DE10207558A1 - Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung

Info

Publication number
DE10207558A1
DE10207558A1 DE2002107558 DE10207558A DE10207558A1 DE 10207558 A1 DE10207558 A1 DE 10207558A1 DE 2002107558 DE2002107558 DE 2002107558 DE 10207558 A DE10207558 A DE 10207558A DE 10207558 A1 DE10207558 A1 DE 10207558A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
release agent
separating
connection
shaped objects
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2002107558
Other languages
English (en)
Other versions
DE10207558B4 (de
Inventor
Friedrich Kroener
Carsten Von Koblinski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE2002107558 priority Critical patent/DE10207558B4/de
Publication of DE10207558A1 publication Critical patent/DE10207558A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10207558B4 publication Critical patent/DE10207558B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen (6), wobei mittels eines gasförmigen Trennmittels (3) in einer Trenneinheit (2) eine kondensationsbedingte Auflösung der Verbindung zu trennender scheibenförmigen Gegenstände (6) durchgeführt wird. Alternativ kann auch flüssiges Trennmittel (3) unmittelbar die Auflösung der Verbindung bewirken, sofern die scheibenförmigen Gegenstände (6) vollständig vom Trennmittel (3) bedeckt sind und ein zusätzlicher Überdruck angelegt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen sowie eine zugehörige Trennvorrichtung und insbesondere auf ein Verfahren zum Trennen von mit einer hochtemperaturfesten Verbindung verbundenen Halbleiterwafern.
  • Insbesondere für sogenannte Chipkarten und Smartcards werden derzeitige Halbleiterbauelemente zunehmend auf sehr dünnen Halbleiterkörpern bzw. Wafern hergestellt, die beispielsweise eine Dicke kleiner 100 Mikrometer aufweisen. Derartige ultradünne Wafer können beispielsweise mittels Wafern, die eine herkömmliche Dicke von ca. 500 bis 1000 Mikrometer aufweisen und nach der Herstellung von jeweiligen Halbleiterbauelementen dünn geschliffen werden, hergestellt werden.
  • Ultradünne Produktwafer sind jedoch auf Grund ihrer mechanischen Eigenschaften sehr schwierig handhabbar und lassen sich nicht mit den selben Fertigungsmaschinen sowie Transport- und Halterungsvorrichtungen bearbeiten, wie Halbleiterwafer mit einer herkömmlichen Standarddicke. Deshalb werden neuerdings ultradünne Produktwafer auf sogenannte Trägerwafer, d. h. Halbleiterwafer mit herkömmlicher Waferdicke, aufgebracht bzw. damit verbunden, wodurch sie wie herkömmliche Halbleiterwafer in vorhandenen Halbleiterfertigungsanlagen verarbeitet werden können. Nachteilig ist hierbei jedoch eine schwierige, zeitraubende und oftmals unzureichende Trennung der ultradünnen Produktwafer von ihren jeweiligen Trägerwafern.
  • Aus der Druckschrift DE 198 40 421 C2 ist ein Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen bekannt, wobei dort allerdings das Trennmittel nicht den ganzen Weg vom Waferrand bis zur Wafermitte durch die Rillen mittels Kapillarwirkung kriechen muss, sondern vor dem Trennen ein Produktwafer in eine Vielzahl von einzelnen Chips zersägt wird. Durch diesen Sägegraben kann nunmehr an fast jeder Stelle des Wafers das Trennmittel vom Rand jedes einzelnen Chips in das Hohlraumsystem eindringen und die Verbindung lösen. Eine derartige Vereinzelung bzw. das Sägen in einzelne Chips vor dem Trennen der beiden Wafer ist jedoch sehr kostspielig und in einer Vielzahl von Fällen nicht erwünscht.
  • Alternativ wurden daher Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen vorgestellt, wobei ein Hohlraumsystem zwischen den Wafern ein Eindringen des Trennmittels und damit das Lösen einer Verbindung erleichtert. Nachteilig ist jedoch auch bei einem derartigen Trennverfahren, mit einem Hohlraumsystem zwischen den Wafern, dass der Trennvorgang sehr lange dauert und somit teuer ist.
  • Zur Beschleunigung bzw. Optimierung dieses Trennvorgangs wurde beispielsweise eine Strömung des Trennmittels im Hohlraumsystem künstlich erzeugt, wobei beispielsweise über eine zentral angeordnete Öffnung und eine entsprechende Anschlussvorrichtung ein Trennmittel in das Hohlraumsystem eingebracht wird, welches an den Waferrändern austreten kann. Auf diese Weise erhält man zwar eine sehr schnelle und saubere Trennung von Wafern, kann dieses Trennverfahren jedoch auf Grund des fehlenden Platzes für die Anschlüsse der Trennmittel- Zwangsströmung nicht für herkömmliche Batch-Prozesse verwenden, bei denen 50 oder mehr Waferpaare gleichzeitig bearbeitet werden und wobei die Waferpaare in einem Abstand von nur wenigen Millimetern voneinander in einer Horde in ein Ätzbecken getaucht werden.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde ein Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und eine zugehörige Trennvorrichtung zu schaffen, bei dem auch in einem Batch-Prozess eine Trennung effektiv und kostengünstig durchgeführt werden kann.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe hinsichtlich des Verfahrens durch die Maßnahmen des Patentanspruchs 1 oder 6 und hinsichtlich der Trennvorrichtung durch die Merkmale des Patentanspruchs 16 gelöst.
  • Vorzugsweise werden in einer Trenneinheit zunächst die zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände angeordnet und anschließend ein gasförmiges Trennmittel der Trenneinheit zugeführt, wodurch man eine kondensationsbedingte Auflösung der Verbindung zum Trennen der scheibenförmigen Gegenstände erhält. Auf diese Weise können die zum Teil störenden bzw. eine Trennung behindernden Kapillarkräfte in einem Hohlraumsystem zuverlässig vermieden werden, wodurch man eine Auflösung der Verbindung schnell und effektiv durchführen kann.
  • Vorzugsweise kann die Trenneinheit hierbei zunächst unter den Dampfdruck des Trennmittels evakuiert werden und anschließend das Trennmittel in flüssiger Phase bis zu einem Pegelstand zugeführt werden, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände nicht oder nicht vollständig bedeckt sind. Auf diese Weise kann das zunächst flüssige Trennmittel bei seinem Dampfdruck zumindest teilweise in eine gasförmige Phase übergehen und problemlos bis in die kleinsten Hohlräume bzw. an jede Stelle der aufzulösenden Verbindung gelangen, wo sie wiederum kondensiert und die Verbindung auflöst. Alternativ kann das Trennmittel auch in flüssiger Phase zunächst bis zum Pegelstand der Trenneinheit zugeführt werden, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände nicht oder nicht vollständig bedeckt sind, und anschließend oder gleichzeitig die Trenneinheit unter den Dampfdruck des Trennmittels evakuiert werden, wodurch das flüssige Trennmittel wiederum bei seinem Dampfdruck zumindest teilweise in eine gasförmige Phase übergeht und ohne Beeinflussung von Kapillarkräften zu jedem beliebigen Punkt bzw. Ort der aufzulösenden Verbindung gelangt.
  • Vorzugsweise kann in einem weiteren Schritt das zumindest teilweise verbrauchte Trennmittel entfernt und der Vorgang mehrfach wiederholt werden, wodurch sich der Trennvorgang weiter beschleunigen lässt.
  • Alternativ zum vorstehend beschriebenen Trennverfahren, bei dem im Wesentlichen ein gasförmiges Trennmittel verwendet wird, kann auch ein flüssiges Trennmittel unter Verwendung eines Überdrucks eingesetzt werden. Gemäß diesem alternativen Trennverfahren wird nach dem Bereitstellen der zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände in einer Trenneinheit diese zunächst unter den Dampfdruck des Trennmittels evakuiert und anschließend flüssiges Trennmittel bis zu einem Pegelstand zugeführt, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände vollständig bedeckt sind. Anschließend wird ein Überdruck in der Trenneinheit erzeugt und eine Auflösung der Verbindung zum Trennen der scheibenförmigen Gegenstände durchgeführt. In diesem Fall werden die in einem Hohlraumsystem zurückbleibenden Luft- bzw. Gasbläschen durch den Überdruck so weit zusammengedrückt bzw. verringert, dass an jeder Stelle der Verbindung das Trennmittel angreifen kann, um die Verbindung schnell und effektiv aufzulösen.
  • Der Überdruck beträgt vorzugsweise 2 bis 10 × 105 Pascal, wobei wiederum ein Entfernen des zumindest teilweise verbrauchten Trennmittels zusätzlich durchgeführt und der ganze Vorgang mehrfach wiederholt werden kann.
  • Zur Realisierung einer Spülung kann darüber hinaus an Stelle des Trennmittels in den jeweiligen alternativen Verfahren Reinstwasser verwendet werden, wodurch man einen von Rückständen vollständig befreiten scheibenförmigen Gegenstand erhält.
  • Hinsichtlich der Trennvorrichtung wird vorzugsweise eine Prozesskammer mit einem Unterdruckanschluss, der mit einer Vakuumquelle verbunden ist, verwendet, wobei ein Trennmittelbehälter zum Aufbewahren des Trennmittels und eine Trenneinheit mit den darin angeordneten scheibenförmigen Gegenständen angeordnet sind. Zum Zuführen des Trennmittels in die Trenneinheit ist der Trennmittelbehälter mit der Trenneinheit über eine Trennmittelzuführeinheit und zum Abführen des Trennmittels von der Trenneinheit mit einer Trennmittelabführeinheit verbunden. Somit kann größtenteils vorhandenes Standardequipment zur Realisierung eines verbesserten Trennverfahrens verwendet werden.
  • Vorzugsweise besitzt der Trennmittelbehälter eine Verbindungseinheit zum Innenraum der Prozesskammer mit einem zusätzlichen Ventil, wodurch insbesondere bei einem Übergang von Grobvakuum auf Hochvakuum das im Trennmittelbehälter befindliche Trennmittel nicht zu sieden beginnt.
  • Über einen zusätzlichen Überdruckanschluss, der mit einer Druckluftquelle verbunden ist, kann die Prozesskammer auch das alternative Verfahren realisieren, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände vollständig vom Trennmittel bedeckt bzw. umgeben sind.
  • In den weiteren Unteransprüchen sind weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gekennzeichnet.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.
  • Es zeigen:
  • Fig. 1 eine vereinfachte Darstellung zur Veranschaulichung einer Kapillarwirkung bei hydrophilen Oberflächen;
  • Fig. 2 eine vereinfachte Darstellung zur Veranschaulichung einer Kapillarwirkung bei hydrophoben Oberflächen;
  • Fig. 3 eine vereinfachte Darstellung einer erfindungsgemäßen Trennvorrichtung; und
  • Fig. 4 eine vereinfachte Ausschnittvergrößerung der scheibenförmigen Gegenstände gemäß Fig. 3.
  • Zunächst werden zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung anhand von Fig. 1 und 2 die unterschiedlichen Kappillarwirkungen von hydrophilen und hydrophoben Oberflächen beschrieben, die im Wesentlichen ein Grund für die langsame oder mangelhafte Trennung bei scheibenförmigen Gegenständen wie beispielsweise Halbleiterwafern sind.
  • Gemäß Fig. 1 sind bei hydrophilen Oberflächen, wie z. B. einer SiO2-Oberfläche die Oberflächenspannung einer jeweiligen Flüssigkeit wie beispielsweise eines Trennmittels kleiner als die Adhäsion (Haftkräfte) zwischen der Flüssigkeit und dem Festkörper bzw. der SiO2-Oberfläche, so dass sich auf ebenen Oberflächen eine vollständige Benetzung ergibt, während in kapillaren Hohlraumsystemen K ein Flüssigkeitspegel innerhalb der Kapillare K höher ist als außerhalb der Kapillare.
  • Andererseits ist gemäß Fig. 2 bei hydrophoben Oberflächen wie beispielsweise einer Si-Oberfläche eine Oberflächenspannung der Flüssigkeit bzw. eines verwendeten Trennmittels größer als die Adhäsion zwischen Flüssigkeit und Festkörper, d. h. Si-Oberfläche, wodurch sich auf einer ebenen Oberfläche eine Tropfenbildung ergibt und in einem kapillaren Hohlraumsystem K gemäß Fig. 2 ein Flüssigkeitspegel innerhalb der Kapillare K tiefer liegt als ein Flüssigkeitspegel außerhalb der Kapillare.
  • Bei den in der Halbleiterfertigung üblicherweise verwendeten scheibenförmigen Gegenständen handelt es sich zumeist um Si- Halbleiterwafer, die beispielsweise über ein Hohlraumsystem und eine Flüssigglasverbindung miteinander verbunden sind. Bei der Flüssigglasverbindung handelt es sich vorzugsweise um eine hochtemperaturfeste oxidische Verbindung (SiO2), wie sie beispielsweise aus einer Flüssigglasverbindung hergestellt werden kann.
  • Insbesondere Methylsilsesquioxan in Butanol (als Alkohol) verdünnt ist zur Realisierung einer derartigen oxidischen Verbindung geeignet, wobei sie beispielsweise mit einer Drehzahl von ca. 500 U/min auf mindestens einen der beiden Wafer aufgeschleudert wird und sodann bei ca. 75 Grad Celsius auf einer Heizplatte dem Großteil des Butanols Gelegenheit gegeben wird zu verdunsten. In einem nachfolgenden Schritt werden die beiden Wafer in Kontakt gebracht und unter Einwirkung einer gleichmäßigen Druckkraft und einer Temperaturbehandlung von mindestens 300 Grad Celsius zusammengefügt, um die eigentliche oxidische Verbindung zu realisieren.
  • Bei einem Trennvorgang ergeben sich jedoch dadurch nachteilige Eigenschaften. Während in einem Teilbereich der zu trennenden Wafer bzw. scheibenförmigen Gegenstände noch ausreichend oxidische Verbindung (SiO2) bzw. hydrophiles Oberflächenmaterial vorhanden ist und somit gemäß Fig. 1 die Kapillarwirkung den Trennvorgang sogar unterstützt, kann in einem anderen Bereich die oxidische Verbindung bzw. das SiO2 bereits vollständig entfernt worden sein und nur noch ein Si- Oberflächenmaterial vorliegen, wodurch sich ein Zustand gemäß Fig. 2 einstellt und die Kapillarwirkung somit ein Voranschreiten des Trennvorgangs verhindert. Der Trennvorgang wird demzufolge erschwert bzw. verschlechtert.
  • Nachfolgend wird nunmehr eine Vorrichtung und ein Verfahren beschrieben, wie diese in einem Kapillar-Hohlraumsystem zwischen zwei verbundenen scheibenförmigen Gegenständen bzw. Wafern vorliegenden Effekte verhindert bzw. kompensiert werden können, damit Wafer schnell und effektiv vorzugsweise in einem Batch-Prozess voneinander getrennt werden können.
  • Fig. 3 zeigt eine vereinfachte Darstellung einer erfindungsgemäßen Trennvorrichtung, wie sie beispielsweise zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet werden kann.
  • Gemäß Fig. 3 befindet sich hierbei in einer Prozesskammer 1, wie beispielsweise einem Autoklaven, ein Ätzbecken bzw. eine Trenneinheit 2, in dem die zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände 6 angeordnet sind. Über einen Trennmittelbehälter bzw. Tank 11 kann mittels einer aus einem Zuführanschluss 10, einer steuerbaren Pumpe 13 und einem steuerbaren Ventil 12 bestehende Trennmittelzuführeinheit variabel ein Pegelstand 3a oder 3b eines verwendeten Trennmittels wie beispielsweise einer Ätzflüssigkeit befüllt werden. Ferner kann über eine aus einer Abführleitung bzw. Bypass 9 und einem steuerbaren Ventil 15 bestehende Trennmittelabführeinheit das Trennmittel bzw. die Ätzflüssigkeit 3 vom Ätzbecken 2 wieder in den Tank 11 zurückgeführt werden.
  • Über einen Unterdruckanschluss bzw. Stutzen 4 wird der Autoklav 1 an eine nicht dargestellte Vakuumquelle angeschlossen, wodurch sich innerhalb des Autoklaven bzw. der Prozesskammer 1 ein Grobvakuum (Dampfdruck z. B. 2000-105 Pascal) oder Hochvakuum (0-0,1 Pascal) einstellen lässt. Damit beim Übergang von beispielsweise Grobvakuum auf Hochvakuum die im Tank 11 befindliche Ätzflüssigkeit 3 nicht zu sieden beginnt, befindet sich als Verbindungseinheit zum Innenraum 8 des Autoklaven 1 auf dem Deckel des Tanks 11 ein zusätzliches Ventil 14, wodurch der Tank 11 mit dem Innenraum 8 des Autoklaven 1 wahlweise verbunden werden kann oder nicht.
  • Obwohl die Ätzflüssigkeit 3 vorzugsweise über die Abführleitung bzw. den Bypass 9 durch Schwerkraft nach Verwendung im Ätzbecken 2 wieder in den Tank 11 zurückfließt, kann sie auch über die Trennmittelzuführeinheit bzw. die Pumpe 13 abgepumpt werden.
  • Zum Anordnen der scheibenförmigen Gegenstände bzw. Halbleiterwafer 6 innerhalb des Trenn- bzw. Ätzbeckens 2 werden beispielsweise Kunststoffhorden zum senkrechten Positionieren der Wafer im Abstand von einigen Millimetern verwendet, wodurch sich sogenannte Batch-Prozesse realisieren lassen, bei denen 50 oder mehr Waferpaare gleichzeitig bearbeitet werden können. Bei den scheibenförmigen Gegenständen 6 handelt es sich vorzugsweise um Si-Halbleiterwafer, die beispielsweise einen ultradünnen Produktwafer und einen zugehörigen Trägerwafer darstellen.
  • Fig. 4 zeigt eine Ausschnittvergrößerung A eines derartigen Waferpaars zur Veranschaulichung eines dazwischenliegenden Hohlraumsystems 7 und der vorstehend beschriebenen oxidischen Verbindung V. Das Hohlraumsystem 7 kann hierbei bereits ein System von Kapillaren darstellen, wobei dies jedoch nicht zwingend erforderlich ist. Spätestens beim Entfernen der Verbindung V entsteht jedoch ein Kapillarsystem zwischen den beiden Wafern 6, wodurch die vorstehend beschriebenen Kapillarwirkungen zum Tragen kommen.
  • Ferner bzw. optional kann die Trennvorrichtung gemäß Fig. 3 einen zusätzlichen Überdruckanschluss 5 in der Prozesskammer 1 aufweisen, der mit einer nicht dargestellten Druckluftquelle verbunden ist. Auf diese Weise kann auch ein Trennvorgang bei vollständig mit Ätzflüssigkeit bedeckten Wafern effektiv durchgeführt werden.
    • Erstes Ausführungsbeispiel
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen den scheibenförmigen Gegenständen 6 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • Zunächst werden im Ätzbecken bzw. der Trenneinheit 2 die zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände bzw. Waferpaare 6 bereitgestellt, wobei vorzugsweise in einem Batch-Prozess 50oder mehr Waferpaare gleichzeitig in einer Kunststoffhorde senkrecht im Abstand von einigen Millimetern positioniert werden. Anschließend wird ein gasförmiges Trennmittel im Ätzbecken bzw. dem Autoklaven 1 zugeführt und eine Umgebungsbedingung derart eingestellt, dass sich eine kondensationsbedingte Auflösung der Verbindung V zum zumindest teilweisen Trennen der scheibenförmigen Gegenstände 6 einstellt. Durch die Verwendung eines gasförmigen Trennmittels kann das Ätzmittel problemlos in das Hohlraumsystem 7 bzw. ein eventuell entstehendes Kapillarsystem eindringen und an den Orten der Verbindung V kondensieren bzw. eine Tröpfchenbildung realisieren, wodurch eine Auflösung der Verbindung V ermöglicht wird. Die nachteiligen Kapillarwirkungen insbesondere bei hydrophoben Oberflächenmaterialien können somit zuverlässig verhindert werden.
  • Zum Bereitstellen des gasförmigen Ätzmittels kann beispielsweise zunächst beispielsweise bei Raumtemperatur ein Feinvakuum (Dampfdruck z. B. 2000-0,1 Pascal) über den Unterdruckanschluss 4 und die nicht dargestellte Vakuumquelle im Autoklaven 1 erzeugt werden, welches vorzugsweise unterhalb dem Dampfdruck des Trennmittels bzw. der Ätzflüssigkeit liegt. Als Ätzflüssigkeit wird beispielsweise eine 5% bis 40% HF- Lösung verwendet, wobei vorzugsweise eine zu 20% verdünnte Flusssäurelösung verwendet wird.
  • Der Dampfdruck dieser Flüssigkeit liegt bei ca. 2000 Pascal (20 mbar) und stellt im Wesentlichen die Grenze zwischen dem Feinvakuum und dem Grobvakuum dar. Anschließend wird der Unterdruckanschluss 4 über ein nicht dargestelltes Ventil geschlossen und der Boden des Ätzbeckens 2 mit der Ätzflüssigkeit 3 über die Trennmittelzuführeinheit bzw. die Pumpe 13, den Anschluss 10 und das Ventil 12 befüllt. Genauer gesagt wird bis zu einem ersten Pegelstand 3a das Ätzbecken 2 mit Ätzflüssigkeit 3 befüllt, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände 6 nicht oder zumindest nicht vollständig bedeckt sind.
  • Auf Grund des angelegten Vakuums im Autoklaven 1 und der zugeführten Ätzflüssigkeit 3 erfolgt nunmehr eine Verdampfung bzw. Umwandlung des flüssigen Ätzmittels 3 in eine gasförmige Phase bei seinem Dampfdruck, wodurch zumindest das Ätzbecken 2 mit einem Ätzdampf ausgefüllt ist, der auch bis in das kleinste Hohlraumsystem 7 einfach und schnell vordringen kann.
  • An der zu lösenden Verbindung V erfolgt nunmehr bei diesen Umgebungsbedingungen eine Kondensation des Ätzdampfes, wobei unter Verwendung der entstehenden Ätztröpfchen die Verbindung V aufgelöst wird. Anschließend wird die zumindest teilweise verbrauchte Ätzflüssigkeit wieder in den Tank 11 zurückgepumpt oder über das Ventil 15 und den Bypass 9 mittels Schwerkraft in den Tank 11 zurück geleitet. Der Tank 11 wird anschließend hermetisch verschlossen, wobei die vorstehend beschriebenen Schritte so lange wiederholt werden können, bis die Wafertrennung abgeschlossen ist.
  • In gleicher Weise kann auch zunächst das Trennmittel bzw. die Ätzflüssigkeit 3 vom Tank 11 in das Ätzbecken 2 bis zum ersten Pegelstand 3a eingebracht und anschließend oder gleichzeitig der Autoklav 1 auf einen Druck unterhalb des Dampfdrucks des Ätzmittels evakuiert werden, wodurch wiederum die Ätzflüssigkeit bzw. die Flusssäurelösung bei ihrem Dampfdruck zumindest teilweise in eine gasförmige Phase übergeht und bis in die letzten Hohlräume des Hohlraumsystems 7 vordringen kann.
  • Das Rückführen des zumindest teilweise verbrauchten Ätzmittels bzw. der Ätzflüssigkeit stellt insbesondere bei Verwendung von Flusssäure keine Probleme dar, da der Verbrauch nur sehr gering ist. Auf diese Weise können insbesondere ein Ätzmittelverbrauch und damit die Kosten reduziert werden. Wiederum können auch bei dieser Alternative die beschriebenen Schritte mehrfach wiederholt werden, wodurch sich der Trennvorgang auch beschleunigen lässt. Zum Evakuieren des Autoklaven bzw. der Prozesskammer 1 wird beispielsweise von der nicht dargestellten Vakuumquelle ein Druck von 10 bis 100 Pascal (0,1 bis 1 mbar) erzeugt, wodurch man ausreichend unterhalb des Dampfdrucks der Flusssäurelösung liegt, der ca. 2000 Pascal (20 mbar) beträgt.
    • Zweites Ausführungsbeispiel
  • Alternativ zum vorstehend beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel, bei dem im Wesentlichen ein gasförmiges Trennmittel zur Überwindung der Kapillarwirkungen verwendet wird, kann mit der erfindungsgemäßen Trennvorrichtung auch eine Ätzflüssigkeit unmittelbar für das Trennen der Verbindung verwendet werden.
  • Gemäß Fig. 3 ist hierfür jedoch ein zusätzlicher Überdruckanschluss 5 zum Verbinden der Prozesskammer bzw. des Autoklaven 1 mit einer nicht dargestellten Druckluftquelle notwendig.
  • Beim Durchführen des Trennverfahrens gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel wird wiederum die Prozesskammer unter den Dampfdruck des Trennmittels bzw. der Ätzflüssigkeit 3 mittels des Unterdruckanschlusses 4 und der nicht dargestellten Vakuumquelle evakuiert, jedoch anschließend bei geschlossenem Unterdruckanschluss 4 das Trennmittel 3 bzw. die Ätzflüssigkeit bis zu einem zweiten Pegelstand 3b in das Ätzbecken 2 zugeführt, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände 6 vollständig bedeckt, bzw. von Ätzflüssigkeit umgeben sind. Auf Grund der vorstehend beschriebenen Kapillarwirkungen kann es bei diesem Zustand in einem Hohlraumsystem 7 zwischen den zu trennenden Wafern 6 eine Vielzahl von Luftbläschen geben, die ein Einwirken auf die Verbindung und damit das Auflösen der Verbindung verhindern bzw. beeinträchtigen.
  • Demzufolge wird anschließen über den Überdruckanschluss 5 und die daran angeschaltete nicht dargestellte Druckluftquelle ein Überdruck in der Prozesskammer 1 und somit eine Beaufschlagung der die Flüssigkeit umgebenden Atmosphäre durchgeführt, wodurch die im Hohlraumsystem 7 eventuell vorhandenen Gas- bzw. Luftbläschen verringert bzw. eliminiert werden und ein unmittelbares Auflösen der Verbindung zum zumindest teilweisen Trennen der scheibenförmigen Gegenstände 6 eintreten kann.
  • Anschließend kann die Prozesskammer 1 wieder belüftet und die zumindest teilweise verbrauchte Ätzflüssigkeit 3 über den Bypass 9 sowie das Ventil 15 zurückgeleitet oder über die Pumpe 13 zurückgepumpt werden. Abschließend wird der Tank 11 wieder hermetisch verschlossen. Die vorstehend beschriebene Prozessfolge kann so lange wiederholt werden, bis die Wafertrennung beendet ist, wobei durch eine Wiederholung auch eine Beschleunigung auf Grund der Zufuhr von frischer Ätzflüssigkeit erreicht werden kann.
  • Der in der Prozesskammer 1 zusätzlich erzeugte Überdruck zum Verringern der Luftbläschen im Kapillarsystem 7 liegt vorzugsweise in einem Bereich von 2 × 105 bis 10 × 105 Pascal (2 bis 10 bar).
  • Darüber hinaus kann zur Beseitigung von Schmutz bzw. Ätzmittelresten eine Spülung der Wafer 6 durchgeführt werden, wobei vorzugsweise unter Verwendung des gleichen Systems an Stelle des Trennmittels bzw. der Ätzflüssigkeit 3 Reinstwasser in das Ätzbecken 2 eingebracht wird, wobei wiederum eine wiederholte Durchführung zur Realisierung einer beliebigen Anzahl von Spülzyklen die Reinigung verbessert.
  • Die Erfindung wurde vorstehend anhand von Si-Halbleiterwafern als scheibenförmige Gegenstände und von verdünnter Flusssäure als Trennmittel beschrieben, wobei die oxidische Verbindung eine hydrophile Oberfläche und die reinen Si-Wafer eine hydrophobe Oberfläche darstellen. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und umfasst in gleicher Weise alternative scheibenförmige Gegenstände, die mit alternativen Verbindungsmaterialien ein Kapillarsystem mit hydrophilen und/oder hydrophoben Oberflächen ausbilden und somit Probleme beim Trennen mittels flüssigen Trennmitteln beinhalten. Bezugszeichenliste 1 Prozesskammer
    2 Trenneinheit
    3 Trennmittel
    4 Unterdruckanschluss
    5 Überdruckanschluss
    6 scheibenförmige Gegenstände
    7 Hohlraumsystem
    8 Innenraum der Prozesskammer
    9 Bypass
    10 Zuführanschluss
    11 Tank
    12, 14, 15 Ventil
    13 Pumpe
    V Verbindung
    K Kapillare

Claims (23)

1. Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen (6) mit den Schritten:
a) Bereitstellen der zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände in einer Trenneinheit (2);
b) Bereitstellen eines gasförmigen Trennmittels (3) in der Trenneinheit (2); und
c) Durchführen einer kondensationsbedingten Auflösung der Verbindung (V) zum zumindest teilweisen Trennen der scheibenförmigen Gegenstände (6).
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt b) die Trenneinheit (2) unter den Dampfdruck des Trennmittels (3) evakuiert wird und anschließend das Trennmittel (3) in flüssiger Phase bis zu einem ersten Pegelstand (3a) der Trenneinheit (2) zugeführt wird, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände (6) nicht oder nicht vollständig bedeckt sind.
3. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt b) das Trennmittel (3) in flüssiger Phase bis zu einem ersten Pegelstand (3a) der Trenneinheit (2) zugeführt wird, bei dem die scheibenförmigen Gegenstände (6) nicht oder nicht vollständig bedeckt sind, und anschließend oder gleichzeitig die Trenneinheit (2) unter den Dampfdruck des Trennmittels (3) evakuiert wird.
4. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt d) Entfernen des zumindest teilweise verbrauchten Trennmittels (3) aus der Trenneinheit (2).
5. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte b) und c) mehrfach wiederholt werden.
6. Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen (6) mit den Schritten:
a) Evakuieren einer Trenneinheit (2) unter den Dampfdruck eines Trennmittels (3);
b) Bereitstellen des Trennmittels (3) in der Trenneinheit (2) bis zu einem zweiten Pegelstand (3b), bei dem die scheibenförmigen Gegenstände (6) vollständig bedeckt sind;
c) Erzeugen eines Überdrucks in der Trenneinheit (2); und
d) Durchführen einer unmittelbaren Auflösung der Verbindung (V) zum zumindest teilweisen Trennen der scheibenförmigen Gegenstände (6).
7. Verfahren nach Patentanspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) ein Überdruck von 2 bis 10 × 105 Pascal erzeugt wird.
8. Verfahren nach Patentanspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch die weiteren Schritte:
a) Belüften der Trenneinheit (2); und
b) Entfernen des zumindest teilweise verbrauchten Trennmittels (3) aus der Trenneinheit (2).
9. Verfahren nach einem der Patentansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte a) bis f) mehrfach wiederholt werden.
10. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Trenneinheit ein Ätzbecken (2) in einem Autoklaven (1) aufweist.
11. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Trennmittel (3) Flusssäure aufweist.
12. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung (V) eine oxidische Verbindung darstellt.
13. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die scheibenförmigen Gegenstände (6) einen Produkt- und einen Trägerwafer darstellen.
14. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zum Evakuieren unter den Dampfdruck des Trennmittels (3) ein Druck von 10 bis 100 Pascal erzeugt wird.
15. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 14, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt des Durchführens einer beliebigen Anzahl von Spülzyklen, wobei an Stelle des Trennmittels (3) Reinstwasser verwendet wird.
16. Vorrichtung zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen (6) mit
einer Prozesskammer (1), die über einen Unterdruckanschluss (4) mit einer Vakuumquelle verbindbar ist;
einem Trennmittelbehälter (11) zum Aufbewahren eines Trennmittels (3);
einer Trenneinheit (2), in der die zu trennenden scheibenförmigen Gegenstände (6) angeordnet sind;
einer Trennmittelzuführeinheit (10, 12, 13) zum Zuführen des Trennmittels (3) in die Trenneinheit (2); und
einer Trennmittelabführeinheit (9, 15) zum Abführen des Trennmittels von der Trenneinheit.
17. Vorrichtung nach Patentanspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennmittelzuführeinheit einen Zuführanschluss (10), eine steuerbare Pumpe (13) und ein steuerbares Ventil (12) aufweist.
18. Vorrichtung nach Patentanspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennmittelabführeinheit einen Abführleitung (9) und ein steuerbares Ventil (15) aufweist.
19. Vorrichtung nach einem der Patentansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Trennmittelbehälter (11) eine Verbindungseinheit (14) zum Innenraum (8) der Prozesskammer (1) aufweist.
20. Vorrichtung nach Patentanspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungseinheit ein Ventil (14) aufweist.
21. Vorrichtung nach einem der Patentansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesskammer (1) ferner über einen Überdruckanschluss (5) mit einer Druckluftquelle verbindbar ist.
22. Vorrichtung nach einem der Patentansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Trenneinheit ein Ätzbecken (2) und das Trennmittel (3) Flusssäure aufweist.
23. Vorrichtung nach einem der Patentansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Trenneinheit (2) Kunststoffhorden zum senkrechten Positionieren der scheibenförmigen Gegenstände im Abstand von einigen Millimetern aufweist.
DE2002107558 2002-02-22 2002-02-22 Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen Expired - Fee Related DE10207558B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002107558 DE10207558B4 (de) 2002-02-22 2002-02-22 Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002107558 DE10207558B4 (de) 2002-02-22 2002-02-22 Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10207558A1 true DE10207558A1 (de) 2003-09-11
DE10207558B4 DE10207558B4 (de) 2006-03-02

Family

ID=27740324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002107558 Expired - Fee Related DE10207558B4 (de) 2002-02-22 2002-02-22 Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10207558B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116995003A (zh) * 2023-09-28 2023-11-03 威海奥牧智能科技有限公司 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20318462U1 (de) 2003-11-26 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer Halbleiterbauelemente auf einem Trägersystem zur Behandlung der Halbleiterbauelemente mit einem flüssigen Medium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180825A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Hitachi Ltd 液体処理装置
JPH0422125A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの湿式処理方法
JPH08148465A (ja) * 1994-11-16 1996-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE19941042A1 (de) * 1999-08-28 2001-03-15 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flußsäurehaltigen Ätzmedium
US6261969B1 (en) * 1996-03-18 2001-07-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor apparatus and apparatus thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19840421C2 (de) * 1998-06-22 2000-05-31 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Fertigung von dünnen Substratschichten und eine dafür geeignete Substratanordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180825A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Hitachi Ltd 液体処理装置
JPH0422125A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの湿式処理方法
JPH08148465A (ja) * 1994-11-16 1996-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6261969B1 (en) * 1996-03-18 2001-07-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor apparatus and apparatus thereof
DE19941042A1 (de) * 1999-08-28 2001-03-15 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flußsäurehaltigen Ätzmedium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116995003A (zh) * 2023-09-28 2023-11-03 威海奥牧智能科技有限公司 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法
CN116995003B (zh) * 2023-09-28 2023-12-15 威海奥牧智能科技有限公司 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10207558B4 (de) 2006-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10019472B4 (de) Reinigungsvorrichtung
DE69530118T2 (de) Reinigung von halbleitern unter ultraniedrigen partikelgehaltsbedingungen
EP1369904B1 (de) Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
DE102007047437B4 (de) Substratbearbeitungsverfahren, Substratbearbeitungseinrichtung und Speichermedium
DE69927840T2 (de) Verfahren zum reinigen der oberflächen von dielektrischen polymerischen halbleiterscheiben mit niedrigem k-wert
DE112011102435B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zusammenbonden von zwei Wafern durch Molekularadhäsion
DE102019217967A1 (de) Waferherstellungsverfahren
DE102014215187B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines geschichteten Wafers
DE102005047152A1 (de) Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
EP3590130A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bonden von chips
DE19806406C1 (de) Verfahren zum Rauhätzen einer Halbleiter-Oberfläche
DE102006007431A1 (de) Durch Halbleitersilizium-Verfahrenstechnik gebildeter Probenträger
DE60031852T2 (de) Verfahren und system zur reinigung eines wafers nach chemisch- mechanischem polieren oder plasmabehandlung
DE10207558A1 (de) Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung
DE112010003101B4 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers
DE10296931T5 (de) Plasmabehandlungseinrichtung, Plasmabehandlungsverfahren, und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
AT516576A2 (de) Verfahren zum Verbinden von zwei Substraten
DE69632107T2 (de) Reinigungslösung für Halbleiteranordnung und Reinigungsmethode
DE102018206978A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
DE102017111618B4 (de) Vorrichtung, System und Verfahren zur Trocknung einer Halbleiterscheibe
DE102020206233B3 (de) Verfahren zum herstellen eines substrats und system zum herstellen eines substrats
EP0230903A2 (de) Verfahren zur Reinigung von Aluminiumbehältern
DE3335395A1 (de) Verfahren zur verarbeitung von halbleiterbauelementen
DE102018206980A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats
DE10238601A1 (de) Handhabungswafer zur Handhabung von Substraten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee