JPH0766170A - 薄膜のエッチング方法 - Google Patents
薄膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0766170A JPH0766170A JP21574393A JP21574393A JPH0766170A JP H0766170 A JPH0766170 A JP H0766170A JP 21574393 A JP21574393 A JP 21574393A JP 21574393 A JP21574393 A JP 21574393A JP H0766170 A JPH0766170 A JP H0766170A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- thin film
- substrate
- etching solution
- immersing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】上面にパターン加工されたフォトレジストが形
成された薄膜のエッチング方法において、該薄膜の形成
された基板をエッチング液中に浸漬する操作とエッチン
グ液から引き上げる操作を交互に２回以上繰り返すこと
を特徴とする薄膜のエッチング方法。 【効果】本発明の薄膜のエッチング方法によると、従来
のエッチング技術でしばしば生じた薄膜の抜け残りを確
実になくすことができるので、基板面内の解像度のばら
つきをなく、高解像度の薄膜パターンを得ることができ
る。
成された薄膜のエッチング方法において、該薄膜の形成
された基板をエッチング液中に浸漬する操作とエッチン
グ液から引き上げる操作を交互に２回以上繰り返すこと
を特徴とする薄膜のエッチング方法。 【効果】本発明の薄膜のエッチング方法によると、従来
のエッチング技術でしばしば生じた薄膜の抜け残りを確
実になくすことができるので、基板面内の解像度のばら
つきをなく、高解像度の薄膜パターンを得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜のエッチング方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】二酸化ケイ素薄膜やクロムや銅などの金
属薄膜は、実装基板分野および半導体分野において盛ん
に用いられ、二酸化ケイ素薄膜は絶縁層に、クロムや銅
などの金属薄膜は導体層に利用される。これらの薄膜の
パターン加工は、通常薄膜上にフォトレジストをパター
ン加工した後、フォトレジストをマスクとしてエッチン
グ液を用いたエッチングを行なう。薄膜のエッチングに
は、枚葉式のスプレーエッチング、プラズマ装置を用い
るプラズマエッチング、エッチング液に基板を浸漬して
行なうディップエッチングなどがあるが、一度に多数枚
のエッチングが可能で、かつ高価な装置の不要なディッ
プエッチングが好んで用いられる。このディップエッチ
ングにおいては、抜け性を良くするために、エッチング
液中で基板の揺動が行なわれる。
属薄膜は、実装基板分野および半導体分野において盛ん
に用いられ、二酸化ケイ素薄膜は絶縁層に、クロムや銅
などの金属薄膜は導体層に利用される。これらの薄膜の
パターン加工は、通常薄膜上にフォトレジストをパター
ン加工した後、フォトレジストをマスクとしてエッチン
グ液を用いたエッチングを行なう。薄膜のエッチングに
は、枚葉式のスプレーエッチング、プラズマ装置を用い
るプラズマエッチング、エッチング液に基板を浸漬して
行なうディップエッチングなどがあるが、一度に多数枚
のエッチングが可能で、かつ高価な装置の不要なディッ
プエッチングが好んで用いられる。このディップエッチ
ングにおいては、抜け性を良くするために、エッチング
液中で基板の揺動が行なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の薄膜のエッチング方法では、基板をエッチング液
中で揺動するだけなので、特に多数枚を一度にエッチン
グする場合には、薄膜表面付近のエッチング液の置換が
悪く、部分的に薄膜の抜け不良が生じたり、基板面内の
解像度において、ばらつきが生じるなどといった問題が
発生した。
従来の薄膜のエッチング方法では、基板をエッチング液
中で揺動するだけなので、特に多数枚を一度にエッチン
グする場合には、薄膜表面付近のエッチング液の置換が
悪く、部分的に薄膜の抜け不良が生じたり、基板面内の
解像度において、ばらつきが生じるなどといった問題が
発生した。
【０００４】本発明はかかる従来の諸欠点に鑑み創案さ
れたもので、その目的とするところは、抜け残りがなく
面内の解像度のばらつきのない高解像度のパターンを得
ることができる薄膜のエッチング方法を提供することに
ある。
れたもので、その目的とするところは、抜け残りがなく
面内の解像度のばらつきのない高解像度のパターンを得
ることができる薄膜のエッチング方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
上面にパターン加工されたフォトレジストが形成された
薄膜のエッチング方法において、該薄膜の形成された基
板をエッチング液中に浸漬する操作とエッチング液から
引き上げる操作を交互に２回以上繰り返すことを特徴と
する薄膜のエッチング方法により達成される。
上面にパターン加工されたフォトレジストが形成された
薄膜のエッチング方法において、該薄膜の形成された基
板をエッチング液中に浸漬する操作とエッチング液から
引き上げる操作を交互に２回以上繰り返すことを特徴と
する薄膜のエッチング方法により達成される。
【０００６】本発明における薄膜としては、無機薄膜、
有機薄膜、金属薄膜などを挙げることができる。無機薄
膜としては二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化銅、酸化ジ
ルコニウムなど、有機薄膜としては、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケ
ル、アルミニウム、鉄、金、銀などを挙げることができ
る。
有機薄膜、金属薄膜などを挙げることができる。無機薄
膜としては二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化銅、酸化ジ
ルコニウムなど、有機薄膜としては、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケ
ル、アルミニウム、鉄、金、銀などを挙げることができ
る。
【０００７】これらの薄膜を基板上に形成し、その上面
にパターン加工されたフォトレジストを形成した後、そ
のパターンをマスクとしエッチングを行なう。基板上に
薄膜を形成するには、無機薄膜や金属薄膜であれば、ス
パッタリングなどによればよいし、有機薄膜であれば、
そのワニスを塗布、乾燥するなどすればよい。フォトレ
ジストを形成、パターン加工するには、フォトレジスト
溶液を塗布、乾燥の後、所望のパターンの形成されたマ
スクを介する等して、化学線を選択的に照射する。
にパターン加工されたフォトレジストを形成した後、そ
のパターンをマスクとしエッチングを行なう。基板上に
薄膜を形成するには、無機薄膜や金属薄膜であれば、ス
パッタリングなどによればよいし、有機薄膜であれば、
そのワニスを塗布、乾燥するなどすればよい。フォトレ
ジストを形成、パターン加工するには、フォトレジスト
溶液を塗布、乾燥の後、所望のパターンの形成されたマ
スクを介する等して、化学線を選択的に照射する。
【０００８】本発明は、エッチングをいわゆるディップ
エッチングで行ない、その際に、基板をエッチング液中
に浸漬する操作とエッチング液から引き上げる操作を交
互に２回以上繰り返すことを特徴とする。
エッチングで行ない、その際に、基板をエッチング液中
に浸漬する操作とエッチング液から引き上げる操作を交
互に２回以上繰り返すことを特徴とする。
【０００９】ディップエッチングとは、エッチング槽内
に供給されたエッチング液中に、薄膜の形成された基板
を浸漬することによってエッチングを行なうエッチング
方法をいう。ディップエッチングでは、１枚の基板を処
理してもよいし、同時に多数枚の基板を処理してもよ
い。多数枚の基板を同時に処理するには、基板ホルダー
を用いると便利である。基板ホルダーは、一枚以上の基
板をエッチング液中で支持することができるものであれ
ば特に限定されないが、好ましい一例を図１に示す。す
なわち、複数枚の基板を収容可能で、エッチング液の出
入りが容易であり、かつエッチング液中で基板ホルダー
を揺動した際に基板が飛び出さない形状を有するもので
ある。また、揺動を容易に行なうために、取手２を備え
ていることが好ましい。基板ホルダーの材質としては、
エッチング液に腐食されないような材質が好ましい。例
えばテフロン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
に供給されたエッチング液中に、薄膜の形成された基板
を浸漬することによってエッチングを行なうエッチング
方法をいう。ディップエッチングでは、１枚の基板を処
理してもよいし、同時に多数枚の基板を処理してもよ
い。多数枚の基板を同時に処理するには、基板ホルダー
を用いると便利である。基板ホルダーは、一枚以上の基
板をエッチング液中で支持することができるものであれ
ば特に限定されないが、好ましい一例を図１に示す。す
なわち、複数枚の基板を収容可能で、エッチング液の出
入りが容易であり、かつエッチング液中で基板ホルダー
を揺動した際に基板が飛び出さない形状を有するもので
ある。また、揺動を容易に行なうために、取手２を備え
ていることが好ましい。基板ホルダーの材質としては、
エッチング液に腐食されないような材質が好ましい。例
えばテフロン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
【００１０】本発明において、基板をエッチング液中に
浸漬する操作とは、基板ホルダーをエッチング液中に浸
漬する際、エッチング液の液面よりも下に、基板ホルダ
ーにセットされている基板全体を浸漬させることをい
う。また、基板をエッチング液から引き上げる操作と
は、基板ホルダーを引き上げる際、エッチング液の液面
よりも上に、基板ホルダーにセットされている基板を引
き上げることをいう。このとき、基板を完全に引き上げ
ることが好ましい。すなわち、基板全体をエッチング液
の液面より上に引き上げることが好ましい。
浸漬する操作とは、基板ホルダーをエッチング液中に浸
漬する際、エッチング液の液面よりも下に、基板ホルダ
ーにセットされている基板全体を浸漬させることをい
う。また、基板をエッチング液から引き上げる操作と
は、基板ホルダーを引き上げる際、エッチング液の液面
よりも上に、基板ホルダーにセットされている基板を引
き上げることをいう。このとき、基板を完全に引き上げ
ることが好ましい。すなわち、基板全体をエッチング液
の液面より上に引き上げることが好ましい。
【００１１】図２は、基板ホルダー１中の基板６が、エ
ッチング槽３に供給されたエッチング液４中に浸漬され
た状態を示し、図３はエッチング液４から完全に引き上
げられた状態を示している。図２、３において、５がエ
ッチング液の液面を示す。
ッチング槽３に供給されたエッチング液４中に浸漬され
た状態を示し、図３はエッチング液４から完全に引き上
げられた状態を示している。図２、３において、５がエ
ッチング液の液面を示す。
【００１２】基板をエッチング液中に浸漬する操作、お
よびエッチング液から引き上げる操作は、手動で行なっ
てもよいし、機械により自動で行なってもよい。例え
ば、図１に示される基板ホルダー１の取手２を手で握り
上下に揺動したり、上下運動するフックを備えた機械に
基板ホルダー１の取手を引っ掛け、自動で上下の揺動を
行なってもよい。
よびエッチング液から引き上げる操作は、手動で行なっ
てもよいし、機械により自動で行なってもよい。例え
ば、図１に示される基板ホルダー１の取手２を手で握り
上下に揺動したり、上下運動するフックを備えた機械に
基板ホルダー１の取手を引っ掛け、自動で上下の揺動を
行なってもよい。
【００１３】これらの浸漬する操作と引き上げる操作
を、交互に２回以上繰り返すことにより、薄膜表面付近
のエッチング液の置換が起こり易くなり、抜け残りや、
面内における解像度のばらつきのない、しかも高い解像
度を有する良好なパターンを得ることができるのであ
る。
を、交互に２回以上繰り返すことにより、薄膜表面付近
のエッチング液の置換が起こり易くなり、抜け残りや、
面内における解像度のばらつきのない、しかも高い解像
度を有する良好なパターンを得ることができるのであ
る。
【００１４】本発明において、基板をエッチング液中に
浸漬する操作とエッチング液から引き上げる操作を交互
に繰り返すサイクルとは、基板を下方向に移動させ始め
てから、基板をエッチング液中に浸漬し、さらにエッチ
ング液から引き上げ終わるまでの時間をいう。１サイク
ルの時間としては５秒以内が好ましく、より好ましくは
４秒以内であり、より好ましくは３秒以内である。基板
はエッチング液中に浸漬した際、一定時間静止させても
良いし、ピストン運動のごとく一定時間の静止無しでも
構わない。
浸漬する操作とエッチング液から引き上げる操作を交互
に繰り返すサイクルとは、基板を下方向に移動させ始め
てから、基板をエッチング液中に浸漬し、さらにエッチ
ング液から引き上げ終わるまでの時間をいう。１サイク
ルの時間としては５秒以内が好ましく、より好ましくは
４秒以内であり、より好ましくは３秒以内である。基板
はエッチング液中に浸漬した際、一定時間静止させても
良いし、ピストン運動のごとく一定時間の静止無しでも
構わない。
【００１５】
【実施例】実施例１ ４インチシリコンウエハー上に、０．８μｍのクロム薄
膜をスパッタリングで形成し、その上に６μｍの銅薄膜
をスパッタリングで形成した。さらに形成した銅薄膜上
に１μｍのフォトレジストパターンを形成した。同様の
方法により合計４枚の試料を作製し、得られたシリコン
ウエハー４枚を基板ホルダーにセットした。ついで、エ
ッチング槽に５Ｌの６％過硫酸アンモニウム水溶液を入
れた後、エッチング液（過硫酸アンモニウム水溶液）中
に基板ホルダー中のウエハーを浸す操作とエッチング液
から完全に引き上げる操作を交互に繰り返すことによ
り、フォトレジストをマスクとして約４分間銅薄膜のエ
ッチングを行なった。ウエハーを下方向に移動させ始め
てから、基板をエッチング液中に浸漬し、さらにエッチ
ング液から引き上げ終わるまでの時間（１サイクル）は
約１秒であった。その後基板ホルダーをエッチング槽よ
り引上げ、ウエハーを水でリンスし、つづいて窒素を吹
き付けることにより乾燥を行なった。
膜をスパッタリングで形成し、その上に６μｍの銅薄膜
をスパッタリングで形成した。さらに形成した銅薄膜上
に１μｍのフォトレジストパターンを形成した。同様の
方法により合計４枚の試料を作製し、得られたシリコン
ウエハー４枚を基板ホルダーにセットした。ついで、エ
ッチング槽に５Ｌの６％過硫酸アンモニウム水溶液を入
れた後、エッチング液（過硫酸アンモニウム水溶液）中
に基板ホルダー中のウエハーを浸す操作とエッチング液
から完全に引き上げる操作を交互に繰り返すことによ
り、フォトレジストをマスクとして約４分間銅薄膜のエ
ッチングを行なった。ウエハーを下方向に移動させ始め
てから、基板をエッチング液中に浸漬し、さらにエッチ
ング液から引き上げ終わるまでの時間（１サイクル）は
約１秒であった。その後基板ホルダーをエッチング槽よ
り引上げ、ウエハーを水でリンスし、つづいて窒素を吹
き付けることにより乾燥を行なった。
【００１６】この様にしてエッチングされた銅薄膜パタ
ーンを光学顕微鏡により観察した。得られたパターンに
は、銅薄膜の抜け残りが全く見られず、またウエハー面
内の解像度のばらつきのない良好なパターンが得られ
た。
ーンを光学顕微鏡により観察した。得られたパターンに
は、銅薄膜の抜け残りが全く見られず、またウエハー面
内の解像度のばらつきのない良好なパターンが得られ
た。
【００１７】比較例１ 実施例１でエッチング液中に基板ホルダー中のウエハー
を浸す操作とエッチング液から完全に引き上げる操作を
交互に繰り返すことにより、約１０分間現像を行なった
かわりにエッチング液中に基板ホルダー中のウエハーを
浸漬させ、エッチング液からウエハーを完全に引き上げ
ることなく、エッチング液中で上下の揺動を繰り返すこ
とにより、約４分間エッチングを行なったこと以外は実
施例１と全く同様な方法でエッチングを行った。この様
にしてエッチングされた銅薄膜パターンを、光学顕微鏡
により観察した。
を浸す操作とエッチング液から完全に引き上げる操作を
交互に繰り返すことにより、約１０分間現像を行なった
かわりにエッチング液中に基板ホルダー中のウエハーを
浸漬させ、エッチング液からウエハーを完全に引き上げ
ることなく、エッチング液中で上下の揺動を繰り返すこ
とにより、約４分間エッチングを行なったこと以外は実
施例１と全く同様な方法でエッチングを行った。この様
にしてエッチングされた銅薄膜パターンを、光学顕微鏡
により観察した。
【００１８】この様にしてエッチングされたパターンを
光学顕微鏡により観察した。得られたパターンには、銅
薄膜の抜け残りが所々で見られ、またウエハー面内の解
像度のばらつきが大きかった。
光学顕微鏡により観察した。得られたパターンには、銅
薄膜の抜け残りが所々で見られ、またウエハー面内の解
像度のばらつきが大きかった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の薄膜のエッチング方法による
と、従来のエッチング技術でしばしば生じた薄膜の抜け
残りを確実になくすことができるので、基板面内の解像
度のばらつきをなく、高解像度の薄膜パターンを得るこ
とができる。
と、従来のエッチング技術でしばしば生じた薄膜の抜け
残りを確実になくすことができるので、基板面内の解像
度のばらつきをなく、高解像度の薄膜パターンを得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例において使用される基板ホル
ダーの一例を示す斜視図である。
ダーの一例を示す斜視図である。
【図２】基板ホルダー中の基板がエッチング液中に浸漬
された状態を示すエッチング槽の断面図である。
された状態を示すエッチング槽の断面図である。
【図３】基板ホルダー中の基板がエッチング液から完全
に引き上げられた状態を示すエッチング槽の断面図であ
る。
に引き上げられた状態を示すエッチング槽の断面図であ
る。
１：基板ホルダー ２：取手 ３：エッチング槽 ４：エッチング液 ５：エッチング液の液面 ６：基板
Claims (7)
- 【請求項１】上面にパターン加工されたフォトレジスト
が形成された薄膜のエッチング方法において、該薄膜の
形成された基板をエッチング液中に浸漬する操作とエッ
チング液から引き上げる操作を交互に２回以上繰り返す
ことを特徴とする薄膜のエッチング方法。 - 【請求項２】基板をエッチング液から引き上げる際に、
基板を完全に引き上げることを特徴とする請求項１記載
の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項３】基板をエッチング液中に浸漬する操作とエ
ッチング液から引き上げる操作を交互に繰り返すサイク
ルが５秒以下であることを特徴とする請求項１記載の薄
膜のエッチング方法。 - 【請求項４】２枚以上の基板上に形成された薄膜を同時
にエッチングすることを特徴とする請求項１記載の薄膜
のエッチング方法。 - 【請求項５】薄膜が銅であることを特徴とする請求項１
記載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項６】薄膜がクロムであることを特徴とする請求
項１記載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項７】薄膜が二酸化ケイ素であることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21574393A JPH0766170A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21574393A JPH0766170A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 薄膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766170A true JPH0766170A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16677476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21574393A Pending JPH0766170A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 薄膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064646A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
| WO2020188990A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| CN116056351A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-05-02 | 江西景旺精密电路有限公司 | 一种超厚铜的军用pcb板蚀刻工艺 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21574393A patent/JPH0766170A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064646A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
| WO2020188990A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| CN116056351A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-05-02 | 江西景旺精密电路有限公司 | 一种超厚铜的军用pcb板蚀刻工艺 |
| CN116056351B (zh) * | 2023-02-23 | 2024-06-11 | 江西景旺精密电路有限公司 | 一种超厚铜的军用pcb板蚀刻工艺 |
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