JPS6180825A - 液体処理装置 - Google Patents
液体処理装置Info
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- JPS6180825A JPS6180825A JP59201750A JP20175084A JPS6180825A JP S6180825 A JPS6180825 A JP S6180825A JP 59201750 A JP59201750 A JP 59201750A JP 20175084 A JP20175084 A JP 20175084A JP S6180825 A JPS6180825 A JP S6180825A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体薄板（ウェハ）のような物品のエツチン
グ、洗浄等を行う液体処理装置に関する。
グ、洗浄等を行う液体処理装置に関する。
半導体装置の製造におけるウェハ処理工程にあっては、
ホトレジスト処理によってエツチングマスクを形成した
ウェハをエツチング液に浸し、所望部分をエツチングす
る方法が用いられている。
ホトレジスト処理によってエツチングマスクを形成した
ウェハをエツチング液に浸し、所望部分をエツチングす
る方法が用いられている。
たとえば、ウェハの表面に設けられたアルミニウム膜（
／ｌ）を部分的にエツチングして電極（配線層）を形成
する装置として、エツチングハラツキ低減によるエツチ
ング精度向上のために、減圧下でエツチングする装置が
知られている（減圧エツチング装置としては、たとえば
、工業調査会発行［電子材料Ｊ １９８３年３月号、昭
和５８年３月１日発行、Ｐ９１〜Ｐ９５に記載されてい
るように、自動終点検出式ウェット式アルミエツチング
装置が知られている。）。
／ｌ）を部分的にエツチングして電極（配線層）を形成
する装置として、エツチングハラツキ低減によるエツチ
ング精度向上のために、減圧下でエツチングする装置が
知られている（減圧エツチング装置としては、たとえば
、工業調査会発行［電子材料Ｊ １９８３年３月号、昭
和５８年３月１日発行、Ｐ９１〜Ｐ９５に記載されてい
るように、自動終点検出式ウェット式アルミエツチング
装置が知られている。）。
本発明は前記エツチング装置と同様により高いエツチン
グ精度向上を希求する結果、生まれたものである。
グ精度向上を希求する結果、生まれたものである。
本発明の目的は均一な液体処理が行えるエツチング装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は均一なエツチング処理、特に被処理
物の被保持部分が適格にエツチング処理できるエツチン
グ装置を提供することにある。
物の被保持部分が適格にエツチング処理できるエツチン
グ装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を面単に説明すれば、下記のとおりである。
を面単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明のエツチング装置にあっては、ウェハ
はカートリッジに収容されて減圧室に臨むエツチング液
中に浸漬されてエツチングされるとともに、エツチング
槽の底の放出孔から放出される窒素ガスの気泡がエツチ
ング液を攪拌するようになっているため、カートリッジ
の収容溝に挿入されたウェハ周縁部分は勿論のこと、ウ
ェハの全面は均一にエツチングされ、高精度のエツチン
グが達成できる。
はカートリッジに収容されて減圧室に臨むエツチング液
中に浸漬されてエツチングされるとともに、エツチング
槽の底の放出孔から放出される窒素ガスの気泡がエツチ
ング液を攪拌するようになっているため、カートリッジ
の収容溝に挿入されたウェハ周縁部分は勿論のこと、ウ
ェハの全面は均一にエツチングされ、高精度のエツチン
グが達成できる。
第１図は本発明の一実施例によるエツチング装置の概要
を示す断面図、第２図は同じく気泡発生部分を示す斜視
図である。
を示す断面図、第２図は同じく気泡発生部分を示す斜視
図である。
この実施例のエツチング装置は、第１図で示されるよう
に、上方が開口した箱状のエツチング槽１を有している
。このエツチング槽１の上部開口部には、昇降可能な蓋
体２が取付けられている。
に、上方が開口した箱状のエツチング槽１を有している
。このエツチング槽１の上部開口部には、昇降可能な蓋
体２が取付けられている。
この蓋体２はその下面（裏面）に２本の懸架アーム３を
有している。この懸架アーム３には、第２図で示される
ように、ウェハ４を複数収容したカートリッジ（エツチ
ング用治具）５を保持する保持体６が引っ掛けられるよ
うになっている。したかって、前記懸架アーム３にウェ
ハ４を収容したカートリッジ５を引っ掛け、懸架アーム
３にカートリフジ５を取付けると、ウェハ４はエツチン
グ槽１内に入れられたエツチング液７中に浸漬されるよ
うになっている。
有している。この懸架アーム３には、第２図で示される
ように、ウェハ４を複数収容したカートリッジ（エツチ
ング用治具）５を保持する保持体６が引っ掛けられるよ
うになっている。したかって、前記懸架アーム３にウェ
ハ４を収容したカートリッジ５を引っ掛け、懸架アーム
３にカートリフジ５を取付けると、ウェハ４はエツチン
グ槽１内に入れられたエツチング液７中に浸漬されるよ
うになっている。
一方、前記蓋体２とエツチング槽１とによって形成され
たエツチング液７の液面上の空間（減圧室）８を減圧状
態とするための減圧機構として、蓋体２には真空ポンプ
９に繋がる排気室１０およ １びコッ
ク１１を有する管１２が設けられている。
たエツチング液７の液面上の空間（減圧室）８を減圧状
態とするための減圧機構として、蓋体２には真空ポンプ
９に繋がる排気室１０およ １びコッ
ク１１を有する管１２が設けられている。
前記減圧室８はコック１１を閉じ、真空ポンプ９を作動
させることによって、所望の真空度（たとえば、２０〜
５０Ｔｏ ｒ ｒ）となる。
させることによって、所望の真空度（たとえば、２０〜
５０Ｔｏ ｒ ｒ）となる。
他方、前記エツチング槽１の底には、温度設定器１３が
配設されている。この温度設定器１３は前記エツチング
液７を所望温度に制御するようになっている。また、エ
ツチング槽ｌの底には空洞管１４が配設されている。こ
の空洞管１４はその上部にＱ、３ｍｍ中と極めて小さな
放出孔１５が複数設けられているとともに、エツチング
槽ｌの外に延在する供給管１６から窒素（Ｎ２）ガスが
送り込まれるようになっている。空洞管１４は第２図で
示されるように、２木の石英管１７およびこれを機械的
に連結する連結体１８とからなっている。また、２本の
石英管１７はそれぞれカートリッジ５のウェハ４を収容
する一対の収容溝１９の配列に沿って延在している。ま
た、石英管１７の上部に穿たれた放出孔１５は各収容溝
１９の真下に位置している。したがって、放出孔１５の
ピンチは収容溝１９のピッチａと同一となっている。
配設されている。この温度設定器１３は前記エツチング
液７を所望温度に制御するようになっている。また、エ
ツチング槽ｌの底には空洞管１４が配設されている。こ
の空洞管１４はその上部にＱ、３ｍｍ中と極めて小さな
放出孔１５が複数設けられているとともに、エツチング
槽ｌの外に延在する供給管１６から窒素（Ｎ２）ガスが
送り込まれるようになっている。空洞管１４は第２図で
示されるように、２木の石英管１７およびこれを機械的
に連結する連結体１８とからなっている。また、２本の
石英管１７はそれぞれカートリッジ５のウェハ４を収容
する一対の収容溝１９の配列に沿って延在している。ま
た、石英管１７の上部に穿たれた放出孔１５は各収容溝
１９の真下に位置している。したがって、放出孔１５の
ピンチは収容溝１９のピッチａと同一となっている。
これは、放出孔１５から放出された窒素ガスによる気泡
２０がウェハ４が挿入された収容量１９の部分を攪拌し
、エツチング反応によって発生した水素ガスの気泡の付
着、停滞を無くす働きを生じさせるための配慮である。
２０がウェハ４が挿入された収容量１９の部分を攪拌し
、エツチング反応によって発生した水素ガスの気泡の付
着、停滞を無くす働きを生じさせるための配慮である。
このようなエツチング装置にあって、ウェハ４の表面の
図示しないアルミニウム膜を部分的にエツチングする場
合、アルミニウム膜の表面を部分的にエツチングマスク
で被ったウェハ４を収容したカートリッジ５をりん酸（
Ｈ，ＰＯ，）からなるエツチング液７内に浸漬させると
ともに、真空・ポンプ９を作動させて、減圧室８を所望
の真空度とし、かつ空洞管１４の放出孔１５から窒素ガ
スを放出させなからウェハ４の表面に露出したアルミニ
ウム膜をエツチングする。アルミニウム膜は次式の反応
式で示される反応によってエツチングされる。
図示しないアルミニウム膜を部分的にエツチングする場
合、アルミニウム膜の表面を部分的にエツチングマスク
で被ったウェハ４を収容したカートリッジ５をりん酸（
Ｈ，ＰＯ，）からなるエツチング液７内に浸漬させると
ともに、真空・ポンプ９を作動させて、減圧室８を所望
の真空度とし、かつ空洞管１４の放出孔１５から窒素ガ
スを放出させなからウェハ４の表面に露出したアルミニ
ウム膜をエツチングする。アルミニウム膜は次式の反応
式で示される反応によってエツチングされる。
２ Ｈ３Ｐ ０４ ＋ ２ Ａ旦＝ ２ ＡｆＬＰ Ｏ
ａ ＋ ３ Ｈｚこの際、エツチング反応によって発生
した水素ガスは、エツチング液７が減圧された減圧室８
に臨むため、効果的にエツチング液７内から除去され、
エツチング効果が高くなる。また、放出孔１５から放出
された窒素ガスは減圧下にあることから、放出孔１５を
出ると膨張して、ウェハ４を支持するカートリッジ５の
収容溝１９部分に達するため、収容溝１９部分のエツチ
ング液７は激しく攪拌され、ウェハ４の収容溝１９によ
って支持される周縁部分は適格にエツチングされる。な
お、このエツチング装置は、減圧下で気泡（バブル）の
供給が行われることから、気泡２０発生のために消費さ
れる窒素ガスの使用ｆｆ１（０，５〜１．Ｏｎ／分）が
少なくなる効果もある。
ａ ＋ ３ Ｈｚこの際、エツチング反応によって発生
した水素ガスは、エツチング液７が減圧された減圧室８
に臨むため、効果的にエツチング液７内から除去され、
エツチング効果が高くなる。また、放出孔１５から放出
された窒素ガスは減圧下にあることから、放出孔１５を
出ると膨張して、ウェハ４を支持するカートリッジ５の
収容溝１９部分に達するため、収容溝１９部分のエツチ
ング液７は激しく攪拌され、ウェハ４の収容溝１９によ
って支持される周縁部分は適格にエツチングされる。な
お、このエツチング装置は、減圧下で気泡（バブル）の
供給が行われることから、気泡２０発生のために消費さ
れる窒素ガスの使用ｆｆ１（０，５〜１．Ｏｎ／分）が
少なくなる効果もある。
（１）本発明のエツチング装置は、減圧状態でエツチン
グ液ることから、エツチング反応時に発生したガスを短
時間の間でエツチング液７内から除く働きをするため、
エツチングが均一に行えるという効果が得られる。
グ液ることから、エツチング反応時に発生したガスを短
時間の間でエツチング液７内から除く働きをするため、
エツチングが均一に行えるという効果が得られる。
（２）本発明のエツチング装置は、エツチング時エツチ
ング［１の底の部分から窒素ガスを気泡２０として供給
すること、また、この気泡２０はエツチングされ難い被
保持部分に当たるように供給されること、さらには供給
された気泡２０は小さな孔からなる放出孔１５から出る
と、減圧作用によって膨張することから、気泡２０は工
・ノチング液７を激しく攪拌しなからウェハ４の被保持
部分に当たり、うエバ４の被保持部分のエツチングが効
果的に行われるという効果が得られる。
ング［１の底の部分から窒素ガスを気泡２０として供給
すること、また、この気泡２０はエツチングされ難い被
保持部分に当たるように供給されること、さらには供給
された気泡２０は小さな孔からなる放出孔１５から出る
と、減圧作用によって膨張することから、気泡２０は工
・ノチング液７を激しく攪拌しなからウェハ４の被保持
部分に当たり、うエバ４の被保持部分のエツチングが効
果的に行われるという効果が得られる。
（３）上記（１）および（２）により、本発明のエツチ
ング装置によれば、高精度のエツチングができることか
ら、微細パターンのエツチングも可能となり、半導体装
置の高集積化が達成できるという効果が得られる。
ング装置によれば、高精度のエツチングができることか
ら、微細パターンのエツチングも可能となり、半導体装
置の高集積化が達成できるという効果が得られる。
（４）上記（２）から、本発明のエツチング装置では、
窒素ガスはエツチング液７中で膨張するため、その使用
量が少な（でも充分均一なエツチングが７きる・獣が−
て・本発明″１′パ′グ装 １置
によれば、使用する窒素ガスの使用量の低減ができるた
め、エツチングコストの軽減が達成できるという効果が
得られる。
窒素ガスはエツチング液７中で膨張するため、その使用
量が少な（でも充分均一なエツチングが７きる・獣が−
て・本発明″１′パ′グ装 １置
によれば、使用する窒素ガスの使用量の低減ができるた
め、エツチングコストの軽減が達成できるという効果が
得られる。
（５）上記（１）〜（４）により、本発明によれば、高
精度のエツチングを低価格で行うことができることから
、半導体装置のコストの低減が達成できるという相乗効
果が得られる。
精度のエツチングを低価格で行うことができることから
、半導体装置のコストの低減が達成できるという相乗効
果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのエツチング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではない。たとえば、ウェハの洗浄技術に適用
しても、前記実施例同様に均一な洗浄という効果が得ら
れる。
をその背景となった利用分野であるウェハのエツチング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではない。たとえば、ウェハの洗浄技術に適用
しても、前記実施例同様に均一な洗浄という効果が得ら
れる。
本発明は少なくともエツチング、洗浄等の液体による処
理技術には適用できる。
理技術には適用できる。
第１図は本発明の一実施例によるエツチング装置の概要
を示す断面図、 第２図は同じく気泡発生部分を示す斜視図である。
を示す断面図、 第２図は同じく気泡発生部分を示す斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被処理物が浸漬される処理槽と、前記処理槽の処理
液面上の気体の圧力を制御する圧力制御機構と、前記処
理槽の底に配設されかつ気体を放出する放出孔が複数設
けられたバブル機構と、を有することを特徴とする液体
処理装置。 ２、前記バブル機構における噴出孔はウェハを収容した
カートリッジにおけるウェハを挿入した収容溝の真下に
位置していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の液体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201750A JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201750A JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180825A true JPS6180825A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16446315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201750A Pending JPS6180825A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 液体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10207558A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen und zugehörige Trennvorrichtung |
| US6797063B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-09-28 | Fsi International, Inc. | Dispensing apparatus |
| CN112768347A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52111747U (ja) * | 1976-02-20 | 1977-08-25 | ||
| JP2008505250A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | カーディナル・シージー・カンパニー | マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット |
| JP2012132039A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
| JP2013508565A (ja) * | 2009-10-26 | 2013-03-07 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201750A patent/JPS6180825A/ja active Pending
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