JPH05217987A - ウェハー洗浄方法 - Google Patents
ウェハー洗浄方法Info
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- JPH05217987A JPH05217987A JP4021146A JP2114692A JPH05217987A JP H05217987 A JPH05217987 A JP H05217987A JP 4021146 A JP4021146 A JP 4021146A JP 2114692 A JP2114692 A JP 2114692A JP H05217987 A JPH05217987 A JP H05217987A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 シリコンウェハー２表面に形成した自然酸化
膜を除去する前に、ＨＦ水溶液の蒸気とＨ2Ｏ2蒸気とを
同時にウェハー２へ接触させることにより、Ｈ2Ｏ2蒸気
により形成された酸化膜をＨＦ水溶液の蒸気により除去
することにより、ウェハー２に付着した重金属を除去す
る。その後、従来のＨＦ蒸気及び水蒸気を用いたウェハ
ー洗浄を行い、ウェハー２表面の自然酸化膜を除去す
る。 【効果】 ウェハー表面に付着した重金属をリフトオフ
的に除去できるため、洗浄後にウェハー表面に形成した
酸化膜の絶縁性が向上する。
膜を除去する前に、ＨＦ水溶液の蒸気とＨ2Ｏ2蒸気とを
同時にウェハー２へ接触させることにより、Ｈ2Ｏ2蒸気
により形成された酸化膜をＨＦ水溶液の蒸気により除去
することにより、ウェハー２に付着した重金属を除去す
る。その後、従来のＨＦ蒸気及び水蒸気を用いたウェハ
ー洗浄を行い、ウェハー２表面の自然酸化膜を除去す
る。 【効果】 ウェハー表面に付着した重金属をリフトオフ
的に除去できるため、洗浄後にウェハー表面に形成した
酸化膜の絶縁性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー表面への酸化
膜形成前の洗浄方法に関するものである。
膜形成前の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスで用いられる洗浄は一般
に高い洗浄度が要求されるが、このうち酸化処理前に行
われる洗浄は特に高い洗浄度が要求され、この洗浄度の
度合いが製品の歩留りに大きな影響を与えている。シリ
コンウェハの酸化処理前洗浄には、シリコンウェハー表
面に形成されている自然酸化膜を除去する工程が含まれ
る。
に高い洗浄度が要求されるが、このうち酸化処理前に行
われる洗浄は特に高い洗浄度が要求され、この洗浄度の
度合いが製品の歩留りに大きな影響を与えている。シリ
コンウェハの酸化処理前洗浄には、シリコンウェハー表
面に形成されている自然酸化膜を除去する工程が含まれ
る。
【０００３】自然酸化膜は大気中の酸素によってシリコ
ンウェハー表面が酸化されることにより形成されるが、
一般にこの自然酸化膜は清浄な雰囲気で形成されないの
で、膜中に不純物を取り込んでおり、好ましくない。そ
こで、酸化処理前洗浄ではこの自然化膜を除去し清浄な
シリコン表面を露出する工程が入る。
ンウェハー表面が酸化されることにより形成されるが、
一般にこの自然酸化膜は清浄な雰囲気で形成されないの
で、膜中に不純物を取り込んでおり、好ましくない。そ
こで、酸化処理前洗浄ではこの自然化膜を除去し清浄な
シリコン表面を露出する工程が入る。
【０００４】従来のウェハーの洗浄方法は、洗浄チャン
バー内に、酸化膜形成前のシリコンウェハーを水平に配
置し、ウェハー表面に、ＨＦ蒸気を十分に接触させるこ
とによって、表面の自然酸化膜や、自然酸化膜に含まれ
る空気中からの不純物等を化学反応等によって、気化し
やすい物質に変化させ、洗浄チャンバー内を常圧又は減
圧下に排気することによって、未反応のＨＦ蒸気と共に
除去する。
バー内に、酸化膜形成前のシリコンウェハーを水平に配
置し、ウェハー表面に、ＨＦ蒸気を十分に接触させるこ
とによって、表面の自然酸化膜や、自然酸化膜に含まれ
る空気中からの不純物等を化学反応等によって、気化し
やすい物質に変化させ、洗浄チャンバー内を常圧又は減
圧下に排気することによって、未反応のＨＦ蒸気と共に
除去する。
【０００５】次に、洗浄チャンバー内に水蒸気を供給
し、ＨＦ蒸気で処理されたウェハー表面の絶縁性を低下
させる残渣物を気化しやすい物質に変化させ、上記と同
様にして、排気することによって除去する。
し、ＨＦ蒸気で処理されたウェハー表面の絶縁性を低下
させる残渣物を気化しやすい物質に変化させ、上記と同
様にして、排気することによって除去する。
【０００６】次に、チャンバー内をＮ2を用いてパージ
した後チャンバーから取り出して、酸化処理により、ウ
ェハー表面に酸化膜を形成する。
した後チャンバーから取り出して、酸化処理により、ウ
ェハー表面に酸化膜を形成する。
【０００７】上述の工程は、本出願人により出願してい
る（特願平３−２２０４４１）。
る（特願平３−２２０４４１）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記に示した、従来の
ＨＦ蒸気を用いたウェハーの洗浄方法を用いた場合、シ
リコンウェハーに付着したＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の
重金属までは除去することができない。この重金属が付
着したまま、酸化処理を行った場合、ウェハー表面上に
形成された酸化膜の絶縁性の劣化が生じる。
ＨＦ蒸気を用いたウェハーの洗浄方法を用いた場合、シ
リコンウェハーに付着したＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の
重金属までは除去することができない。この重金属が付
着したまま、酸化処理を行った場合、ウェハー表面上に
形成された酸化膜の絶縁性の劣化が生じる。
【０００９】本発明のウェハー洗浄方法は、酸化処理前
にウェハー表面の重金属を除去する手段を提供すること
を目的とする。
にウェハー表面の重金属を除去する手段を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハー洗浄方
法はウェハー表面への酸化膜形成前に、予め前記ウェハ
ー表面をフッ化水素蒸気及び水蒸気を用いて洗浄するウ
ェハー洗浄方法において、上記洗浄の前に、フッ化水素
水溶液の蒸気と過酸化水素水の蒸気との混合ガスを前記
ウェハー表面に接触させる工程を有することを特徴とす
るものである。
法はウェハー表面への酸化膜形成前に、予め前記ウェハ
ー表面をフッ化水素蒸気及び水蒸気を用いて洗浄するウ
ェハー洗浄方法において、上記洗浄の前に、フッ化水素
水溶液の蒸気と過酸化水素水の蒸気との混合ガスを前記
ウェハー表面に接触させる工程を有することを特徴とす
るものである。
【００１１】
【作用】上記に示したように、本発明を用いることによ
り、Ｈ2Ｏ2ガスにより、ウェハー表面に酸化膜を形成す
ると同時に、ＨＦガスによりこの酸化膜を除去すること
により、リフトオフ的にウェハー表面に付着した重金属
を除去する。
り、Ｈ2Ｏ2ガスにより、ウェハー表面に酸化膜を形成す
ると同時に、ＨＦガスによりこの酸化膜を除去すること
により、リフトオフ的にウェハー表面に付着した重金属
を除去する。
【００１２】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例に用いる洗浄装
置を示す。図において、１はチャンバー，２はシリコン
ウェハー，３はディストリビュータ，４はＨＦ水溶液の
蒸気又はＨＦ蒸気の導入口，５はＨ2Ｏ2蒸気又はＨ2Ｏ
蒸気の導入口，６は排気口を示す。
置を示す。図において、１はチャンバー，２はシリコン
ウェハー，３はディストリビュータ，４はＨＦ水溶液の
蒸気又はＨＦ蒸気の導入口，５はＨ2Ｏ2蒸気又はＨ2Ｏ
蒸気の導入口，６は排気口を示す。
【００１４】次に、図１に基づいて、本発明に係るウェ
ハーの洗浄方法を説明する。
ハーの洗浄方法を説明する。
【００１５】まず、チャンバー１内に、自然酸化膜を有
するシリコンウェハー２を水平に配置し、５０℃のＮ2
ガスをロータリーポンプ（図示せず）を用いて、ＨＦ水
溶液の蒸気又はＨＦ蒸気の導入口（以下「第１導入
口」）４から、６リットル／分の標準状態の流量で１分
間導入し、ファンブロワ（図示せず）で排気し、プリパ
ージを行う。
するシリコンウェハー２を水平に配置し、５０℃のＮ2
ガスをロータリーポンプ（図示せず）を用いて、ＨＦ水
溶液の蒸気又はＨＦ蒸気の導入口（以下「第１導入
口」）４から、６リットル／分の標準状態の流量で１分
間導入し、ファンブロワ（図示せず）で排気し、プリパ
ージを行う。
【００１６】次に、５０℃の濃度３９％のＨＦ水溶液の
蒸気とＨ2Ｏ2蒸気とをロータリーポンプを用いて第１導
入口４及びＨ2Ｏ2蒸気又はＨ2Ｏ蒸気の導入口（以下
「第２導入口」という）５から、それぞれ４リットル／
分及び２リットル／分の標準状態の流量で混合して導入
し、ディストリビュータ３を介してシリコンウェハー２
上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１分間吹き
つけると共に、ファンブロワを用いてチャンバー１内を
排気することによって、Ｈ2Ｏ2蒸気によって形成された
酸化膜をＨＦ水溶液の蒸気によって、酸化膜形成と同時
に除去することにより、シリコンウェハー２上に付着し
た重金属を除去することができる。
蒸気とＨ2Ｏ2蒸気とをロータリーポンプを用いて第１導
入口４及びＨ2Ｏ2蒸気又はＨ2Ｏ蒸気の導入口（以下
「第２導入口」という）５から、それぞれ４リットル／
分及び２リットル／分の標準状態の流量で混合して導入
し、ディストリビュータ３を介してシリコンウェハー２
上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１分間吹き
つけると共に、ファンブロワを用いてチャンバー１内を
排気することによって、Ｈ2Ｏ2蒸気によって形成された
酸化膜をＨＦ水溶液の蒸気によって、酸化膜形成と同時
に除去することにより、シリコンウェハー２上に付着し
た重金属を除去することができる。
【００１７】次に、５０℃のＨＦ蒸気とＮ2ガスとの混
合気体をロータリーポンプを用いて、第１導入口４から
それぞれ４リットル／分と２リットル／分の標準状態の
流量で混合して導入し、ディストリビュータ３を介して
シリコンウェハー２上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で５０秒間吹き付けると共に、ファンブロワを用
いて、チャンバー１内を排気することによって、シリコ
ンウェハー２の表面の自然酸化膜を除去する。
合気体をロータリーポンプを用いて、第１導入口４から
それぞれ４リットル／分と２リットル／分の標準状態の
流量で混合して導入し、ディストリビュータ３を介して
シリコンウェハー２上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で５０秒間吹き付けると共に、ファンブロワを用
いて、チャンバー１内を排気することによって、シリコ
ンウェハー２の表面の自然酸化膜を除去する。
【００１８】次に、５０℃のＮ2ガスをロータリーポン
プを用いて、第２導入口５から６リットル／分の標準状
態の流量で１分間導入し、ファンブロワで排気して、中
間パージを行う。
プを用いて、第２導入口５から６リットル／分の標準状
態の流量で１分間導入し、ファンブロワで排気して、中
間パージを行う。
【００１９】次に、５０℃のＨ2Ｏ蒸気としてＮ2ガスと
の混合気体を、ロータリーポンプを用いて第２導入口５
からそれぞれ２リットル／分づつの標準状態の流量で導
入し、ディストリビュータ３を介して、ＨＦ蒸気によっ
て処理されたウェハー２上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で１分間吹き付けると共に、ファンブロワを
用いてチャンバー１内を排気する。
の混合気体を、ロータリーポンプを用いて第２導入口５
からそれぞれ２リットル／分づつの標準状態の流量で導
入し、ディストリビュータ３を介して、ＨＦ蒸気によっ
て処理されたウェハー２上全面に均一に３〜４Ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力で１分間吹き付けると共に、ファンブロワを
用いてチャンバー１内を排気する。
【００２０】次に、５０℃のＮ2ガスをロータリーポン
プを用いて、第２導入口５から６リットル／分の標準状
態の流量で１分間導入し、ファンブロワで排気し、ポス
トパージを行う。
プを用いて、第２導入口５から６リットル／分の標準状
態の流量で１分間導入し、ファンブロワで排気し、ポス
トパージを行う。
【００２１】その後、ウェハー２をチャンバー１から取
り出し、酸化処理を行う。
り出し、酸化処理を行う。
【００２２】上記工程において、チャンバー１内の温度
は２０〜６０℃，圧力は１〜１０Ｋｇ／ｃｍ2の範囲内
であればよい。
は２０〜６０℃，圧力は１〜１０Ｋｇ／ｃｍ2の範囲内
であればよい。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、ウェハー表面に付着した重金属をリフ
トオフ的に除去できるため、洗浄後にウェハー表面に形
成した酸化膜の絶縁性が向上する。
いることにより、ウェハー表面に付着した重金属をリフ
トオフ的に除去できるため、洗浄後にウェハー表面に形
成した酸化膜の絶縁性が向上する。
【図１】本発明の一実施例に係るウェハー洗浄装置を示
す構成図である。
す構成図である。
１ チャンバー ２ シリコンウェハー ３ ディストリビュータ ４ ＨＦ水溶液の蒸気又はＨＦ蒸気の導入口 ５ Ｈ2Ｏ2蒸気又はＨ2Ｏ蒸気の導入口 ６ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー表面への酸化膜形成前に、予め
前記ウェハー表面をフッ化水素蒸気及び水蒸気を用いて
洗浄するウェハー洗浄方法において、 上記洗浄の前に、フッ化水素水溶液の蒸気と過酸化水素
水の蒸気との混合ガスを前記ウェハー表面に接触させる
工程を有することを特徴とするウェハー洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4021146A JP2896005B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ウェハー洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4021146A JP2896005B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ウェハー洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217987A true JPH05217987A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2896005B2 JP2896005B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=12046765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4021146A Expired - Fee Related JP2896005B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ウェハー洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2896005B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| WO2001073832A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | F.T.L. Co., Ltd. | Procede de traitement de surface pour semiconducteur |
| KR100358572B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 산화막 형성방법 |
| KR100422499B1 (ko) * | 1996-06-12 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | 세정장치및그방법 |
| JP2020500695A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | ラシルク, インコーポレイテッドRasirc, Inc. | ガス供給システムにおける過酸化水素の分解を抑制する方法、システム、および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372626A (ja) * | 1989-05-06 | 1991-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄処理方法および装置 |
| JPH03284842A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用洗浄処理装置 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP4021146A patent/JP2896005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372626A (ja) * | 1989-05-06 | 1991-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄処理方法および装置 |
| JPH03284842A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用洗浄処理装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422499B1 (ko) * | 1996-06-12 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | 세정장치및그방법 |
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| KR100358572B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 산화막 형성방법 |
| WO2001073832A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | F.T.L. Co., Ltd. | Procede de traitement de surface pour semiconducteur |
| US6867147B2 (en) * | 2000-03-29 | 2005-03-15 | F.T.L. Co., Ltd | Method of surface treatment of semiconductor |
| KR100781742B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2007-12-04 | 가부시기가이샤 에프티엘 | 반도체의 표면처리방법 |
| JP2020500695A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | ラシルク, インコーポレイテッドRasirc, Inc. | ガス供給システムにおける過酸化水素の分解を抑制する方法、システム、および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2896005B2 (ja) | 1999-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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