JPS6180825A - 液体処理装置 - Google Patents
液体処理装置Info
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- JPS6180825A JPS6180825A JP59201750A JP20175084A JPS6180825A JP S6180825 A JPS6180825 A JP S6180825A JP 59201750 A JP59201750 A JP 59201750A JP 20175084 A JP20175084 A JP 20175084A JP S6180825 A JPS6180825 A JP S6180825A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体薄板(ウェハ)のような物品のエツチン
グ、洗浄等を行う液体処理装置に関する。
グ、洗浄等を行う液体処理装置に関する。
半導体装置の製造におけるウェハ処理工程にあっては、
ホトレジスト処理によってエツチングマスクを形成した
ウェハをエツチング液に浸し、所望部分をエツチングす
る方法が用いられている。
ホトレジスト処理によってエツチングマスクを形成した
ウェハをエツチング液に浸し、所望部分をエツチングす
る方法が用いられている。
たとえば、ウェハの表面に設けられたアルミニウム膜(
/l)を部分的にエツチングして電極(配線層)を形成
する装置として、エツチングハラツキ低減によるエツチ
ング精度向上のために、減圧下でエツチングする装置が
知られている(減圧エツチング装置としては、たとえば
、工業調査会発行[電子材料J 1983年3月号、昭
和58年3月1日発行、P91〜P95に記載されてい
るように、自動終点検出式ウェット式アルミエツチング
装置が知られている。)。
/l)を部分的にエツチングして電極(配線層)を形成
する装置として、エツチングハラツキ低減によるエツチ
ング精度向上のために、減圧下でエツチングする装置が
知られている(減圧エツチング装置としては、たとえば
、工業調査会発行[電子材料J 1983年3月号、昭
和58年3月1日発行、P91〜P95に記載されてい
るように、自動終点検出式ウェット式アルミエツチング
装置が知られている。)。
本発明は前記エツチング装置と同様により高いエツチン
グ精度向上を希求する結果、生まれたものである。
グ精度向上を希求する結果、生まれたものである。
本発明の目的は均一な液体処理が行えるエツチング装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は均一なエツチング処理、特に被処理
物の被保持部分が適格にエツチング処理できるエツチン
グ装置を提供することにある。
物の被保持部分が適格にエツチング処理できるエツチン
グ装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を面単に説明すれば、下記のとおりである。
を面単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明のエツチング装置にあっては、ウェハ
はカートリッジに収容されて減圧室に臨むエツチング液
中に浸漬されてエツチングされるとともに、エツチング
槽の底の放出孔から放出される窒素ガスの気泡がエツチ
ング液を攪拌するようになっているため、カートリッジ
の収容溝に挿入されたウェハ周縁部分は勿論のこと、ウ
ェハの全面は均一にエツチングされ、高精度のエツチン
グが達成できる。
はカートリッジに収容されて減圧室に臨むエツチング液
中に浸漬されてエツチングされるとともに、エツチング
槽の底の放出孔から放出される窒素ガスの気泡がエツチ
ング液を攪拌するようになっているため、カートリッジ
の収容溝に挿入されたウェハ周縁部分は勿論のこと、ウ
ェハの全面は均一にエツチングされ、高精度のエツチン
グが達成できる。
第1図は本発明の一実施例によるエツチング装置の概要
を示す断面図、第2図は同じく気泡発生部分を示す斜視
図である。
を示す断面図、第2図は同じく気泡発生部分を示す斜視
図である。
この実施例のエツチング装置は、第1図で示されるよう
に、上方が開口した箱状のエツチング槽1を有している
。このエツチング槽1の上部開口部には、昇降可能な蓋
体2が取付けられている。
に、上方が開口した箱状のエツチング槽1を有している
。このエツチング槽1の上部開口部には、昇降可能な蓋
体2が取付けられている。
この蓋体2はその下面(裏面)に2本の懸架アーム3を
有している。この懸架アーム3には、第2図で示される
ように、ウェハ4を複数収容したカートリッジ(エツチ
ング用治具)5を保持する保持体6が引っ掛けられるよ
うになっている。したかって、前記懸架アーム3にウェ
ハ4を収容したカートリッジ5を引っ掛け、懸架アーム
3にカートリフジ5を取付けると、ウェハ4はエツチン
グ槽1内に入れられたエツチング液7中に浸漬されるよ
うになっている。
有している。この懸架アーム3には、第2図で示される
ように、ウェハ4を複数収容したカートリッジ(エツチ
ング用治具)5を保持する保持体6が引っ掛けられるよ
うになっている。したかって、前記懸架アーム3にウェ
ハ4を収容したカートリッジ5を引っ掛け、懸架アーム
3にカートリフジ5を取付けると、ウェハ4はエツチン
グ槽1内に入れられたエツチング液7中に浸漬されるよ
うになっている。
一方、前記蓋体2とエツチング槽1とによって形成され
たエツチング液7の液面上の空間(減圧室)8を減圧状
態とするための減圧機構として、蓋体2には真空ポンプ
9に繋がる排気室10およ 1びコッ
ク11を有する管12が設けられている。
たエツチング液7の液面上の空間(減圧室)8を減圧状
態とするための減圧機構として、蓋体2には真空ポンプ
9に繋がる排気室10およ 1びコッ
ク11を有する管12が設けられている。
前記減圧室8はコック11を閉じ、真空ポンプ9を作動
させることによって、所望の真空度(たとえば、20〜
50To r r)となる。
させることによって、所望の真空度(たとえば、20〜
50To r r)となる。
他方、前記エツチング槽1の底には、温度設定器13が
配設されている。この温度設定器13は前記エツチング
液7を所望温度に制御するようになっている。また、エ
ツチング槽lの底には空洞管14が配設されている。こ
の空洞管14はその上部にQ、3mm中と極めて小さな
放出孔15が複数設けられているとともに、エツチング
槽lの外に延在する供給管16から窒素(N2)ガスが
送り込まれるようになっている。空洞管14は第2図で
示されるように、2木の石英管17およびこれを機械的
に連結する連結体18とからなっている。また、2本の
石英管17はそれぞれカートリッジ5のウェハ4を収容
する一対の収容溝19の配列に沿って延在している。ま
た、石英管17の上部に穿たれた放出孔15は各収容溝
19の真下に位置している。したがって、放出孔15の
ピンチは収容溝19のピッチaと同一となっている。
配設されている。この温度設定器13は前記エツチング
液7を所望温度に制御するようになっている。また、エ
ツチング槽lの底には空洞管14が配設されている。こ
の空洞管14はその上部にQ、3mm中と極めて小さな
放出孔15が複数設けられているとともに、エツチング
槽lの外に延在する供給管16から窒素(N2)ガスが
送り込まれるようになっている。空洞管14は第2図で
示されるように、2木の石英管17およびこれを機械的
に連結する連結体18とからなっている。また、2本の
石英管17はそれぞれカートリッジ5のウェハ4を収容
する一対の収容溝19の配列に沿って延在している。ま
た、石英管17の上部に穿たれた放出孔15は各収容溝
19の真下に位置している。したがって、放出孔15の
ピンチは収容溝19のピッチaと同一となっている。
これは、放出孔15から放出された窒素ガスによる気泡
20がウェハ4が挿入された収容量19の部分を攪拌し
、エツチング反応によって発生した水素ガスの気泡の付
着、停滞を無くす働きを生じさせるための配慮である。
20がウェハ4が挿入された収容量19の部分を攪拌し
、エツチング反応によって発生した水素ガスの気泡の付
着、停滞を無くす働きを生じさせるための配慮である。
このようなエツチング装置にあって、ウェハ4の表面の
図示しないアルミニウム膜を部分的にエツチングする場
合、アルミニウム膜の表面を部分的にエツチングマスク
で被ったウェハ4を収容したカートリッジ5をりん酸(
H,PO,)からなるエツチング液7内に浸漬させると
ともに、真空・ポンプ9を作動させて、減圧室8を所望
の真空度とし、かつ空洞管14の放出孔15から窒素ガ
スを放出させなからウェハ4の表面に露出したアルミニ
ウム膜をエツチングする。アルミニウム膜は次式の反応
式で示される反応によってエツチングされる。
図示しないアルミニウム膜を部分的にエツチングする場
合、アルミニウム膜の表面を部分的にエツチングマスク
で被ったウェハ4を収容したカートリッジ5をりん酸(
H,PO,)からなるエツチング液7内に浸漬させると
ともに、真空・ポンプ9を作動させて、減圧室8を所望
の真空度とし、かつ空洞管14の放出孔15から窒素ガ
スを放出させなからウェハ4の表面に露出したアルミニ
ウム膜をエツチングする。アルミニウム膜は次式の反応
式で示される反応によってエツチングされる。
2 H3P 04 + 2 A旦= 2 AfLP O
a + 3 Hzこの際、エツチング反応によって発生
した水素ガスは、エツチング液7が減圧された減圧室8
に臨むため、効果的にエツチング液7内から除去され、
エツチング効果が高くなる。また、放出孔15から放出
された窒素ガスは減圧下にあることから、放出孔15を
出ると膨張して、ウェハ4を支持するカートリッジ5の
収容溝19部分に達するため、収容溝19部分のエツチ
ング液7は激しく攪拌され、ウェハ4の収容溝19によ
って支持される周縁部分は適格にエツチングされる。な
お、このエツチング装置は、減圧下で気泡(バブル)の
供給が行われることから、気泡20発生のために消費さ
れる窒素ガスの使用ff1(0,5〜1.On/分)が
少なくなる効果もある。
a + 3 Hzこの際、エツチング反応によって発生
した水素ガスは、エツチング液7が減圧された減圧室8
に臨むため、効果的にエツチング液7内から除去され、
エツチング効果が高くなる。また、放出孔15から放出
された窒素ガスは減圧下にあることから、放出孔15を
出ると膨張して、ウェハ4を支持するカートリッジ5の
収容溝19部分に達するため、収容溝19部分のエツチ
ング液7は激しく攪拌され、ウェハ4の収容溝19によ
って支持される周縁部分は適格にエツチングされる。な
お、このエツチング装置は、減圧下で気泡(バブル)の
供給が行われることから、気泡20発生のために消費さ
れる窒素ガスの使用ff1(0,5〜1.On/分)が
少なくなる効果もある。
(1)本発明のエツチング装置は、減圧状態でエツチン
グ液ることから、エツチング反応時に発生したガスを短
時間の間でエツチング液7内から除く働きをするため、
エツチングが均一に行えるという効果が得られる。
グ液ることから、エツチング反応時に発生したガスを短
時間の間でエツチング液7内から除く働きをするため、
エツチングが均一に行えるという効果が得られる。
(2)本発明のエツチング装置は、エツチング時エツチ
ング[1の底の部分から窒素ガスを気泡20として供給
すること、また、この気泡20はエツチングされ難い被
保持部分に当たるように供給されること、さらには供給
された気泡20は小さな孔からなる放出孔15から出る
と、減圧作用によって膨張することから、気泡20は工
・ノチング液7を激しく攪拌しなからウェハ4の被保持
部分に当たり、うエバ4の被保持部分のエツチングが効
果的に行われるという効果が得られる。
ング[1の底の部分から窒素ガスを気泡20として供給
すること、また、この気泡20はエツチングされ難い被
保持部分に当たるように供給されること、さらには供給
された気泡20は小さな孔からなる放出孔15から出る
と、減圧作用によって膨張することから、気泡20は工
・ノチング液7を激しく攪拌しなからウェハ4の被保持
部分に当たり、うエバ4の被保持部分のエツチングが効
果的に行われるという効果が得られる。
(3)上記(1)および(2)により、本発明のエツチ
ング装置によれば、高精度のエツチングができることか
ら、微細パターンのエツチングも可能となり、半導体装
置の高集積化が達成できるという効果が得られる。
ング装置によれば、高精度のエツチングができることか
ら、微細パターンのエツチングも可能となり、半導体装
置の高集積化が達成できるという効果が得られる。
(4)上記(2)から、本発明のエツチング装置では、
窒素ガスはエツチング液7中で膨張するため、その使用
量が少な(でも充分均一なエツチングが7きる・獣が−
て・本発明″1′パ′グ装 1置
によれば、使用する窒素ガスの使用量の低減ができるた
め、エツチングコストの軽減が達成できるという効果が
得られる。
窒素ガスはエツチング液7中で膨張するため、その使用
量が少な(でも充分均一なエツチングが7きる・獣が−
て・本発明″1′パ′グ装 1置
によれば、使用する窒素ガスの使用量の低減ができるた
め、エツチングコストの軽減が達成できるという効果が
得られる。
(5)上記(1)〜(4)により、本発明によれば、高
精度のエツチングを低価格で行うことができることから
、半導体装置のコストの低減が達成できるという相乗効
果が得られる。
精度のエツチングを低価格で行うことができることから
、半導体装置のコストの低減が達成できるという相乗効
果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのエツチング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではない。たとえば、ウェハの洗浄技術に適用
しても、前記実施例同様に均一な洗浄という効果が得ら
れる。
をその背景となった利用分野であるウェハのエツチング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではない。たとえば、ウェハの洗浄技術に適用
しても、前記実施例同様に均一な洗浄という効果が得ら
れる。
本発明は少なくともエツチング、洗浄等の液体による処
理技術には適用できる。
理技術には適用できる。
第1図は本発明の一実施例によるエツチング装置の概要
を示す断面図、 第2図は同じく気泡発生部分を示す斜視図である。
を示す断面図、 第2図は同じく気泡発生部分を示す斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被処理物が浸漬される処理槽と、前記処理槽の処理
液面上の気体の圧力を制御する圧力制御機構と、前記処
理槽の底に配設されかつ気体を放出する放出孔が複数設
けられたバブル機構と、を有することを特徴とする液体
処理装置。 2、前記バブル機構における噴出孔はウェハを収容した
カートリッジにおけるウェハを挿入した収容溝の真下に
位置していることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の液体処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59201750A JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59201750A JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6180825A true JPS6180825A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16446315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59201750A Pending JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6180825A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0160532U (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-17 | ||
DE10207558A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung |
US6797063B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-09-28 | Fsi International, Inc. | Dispensing apparatus |
CN112768347A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52111747U (ja) * | 1976-02-20 | 1977-08-25 | ||
JP2008505250A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | カーディナル・シージー・カンパニー | マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット |
JP2012132039A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2013508565A (ja) * | 2009-10-26 | 2013-03-07 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201750A patent/JPS6180825A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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JP2013508565A (ja) * | 2009-10-26 | 2013-03-07 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置 |
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