JPH07130699A

JPH07130699A - 基板の表面処理装置

Info

Publication number: JPH07130699A
Application number: JP29476593A
Authority: JP
Inventors: Masato Tanaka; 真人田中; Kazunori Fujikawa; 和憲藤川; Yusuke Muraoka; 祐介村岡
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-10-29
Filing date: 1993-10-29
Publication date: 1995-05-19
Anticipated expiration: 2016-01-22
Also published as: JP3126858B2

Abstract

(57)【要約】【目的】最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終
了するまでの間、基板が大気に触れないようにし、基板
表面へのパーティクル付着やガス吸着を無くして歩留り
の低下を防ぎ、装置全体としてのスループットを上げ、
かつ、省スペース化を図る。【構成】乾燥処理部を洗浄処理部と一体化して洗浄・
乾燥処理槽10を構成する。洗浄・乾燥処理槽を、洗浄槽
12を密閉チャンバ16で閉鎖的に包囲して構成し、洗浄槽
内で洗浄処理され最終リンス処理されて純水中から引き
上げられた基板Ｗを、密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気
を供給し密閉チャンバ内を減圧することにより乾燥処理
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス
基板、電子部品等の各種基板を薬液及び純水で洗浄処理
し、その後に基板表面を乾燥処理するのに使用される基
板の洗浄装置、特に、１つの槽内において複数種類の洗
浄用薬液を択一的に使用して複数種の洗浄処理を行なう
表面処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板、例えばシリコンウエハを薬液及び
純水を用いて洗浄し、その後にウエハの表面を処理する
装置として、従来、例えば図７に概略平面レイアウト図
を示すような構成のものが使用されている。この表面処
理装置は、１つ又は複数、図示例のものは３つの洗浄槽
１、２、３、及び、最終的にリンス処理された基板の表
面を乾燥させる乾燥処理部、洗浄前の基板を複数枚収容
したカセットが搬入されそのカセットを載置しておくロ
ーダ、及び、洗浄及び乾燥処理を終えた基板を収容した
カセットを載置しそのカセットの搬出が行なわれるアン
ローダ、洗浄槽及び乾燥処理部の間での基板の搬送を行
なう基板搬送ロボット、カセットから複数枚の洗浄前の
基板を一括して基板搬送ロボットへ移し替え、基板搬送
ロボットから複数枚の洗浄・乾燥処理後の基板を一括し
て空のカセットへ移し替える基板移し替え機、ローダか
ら基板移し替え位置へカセットを移送し、基板移し替え
位置からアンローダへカセットを移送するカセット搬送
ロボット、並びに、基板搬送ロボットへ基板を移し替え
て空になったカセットを洗浄するカセット洗浄槽などを
備えて構成されている。それぞれの洗浄槽は、１つの洗
浄槽内に基板を配置したまま、その洗浄槽内に収容され
る洗浄用薬液を置換して基板が浸漬させられる薬液の種
類を順次変えることにより、基板に対し複数種の洗浄処
理を施すようにしたものであり、例えば図８に概略図を
示すように構成されている。すなわち、洗浄槽１の底部
に給液口２が形設されており、その給液口２に、純水供
給源に連通接続された給液管路３が接続されている。ま
た、給液管路３には、洗浄用薬液の貯留容器に開閉弁を
介在させて連通接続された複数本、この図示例では３本
の薬液供給管路４、５、６が合流するように連通してい
る。洗浄用薬液としては、例えば高温硫酸、フッ化水素
等のエッチング剤及び超純水がそれぞれの貯留容器に収
容されている。そして、薬液供給管路４、５、６に介挿
された開閉弁を択一的に開放することにより、純水供給
源から供給される純水に各洗浄用薬液を混合して所要の
洗浄用処理液を調合し、給液管路３を通り給液口２を通
して洗浄槽１内へ洗浄用処理液を供給し、或いは、薬液
供給管路４、５、６に介挿された開閉弁を全て閉塞する
ことにより、純水供給源から給液管路３を通って洗浄槽
１内へ純水を供給することができるように構成されてい
る。また、洗浄槽１の上部外周には溢流液受け部７が設
けられており、溢流液受け部７には排液管路が接続され
ている。そして、給液口２を通し連続して洗浄槽１内へ
洗浄用処理液を供給し、洗浄槽１の上部の越流部から処
理液を溢れ出させることにより、洗浄槽１の内部におい
て処理液の上昇液流が形成されるようにし、その処理液
の上昇液流中に基板Ｗを置くことにより基板Ｗの洗浄処
理が行なわれる。洗浄槽１内へ供給される洗浄用薬液の
種類を変えて複数種の洗浄処理が施され最終的に純水で
リンス処理された基板Ｗは、乾燥処理部へ搬送される。
図８中の８は基板保持具、９は整流板である。

【０００３】乾燥処理部に設置される基板の乾燥処理装
置としては、遠心力によって基板の表面から純水を振り
切って乾燥させるスピンドライヤや、基板の表面に付着
した純水をイソプロピルアルコール等の有機溶剤の蒸気
で置換することによって乾燥させる有機溶剤蒸気乾燥装
置が使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板の
表面処理装置では、最終的にリンス処理された基板を洗
浄槽から乾燥処理部へ搬送する場合に、その搬送は大気
中を通って行なわれる。また、乾燥処理部での基板の乾
燥処理自体も、大気圧下において行なわれている。この
ように、従来の洗浄装置では、最終リンス処理が終わっ
た基板を乾燥し終えるまでの間、基板は大気に曝される
ことになる。

【０００５】ところが、最終リンス処理された基板の表
面が濡れた状態で大気に曝されると、基板表面にパーテ
ィクルが付着し易くなり、また炭酸ガス、酸素等のガス
が吸着し易くなる。また、乾燥処理中においても、従来
の洗浄装置では、完全に大気を遮断することができず基
板は大気に曝された状態になるので、同様のパーティク
ル付着やガス吸着が起こる。この結果、カーボンや重金
属等による汚染が起こり、続いて行なわれる工程、例え
ば酸化工程において酸化膜の不良が発生して、半導体デ
バイス等の歩留りが低下する、といった問題点がある。

【０００６】また、図７に示した洗浄装置のように、ス
ループットを上げるために洗浄槽を複数並設していて
も、乾燥処理部が１つ設けられているだけであると、装
置全体としてのスループットは、乾燥処理部での処理に
要する時間によって律されることになるので、洗浄槽の
数を増やしても、或る程度以上には洗浄装置全体として
のスループットを上げることができない、といった問題
点がある。一方、洗浄槽の数に応じて乾燥処理部の設置
数を増やすようにすれば、洗浄槽の数を増やすに従って
装置全体としてのスループットも上がることになるが、
設置スペースが大きくなり、コスト的にも不利になる、
といった問題点がある。

【０００７】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、最終リンス処理が終わってから乾燥
処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないように
して、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無く
し、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができるとと
もに、洗浄槽の数を増やすことによって装置全体として
のスループットを上げることができ、かつ、省スペース
化、低コスト化を図ることができるような構成の基板の
表面処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、洗浄前の基
板を収容したカセットが搬入され、洗浄後の基板を収容
したカセットの搬出が行なわれるローダ及びアンローダ
と、洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部
に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるため
の越流部を上部に有し、複数種類の洗浄用薬液及び純水
を択一的に置換可能に収容し、その各薬液又は純水中に
基板がそれぞれ浸漬されることにより複数種の洗浄処理
及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗
浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液
及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で
洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾
燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう
基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置に
おいて、前記乾燥処理部を洗浄処理部と一体化して洗浄
・乾燥処理部を構成したことを要旨とする。洗浄・乾燥
処理部は、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に
密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部
に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基
板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、第
１の構成では、前記密閉チャンバに、その内部へ有機溶
剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さら
に、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段、
及び、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有
機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設けることによ
り、また、第２の構成では、前記密閉チャンバに、過熱
蒸気を均一に分散させて前記洗浄槽の上方空間へ水平方
向に吹き出す過熱蒸気吹出し部、及び、洗浄槽の上方空
間を介在させて前記過熱蒸気吹出し部の反対側に配置さ
れ過熱蒸気吹出し部から吹き出された過熱蒸気を吸引す
る過熱蒸気吸引部を設け、さらに、前記密閉チャンバの
前記過熱蒸気吹出し部へ過熱蒸気を供給する過熱蒸気供
給手段を設けることにより、それぞれ構成されている。

【０００９】上記した洗浄・乾燥処理部は、それを複数
並設するようにすることができる。また、上記第２の構
成に係る洗浄装置では、過熱蒸気吸引部を通して密閉チ
ャンバ内を真空排気して減圧する真空排気手段を設ける
ようにしてもよい。

【００１０】

【作用】上記した構成の基板の表面処理装置は、基板を
洗浄し最終的にリンス処理する洗浄槽を備えた洗浄処理
部と最終リンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥
処理部とが一体の洗浄・乾燥処理部として構成されてお
り、洗浄・乾燥処理部は、洗浄槽の少なくとも上方空間
を密閉チャンバにより閉鎖的に包囲して構成されてい
て、洗浄・乾燥処理部では、洗浄槽内で純水により最終
的にリンス処理された基板は、洗浄槽内の純水中から引
き上げられ、そのまま密閉チャンバ内において、その密
閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が供給され密閉チャンバ
内部が減圧されることにより、或いは、密閉チャンバ内
に過熱蒸気が供給されることにより、乾燥処理される。
従って、最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了
するまでの間、基板は大気に全く触れることがなく、基
板表面へのパーティクル付着やガス吸着は起こらない。
また、一体化された洗浄・乾燥処理部において乾燥処理
まで行なわれるので、装置全体としてのスループット
は、洗浄・乾燥処理部における洗浄及び乾燥処理の所要
時間そのものによって律されることになるため、洗浄・
乾燥処理部の数を増やせば装置全体としてのスループッ
トが向上することになり、また、その場合、一体化され
た洗浄・乾燥処理部だけの数を増やせばよいので、設置
スペースの増大も少なくて済む。

【００１１】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１２】図１は、この発明に係る基板の表面処理装
置に設置される洗浄・乾燥処理槽の概略構成の１例を示
す正面縦断面図であり、図２は、この発明の１実施例に
係る洗浄装置の概略平面レイアウト図である。この洗浄
装置は、図２に示すように、ローダ・アンローダ、３つ
の洗浄・乾燥処理槽、基板搬送ロボット、カセット搬送
ロボット、基板移し替え機、カセット洗浄槽、メンテナ
ンススペースなどから構成されている。尚、３つの洗浄
・乾燥処理槽のうちの１つを、酸洗浄（前洗浄）及び乾
燥処理を行なう酸洗浄・乾燥処理槽とすることもでき
る。

【００１３】洗浄・乾燥処理槽10は、図１に示すよう
に、洗浄槽12及びこの洗浄槽12の上部外周に設けられた
溢流液受け部14を有しており、それら全体を密閉チャン
バ16で包囲するように構成されている。密閉チャンバ16
の上部には、基板Ｗを搬出入するための開口18が形設さ
れており、その開口18を開閉自在に密閉する開閉蓋20が
設けられている。洗浄槽12には、その底部に給液口22が
形設されており、その給液口22は、給液管路24によって
純水供給源に連通接続されている。給液管路24には、開
閉弁26が介挿されているとともに、その開閉弁26と洗浄
槽12の給液口22との間の流路にミキシングバルブ28が介
挿されている。ミキシングバルブ28には、それぞれ異な
る種類の洗浄用薬液の供給源にそれぞれ流路接続された
複数本の薬液供給管路30ａ、30ｂ、30ｃ、30ｄが連通接
続されており、各薬液供給管路30ａ〜30ｄにはそれぞれ
開閉弁32ａ〜32ｄが介挿されている。そして、薬液供給
管路30ａ〜30ｄに介挿された開閉弁32ａ〜32ｄのうちの
1つだけを開放するとともに給液管路24に介挿された開
閉弁26を開くことにより、純水供給源から供給される純
水に何れか１種類の洗浄用薬液が混合されて所要の洗浄
用処理液が調合され、その洗浄用処理液が給液管路24を
通り給液口22を通して洗浄槽12内へ供給される。また、
薬液供給管路30ａ〜30ｄに介挿された開閉弁32ａ〜32ｄ
を全て閉塞するとともに給液管路24に介挿された開閉弁
26を開くことにより、純水供給源から給液管路24を通っ
て洗浄槽12内へ純水が供給されるようになっている。ま
た、溢流液受け部14には排液管路34が接続されており、
排液管路34には、給液管路24に介挿されたドレン切換弁
36に接続された分岐管路38が連通している。そして、洗
浄槽12では、給液口22を通し連続して槽内へ洗浄用処理
液が供給され、槽上部の越流部から処理液を溢れ出させ
ることにより、槽内部において処理液の上昇液流が形成
され、その処理液の上昇液流中に基板Ｗが置かれること
により基板Ｗが洗浄処理される。

【００１４】密閉チャンバ16には、有機溶剤の蒸気、例
えばイソプロピルアルコールの蒸気を密閉チャンバ16内
へ供給するための蒸気供給口40が形設されており、蒸気
供給口40は蒸気供給用管路42を介してアルコール蒸気供
給源に流路接続されている。尚、図１には図示していな
いが、蒸気供給用管路42は窒素供給源に流路接続されて
おり、窒素ガスをキャリヤガスとしてアルコール蒸気が
密閉チャンバ16内へ送給されるとともに、流路の切換え
により蒸気供給用管路42を通して窒素ガスだけを密閉チ
ャンバ16内へ送り込んで密閉チャンバ16の内部をパージ
することができる構成となっている。さらに、密閉チャ
ンバ16には排気口が形設されており、排気口は排気管路
44を介して排気手段、例えば水封式真空ポンプに流路接
続されていて、その排気口を通して密閉チャンバ16内を
真空ポンプで排気することにより、密閉チャンバ16内を
減圧することができる。また、図示を省略しているが、
密閉チャンバ16の内部には、基板Ｗを昇降させる基板昇
降機構が設けられており、この基板昇降機構により、基
板Ｗを洗浄槽12の上方位置と洗浄槽12内部位置との間で
昇降移動させることができるようになっている。

【００１５】次に、上記した構成の基板の洗浄装置を使
用して基板の洗浄及び乾燥処理を行なう一連の工程につ
いて説明する。

【００１６】洗浄前の複数枚の基板Ｗを収容したカセッ
トがローダに搬入されて載置されると、そのカセットは
カセット搬送ロボットにより基板移し替え位置へ移載さ
れ、基板移し替え機によりカセットから基板搬送ロボッ
トへ複数枚の基板が一括して移し替えられる。基板が取
り出されたカセットは、カセット洗浄槽へ送られて洗浄
され、一方、基板搬送ロボットへ移し替えられた基板
は、洗浄・乾燥処理槽へ搬送され、図３にフローチャー
トを示したような手順により洗浄及び乾燥処理される。

【００１７】すなわち、基板搬送ロボットにより複数枚
の基板Ｗが一括して洗浄・乾燥処理槽10の密閉チャンバ
16内へ送入されて、密閉チャンバ16内部の基板昇降機構
によって昇降自在に支持された基板保持具に基板Ｗが保
持され、開閉蓋20が閉じられて密閉チャンバ16内が密閉
されると、真空ポンプにより密閉チャンバ16内が真空排
気されて減圧パージされ、或いは、密閉チャンバ16内へ
蒸気供給用管路42を通して窒素ガスが送り込まれて密閉
チャンバ16内がガスパージされる。このとき、洗浄槽12
内には、その底部の給液口22を通して所要の洗浄用処理
液が連続して供給され、洗浄槽12内部を満たした処理液
は、その上部の越流部から溢れ出て溢流液受け部14内へ
流入し、溢流液受け部14から排液管路34を通って排液さ
れており、洗浄槽12の内部に処理液の上昇液流が形成さ
れている。次に、基板昇降機構が作動して、基板保持具
に保持され複数枚の基板Ｗが下降し、洗浄槽12内の処理
液中に基板Ｗが浸漬させられ、洗浄槽12内の処理液の上
昇液流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗに対し
所要の洗浄処理が行なわれる。そして、洗浄槽12内に基
板Ｗを配置したまま、その洗浄槽12内へ供給される洗浄
用処理液の種類を変えることにより、基板Ｗに対し複数
種の洗浄処理が施され、最終的に純水で基板Ｗに対しリ
ンス処理が施される。最終的にリンス処理された基板Ｗ
は、基板昇降機構によって上昇させられ、洗浄槽12内の
純水中から引き上げられる。そして、純水中から基板Ｗ
が引き上げ始められるのと同時に、蒸気供給用管路42を
通して密閉チャンバ16内へ蒸気供給口40からアルコール
蒸気が送り込まれ、純水中から引き上げられている途中
の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気が供給される。このア
ルコール蒸気の供給は、少なくとも純水中からの基板Ｗ
の引上げが完全に終了するまで行なわれる。純水中から
の基板Ｗの引上げが終了すると、洗浄槽12内への純水の
供給を停止させ、同時に、洗浄槽12内の純水を排出す
る。また、洗浄槽12から純水を排出し始めるのと同時
に、真空ポンプにより密閉チャンバ16内が真空排気され
て、密閉チャンバ16内が減圧状態にされることにより、
基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールが蒸
発させられ、基板Ｗの乾燥処理が終了する。

【００１８】基板Ｗの乾燥処理が終了すると、密閉チャ
ンバ16内が窒素ガスによってパージされ、真空ポンプを
停止させて密閉チャンバ16内が減圧下から大気圧下へ戻
された後、開閉蓋20が開放され、洗浄処理及び乾燥処理
が終了した基板Ｗは、一括して基板保持具から再び基板
搬送ロボットへ受け渡され、基板搬送ロボットにより密
閉チャンバ16外へ取り出される。そして、洗浄・乾燥処
理を終えた複数枚の基板Ｗは、基板移し替え機により基
板搬送ロボットから空の洗浄済みカセットへ移し替えら
れ、カセットに収容されてアンローダから搬出される。

【００１９】以上のように、図１に示した洗浄・乾燥処
理槽10では、洗浄及び最終リンス処理された基板Ｗは、
最終リンス処理されてから乾燥処理が終了するまでの
間、密閉された密閉チャンバ16内において処理され、大
気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面
にパーティクルが付着したり炭酸ガス、酸素等のガスが
吸着したりすることがない。

【００２０】図４は、洗浄装置に洗浄・乾燥処理槽10を
３つ並設したときの配管系統図の１例を示したものであ
る。図４中において、図１中に示されていない部材の符
号について説明すると、46は、洗浄用薬液が入った貯留
タンク、48は薬液供給用ポンプ、50はフィルタであり、
これらの貯留タンク46、薬液供給用ポンプ48及びフィル
タ50などから構成される洗浄用薬液の供給装置は、１種
類の洗浄用薬液用についてだけ示し、他の洗浄用薬液の
供給装置は図示を省略している。52は水封式真空ポン
プ、54は、排気管路44に介挿された排気用開閉弁であ
り、これらの水封式真空ポンプ52及び排気用開閉弁54に
より、密閉チャンバ16内を排気して減圧する排気装置が
構成されている。また、56は、有機溶剤、例えばイソプ
ロピルアルコールが入ったアルコール蒸気発生槽、58
は、蒸気供給用管路42に介挿された蒸気供給用開閉弁で
あり、これらの蒸気発生槽56及び蒸気供給用開閉弁58な
どから蒸気供給装置が構成されている。図４の配管系統
図に示すように、洗浄用薬液の供給装置、排気装置並び
に蒸気供給装置は、洗浄・乾燥処理槽10ごとに設置する
必要は無く、３つの洗浄・乾燥処理槽10で共用すること
ができる。

【００２１】図１に示したような構成の洗浄・乾燥処理
槽10に代えて、図５に示すような構成の洗浄・乾燥処理
装置を設置して基板の洗浄装置を構成してもよい。図５
に示した洗浄・乾燥処理槽60は、図１に示した洗浄・乾
燥処理槽10と同様に、洗浄槽、溢流液受け部、基板昇降
機構、給液管路、排液管路などを備えており、それらの
構成は、図１に示した装置と同じであるので、その説明
を省略する。また、この洗浄・乾燥処理槽60も、洗浄槽
12及び溢流液受け部14の全体を密閉チャンバ62で包囲す
るように構成されており、密閉チャンバ62の上部には、
基板Ｗを搬出入するための開口64が設けられ、その開口
64を開閉自在に密閉する開閉蓋66を有している。そし
て、この洗浄・乾燥処理槽60では、密閉チャンバ62の一
側面に、過熱蒸気72を均一に分散させて洗浄槽12の上方
空間へ水平方向に吹き出す過熱蒸気吹出し部68が配設さ
れているとともに、密閉チャンバ62の、過熱蒸気吹出し
部68と対向する側面に、過熱蒸気吹出し部68から吹き出
された過熱蒸気72を吸引する過熱蒸気吸引部70が配設さ
れている。過熱蒸気吹出し部68は、過熱蒸気供給源に流
路接続されており、過熱蒸気供給源から過熱蒸気吹出し
部68へ過熱蒸気が送給され、過熱蒸気吹出し部68から、
例えば１３５〜１５０℃程度の温度の過熱蒸気72が吹き
出すようになっている。尚、過熱蒸気吸引部70の排気口
に真空ポンプを流路接続し、過熱蒸気吸引部70を通して
密閉チャンバ62内を真空排気して減圧することができる
ようにしてもよい。

【００２２】図５に示したような洗浄・乾燥処理槽60で
は、洗浄槽12内において洗浄処理され最終的にリンス処
理されて純水中から引き上げられた基板Ｗに対して過熱
蒸気72が供給されると、基板Ｗの表面温度が次第に上昇
するとともに、基板Ｗの表面で過熱蒸気72が冷却されて
結露し、基板Ｗの表面全体が水で覆われた状態になる。
そして、基板Ｗの表面温度が、過熱蒸気72の温度付近ま
で上昇し基板Ｗ表面上での水分凝縮が少なくなる程度に
まで昇温した時に、基板Ｗ表面への過熱蒸気72の供給を
停止すると、基板Ｗの表面は加熱されて高い温度になっ
ているため、基板Ｗの表面全体から付着水分が速やかに
蒸発してしまう。このように、基板Ｗの表面全体が濡れ
たままの状態で基板Ｗの温度を高くし、基板Ｗの表面温
度が高くなった時点で、一気に付着水分を蒸発させるこ
とにより、基板Ｗの表面が乾燥させられることになる。
そして、図５に示した洗浄・乾燥処理槽60を備えた基板
の洗浄装置においても、基板Ｗは、最終的にリンス処理
されてから乾燥が完了するまでの間、密閉された密閉チ
ャンバ62内において処理され、大気に全く触れることが
ないので、その間に基板Ｗの表面へのパーティクル付着
やガス吸着が起こったりすることがない。図６に、この
洗浄・乾燥処理槽60により基板を洗浄及び乾燥処理する
ときのフローチャートを示す。

【００２３】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る基板の表面処理装置
を使用したときは、洗浄処理及び最終リンス処理が終わ
ってから乾燥処理が終了するまでの間、基板は大気に触
れることがなく、基板表面へのパーティクル付着やガス
吸着が起こらないため、膜汚染による歩留りの低下を防
ぐことができる。また、この発明に係る基板の洗浄装置
は、洗浄・乾燥処理部の数を増やすことによって装置全
体としてのスループットを上げることができるととも
に、省スペース化、低コスト化が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板の表面処理装置に設置され
る洗浄・乾燥処理槽の概略構成の１例を示す正面縦断面
図である。

【図２】この発明の１実施例に係る洗浄装置の概略平面
レイアウト図である。

【図３】図１に示した洗浄・乾燥処理槽により基板を洗
浄及び乾燥処理するときの一連の操作を示すフローチャ
ートである。

【図４】この発明に係る基板の洗浄装置に洗浄・乾燥処
理槽を３つ並設したときの配管系統の１例を示す図であ
る。

【図５】この発明に係る基板の洗浄装置に設置される洗
浄・乾燥処理装置の別の構成例を示す正面断面図であ
る。

【図６】図５に示した洗浄・乾燥処理槽により基板を洗
浄及び乾燥処理するときの一連の操作を示すフローチャ
ートである。

【図７】従来の基板の洗浄装置の平面レイアウトの１例
を示す概略図である。

【図８】洗浄槽の概略構成の１例を示す正面断面図であ
る。

【符号の説明】

10、60 洗浄・乾燥処理槽 12 洗浄槽 14 溢流液受け部 16、62 密閉チャンバ 20、66 開閉蓋 22 給液口 24 給液管路 28 ミキシングバルブ 30ａ、30ｂ、30ｃ、30ｄ、30 薬液供給管路 34 排液管路 40 蒸気供給口 42 蒸気供給用管路 44 排気管路 46 洗浄用薬液が入った貯留タンク 48 薬液供給用ポンプ 52 水封式真空ポンプ 56 アルコール蒸気発生槽 68 過熱蒸気吹出し部 70 過熱蒸気吸引部 72 過熱蒸気

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村岡祐介京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】洗浄前の基板を収容したカセットが搬入
され、洗浄後の基板を収容したカセットの搬出が行なわ
れるローダ及びアンローダと、洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有
するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越
流部を上部に有し、複数種類の洗浄用薬液及び純水を択
一的に置換可能に収容し、その各薬液又は純水中に基板
がそれぞれ浸漬されることにより複数種の洗浄処理及び
最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽
と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水
を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基
板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備
えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャン
バによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗
浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手
段を設けるとともに、前記密閉チャンバに、その内部へ
有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、
さらに、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手
段、及び、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通し
て有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け、前記
乾燥処理部を洗浄処理部と一体化して洗浄・乾燥処理部
を構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
【請求項２】洗浄前の基板を収容したカセットが搬入
され、洗浄後の基板を収容したカセットの搬出が行なわ
れるローダ及びアンローダと、洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有
するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越
流部を上部に有し、複数種類の洗浄用薬液及び純水を択
一的に置換可能に収容し、その各薬液又は純水中に基板
がそれぞれ浸漬されることにより複数種の洗浄処理及び
最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽
と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水
を供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終
的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理
部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備
えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャン
バによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗
浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手
段を設けるとともに、前記密閉チャンバに、過熱蒸気を
均一に分散させて前記洗浄槽の上方空間へ水平方向に吹
き出す過熱蒸気吹出し部、及び、洗浄槽の上方空間を介
在させて前記過熱蒸気吹出し部の反対側に配置され過熱
蒸気吹出し部から吹き出された過熱蒸気を吸引する過熱
蒸気吸引部を設け、さらに、前記密閉チャンバの前記過
熱蒸気吹出し部へ過熱蒸気を供給する過熱蒸気供給手段
を設け、前記乾燥処理部を洗浄処理部と一体化して洗浄
・乾燥処理部を構成したことを特徴とする基板の表面処
理装置。