便浸没晶片。在一个例子中，DI水漂洗流体包括氟化氢(HF)-缓冲DI水。可选地，可以使用商品化的清洗液如SC1。DI水继续流动，使得处理室溢流，由此彻底地漂洗晶片的表面(步骤402)。
此后，使用如下所述的“快速排放”设备从处理室100迅速地排放DI水，例如排放管放置约小于50秒，且优选在约7-17秒内(步骤404)。为了适应快速排放，通过多个均匀分布的多个排放孔排放DI水，排放孔进入位于处理室100下面的缓冲槽220中。缓冲槽220临时地保持废流体，它可以通过排放管线224被适当地处理。
在净化步骤中，处理室100的盖子被关闭，室的排气口被打开(步骤406)，以及来自源102的热IPA蒸汽流传送到处理室100，以开始晶片干燥处理，以及进一步从晶片表面除去杂质，例如颗粒形式的杂质(步骤408)。在一个例子中，热IPA蒸汽102流动约90秒。IPA蒸汽使用氮气104作为载体蒸汽被传送到处理室100。在本发明中，在净化步骤过程中，精确地控制氮蒸汽的流速，以便提供具有最佳IPA与氮气比率的处理室环境，这又提供最佳的清洗、干燥以及从晶片除去水印。
在一个例子中，除用来驱动IPA蒸汽的“载体”氮蒸汽流之外，通过提供进入处理室100的热氮气体的第二独立源控制氮蒸汽的流速，以确保室100中适当的IPA与氮气比率(步骤408)。由于在后续干燥步骤过程中，第二源可以选择性地用来洗涤处理室，因此下面该第二氮气源指“净化”氮蒸汽。但是，应当注意，第一源或“载体”氮气源也可以用于后续的干燥步骤，如下所述。，在漂洗步骤过程中，与净化步骤过程中最佳的IPA与氮气比率相结合决定了DI水浴器的快速排放，导致从晶片最佳除去颗粒，如下所述。
在漂洗流体的快速排放过程中可以引入净化步骤的IPA净化蒸汽或优选在完成快速排放过程之后引入。试验数据表明在完成快速排放过程之后的IPA引入导致更少的颗粒残留在晶片上。在净化步骤过程中，从处理室100至缓冲槽220的多个排放管线保持打开，此外，在该步骤过程中，打开下面进一步详细描述的处理室中的多路排气管线217。下面进一步详细描述多路排气线的操作。
此后，在晶片上喷射例如来自第二氮蒸汽源的热氮蒸汽，以干燥晶片(步骤410)。在一个例子中，氮气流被激活约300秒。此外，在该步骤过程中，从处理室100到缓冲槽220的多个排放管线以及排气线保持打开状态，以便保持室中的均匀压力，以及同时从室除去IPA。
此后，处理室排气管线和排放线被关闭。然后打开室的盖，且除去清洗的和干燥的晶片。
图3是根据本发明用于清洗和干燥半导体晶片的第一清洗和干燥系统的示意性框图。在该实施例中，通过第一氮气源104A提供第一流量的氮气。通过第一质量流控制器(MFC)183控制第一氮气源104A的流速，其中使用电信号保持适当的流速。
通过第一加热器106A加热第一氮气源的控制流为适宜的温度。通过第二氮气源104B提供氮气的第二流量。通过第二质量流控制器(MFC)182控制第二氮气源104B的流速。通过第二加热器106A加热第二氮气源的控制流为适宜的温度。IPA源102耦接到IPA槽120。在进入槽120之前提供用于净化IPA溶液的过滤器126。阀门185能使IPA溶液流动到EPA槽120。
在IPA槽120的底部汇聚液式的IPA溶液。IPA槽120的基体中的加热器122气化部分IPA溶液，以产生驻留在溶液上的IPA蒸汽。
如上所述，在基于IPA的净化过程期间，位于IPA槽120中的IPA蒸汽通过第一流量的热氮气104A传送到处理室中，即“载体”氮气供应品。在该步骤过程中，阀门112和116被打开以及阀门114被关闭。通过加热器106A加热的氮气流过阀门112进入IPA槽120，在那里它与槽120中的IPA蒸汽反应。然后通过入射氮蒸汽IPA蒸汽通过阀门116传送到处理室100中。在进入处理室100之前，可选的管线加热器130加热在管线191处提供的组合氮气和IPA蒸汽至预定的温度。管线加热器包括例如包封气体管线的石英板/加热线圈/石英板结构。管线加热器130保持进入处理室100的气体温度，以便增加半导体制造工序的可靠性。
同时，在基于IPA的净化过程期间，为了精确地控制进入处理室100的净化蒸汽的IPA与氮气比率，提供从第二氮气源104b的管线193供应的第二热氮气源，上面称为“净化”氮气源。如上所述，为了确保适当的比率，例如通过MFC 182精确地控制第二氮气源的流速。通过管线加热器130也加热管线193处的第二源104B提供的蒸汽，在那里它与来自管线191的结合氮气/IPA蒸汽混合。共同，通过管线191和193到达的第一和第二蒸汽源通过管线195提供到处理室100。
在优选实施例中，管线加热器130加热施加的蒸汽，以便它在约130C的温度下在管线195处释放。同时，第一加热器106A工作，以加热第一氮气源104A至约100C-120C的温度，第二加热器106B工作，以加热第二氮气源104B至约130C-150C的温度，以及IPA槽加热器122工作，以加热IPA槽中的溶液至约50C至70C的温度。第一加热器106A的工作温度优选低于第二加热器106B的工作温度，因为精确地控制来自IPA槽120的IPA蒸汽的供应速率需要较低的温度。
如上所述，在干燥步骤过程中，加热的氮气直接流入处理室100，用于挥发晶片上剩下的任何凝结的IPA。在该步骤期间，阀门112和116被关闭，以及阀门114被打开。对于该步骤，第二“洗涤”氮气源104B可以与第一氮气源104A可选地结合或代替第一氮气源104A。
作为用于进入IPA槽的热氮气的可选进入结构，可以提供双进入端口124A，124B。第一端口124A位于槽中的IPA溶液的表面上，以用作用于位于溶液表面上的IPA蒸汽的密封传送机构，如上所述。第二端口124B进入SPA溶液表面下的IPA槽，且与IPA溶液混合或直接鼓泡IPA溶液，以进一步激活与IPA溶液的反应。以此方式，增加IPA溶液与氮载体蒸汽的相互作用。
图4是根据本发明用于清洗和干燥半导体晶片的第二清洗和干燥系统的示意性框图。该实施例的结构和性能类似于结合图3如上所述的第一实施例。但是，在该实施例中，在提供热第二氮气源的管线193和IPA槽120的进入端口124A，124B之间连接附加的流送管134。该流送管134允许第二氮气源104B用作用于IPA槽的“载体”蒸汽源，例如以允许第一MFC 183或第一加热器106运行，而不非得破坏系统操作。在此情况下，阀门132被关闭，阀门112被关闭，以及阀门128被打开。同时，在管线191处与IPA/氮蒸汽混合物混合之后，通过打开阀门114，第一氮气源104A可以直接施加到处理室100，以通过管线加热器130开始流动。因此在该例子中第一和第二氮气源104A，104B的职责暂时相反，以允许第一MFC 183和/或第一加热器106A运行。
此外，该第二实施例提供结合第一和第二氮气源104A，104B的可选管线187和相关的阀门187A。应当注意，尽管第一和第二氮气源104A，104B图示为不同的独立源，但是事实上它们可以包括具有两个出口的公共源，例如通过第一和第二MFC183，182独立控制每个出口的流动。在此情况下，公共源应该保持足够大的压力，以MFC183，182的结合流速。
图5是根据本发明的处理室100的框图，包括提供用于室的快速排放的排放系统。处理室100包括能处理多个晶片例如每次50个半导体晶片212的浴器210。晶片被支撑件214支撑。在浴器210的底部区216提供多个排放开口219。也提供多个排气口开口217。各个排放开口219的截面较宽，以允许从浴器210快速排放流体，例如DI水流体。排放开口219耦接到多个排放管线218，将迅速地排出的流体传送到缓冲槽220中。缓冲槽优选具有至少与浴器210的容量一样大的容量，以便它可以突然接收浴器流体的整个含量，而不阻碍流体的流动。
多个排放开口219和多个排放管线218优选穿过浴器210的下侧面216分布。该结构保证在排放过程中被排放的流体保持水平面和与排放的原样一样平坦，又确保浴器中处理的不同晶片相同的曝光时间，不管晶片位于与排放出口相关的浴器210中的位置。这些特点克服如果使用单个排放将另外发生的漏斗(funneling)现象，将导致不同的晶片不同的曝光时间，曝光时间对应于与单个排放位置有关的它们的位置。
类似地，浴器中包括的多个排气口217用于确保均匀分布，即浴器210中的净化和干燥蒸汽的层流。快速排放过程之后，对于净化步骤，当IPA和N2气体被引入时，多个排气口217被打开，以允许净化蒸汽的均匀流动横穿晶片。这避免与单个排气口相关的问题，由于涡流将易于集中浴器的一定区域中的蒸汽流。在优选实施例中，在净化步骤和干燥步骤期间排气口217保持打开，且当快速排放步骤过程中需要时被选择性地打开。
以此方式，本发明增加半导体制造生产量。为了提高生产率，使用快速排放过程积极地缩短DI水的排放时间。在净化过程期间通过精确地控制氮气与IPA气体的比率有效地除去由于快速排放处理在晶片上剩下的水印。以此方式，以很好的有助于提高处理质量的方式增加处理量。
图6图示了根据本发明作为氮蒸汽的流速函数的残余颗粒密度的曲线图。进行实验，以决定净化步骤的有效性，在那里包括第二独立热氮气源104B，用于增加对引入处理室100的净化流体中的IPA与氮气比率的控制。在该实验中，第一加热器106A、第二加热器106B以及管线加热器130被设置在130C的温度。IPA槽加热器122被设置在65C的温度。室排气压力设为75mmH2O。
在由图6的曲线I表示的第一实验中，第一氮气源104A被激活，用于驱动IPA蒸汽，以及第二氮气源104B被暂停。在此情况下，第一氮气源104A的最佳流速被决定为曲线的最小值，或在大约50升/分种(LPM)，导致每300mm晶片剩下100颗粒。
在由曲线II表示的第二实验中，第一氮气源104A和第二氮气源104B两个都被激活，第一源104A设为20LPM用于驱动IPA蒸汽，以及第二源104B用于提供附加的氮气到处理室100中，用于增加对室中的IPA与氮气比率的控制。在此情况下，曲线II曲线图的最小值落在第二氮气源104B的约40-70LPM流量的范围内，颗粒密度是每300mm晶片小于30颗粒的数量级。
图7图示了根据本发明作为排放时间的函数的残余颗粒密度的曲线图。假定上述实验的条件，第一氮气源104A以20LPM的流速工作，以及第二氮气源104B以50LPM的流速工作，以及假定140cc的IPA用于净化步骤，剩余的颗粒密度被确定为排放时间的函数。在图表中可以清楚地看到随着排放时间减小，剩余的颗粒数量减少。在7-17秒的排放时间范围内，颗粒密度是每300mm晶片剩下小于20颗粒的数量级。
图8图示了根据本发明为第一“载体”氮气源140A和第二“净化”氮气源140B选择的最佳流速的曲线。在曲线的区域308，载体氮气源的流速太小而不能适当地干燥晶片，在曲线的区域310，存在太多的载体氮气，结果晶片存在太多的IPA蒸汽，导致在晶片上和处理室中形成IPA凝胶。曲线的区域302和304表明载体氮气和净化氮气水平面的优选组合，导致优化处理室中的IPA与氮气比率。例如箭头303表明10LPM的载体氮气流速和100LPM的净化氮气流速。在点O 306，在图表的交叉点存在最佳条件，载体氮气流速是20LPM和净化氮气的流速是50LPM。
尽管参考其优选实施例具体展示和描述了本发明，但是所属领域的普通技术人员应当明白在不脱离附加权利要求所限定的精神和范围的条件下，可以在形式上和细节上进行各种改变。

Claims (37)

1.一种用于处理半导体晶片的系统，包括：
提供干燥流体的第一供应品的第一入口；
提供干燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关，其中在第一入口提供干燥流体的第一供应品的同时，第二入口提供干燥流体的第二供应品；
用于存储净化流体的供应品的净化流体槽，该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口和具有用于以基于干燥流体的第二供应品的供应速率的速率提供干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的出口；以及
用于容纳待清洗和干燥的半导体晶片的处理室，该处理室具有用于同时接收干燥流体的第一供应品以及干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的入口。
2.根据权利要求1的系统，其中干燥流体的第一供应品包括氮气。
3.根据权利要求1的系统，还包括用于加热第一入口和处理室之间的干燥流体的第一供应品的第一加热器。
4.根据权利要求1的系统，其中干燥流体的第二供应品包括氮气。
5.根据权利要求1的系统，还包括用于加热第二入口和净化流体槽之间的干燥流体的第二供应品的第二加热器。
6.根据权利要求1的系统，还包括耦接到净化流体槽的第三加热器，用于加热槽中的净化流体。
7.根据权利要求6的系统，其中通过第三加热器部分地加热，槽中的净化流体从流体变为蒸汽，以及其中干燥流体的第二供应品驱动净化流体蒸汽通过净化流体槽的出口。
8.根据权利要求7的系统，其中净化流体槽的入口包括用于在低于流体平面的平面接收干燥流体的第二供应品的第一入口，以及在高于流体平面的平面接收干燥流体的第二供应品的第二入口。
9.根据权利要求1的系统，还包括耦接到顺序耦接到处理室的入口的管线的第四加热器，在它们释放到处理室中之前用于加热干燥流体的第一供应品以及净化流体的供应品。
10.根据权利要求1的系统，其中在处理室接收的干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品是蒸汽态。
11.根据权利要求1的系统，还包括用于将干燥流体的第一供应品有选择地耦接到净化流体槽的耦合管。
12.根据权利要求1的系统，还包括用于将干燥流体的第二供应品有选择地直接耦接到处理室的耦合管。
13.根据权利要求1的系统，还包括用于将第一入口有选择地耦接到第二入口的耦合管。
14.根据权利要求1的系统，其中处理室还包括排放口。
15.根据权利要求14的系统，还包括耦接到处理室的排放口的缓冲槽。
16.根据权利要求15的系统，其中排放口包括多个排放口，以及其中多个排放口耦接到缓冲槽。
17.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放的宽度。
18.根据权利要求16的系统，其中在处理室中多个排放口被隔开，以保证当排放处理室时，待排放的流体顶表面与被排放的处理室保持平面相距。
19.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放在小于50秒的时间周期内的宽度。
20.根据权利要求16的系统，其中多个排放口具有确保处理室的快速排放在7秒和17秒之间的时间周期范围内的宽度。
21.根据权利要求15的系统，其中缓冲槽具有大于或等于处理室的容量的容量。
22.根据权利要求1的系统，还包括用于控制第一干燥流体的供应速率的第一供应速率控制器和用于控制第二干燥流体的供应速率的第二供应速率控制器，第一和第二供应速率控制器相互无关，以便第一干燥流体的供应速率和第二干燥流体的供应速率相互之间是独立的。
23.根据权利要求1的系统，其中处理室还包括在处理室中分布的多个排气口，以提供处理室中的净化流体和干燥流体的层流。
24.一种用于处理半导体晶片的系统，包括：
提供干燥流体的第一供应品的第一入口；
提供干燥流体的第二供应品的第二入口，干燥流体的第二供应品的供应速率与干燥流体的第一供应品的供应速率无关，其中在第一入口提供干燥流体的第一供应品的同时，第二入口提供干燥流体的第二供应品；
用于接收净化流体的供应品的净化流体入口；以及
用于容纳待清洗和干燥的半导体晶片的处理室，该处理室具有用于同时接收干燥流体的第一和第二供应品以及干燥流体的第二供应品和净化流体的组合的入口。
25.一种用于处理半导体晶片的方法，包括：
以第一供应速率提供干燥流体的第一供应品；
以第二供应速率提供干燥流体的第二供应品，干燥流体的第二供应品的第二供应速率与干燥流体的第一供应品的第一供应速率无关，与提供在第二供应速率的干燥流体的第二供应品同时提供在第一供应速率的干燥流体的第一供应品；
在净化流体槽中存储净化流体的供应品，该净化流体槽具有用于接收干燥流体的第二供应品的入口，以及具有用于以基于干燥流体的第二供应品的第二供应速率的速率提供干燥流体的第二供应品与净化流体的组合的出口；以及
同时提供干燥流体的第一供应品以及干燥流体的第二供应品和净化流体的组合到处理室，以净化其中包含的半导体晶片。
26.根据权利要求25的方法，其中干燥流体的第一供应品包括氮气。
27.根据权利要求25的方法，还包括在处理室中的释放之前，加热干燥流体的第一供应品。
28.根据权利要求25的方法，其中干燥流体的第二供应品包括氮气。
29.根据权利要求25的方法，还包括在净化流体槽中的释放之前，加热干燥流体的第二供应品。
30.根据权利要求25的方法，还包括加热槽中的至少部分净化流体从液态变为汽态。
31.根据权利要求25的方法，还包括在它们释放到处理室中之前，加热干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品。
32.根据权利要求25的方法，其中在处理室接收的干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品是蒸汽态。
33.根据权利要求25的方法，还包括，在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之前：
提供漂洗流体到包含半导体晶片的处理室中，用于漂洗半导体晶片；
从处理室迅速地排放漂洗流体。
34.根据权利要求33的方法，还包括迅速地排放漂洗流体到缓冲槽中，该缓冲槽具有大于或等于处理室容量的容量。
35.根据权利要求33的方法，其中漂洗流体包括液态的去离子水。
36.根据权利要求33的方法，其中在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之前，完全排放漂洗流体。
37.根据权利要求25的方法，还包括在同时提供干燥流体的第一供应品和净化流体的供应品到处理室之后，提供干燥流体到用于干燥半导体晶片的室中。
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