JPH04349626A - 半導体基板の引き上げ方法および引き上げ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際
して半導体基板を液体中から気体中に引き上げるための
半導体基板の引き上げ方法および引き上げ装置に関する
。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造に際しては、基板の洗
浄工程などのように、基板を液体槽中から気体中に引き
上げ、基板を乾燥させた後に次の工程に移る場合が多い
。このように半導体基板を引き上げる際、従来は、図２
あるいは図３に示すような引き上げ方法を用いている。

【０００３】即ち、図２に示す引き上げ方法では、液体
槽１内の液体２中の基板３を４本のアーム３１の基板保
持部３１ａで保持したままの状態で、アーム３１を上昇
移動させて基板３を気体中に引き上げる。なお、上記ア
ーム３１の基板保持部３１ａは石英で作られており、基
板周縁保持用の溝（図示せず）が形成されている。

【０００４】また、図３に示す引き上げ方法では、液体
槽１内の液体２中の基板３をキャリヤ４１に収納したま
まの状態で、キャリヤ４１を上昇移動させて基板３を気
体中に引き上げる。なお、上記キャリヤ４１の基板保持
部４１ａには基板周縁保持用の溝（図示せず）が形成さ
れている。

【０００５】しかし、上記したような引き上げ方法は、
アーム３１あるいはキャリヤ４１の基板保持部が液体表
面から引き上げられる時に、アーム３１の基板保持部３
１ａと基板３との間、あるいは、キャリヤ４１の基板保
持部４１ａと基板３との間、特に、基板周縁保持用の溝
に毛細管現象および液体の表面張力により液体が残留す
る。この残留液体は、基板引き上げ後の基板乾燥に際し
て基板表面上にしみを生じさせたり、ダストの増加を生
じさせる。これにより、基板面内の均一な乾燥が行われ
なくなり、乾燥時間も長くなるという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
半導体基板の引き上げ方法および引き上げ装置は、基板
保持部が液体表面から引き上げられる時に、基板保持部
と基板との間に液体が残留し、基板引き上げ後の基板乾
燥に際して基板表面上にしみやダストの増加が生じ、基
板面内の均一な乾燥が行われなくなり、乾燥時間が長く
なるという問題があった。

【０００７】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、基板を液体中から引き上げる時に基板保持部
に液体が残留することがなく、基板引き上げ後の基板乾
燥に際して基板表面上にしみやダストの増加が生じるこ
とがなく、基板面内の均一な乾燥および乾燥時間の短縮
が可能になる半導体基板の引き上げ方法および引き上げ
装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の引
き上げ方法は、半導体基板を液体中から気体中に引き上
げる際、液体中にある半導体基板を第１の基板保持部に
よって保持し、上記基板の一部が気体中に露出するまで
第１の基板保持部を上昇移動させ、次に、気体中に露出
した基板の一部を第２の基板保持部によって保持し、基
板全体が気体中に露出するように第２の基板保持部を上
昇移動させることを特徴とする。

【０００９】また、本発明の半導体基板の引き上げ装置
は、液体中にある半導体基板を第１の基板保持部により
保持し、上記基板の一部が気体中に露出するまで第１の
基板保持部を上昇移動させる第１の移動装置と、気体中
に露出した基板の一部を第２の基板保持部により保持し
、基板全体が気体中に露出するように第２の基板保持部
を上昇移動させる第２の移動装置とを具備することを特
徴とする。

【００１０】

【作用】基板を液体中から引き上げる際、液体中にある
半導体基板を第１の基板保持部によって保持し、基板の
一部が気体中に露出するまで基板を上昇移動させた後、
気体中に露出した基板の一部を第２の基板保持部によっ
て保持し、基板全体を液体中から気体中に引き上げる。 この際、第２の基板保持部が液体・気体界面を通過する
ことがない。従って、第２の基板保持部に液体が残留す
ることがなく、基板引き上げ後の基板乾燥に際して基板
表面上にしみやダストの増加が生じることがなく、基板
面内の均一な乾燥および乾燥時間の短縮が可能になる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の半導
体基板の引き上げ装置の一実施例を用いた基板引き上げ
の様子を示している。

【００１２】この引き上げ装置は、石英製の液体槽１内
の液体（例えば７０℃の純水）２中にある半導体基板（
ウェハ）３を気体（例えば空気）中に引き上げるための
ものであり、第１の移動装置１１と第２の移動装置１２
とを有する。

【００１３】上記第１の移動装置１１は、液体中にある
半導体基板３を第１の基板保持部により保持し、上記基
板３の一部が気体中に露出するまで第１の基板保持部を
上昇移動させるものである。この移動装置１１の一具体
例としては、液体中に設置されたホルダーの伸縮自在な
ロッド１１１の上端部の基板保持部１１１ａで基板３を
保持し、基板保持部１１１ａが液体中に位置したままで
前記基板３の一部が気体中に露出するまでロッド１１１
を伸ばす（上昇移動させる）ことが可能なように構成さ
れている。なお、上記ロッド上端部の基板保持部１１１
ａは石英で作られており、基板周縁保持用の溝（図示せ
ず）が形成されている。

【００１４】前記第２の移動装置１２は、気体中に露出
した基板３の一部を第２の基板保持部により保持し、基
板全体が気体中に露出するように第２の基板保持部を上
昇移動させるものである。この第２の移動装置１２の一
具体例としては、気体中に設置されたチャックの２本の
アーム１２１の基板保持部１２１ａで、気体中に露出し
た基板３の周縁部を挟むように保持し、アーム１２１を
上昇移動させて基板３を液体中から引き上げることが可
能なように構成されている。なお、上記アーム１２１の
基板保持部１２１ａは石英で作られており、基板周縁保
持用の溝（図示せず）が形成されている。

【００１５】上記引き上げ装置を用いて基板３を液体２
中から引き上げる際には、液体２中にある基板３を第１
の基板保持部１１１ａによって保持し、基板３の一部が
気体中に露出するまで第１の基板保持部１１１ａを徐々
に上昇移動させた後、気体中に一部が露出した基板３の
一部を第２の基板保持部１２１ａによって保持し、基板
全体が気体中に露出するように第２の基板保持部１２１
ａを上昇移動させる。この際に、第１の基板保持部１１
１ａおよび第２の基板保持部１２１ａが液体・気体界面
を通過することがない。従って、第２の基板保持部１２
１ａに液体２が残留することがなく、基板引き上げ後の
基板乾燥に際して基板表面上にしみやダストの増加が生
じることがなく、基板面内の均一な乾燥および乾燥時間
の短縮が可能になる。なお、上記実施例のホルダーやチ
ャックの支点は何点でも構わない。

【００１６】また、上記実施例では、第２の移動装置１
２の全体が常に気体中に位置するように設けたが、これ
に限らず、第２の移動装置１２の一部が一時的に液体中
に入っても構わない。但し、この場合には、基板３を液
体中から引き上げる時に第２の移動装置１２の基板保持
部が液体・気体界面を通過することがないように、換言
すれば、第２の基板保持部が液体・気体界面を通過する
時には第２の基板保持部が基板３から離れていなければ
ならない。

【００１７】また、上記実施例では、第１の移動装置１
１の全体が常に液体中に位置するように設けたが、これ
に限らず、第１の移動装置１１の一部が気体中に位置し
ても構わないない。例えば、Ｖ字状のホルダーの底部を
液体中に浸入させた状態で吊し、このホルダーの内底部
の基板保持部で液体中の基板を保持し、この基板の一部
が気体中に露出するまで上記基板保持部を上昇移動させ
るように構成してもよい。

【００１８】

【発明の効果】上述したように本発明によれば、基板を
液体中から引き上げる時に基板保持部に液体が残留する
ことがなく、基板引き上げ後の基板乾燥に際して基板表
面上にしみやダストの増加が生じることがなく、基板面
内の均一な乾燥および乾燥時間の短縮が可能になる半導
体基板の引き上げ方法および引き上げ装置を実現できる
。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体基板の引き上げ装置の一実施例
を用いた基板引き上げの様子を図。

【図２】従来の半導体基板の引き上げ方法の一例を示す
図。

【図３】従来の半導体基板の引き上げ方法の他の例を示
す図。

【符号の説明】

１…液体槽、２…液体、３…半導体基板、１１…第１の
移動装置、１２…第２の移動装置、１１１…ロッド、１
１１ａ…第１の基板保持部、１２１…アーム、１２１ａ
…基板保持部。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体基板を液体中から気体中に引き
   上げる際、液体中にある半導体基板を第１の基板保持部
   によって保持し、上記基板の一部が気体中に露出するま
   で第１の基板保持部を上昇移動させ、次に、気体中に露
   出した基板の一部を第２の基板保持部によって保持し、
   基板全体が気体中に露出するように第２の基板保持部を
   上昇移動させることを特徴とする半導体基板の引き上げ
   方法。
2. 【請求項２】　　液体中にある半導体基板を第１の基板
   保持部により保持し、上記基板の一部が気体中に露出す
   るまで第１の基板保持部を上昇移動させる第１の移動装
   置と、気体中に露出した基板の一部を第２の基板保持部
   により保持し、基板全体が気体中に露出するように第２
   の基板保持部を上昇移動させる第２の移動装置とを具備
   することを特徴とする半導体基板の引き上げ装置。
3. 【請求項３】　　請求項２記載の半導体基板の引き上げ
   装置において、前記第１の基板保持部は液体中に設置さ
   れ、液体中に位置したままで前記基板の一部が気体中に
   露出するまで第１の基板保持部を上昇移動させることを
   特徴とする半導体基板の引き上げ装置。
4. 【請求項４】　　請求項１または２記載の半導体基板の
   引き上げ装置において、前記第２の基板保持部は気体中
   に設置されていることを特徴とする半導体基板の引き上
   げ装置。