JPH0422125A - 半導体ウエハの湿式処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの湿式処理方法Info
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- JPH0422125A JPH0422125A JP12802290A JP12802290A JPH0422125A JP H0422125 A JPH0422125 A JP H0422125A JP 12802290 A JP12802290 A JP 12802290A JP 12802290 A JP12802290 A JP 12802290A JP H0422125 A JPH0422125 A JP H0422125A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハのウェットエツチング、洗浄、乾燥等の湿
式処理方法に関し。
式処理方法に関し。
ウェハが酸素を含む雰囲気に触れないようにして ウェ
ハ表面に自然酸化膜が発生することを抑制し、素子特性
の劣化と信頼性の低下を防止することを目的とし。
ハ表面に自然酸化膜が発生することを抑制し、素子特性
の劣化と信頼性の低下を防止することを目的とし。
■）真空容器（１）内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換す
る工程とを有するように構成する。
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換す
る工程とを有するように構成する。
２）真空容器（１）内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換後
、該真空容器内を該不活性ガスでパージしながら該ウェ
ハ（２）を湿式処理槽（４）から引き上げて該不活性ガ
スの雰囲気内で乾燥する工程とを有するように構成する
。
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換後
、該真空容器内を該不活性ガスでパージしながら該ウェ
ハ（２）を湿式処理槽（４）から引き上げて該不活性ガ
スの雰囲気内で乾燥する工程とを有するように構成する
。
本発明は半導体ウェハのウェットエツチング。
洗浄、乾燥等の湿式処理方法に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化、微細化にともない、
デバイスのチップ上のコンタクト部分に発生する自然酸
化膜がコンタクト抵抗の上昇を招いたり、あるいはＭＯ
Ｓ ＦＥＴのゲート電極を形成するときに、基板に自然
酸化膜があるとその上に形成するゲート絶縁膜のリーク
や耐圧劣化が起こり問題となっている。このため、半導
体ウエノ１上に素子形成する際に、自然酸化膜の除去、
または発生を防止することが要求されている。
デバイスのチップ上のコンタクト部分に発生する自然酸
化膜がコンタクト抵抗の上昇を招いたり、あるいはＭＯ
Ｓ ＦＥＴのゲート電極を形成するときに、基板に自然
酸化膜があるとその上に形成するゲート絶縁膜のリーク
や耐圧劣化が起こり問題となっている。このため、半導
体ウエノ１上に素子形成する際に、自然酸化膜の除去、
または発生を防止することが要求されている。
本発明は、この要求に対応した半導体ウエノ＼の湿式処
理方法に利用することができる。
理方法に利用することができる。
従来の半導体ウェハの湿式処理方法は、複数の処理槽を
並べ、順次槽内に満たした薬品にウエノ１を浸漬してい
くか、または１つの処理槽の内の薬品を順次交換しなが
ら、ウエノ１の処理を行う方式ところが、いずれの方式
も処理を行う際の雰囲気は大気か、もしくは不活性ガス
による置換を行っていても酸素の除去が完全てない雰囲
気であり。
並べ、順次槽内に満たした薬品にウエノ１を浸漬してい
くか、または１つの処理槽の内の薬品を順次交換しなが
ら、ウエノ１の処理を行う方式ところが、いずれの方式
も処理を行う際の雰囲気は大気か、もしくは不活性ガス
による置換を行っていても酸素の除去が完全てない雰囲
気であり。
ウェハの処理中または洗浄を終えたウェハの乾燥工程に
おいて、ウェハはとうしても酸素を含む雰囲気と接触し
なければならなかった。
おいて、ウェハはとうしても酸素を含む雰囲気と接触し
なければならなかった。
〔発明が解決しようとする課題］
従って、ウェハの処理過程において、酸素を含む雰囲気
に触れた場合に、その酸素によって露出したウェハ面に
自然酸化膜が発生するという障害を発生していた。
に触れた場合に、その酸素によって露出したウェハ面に
自然酸化膜が発生するという障害を発生していた。
本発明はウェハの湿式処理過程において、ウェハが酸素
を含む雰囲気に触れないようにして、ウェハ表面に自然
酸化膜が発生することを抑制し。
を含む雰囲気に触れないようにして、ウェハ表面に自然
酸化膜が発生することを抑制し。
素子特性の劣化と信頼性の低下を防止することを目的と
する。
する。
上記課題の解決は。
ｌ）真空容器（１）内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換す
る工程とを有するウェハの湿式処理方法。
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換す
る工程とを有するウェハの湿式処理方法。
あるいは
２）真空容器（１１内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換後
、該真空容器内を該不活性ガスでパージしながら該ウェ
ハ（２）を湿式処理槽（４）から引き上げて該不活性ガ
スの雰囲気内で乾燥する工程とを有するウェハの湿式処
理方法により達成される。
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換後
、該真空容器内を該不活性ガスでパージしながら該ウェ
ハ（２）を湿式処理槽（４）から引き上げて該不活性ガ
スの雰囲気内で乾燥する工程とを有するウェハの湿式処
理方法により達成される。
本発明はウェハのウェットエツチング、 洗浄。
乾燥等の湿式処理工程を真空容器内で行い、処理槽から
の取り出しと乾燥を真空置換した不活性ガスの雰囲気で
行うことにより、酸素の影響を抑制してウェハ表面に自
然酸化膜を生成させないようにしたものである。
の取り出しと乾燥を真空置換した不活性ガスの雰囲気で
行うことにより、酸素の影響を抑制してウェハ表面に自
然酸化膜を生成させないようにしたものである。
第１図は本発明の本発明の一実施例を説明する断面図で
ある。
ある。
図において、１はウェハの湿式処理装置本体を収容する
真空容器、 ＩＡは真空容器の蓋、２は被処理ウェハ
３はウェハのキャリア、４は湿式処理槽、５は不活性ガ
スの導入口、６は排気口、７゜８はバルブ、９は真空ポ
ンプ、Ａ、Ｂ、Ｃはウェハの湿式処理に使用する薬品貯
蔵容器である。
真空容器、 ＩＡは真空容器の蓋、２は被処理ウェハ
３はウェハのキャリア、４は湿式処理槽、５は不活性ガ
スの導入口、６は排気口、７゜８はバルブ、９は真空ポ
ンプ、Ａ、Ｂ、Ｃはウェハの湿式処理に使用する薬品貯
蔵容器である。
薬品貯蔵容器Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ独立に処理槽に供給
できる配管がされている。
できる配管がされている。
本発明では、被処理ウェハ２を収納したキャリア３を処
理槽４の中に載置し、まず、真空容器ｌ内を真空にして
、不活性ガスで置換し、真空容器１内を不活性ガスで常
圧に戻す。
理槽４の中に載置し、まず、真空容器ｌ内を真空にして
、不活性ガスで置換し、真空容器１内を不活性ガスで常
圧に戻す。
真空容器ｌ内は常圧に戻った後も不活性ガスのパージを
続けながら各種処理液を用いてウェハ２の処理を行う。
続けながら各種処理液を用いてウェハ２の処理を行う。
ウェハ２の最終洗浄後、真空容器ｌ内を再び真空に引き
、続いて不活性ガスのパージを行いながら、キャリア３
を処理槽４から引き上げてウェハ２を乾燥する。このと
き、必要に応じてヒータを用いて乾燥を行う。
、続いて不活性ガスのパージを行いながら、キャリア３
を処理槽４から引き上げてウェハ２を乾燥する。このと
き、必要に応じてヒータを用いて乾燥を行う。
ウェハの乾燥終了後、真空容器ｌ内を十分に不活性ガス
で満たして常圧に戻す。
で満たして常圧に戻す。
その後、ウェハを真空容器ｌより取り出すが。
次のプロセスを行うまで大気に触れないようにする。そ
の−例をつぎの第２図を用いて説明する。
の−例をつぎの第２図を用いて説明する。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明する断面図
である。
である。
図はウェハの湿式処理装置と気相成長（ＣＶＤ）装置１
１をロードロック室１０で接続した構成を示している。
１をロードロック室１０で接続した構成を示している。
なお、キャリヤの搬送が可能なように、実際は湿式処理
槽はもっと下側に位置しているが９図では便宜的にロー
ドロック室１０の扉と同じ高さに示されている。
槽はもっと下側に位置しているが９図では便宜的にロー
ドロック室１０の扉と同じ高さに示されている。
ウェハの湿式処理を行った後に、ウェハが大気と触れる
のを防ぐため、ウェハを収納したキャリアはロードロッ
ク室ＩＯを経由して、自動搬送でＣＶＤ装置ｌＯに送ら
れて成膜に入れるようになっている。
のを防ぐため、ウェハを収納したキャリアはロードロッ
ク室ＩＯを経由して、自動搬送でＣＶＤ装置ｌＯに送ら
れて成膜に入れるようになっている。
ここで、ロードロック室１０はハンドリングロボット、
自動搬送機能を持ったものを使用する。
自動搬送機能を持ったものを使用する。
第２図（ａ）において、第１図で説明した要領でウェハ
の湿式処理を行う。
の湿式処理を行う。
その後、真空容器１とロードロック室ｌＯの間の扉を開
き、ロードロック室１０とＣＶＤ装置１１の間の扉１２
は閉じる。
き、ロードロック室１０とＣＶＤ装置１１の間の扉１２
は閉じる。
第２図（ｂ）において、ウェハの乾燥の終わったキャリ
ア３はロードロック室１０に搬送される。
ア３はロードロック室１０に搬送される。
真空容器ｌとロードロック室ＩＯの間の扉１３を閉じ、
ＣＶＤ装置１１を予め排気しておき、ロードロック
室１０とＣＶＤ装置１１の間の扉１２を開（。
ＣＶＤ装置１１を予め排気しておき、ロードロック
室１０とＣＶＤ装置１１の間の扉１２を開（。
第２図（Ｃ）において、キャリア３はロードロック室Ｉ
ＯからＣＶＤ装置１１に搬送される。
ＯからＣＶＤ装置１１に搬送される。
ロードロック室ＩＯとＣＶＤ装置１１の間の扉１２を閉
じ、成膜を行う。
じ、成膜を行う。
二の例では、湿式処理後のウェハのＣＶＤ装置への搬入
について説明したが、 ＰＶＤ（物理的成膜）装置等そ
の他の装置についても同様に行うことができる。
について説明したが、 ＰＶＤ（物理的成膜）装置等そ
の他の装置についても同様に行うことができる。
また、ウェハの乾燥後に成膜を行わない場合はＣＶＤ装
置の代わりに真空チャンバを設け、この中でウェハ保管
用の密閉箱に移し替えるようにする。
置の代わりに真空チャンバを設け、この中でウェハ保管
用の密閉箱に移し替えるようにする。
ウェハの移し替え時には真空チャンバ内は真空にするか
、または不活性ガスを満たしてお（。
、または不活性ガスを満たしてお（。
この密閉箱に収納されたウェハに成膜を行う場合は、上
記のような自動搬送機能を持ったロードロック室を用い
て、成膜装置に送り込む。
記のような自動搬送機能を持ったロードロック室を用い
て、成膜装置に送り込む。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ウェハの湿式処理
過程において、ウェハが酸素を含む雰囲気に触れないよ
うにしてウェハ表面に自然酸化膜が発生することを抑制
することができる。
過程において、ウェハが酸素を含む雰囲気に触れないよ
うにしてウェハ表面に自然酸化膜が発生することを抑制
することができる。
その結果、コンタクト抵抗の増加やゲート耐圧の劣化が
抑制できて、素子特性の劣化と信頼性の低下を防止する
ことができる。
抑制できて、素子特性の劣化と信頼性の低下を防止する
ことができる。
第１図は本発明の本発明の一実施例を説明する断面図。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明する断面図
である。 図において。 ■は湿式処理装置本体を収容する真空容器。 ＩＡは真空容器の蓋。 ２は被処理ウェハ ３はウェハのキャリア。 ４は湿式処理槽。 ５は不活性ガスの導入口。 ６は排気口。 ７．８はバルブ。 ９は真空ポンプ。 １０はロードロック室。 １１はＣＶＤ装置。 １２、１３は仕切り扉。 Ａ。 Ｂ。 Ｃは湿式処理に使用する薬品貯蔵容器 実力色１夕ＩＪ のｒｎ面図 第１図
である。 図において。 ■は湿式処理装置本体を収容する真空容器。 ＩＡは真空容器の蓋。 ２は被処理ウェハ ３はウェハのキャリア。 ４は湿式処理槽。 ５は不活性ガスの導入口。 ６は排気口。 ７．８はバルブ。 ９は真空ポンプ。 １０はロードロック室。 １１はＣＶＤ装置。 １２、１３は仕切り扉。 Ａ。 Ｂ。 Ｃは湿式処理に使用する薬品貯蔵容器 実力色１夕ＩＪ のｒｎ面図 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空容器（１）内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、 該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換する工程と
を有することを特徴とするウェハの湿式処理方法。 ２）真空容器（１）内に載置された湿式処理槽（４）の
中に満たされた処理液に被処理ウェハ（２）を浸漬する
工程と、 該真空容器を真空引きして不活性ガスで置換後、該真空
容器内を該不活性ガスでパージしながら該ウェハ（２）
を湿式処理槽（４）から引き上げて該不活性ガスの雰囲
気内で乾燥する工程とを有することを特徴とするウェハ
の湿式処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12802290A JPH0422125A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体ウエハの湿式処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12802290A JPH0422125A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体ウエハの湿式処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422125A true JPH0422125A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14974554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12802290A Pending JPH0422125A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 半導体ウエハの湿式処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0422125A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6170171B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-01-09 | Wacker-Chemie Gmbh | Vacuum drying of semiconductor fragments |
| DE10207558A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung |
| US11297902B2 (en) | 2016-10-03 | 2022-04-12 | Adidas Ag | Laceless shoe |
-
1990
- 1990-05-17 JP JP12802290A patent/JPH0422125A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6170171B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-01-09 | Wacker-Chemie Gmbh | Vacuum drying of semiconductor fragments |
| DE10207558A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung |
| DE10207558B4 (de) * | 2002-02-22 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen |
| US11297902B2 (en) | 2016-10-03 | 2022-04-12 | Adidas Ag | Laceless shoe |
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