TW202101569A - 基板處理裝置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及其控制方法，可改善使用超臨界狀態之處理流體的乾燥處理後之晶圓的潔淨度。基板處理裝置，包含：處理容器，具備可收納表面由液體潤濕的狀態之基板的處理空間；處理流體供給部，朝向液體將超臨界狀態之處理流體往處理空間供給；第1排氣管線，連接至第1排氣源，將處理空間以第1排氣壓排氣；第2排氣管線，連接至與第1排氣源不同的第2排氣源，在第1排氣源與處理空間之間連接至第1排氣管線，通過第1排氣管線將處理空間以第2排氣壓排氣；以及控制部，控制第2排氣壓。超臨界狀態之處理流體接觸液體而使基板乾燥。控制部，在處理流體供給部停止將處理流體往處理空間供給的期間，使第2排氣壓較第1排氣壓更強。

Description

基板處理裝置及其控制方法
本發明係關於一種基板處理裝置及其控制方法。
在將積體電路的疊層構造形成於作為基板之半導體晶圓（下稱晶圓）等的表面之半導體裝置的製程中，施行液體處理步驟：藉由藥液等清洗液將晶圓表面之細小微塵、自然氧化膜去除等，利用液體而處理晶圓表面。已知一種方法，在藉由液體處理步驟將附著於晶圓的表面之液體等去除時，使用超臨界狀態之處理流體（例如參考專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本特開第2013-12538號公報
[本發明所欲解決的問題]
本發明提供一種基板處理裝置及其控制方法，可改善使用超臨界狀態之處理流體的乾燥處理後之晶圓的潔淨度。 [解決問題之技術手段]
本發明的一態樣之基板處理裝置，包含：處理容器，具備可收納表面由液體潤濕的狀態之基板的處理空間；處理流體供給部，朝向該液體將超臨界狀態之處理流體往該處理空間供給；第1排氣管線，連接至第1排氣源，將該處理空間以第1排氣壓排氣；第2排氣管線，連接至與該第1排氣源不同的第2排氣源，在該第1排氣源與該處理空間之間連接至該第1排氣管線，通過該第1排氣管線將該處理空間以第2排氣壓排氣；以及控制部，控制該第2排氣壓。該超臨界狀態之處理流體接觸該液體而使該基板乾燥。該控制部，在該處理流體供給部停止將該處理流體往該處理空間供給的期間，使該第2排氣壓較該第1排氣壓更強。 [本發明之效果]
依本發明，則可改善使用超臨界狀態之處理流體的乾燥處理後之晶圓的潔淨度。
以下，參考圖式，針對本發明之實施形態予以說明。於各圖式中，有對相同或相對應之構成，給予相同或相對應之符號而省略說明的情形。
[清洗處理系統的構成] 圖1為，顯示清洗處理系統1的全體構成之一例的橫剖面俯視圖。
清洗處理系統1，具備：複數台清洗裝置2（圖1所示之例子為2台清洗裝置2），往晶圓W供給清洗液，施行清洗處理；以及複數台超臨界處理裝置3（圖1所示之例子為6台超臨界處理裝置3），使附著在清洗處理後之晶圓W的防止乾燥用之液體（本實施形態為異丙醇（IPA））與超臨界狀態之處理流體（本實施形態為二氧化碳（CO2 ））接觸，將其去除。
該清洗處理系統1，於載置部11載置載具100，將收納於該載具100之晶圓W，經由搬出入部12及傳遞部13而往清洗處理部14及超臨界處理部15傳遞。作為載具100，例如使用FOUP（Front-Opening Unified Pod, 前開式晶圓盒）。於清洗處理部14及超臨界處理部15中，晶圓W，首先，搬入至設置於清洗處理部14之清洗裝置2，接受清洗處理，其後，搬入至設置於超臨界處理部15之超臨界處理裝置3，接受從晶圓W上將IPA去除的乾燥處理。圖1中，符號「121」表示在載具100與傳遞部13之間搬運晶圓W的第1搬運機構，符號「131」表示發揮作為將在搬出入部12與清洗處理部14及超臨界處理部15間搬運之晶圓W暫時載置的緩衝部之作用的傳遞架。
傳遞部13之開口部，與晶圓搬運路162相連接，沿著晶圓搬運路162設置清洗處理部14及超臨界處理部15。於清洗處理部14，包夾該晶圓搬運路162而配置各1台清洗裝置2，合計設置2台清洗裝置2。另一方面，於超臨界處理部15，包夾晶圓搬運路162，將作為施行從晶圓W將IPA去除的乾燥處理之基板處理裝置而作用的超臨界處理裝置3配置各3台，合計設置6台超臨界處理裝置3。於晶圓搬運路162，配置第2搬運機構161；第2搬運機構161，以可在晶圓搬運路162內移動的方式設置。藉由第2搬運機構161接收載置於傳遞架131之晶圓W；第2搬運機構161，將晶圓W往清洗裝置2及超臨界處理裝置3搬入。另，清洗裝置2及超臨界處理裝置3的數量及配置態樣並無特別限定，可因應每單位時間之晶圓W的處理片數、及各清洗裝置2及各超臨界處理裝置3的處理時間等，以適合的態樣配置適合數量之清洗裝置2及超臨界處理裝置3。
清洗裝置2，例如構成為藉由旋轉清洗而將晶圓W逐片清洗之單片式裝置。此一情況，以水平地保持晶圓W的狀態使其繞鉛直軸線旋轉，並在適合之時序對晶圓W的處理面供給清洗用之藥液、用於將藥液洗去之沖洗液，藉而可施行晶圓W的清洗處理。在清洗裝置2使用之藥液及沖洗液並無特別限定。例如，可往晶圓W供給鹼性之藥液即SC1液（亦即氨水與過氧化氫溶液之混合液），將微粒或有機性之汙染物質從晶圓W去除。其後，可往晶圓W供給沖洗液即去離子水（DeIonized Water：DIW），將SC1液從晶圓W洗去。進一步，亦可往晶圓W供給酸性之藥液即稀氫氟酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：DHF）而將自然氧化膜去除，其後，將DIW往晶圓W供給而將稀氫氟酸水溶液從晶圓W洗去。
而後，清洗裝置2，在藥液所進行的清洗處理結束後，停止晶圓W的旋轉，作為防止乾燥用之液體將IPA往晶圓W供給，將殘存於晶圓W的處理面之DIW置換為IPA。此時，對晶圓W供給充足量之IPA，使形成有半導體的圖案之晶圓W的表面成為盛裝IPA之狀態，於晶圓W的表面形成IPA之液膜。晶圓W，維持盛裝有IPA之狀態，並藉由第2搬運機構161從清洗裝置2搬出。
如此地，給予至晶圓W的表面之IPA，發揮防止晶圓W的乾燥之作用。尤其是，為了防止從清洗裝置2往超臨界處理裝置3之晶圓W的搬運中因IPA之蒸發而在晶圓W發生所謂圖案崩塌，而使清洗裝置2，對晶圓W給予充足量之IPA，俾於晶圓W的表面形成具有較大厚度之IPA膜。
將從清洗裝置2搬出之晶圓W，藉由第2搬運機構161，以盛裝有IPA之狀態搬入至超臨界處理裝置3的處理容器內，於超臨界處理裝置3中施行IPA的乾燥處理。
[超臨界處理裝置] 接著，針對以超臨界處理裝置（基板處理裝置）3施行之使用超臨界流體的乾燥處理之細節予以說明。首先，說明於超臨界處理裝置3中搬入晶圓W之處理容器的構成例。
圖2為，顯示超臨界處理裝置3的處理容器301之一例的外觀立體圖；圖3為，顯示處理容器301之一例的剖面圖。
處理容器301，收納晶圓W，且對晶圓W使用超臨界流體等高壓之處理流體而施行處理。該處理容器301，具備：筐體狀之容器本體311，收納晶圓W；搬運口312，用於將晶圓W往容器本體311內搬入及搬出；保持板316，橫向地保持作為處理對象之晶圓W；以及第1蓋構件315，支持該保持板316，且在將晶圓W搬入至容器本體311內時將搬運口312密閉。此外，於容器本體311中之與搬運口312不同的位置，設置維修用開口321。該維修用開口321，除了維修時等以外，藉由第2蓋構件322封閉。
容器本體311，收納晶圓W，且對晶圓W施行使用處理流體的處理。容器本體311，例如為內部形成有可收納直徑300mm之晶圓W的處理空間319之容器。上述搬運口312及維修用開口321（例如與搬運口312同等之尺寸及形狀的開口），分別形成在處理空間319的兩端，皆與處理空間319連通。
此外，於容器本體311中之搬運口312側的壁部，設置排出端口314。排出端口314，與設置於處理容器301的下游側之用於使處理流體流通的排出側供給管線65（參考圖6）相連接。另，於圖2雖圖示2個排出端口314，但排出端口314之數量並無特別限定。
在分別位於搬運口312之上側及下側的第1上側區塊312a及第1下側區塊312b，分別形成用於嵌入後述第1鎖定板327的嵌入孔325、323。各嵌入孔325、323，分別在上下方向（對晶圓W的面垂直之方向）貫通第1上側區塊312a及第1下側區塊312b。
保持板316，係構成為在保持晶圓W的狀態可於容器本體311之處理空間319內以水平狀態配置之薄型板狀構件，與第1蓋構件315連結。另，於保持板316之第1蓋構件315側，設置排出口316a。
於容器本體311中之前方側（Y方向負側）的區域，形成第1蓋構件收納空間324。第1蓋構件315，在將保持板316搬入至處理容器301內而對晶圓W施行超臨界處理時，收納於第1蓋構件收納空間324。此一情況，第1蓋構件315，將搬運口312封閉而將處理空間319密閉。
第1鎖定板327，設置於處理容器301之前方側。該第1鎖定板327，發揮作為在使保持板316移動至處理位置時，限制第1蓋構件315因容器本體311內之壓力而移動的限制構件之作用。該第1鎖定板327，嵌入至第1下側區塊312b之嵌入孔323、及第1上側區塊312a之嵌入孔325。此時，第1鎖定板327發揮作為閂之作用，故第1蓋構件315及保持板316，其前後方向（圖2及圖3中Y方向）的移動受到限制。而第1鎖定板327，藉由升降機構326，在嵌入至嵌入孔323、325而壓制第1蓋構件315的鎖定位置，與從該鎖定位置往下方側避讓而將第1蓋構件315釋放的釋放位置之間，往上下方向移動。在此例中，藉由第1鎖定板327、嵌入孔323與325、及升降機構326，構成限制第1蓋構件315因容器本體311內之壓力而移動的限制機構。另，於嵌入孔323、325，分別設置用於使第1鎖定板327插入脫出之裕度，故在嵌入孔323、325與位於鎖定位置的第1鎖定板327之間，形成微小的間隙C1（參考圖3）。另，為了圖示的方便，在圖3將間隙C1誇張化地描繪。
維修用開口321，在容器本體311的壁面，設置於與搬運口312相對向的位置。如此地，藉由使維修用開口321與搬運口312相對向，而在藉由第1蓋構件315及第2蓋構件322將容器本體311密閉時，使處理空間319之壓力，對容器本體311的內面略均等地施加。因此，防止應力集中在容器本體311之特定處。然而，維修用開口321，亦可設置在與搬運口312相對向的位置以外之處，例如相對於晶圓W的進行方向（Y方向）設置在側方的壁面。
第2上側區塊321a及第2下側區塊321b，分別位於維修用開口321之上側及下側。在該第2上側區塊321a及第2下側區塊321b，分別形成用於嵌入第2鎖定板337的嵌入孔335、333。各嵌入孔335、333，分別在上下方向（對晶圓W的面垂直之方向、Z方向）貫通第2上側區塊321a及第2下側區塊321b。
於容器本體311中之裡方側（Y方向正側）的區域，形成第2蓋構件收納空間334。第2蓋構件322，除了維修時等以外，收納於第2蓋構件收納空間334，且將維修用開口321封閉。此外，於第2蓋構件322，設置供給端口313。供給端口313，設置於處理容器301的上游側，與用於使處理流體流通的第1供給管線63（參考圖6）相連接。另，於圖2雖圖示2個供給端口313，但供給端口313之數量並無特別限定。
第2鎖定板337，發揮作為限制第2蓋構件322因容器本體311內之壓力而移動的限制構件之作用。該第2鎖定板337，嵌入至維修用開口321周圍之嵌入孔333、335。此時，第2鎖定板337發揮作為閂之作用，故第2蓋構件322，其前後方向（Y方向）的移動受到限制。而第2鎖定板337，構成為在嵌入至嵌入孔333、335而將第2蓋構件322壓制的鎖定位置，與從該鎖定位置往下方側避讓而將第2蓋構件322釋放的釋放位置之間，往上下方向移動。本實施形態中，第2鎖定板337，成為以手動方式移動，但亦可設置與升降機構326略相同之升降機構，使其以自動方式移動。另，於嵌入孔333、335，分別設置用於使第2鎖定板337插入脫出之裕度，故在嵌入孔333、335與位於鎖定位置的第2鎖定板337之間，形成微小的間隙C2（參考圖3）。另，為了圖示的方式，在圖3將間隙C2誇張化地描繪。
本實施形態中，第2蓋構件322，與第1供給管線63相連接，於第2蓋構件322設置多個開孔332。該第2蓋構件322，發揮作為將來自第1供給管線63之處理流體往容器本體311的內部供給之流體供給頭的作用。藉此，在維修時將第2蓋構件322取下之際，可簡單地施行開孔332之清潔等維修作業。此外，於容器本體311內之搬運口312側的壁部，設置與排出端口314連通之流體排出頭318。於該流體排出頭318亦設置多個開孔。
第2蓋構件322及流體排出頭318，以相互對向的方式設置。作為流體供給部而作用之第2蓋構件322，實質上朝向水平方向往容器本體311內供給處理流體。此處所述之水平方向，係與重力所作用之鉛直方向垂直的方向，一般為與保持在保持板316之晶圓W的平坦表面所延伸之方向平行的方向。作為將容器本體311內之流體排出的流體排出部而作用之流體排出頭318，將容器本體311內的流體，通過設置於保持板316之排出口316a，往容器本體311外引導而排出。經由流體排出頭318往容器本體311外排出之流體，除了包含經由第2蓋構件322而供給至容器本體311內之處理流體以外，包含從晶圓W的表面溶入處理流體之IPA。如此地，藉由從第2蓋構件322的開孔332往容器本體311內供給處理流體，另藉由經由流體排出頭318的開孔將流體從容器本體311內排出，而於容器本體311內，形成與晶圓W的表面略平行地流動之處理流體的層流。
此外，於容器本體311中之搬運口312側的側面與維修用開口321側的側面，分別連接真空抽吸管348、349。真空抽吸管348、349，分別和容器本體311中之第1蓋構件收納空間324側的面與第2蓋構件收納空間334側的面連通。該真空抽吸管348、349，分別發揮藉由真空抽吸力將第1蓋構件315及第2蓋構件322往容器本體311側吸拉之作用。
此外，於容器本體311的底面，形成將處理流體往容器本體311的內部供給之底面側流體供給部341。底面側流體供給部341，與將高壓流體往容器本體311內供給之第2供給管線64相連接（參考圖6）。底面側流體供給部341，實質上從下方朝向上方往容器本體311內供給處理流體。從底面側流體供給部341供給之處理流體，從晶圓W的背面，通過設置於保持板316之排出口316a而迴流至晶圓W的表面，與來自第2蓋構件322之處理流體，一同通過設置於保持板316之排出口316a而從流體排出頭318排出。底面側流體供給部341的位置，例如宜為導入至容器本體311內之晶圓W的下方，更宜為晶圓W之中心部的下方。藉由此一方式，可使來自底面側流體供給部341之處理流體均勻地往晶圓W的表面迴流。
如圖3所示，於容器本體311的上下兩面，設置例如由捲帶式加熱器等電阻發熱體構成之加熱器345。加熱器345，與電源部346相連接，將電源部346的輸出增減，可將容器本體311及處理空間319之溫度，例如維持在100℃～300℃的範圍。
[維修用開口周邊的構成] 接著，參考圖4及圖5，針對維修用開口321之周圍的構成進一步說明。圖4及圖5為，顯示維修用開口321之周邊的剖面圖。
如圖4及圖5所示，於第2蓋構件322中之處理空間319側的側壁，以包圍對應於維修用開口321之邊緣的位置之方式形成凹部328。藉由將密封構件329嵌入至該凹部328內，而於與維修用開口321周圍的側壁面抵接之第2蓋構件322側的側壁面，配置密封構件329。
密封構件329，形成為環狀俾可包圍維修用開口321。此外，密封構件329的剖面形狀成為U字形。於圖4及圖5所示之密封構件329中，沿著環狀之密封構件329的內周面，形成U字形的缺口329a。換而言之，於密封構件329，形成被U字形地包圍之內部空間（缺口329a）。
藉由利用設有該密封構件329之第2蓋構件322將維修用開口321的周圍封閉，而使密封構件329，配置於第2蓋構件322與容器本體311的對向面之間，俾將第2蓋構件322與處理空間319之間的間隙封閉。而該間隙，係形成於容器本體311內之維修用開口321的周圍，故沿著密封構件329的內周面而形成之缺口329a，成為與該處理空間319連通的狀態。
缺口329a與處理空間319連通之密封構件329，暴露在處理流體的環境氣體，而有處理流體溶出樹脂或橡膠等成分或包含在其中的雜質之情況。因而，密封構件329，至少將朝向處理空間319開口的缺口329a之內側，以對液體IPA、處理流體具有耐蝕性的樹脂構成。作為此等樹脂之例子，可藉舉聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對二甲苯、聚醚醚酮（PEEK），宜使用即便往處理流體中溶出微量成分，對半導體裝置影響仍少之非氟系的樹脂。
此處，針對在處理容器301內使用高壓之處理流體對晶圓W施行處理時的具備密封構件329之處理容器301的作用予以說明。
首先，在未往處理空間319供給高壓之處理流體，而容器本體311內之壓力未提高的情況，藉由來自真空抽吸管349（參考圖2及圖3）之抽吸力，將第2蓋構件322往容器本體311側吸拉。此時，如圖4所示，第2蓋構件322及容器本體311的側壁面彼此直接對向而將密封構件329壓扁，將維修用開口321之周圍氣密性地封閉。由第2蓋構件322與容器本體311壓扁之密封構件329，往缺口329a變窄的方向變形。在缺口329a未完全封閉的情況，於此一時間點，處理空間319內的環境氣體，經由第2蓋構件322與容器本體311之間的間隙而往缺口329a內流入。
另一方面，在從開孔332往處理空間319內供給高壓之處理流體的情況，第2蓋構件322，往遠離維修用開口321之方向移動。亦即，第2蓋構件322，由於從處理流體受到的壓力，而移動維修用開口321周圍的嵌入孔335、333，與第2鎖定板337之間的間隙C2（參考圖3）之距離。若因第2蓋構件322的移動，第2蓋構件322與容器本體311之間的間隙擴大，則缺口329a因具有彈性之密封構件329的復原力而擴大，如圖5所示，處理空間319之環境氣體（處理流體）亦進一步進入至缺口329a（內部空間）內。
若處理流體進入至缺口329a內，則從缺口329a之內側將密封構件329推壓擴展開，使將密封構件329的外周面（與缺口329a為相反側的面）朝向第2蓋構件322之凹部328側的面、及容器本體311的側壁面抵緊之力作用。藉此，使密封構件329的外周面，與第2蓋構件322及容器本體311密接，將此等第2蓋構件322與容器本體311之間的間隙氣密性地封閉。此種密封構件329，具備可藉由從處理流體受到的力而變形之彈性，且可抵抗處理空間319與外部之壓力差（例如16～20MPa程度）而維持將間隙氣密性地封閉的狀態。
另，本實施形態中，關於容器本體311之搬運口312，亦與維修用開口321同樣地藉由第1蓋構件315而密閉。
亦即，如圖3所示，於第1蓋構件315之處理空間319側的側壁，以包圍對應於搬運口312之邊緣的位置之方式形成凹部338。藉由將密封構件339嵌入至該凹部338內，而於與搬運口312周圍的側壁面抵接之第1蓋構件315側的側壁面，配置密封構件339。
密封構件339，形成為環狀俾可包圍搬運口312。此外，密封構件339的剖面形狀成為U字形。如此地，藉由利用設有密封構件339之第1蓋構件315將搬運口312封閉，而使密封構件339配置於第1蓋構件315與容器本體311的對向面之間，俾將第1蓋構件315與搬運口312之間的間隙封閉。除此之外，用於利用第1蓋構件315及密封構件339將搬運口312封閉的構成，與上述用於將維修用開口321封閉的構成略相同。
[超臨界處理裝置的系統全體之構成] 圖6為，顯示第1實施形態之超臨界處理裝置3的系統全體之構成例的圖。
於較處理容器301更為上游側，設置流體供給槽51；從流體供給槽51，往超臨界處理裝置3中用於使處理流體流通的供給管線，供給處理流體。於流體供給槽51與處理容器301之間，從上游側起朝向下游側，依序設置流通開關閥52a、孔口55a、濾網57及流通開關閥52b。另，此處所述之上游側及下游側的用語，係以供給管線中之處理流體的流動方向為基準。
流通開關閥52a，係調整來自流體供給槽51之處理流體的供給之開啟（On）及關閉（Off）的閥，在開啟狀態使處理流體往下游側的供給管線流動，在關閉狀態使處理流體不往下游側的供給管線流動。流通開關閥52a處於開啟狀態之情況，例如將16～20MPa（百萬帕）程度的高壓之處理流體，從流體供給槽51經由流通開關閥52a而往供給管線供給。孔口55a，發揮調整從流體供給槽51供給之處理流體的壓力之作用，可使例如壓力調整為16MPa程度之處理流體，往較孔口55a更為下游側的供給管線流通。濾網57，將從孔口55a送至之處理流體所含有的異物除去，使乾淨的處理流體往下游側流動。
流通開關閥52b，係調整處理流體之往處理容器301的供給之開啟及關閉的閥。將從流通開關閥52b往處理容器301延伸的第1供給管線63，連接至上述圖2及圖3所示之供給端口313，將來自流通開關閥52b之處理流體，經由圖2及圖3所示之供給端口313及第2蓋構件322而往處理容器301的容器本體311內供給。
另，圖6所示之超臨界處理裝置3，於濾網57與流通開關閥52b之間中，使供給管線分支。亦即，使經由流通開關閥52c及孔口55b而連接至處理容器301的供給管線（第2供給管線64）、經由流通開關閥52d及止回閥58a而連接至吹掃裝置62的供給管線、及經由流通開關閥52e及孔口55c而連接至外部的供給管線，從濾網57與流通開關閥52b之間的供給管線分支而延伸。
將經由流通開關閥52c及孔口55b而與處理容器301相連接的第2供給管線64，連接至上述圖2及圖3所示之底面側流體供給部341，將來自流通開關閥52c之處理流體，經由圖2及圖3所示的底面側流體供給部341而往處理容器301的容器本體311內供給。第2供給管線64，亦可作為用於將處理流體往處理容器301供給之輔助性流路而使用。例如可如同處理流體之往處理容器301的供給開始之最初等般，在往處理容器301供給較多量之處理流體時將流通開關閥52c調整為開啟狀態，將藉由孔口55b調整過壓力之處理流體往處理容器301供給。
經由流通開關閥52d及止回閥58a而連接至吹掃裝置62的供給管線，係用於往處理容器301供給氮等惰性氣體的流路，在停止從流體供給槽51對處理容器301之處理流體的供給之期間利用。例如在將處理容器301以惰性氣體填滿而保持潔淨狀態的情況，將流通開關閥52d及流通開關閥52b調整為開啟狀態，將從吹掃裝置62送至供給管線之惰性氣體，經由止回閥58a、流通開關閥52d及流通開關閥52b而往處理容器301供給。
經由流通開關閥52e及孔口55c而連接至外部的供給管線，係用於將處理流體從供給管線排出的流路。例如，在超臨界處理裝置3的電源關閉關閉時，將殘存於流通開關閥52a與流通開關閥52b之間的供給管線內之處理流體往外部排出之際，將流通開關閥52e調整為開啟狀態，使流通開關閥52a與流通開關閥52b之間的供給管線連通至外部。
於較處理容器301更為下游側，從上游側起朝向下游側，依序設置流通開關閥52f、排氣調整閥59、濃度量測感測器60及流通開關閥52g。
流通開關閥52f，係調整來自處理容器301之處理流體的排出之開啟及關閉的閥。在從處理容器301將處理流體排出的情況，將流通開關閥52f調整為開啟狀態；在未從處理容器301將處理流體排出的情況，將流通開關閥52f調整為關閉狀態。另，在處理容器301與流通開關閥52f之間延伸的供給管線（排出側供給管線65），連接至圖2及圖3所示之排出端口314。將處理容器301的容器本體311內之流體，經由圖2及圖3所示之流體排出頭318及排出端口314，朝向流通開關閥52f輸送。流通開關閥52f為第1開閉閥的一例。
排氣調整閥59，係調整來自處理容器301的流體之排出量的閥，例如可由背壓閥構成。排氣調整閥59之開度，因應來自處理容器301之流體的期望排出量，而在控制部4之控制下適當地調整。本實施形態，例如施行從處理容器301將流體排出的處理，直至處理容器301內之流體的壓力成為預先決定的壓力為止。因此，可在處理容器301內之流體的壓力到達預先決定的壓力時，調整排氣調整閥59之開度俾從開啟狀態轉移為關閉狀態，停止來自處理容器301之流體的排出。排氣調整閥59為背壓閥的一例。
濃度量測感測器60，係量測從排氣調整閥59送至之流體所含有的IPA濃度之感測器。
流通開關閥52g，係調整來自處理容器301的流體之往外部的排出之開啟及關閉的閥。在將流體往外部排出之情況，將流通開關閥52g調整為開啟狀態；在未排出流體之情況，將流通開關閥52g調整為關閉狀態。另，於流通開關閥52g的下游側，設置排氣調整針閥61a及止回閥58b。排氣調整針閥61a，係調整經由流通開關閥52g送至之流體的往外部之排出量的閥；排氣調整針閥61a之開度，因應流體的期望排出量而調整。止回閥58b，係防止排出的流體之逆流的閥，發揮將流體確實地往外部排出之作用。
另，圖6所示之超臨界處理裝置3，於濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間中，使供給管線分支。亦即，使經由流通開關閥52h而連接至外部的供給管線、經由流通開關閥52i而連接至外部的供給管線、及經由流通開關閥52j而連接至外部的供給管線，從濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間的供給管線分支而延伸。
流通開關閥52h及流通開關閥52i，與流通開關閥52g同樣地，係調整流體之往外部的排出之開啟及關閉的閥。於流通開關閥52h的下游側，設置排氣調整針閥61b及止回閥58c，施行流體的排出量之調整及流體的逆流防止。於流通開關閥52i的下游側設置止回閥58d，防止流體的逆流。流通開關閥52j，亦為調整流體之往外部的排出之開啟及關閉的閥；於流通開關閥52j的下游側設置孔口55d，可從流通開關閥52j經由孔口55d而將流體往外部排出。然則，圖6所示之例子中，經由流通開關閥52g、流通開關閥52h及流通開關閥52i而往外部輸送之流體的目的地，與經由流通開關閥52j而往外部輸送之流體的目的地不同。因此，亦可將流體，例如經由流通開關閥52g、流通開關閥52h及流通開關閥52i而往未圖示之回收裝置輸送，另一方面，經由流通開關閥52j而往大氣釋出。
使流通開關閥52g、流通開關閥52h及流通開關閥52i之下游側的供給管線，分支為2條第1排氣管線66及第2排氣管線67。第1排氣管線66與工廠等的排氣管線連結。於工廠等的排氣管線，設置第1排氣源。第2排氣管線67，經由噴射器71a而與工廠等的排氣管線連結。噴射器71a，從流體供給源72a接收空氣等流體的流通，將第2排氣管線67之內部減壓而強制排氣。於噴射器71a與流體供給源72a之間，設置流通開關閥52k。流通開關閥52k，係調整從流體供給源72a往噴射器71a之流體的供給之開啟及關閉的閥。在流通開關閥52k為關閉狀態中，流體並未於噴射器71a流通，故未施行噴射器71a所進行的第2排氣管線67之強制排氣。在流通開關閥52k為開啟狀態中，流體於噴射器71a流通，施行噴射器71a所進行的第2排氣管線67之強制排氣。因此，若在第2排氣管線67與處理容器301之間的排出側供給管線65開放之狀態下，將流通開關閥52k調整為開啟狀態，則將排出側供給管線65之內部強制排氣。於工廠等的排氣管線，設置第1排氣源。噴射器71a，包含於第2排氣源。流通開關閥52k為第2開閉閥的一例。運作時的噴射器71a所產生之排氣壓，較工廠等的排氣管線所產生之排氣壓更強。工廠等的排氣管線所產生之排氣壓為第1排氣壓的一例，噴射器71a所產生之排氣壓為第2排氣壓的一例。第2排氣源，亦可取代噴射器71a而具備真空泵。
將流體從處理容器301排出的情況，將流通開關閥52g、流通開關閥52h、流通開關閥52i及流通開關閥52j中之1個以上的閥調整為開啟狀態。尤其是，亦可在超臨界處理裝置3的電源關閉時，將流通開關閥52j調整為開啟狀態，將殘存在濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間的供給管線之流體，往外部排出。
另，於上述供給管線，設置檢測流體的壓力之壓力感測器、及檢測流體的溫度之溫度感測器。圖6所示之例子中，於處理容器301與流通開關閥52f之間設置壓力感測器53，設置用於檢測處理容器301的內部即容器本體311內之流體的溫度之溫度感測器54。壓力感測器及溫度感測器，亦可因應必要而設置於供給管線之各式各樣的場所。
此外，在超臨界處理裝置3中處理流體所流通的任意處，設置加熱器H。於圖6，將加熱器H圖示在較處理容器301更為上游側的供給管線（亦即流通開關閥52a與孔口55a之間、孔口55a與濾網57之間、濾網57與流通開關閥52b之間、及流通開關閥52b與處理容器301之間）中，但亦可於包含較處理容器301及較處理容器301更為下游側的供給管線之其他處，設置加熱器H。因此，亦可於從流體供給槽51至將供給之處理流體往外部排出為止的全部流路中，設置加熱器H。此外，尤其是從調整往處理容器301供給之處理流體的溫度之觀點來看，宜於可調整在較處理容器301更為上游側流動之處理流體的溫度之位置，設置加熱器H。
圖7為，顯示控制部4的功能構成之方塊圖。控制部4，從圖6所示之各種要素接收量測訊號，此外，往圖6所示之各種要素發送控制指示訊號。例如，控制部4，接收壓力感測器53、溫度感測器54及濃度量測感測器60的量測結果。此外，控制部4，往流通開關閥52a～52k、排氣調整閥59及排氣調整針閥61a～61b發送控制指示訊號。另，控制部4可接收發送的訊號並無特別限定。
[超臨界乾燥處理] 接著，針對使用超臨界狀態之處理流體的IPA之乾燥機制予以說明。
圖8為用於說明IPA之乾燥機制的圖，係簡略地顯示晶圓W所具有的作為凹部之圖案P的放大剖面圖。
超臨界處理裝置3中將超臨界狀態之處理流體R導入至處理容器301之容器本體311內的最初，如圖8（a）所示，於圖案P間僅充填IPA。
圖案P間之IPA，藉由與超臨界狀態之處理流體R接觸，而緩緩地溶解至處理流體R，如圖8（b）所示緩緩地與處理流體R置換。此時，於圖案P間，除了IPA及處理流體R以外，存在混合有IPA與處理流體R之狀態的混合流體M。
而後，隨著在圖案P間由IPA往處理流體R的置換之進行，而從圖案P間將IPA去除，最終如圖8（c）所示，僅以超臨界狀態之處理流體R填滿圖案P間。
從圖案P間將IPA去除後，藉由使容器本體311內之壓力下降至大氣壓，而如圖8（d）所示，處理流體R從超臨界狀態改變為氣體狀態，圖案P間僅由氣體占據。如此地，去除圖案P間之IPA，晶圓W的乾燥處理結束。
以上述圖8（a）～（d）所示之機制為背景，本實施形態之超臨界處理裝置3，如同以下地施行IPA之乾燥處理。
亦即，藉由超臨界處理裝置3施行之基板處理方法，包含如下步驟：將在圖案P盛裝有防止乾燥用的IPA之晶圓W搬入至處理容器301的容器本體311內之步驟；經由流體供給部（亦即流體供給槽51、流通開關閥52a、流通開關閥52b及第2蓋構件322）往容器本體311內供給超臨界狀態的處理流體之步驟；以及於容器本體311內，使用超臨界狀態之處理流體施行將IPA從晶圓W去除的乾燥處理之步驟。
亦即，首先，將於清洗裝置2中實施過清洗處理之晶圓W，往超臨界處理裝置3搬運。在該清洗裝置2，依序施行例如鹼性藥液即SC1液所進行的微粒或有機性汙染物質之去除、沖洗液即去離子水（DIW）所進行的沖洗清洗、酸性藥液即稀氫氟酸水溶液（DHF）所進行的自然氧化膜之去除、DIW所進行的沖洗清洗，最後於晶圓表面盛裝IPA。而後，將晶圓W，維持此一狀態而藉由清洗裝置2搬出，往超臨界處理裝置3的處理容器301搬運。
往該處理容器301的搬運，例如係利用第2搬運機構161施行（參考圖1）。在往處理容器301搬運晶圓時，第2搬運機構161將晶圓W傳遞至在傳遞位置中待機的保持板316後，從保持板316之上方位置避讓。
接著，使保持板316往水平方向滑動，直至保持板316移動至容器本體311內的處理位置為止。此時，第1蓋構件315，收納於第1蓋構件收納空間324內，覆蓋搬運口312。而後，藉由來自真空抽吸管348（參考圖2及圖3）之抽吸力，將第1蓋構件315往容器本體311吸拉，藉由第1蓋構件315將搬運口312封閉。接著，藉由升降機構326使第1鎖定板327上升至鎖定位置，使第1鎖定板327與第1蓋構件315的前表面抵接，限制第1蓋構件315的移動。有因真空抽吸管348之抽吸力，而將異物從排出側供給管線65往處理空間319吸入的情形，細節將於後方詳述。
而後，在盛裝於晶圓W表面之IPA乾燥前，使流通開關閥52b、52c開放，經由第1供給管線63、第2供給管線64而往處理空間319供給高壓之處理流體。藉此，將處理空間319內之壓力升壓至例如14～16MPa程度。伴隨處理空間319的加壓，將設置於第1蓋構件315之凹部338的剖面U字形之密封構件339推壓擴展開，將第1蓋構件315與容器本體311之間的間隙氣密性地封閉。
另一方面，在處理空間319內，若供給至該處理空間319內之處理流體與盛裝於晶圓W之IPA接觸，則盛裝之IPA緩緩地溶解至處理流體，緩緩地置換為處理流體。而後，隨著在晶圓W的圖案間由IPA往處理流體的置換之進行，而從圖案間將IPA去除，最終僅以超臨界狀態之處理流體填滿圖案P間。此一結果，晶圓W的表面由液體之IPA漸置換為處理流體，但於平衡狀態中在液體IPA與處理流體之間並未形成界面，故可將晶圓W表面的流體置換為處理流體而不引起圖案崩塌。
其後，往處理空間319內供給處理流體後經過預先設定之時間，晶圓W的表面成為以處理流體置換過之狀態後，將流通開關閥52f開放，將處理空間319內之環境氣體從流體排出頭318朝向容器本體311外方排出。藉此，容器本體311內之壓力逐漸降低，處理空間319內之處理流體從超臨界的狀態改變為氣體的狀態。此時於超臨界狀態與氣體之間並未形成界面，故可將晶圓W乾燥而不使表面張力作用於形成在晶圓W的表面之圖案。
藉由上述製程，於晶圓W的超臨界處理結束後，將殘存在處理空間319的氣體之處理流體排出，故從吹掃裝置62連接的供給管線供給氮等惰性氣體，朝向流體排出頭318施行吹掃。而後，以預先決定之時間的長度施行惰性氣體之供給，結束吹掃，在容器本體311內恢復為大氣壓後，使第1鎖定板327下降至釋放位置。而後，使保持板316往水平方向移動至傳遞位置，利用第2搬運機構161將結束超臨界處理之晶圓W搬出。
而在施行上述超臨界處理之間，使第2鎖定板337，上升至常時鎖定位置。藉此，使第2鎖定板337與第2蓋構件322的後表面抵接，限制第2蓋構件322的移動。而在未往處理空間319供給高壓之處理流體，容器本體311內之壓力未提高的情況，第2蓋構件322及容器本體311的側壁面彼此直接對向而將密封構件329壓扁，將維修用開口321之周圍氣密性地封閉。
另一方面，在往處理空間319供給高壓之處理流體的情況，第2蓋構件322，往遠離處理空間319之方向（Y方向正側），移動維修用開口321周圍的嵌入孔335、333，與第2鎖定板337之間的間隙C2之距離。由於第2蓋構件322移動，而使第2蓋構件322與容器本體311之間的間隙擴大。此一情況，缺口329a因具有彈性之密封構件329的復原力而擴大，故密封構件329之外周面與第2蓋構件322、容器本體311密接，將此等第2蓋構件322與容器本體311之間的間隙氣密性地封閉。如此地，在施行上述超臨界處理之間，第2蓋構件322，維持將維修用開口321封閉的狀態。
[異物去除處理] 接著，針對利用噴射器71a的異物去除處理予以說明。
如同上述，藉由來自真空抽吸管348（參考圖2及圖3）之抽吸力，將第1蓋構件315往容器本體311吸拉，藉由第1蓋構件315將搬運口312封閉。此外，在第1鎖定板327升降時，有與第1上側區塊312a及第1下側區塊312b摩擦而產生微粒的情形，但藉由來自真空抽吸管348之抽吸力，而可將此等微粒去除。然而，有因超臨界處理而產生的殘渣等異物殘存在排出側供給管線65之情形，若通過真空抽吸管348使處理空間319為負壓，則有殘存在排出側供給管線65的異物吸入至處理空間319之情形。若在異物吸入至處理空間319之狀態下實行下一片晶圓W的超臨界處理，則吸入的異物可能附著於晶圓W。
因而，本實施形態，利用噴射器71a，將殘存在排出側供給管線65之異物去除。圖9～圖12為，顯示利用噴射器71a的異物去除處理之一例的剖面圖。
在待機狀態，如圖9（a）所示，第1蓋構件315將搬運口312封閉。此時，第1鎖定板327位於釋放位置，處理空間319之內部，例如成為大氣壓。在此等待機狀態中，亦可於處理空間319內及排出側供給管線65內存在殘渣等異物350。
其後，為了將晶圓W納入處理容器301，而如圖9（b）所示，使第1蓋構件315及保持板316往前方側（Y方向負側）滑動。此一結果，第1蓋構件315離開搬運口312，將保持板316從處理空間319取出。
接著，如圖10（a）所示，將晶圓W往保持板316傳遞。此外，在第1蓋構件315及保持板316離開搬運口312之期間，藉由控制部4將流通開關閥52k調整為開啟狀態。此一結果，噴射器71a開始運作，將噴射器71a之排氣壓較工廠等的排氣管線之排氣壓更為增強，將處理空間319內及排出側供給管線65內之異物350往外部排出。
而後，如圖10（b）所示，藉由控制部4將流通開關閥52k調整為關閉狀態。此一結果，噴射器71a的運作停止，將噴射器71a之排氣壓較工廠等的排氣管線之排氣壓更為減弱。而後，使第1蓋構件315及保持板316往裡方側（Y方向正側）滑動，使保持板316移動至容器本體311內的處理位置。此外，使真空抽吸管348（參考圖2及圖3）運作。進一步，藉由升降機構326使第1鎖定板327上升至鎖定位置。此一結果，將第1蓋構件315吸拉至容器本體311，而後藉由第1鎖定板327限制第1蓋構件315的移動。
其後，實行超臨界處理。於超臨界處理之期間，如圖11（a）所示，在處理空間319內，產生各種微粒351，但微粒351之大部分，通過排出側供給管線65而往外部排出。微粒351，例如係來自盛裝於晶圓W之IPA的微粒、或附著於晶圓W的微粒。
超臨界處理一結束，則如同上述地施行吹掃，若容器本體311內恢復為大氣壓，則如圖11（b）所示，使第1鎖定板327下降至釋放位置。
接著，為了將晶圓W取出，而如圖12（a）所示，使第1蓋構件315及保持板316往前方側（Y方向負側）滑動。此一結果，第1蓋構件315離開搬運口312，將載置晶圓W的保持板316從處理空間319取出。
而後，如圖12（b）所示，利用第2搬運機構161將晶圓W搬出。此外，在第1蓋構件315及保持板316離開搬運口312之期間，藉由控制部4將流通開關閥52k調整為開啟狀態。此一結果，噴射器71a開始運作，將噴射器71a之排氣壓較工廠等的排氣管線之排氣壓更為增強，將處理空間319內及排出側供給管線65內之微粒351往外部排出。
其後，藉由控制部4將流通開關閥52k調整為關閉狀態。此一結果，噴射器71a的運作停止，將噴射器71a之排氣壓較工廠等的排氣管線之排氣壓更為減弱。而後，使保持板316往水平方向滑動，使保持板316移動至容器本體311內的處理位置，使其呈待機狀態（圖9（a））。此時，微粒351之一部分，亦可成為異物350而存在於處理空間319內及排出側供給管線65內。
依第1實施形態，則可藉由真空抽吸管348之抽吸力將第1蓋構件315牢固地往容器本體311側吸拉。此外，可在將第1蓋構件315往容器本體311側吸拉前，施行利用噴射器71a的異物去除處理。因此，即便在1片晶圓W的超臨界處理後，異物350殘存於排出側供給管線65，仍可在至下一片晶圓W搬運至處理空間319之間，將異物350從排出側供給管線65去除。因此，在將該下一片晶圓W搬運至處理空間319後，可抑制發揮真空抽吸管348所產生之抽吸力時的異物350之往處理空間319的拉回，改善晶圓W的潔淨度。
此外，異物去除處理，可在第1蓋構件315及保持板316離開搬運口312之期間實行。亦即，異物去除處理，可在超臨界狀態之處理流體的往處理空間319之供給停止，尚未實行乾燥處理的期間實行。因此，除了設置乾燥處理所用之期間以外，無須設置異物去除處理所用之期間，可抑制處理量的降低並改善晶圓W的潔淨度。
（第2實施形態） 接著，針對第2實施形態予以說明。第2實施形態，在下述點與第1實施形態相異：於流體供給槽51側的供給管線亦設置噴射器。圖13為，顯示第2實施形態之超臨界處理裝置3的系統全體之構成例的圖。
如圖13所示，在第2實施形態，第1供給管線63及第2供給管線64，經由噴射器71b而和工廠等的排氣管線連結。例如，第1供給管線63及第2供給管線64，經由在濾網57與流通開關閥52b之間分支的供給管線而和噴射器71b連結。噴射器71b，從流體供給源72b接收空氣等流體的流通，將第1供給管線63、第2供給管線64之內部減壓而強制排氣。於噴射器71b與流體供給源72b之間，設置流通開關閥52l。流通開關閥52l，係調整從流體供給源72b往噴射器71b之流體的供給之開啟及關閉的閥，藉由控制部4控制。在流通開關閥52l為關閉狀態中，流體並未於噴射器71b流通，故未施行噴射器71b所進行的第1供給管線63、第2供給管線64之強制排氣。在流通開關閥52l為開啟狀態中，流體於噴射器71b流通，施行噴射器71b所進行的第1供給管線63、第2供給管線64之強制排氣。因此，若在將第1供給管線63、第2供給管線64開放之狀態下，將流通開關閥52l調整為開啟狀態，則將第1供給管線63、第2供給管線64之內部強制排氣。亦可取代噴射器71b而利用真空泵。
其他構成，與第1實施形態相同。
例如，利用噴射器71b的異物去除處理，可在與利用噴射器71a的異物去除處理相同之時序施行。依第2實施形態，即便為異物350進入至第1供給管線63、第2供給管線64的情況，仍可抑制來自第1供給管線63、第2供給管線64的異物350之往處理空間319的拉回。
此外，第1供給管線63、第2供給管線64位於真空抽吸管349附近之情況，尤其宜於維修結束後亦施行利用噴射器71b的異物去除處理。此係因有異物350因真空抽吸管349之抽吸力而往處理空間319拉回的疑慮之緣故。
（第3實施形態） 接著，針對第3實施形態予以說明。第3實施形態，在下述點與第1實施形態相異：設置惰性氣體的排氣管線。圖14為，顯示第3實施形態之處理容器301的一部分之剖面圖。
如圖14所示，在第3實施形態，於容器本體311中之搬運口312側的壁部，設置排出端口362。排出端口362，與設置於處理容器301的下游側之用於使惰性氣體流通的惰性氣體之排氣管線69相連接。例如，排氣管線69，與排出側供給管線65分別設置。另，於圖14雖圖示1個排出端口362，但排出端口362之數量並無特別限定。進一步，於容器本體311內之搬運口312側的壁部，設置與排出端口362連通之惰性氣體排出頭361。
其他構成，與第1實施形態相同。
亦可將氮氣、氦氣、氖氣、氬氣等惰性氣體往處理容器301供給並實行超臨界處理。此一情況，亦可將惰性氣體排出頭361及排出端口362，使用在通過排氣管線69之惰性氣體的排氣。
於第2實施形態，亦可設置排出頭、排出端口362及排氣管線69。
以上，雖針對較佳實施形態等詳細地說明，但並未受上述實施形態等所限制，可不脫離發明申請專利範圍所記載之範圍地，對上述實施形態等施加各種變形及置換。
1:清洗處理系統 2:清洗裝置 3:超臨界處理裝置 4:控制部 11:載置部 12:搬出入部 13:傳遞部 14:清洗處理部 15:超臨界處理部 51:流體供給槽 52a~52l:流通開關閥 53,53c:壓力感測器 54:溫度感測器 55a,55b,55c,55d:孔口 57:濾網 58a,58b,58c,58d:止回閥 59:排氣調整閥 60:濃度量測感測器 61a,61b:排氣調整針閥 62:吹掃裝置 63:第1供給管線 64:第2供給管線 65:排出側供給管線 66:第1排氣管線 67:第2排氣管線 69:排氣管線 71a,71b:噴射器 72a,72b:流體供給源 100:載具 121:第1搬運機構 131:傳遞架 161:第2搬運機構 162:晶圓搬運路 301:處理容器 311:容器本體 312:搬運口 312a:第1上側區塊 312b:第1下側區塊 313:供給端口 314,362:排出端口 315:第1蓋構件 316:保持板 316a:排出口 318:流體排出頭 319:處理空間 321:維修用開口 321a:第2上側區塊 321b:第2下側區塊 322:第2蓋構件 323,325,333,335:嵌入孔 324:第1蓋構件收納空間 326:升降機構 327:第1鎖定板 328,338:凹部 329,339:密封構件 329a:缺口 332:開孔 334:第2蓋構件收納空間 337:第2鎖定板 341:底面側流體供給部 345:加熱器 346:電源部 348,349:真空抽吸管 350:異物 351:微粒 361:惰性氣體排出頭 C1,C2:間隙 H:加熱器 M:混合流體 P:圖案 R:處理流體 W:晶圓
圖1係顯示清洗處理系統的全體構成之一例的橫剖面俯視圖。 圖2係顯示超臨界處理裝置的處理容器之一例的外觀立體圖。 圖3係顯示處理容器之一例的剖面圖。 圖4係顯示處理容器的維修用開口之周邊的剖面圖（其1）。 圖5係顯示處理容器的維修用開口之周邊的剖面圖（其2）。 圖6係顯示第1實施形態之超臨界處理裝置的系統全體之構成例的圖。 圖7係顯示第1實施形態之控制部的功能構成之方塊圖。 圖8（a）～（d）係顯示IPA之乾燥機制的圖。 圖9（a）、（b）係顯示利用噴射器的異物去除處理之一例的剖面圖（其1）。 圖10（a）、（b）係顯示利用噴射器的異物去除處理之一例的剖面圖（其2）。 圖11（a）、（b）係顯示利用噴射器的異物去除處理之一例的剖面圖（其3）。 圖12（a）、（b）係顯示利用噴射器的異物去除處理之一例的剖面圖（其4）。 圖13係顯示第2實施形態之超臨界處理裝置的系統全體之構成例的圖。 圖14係顯示第3實施形態之處理容器的一部分之剖面圖。
3:超臨界處理裝置
51:流體供給槽
52a:52k:流通開關閥
53:壓力感測器
54:溫度感測器
55a,55b,55c,55d:孔口
57:濾網
58a,58b,58c,58d:止回閥
59:排氣調整閥
60:濃度量測感測器
61a,61b:排氣調整針閥
62:吹掃裝置
63:第1供給管線
64:第2供給管線
65:排出側供給管線
66:第1排氣管線
67:第2排氣管線
71a:噴射器
72a:流體供給源
301:處理容器

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 處理容器，具備有處理空間，該處理空間可收納表面由液體潤濕的狀態之基板； 處理流體供給部，將超臨界狀態之處理流體朝向該液體供給至該處理空間； 第1排氣管線，連接至第1排氣源，將該處理空間以第1排氣壓排氣； 第2排氣管線，連接至與該第1排氣源不同的第2排氣源，在該第1排氣源與該處理空間之間連接至該第1排氣管線，通過該第1排氣管線將該處理空間以第2排氣壓排氣；以及 控制部，控制該第2排氣壓； 該超臨界狀態之處理流體接觸該流體而使該基板乾燥； 該控制部，在該處理流體供給部停止將該處理流體供給至該處理空間的期間，使該第2排氣壓更高於該第1排氣壓。
  2. 如請求項第1項之基板處理裝置，其中， 該控制部，在該基板的乾燥結束後，使該第2排氣壓更高於該第1排氣壓。
  3. 如請求項第1或2項之基板處理裝置，其中， 該控制部，在該處理流體供給部開始該處理流體的供給前，使該第2排氣壓更高於該第1排氣壓。
  4. 如請求項第1或2項之基板處理裝置，其中， 包含第1開閉閥，設置於該第1排氣管線； 該第2排氣管線，連接至該第1開閉閥與該第1排氣源之間。
  5. 如請求項第4項之基板處理裝置，其中， 更包含背壓閥，設置於該第1排氣管線的該第1開閉閥與該第1排氣源之間； 該第2排氣管線，連接至該背壓閥與該第1排氣源之間。
  6. 如請求項第5項之基板處理裝置，其中， 該控制部，在使該第2排氣壓較該第1排氣壓更強時，使該第1開閉閥及該背壓閥呈開啟狀態。
  7. 如請求項第1或2項之基板處理裝置，其中， 該第1排氣管線，包含： 該處理流體流通的第1排氣管、及 惰性氣體流通的第2排氣管。
  8. 如請求項第1或2項之基板處理裝置，其中， 該第2排氣源，包含噴射器。
  9. 如請求項第8項之基板處理裝置，其中， 更包含： 排氣流體供給部，供給流體至該噴射器；以及 第2開閉閥，設置於該排氣流體供給部與該噴射器之間，藉由該控制部加以控制。
  10. 如請求項第1或2項之基板處理裝置，其中， 該第2排氣源，包含真空泵。
  11. 一種基板處理裝置之控制方法，用以控制基板處理裝置， 該基板處理裝置包含： 處理容器，具備有處理空間，該處理空間可收納表面由液體潤濕的狀態之基板； 處理流體供給部，將超臨界狀態之處理流體朝向該液體供給至該處理空間； 第1排氣管線，連接至第1排氣源，將該處理空間以第1排氣壓排氣； 第2排氣管線，連接至與該第1排氣源不同的第2排氣源，在該第1排氣源與該處理空間之間連接至該第1排氣管線，通過該第1排氣管線將該處理空間以第2排氣壓排氣；以及 控制部，控制該第2排氣壓； 於該基板處理裝置之控制方法中， 該超臨界狀態之處理流體接觸該液體而使該基板乾燥； 在處理流體供給部停止將該處理流體供給至該處理空間的期間，使該第2排氣壓更高於該第1排氣壓。
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