JPH03284842A - 基板用洗浄処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体基板やフォトマスク用ガラス基板や液
晶表示素子用ガラス基板などの各種基板に対して、エツ
チング、金属不純物の溶解や除去といった洗浄処理を行
うために、洗浄処理液を貯留する洗浄処理液貯留部と、
その洗浄処理液貯留部内の洗浄処理液より洗浄処理用蒸
気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部と、処理すべき基
板を保持する基板保持手段と、その基板保持手段に保持
された基板に洗浄処理用蒸気発生部からの洗浄処理用蒸
気を供給する蒸気供給部とを備えた基板用洗浄処理装置
に関する。

〈従来の技術〉 この種の基板用洗浄処理装置としては、従来、特開昭６
２−１７３７２０号公報に開示されたものが知られてい
る。

この従来例によれば、ハウジング内に基板保持手段を設
け、そのハウジングの下方側部に、洗浄処理液としての
フッ化水素酸ＨＦの貯留槽を設け、その貯留槽内空間と
ハウジング内空間とをバルブを介装したパイプを介して
連通接続し、窒素ガスＮ、によるバブリング、ヒータに
よる加熱、超音波発振子による振動などによってフッ化
水素酸ＨＦの蒸気を発生させ、そのフン化水素酸ＨＦの
蒸気をハウジング内に供給することにより、基板表面の
酸化膜を溶解して落下除去するように構成されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述従来例では、フッ化水素酸ＨＦの貯
留槽を設置するためのスペースをハウジングの外部に確
保しなければならず、装置全体として大型化する欠点が
あった。

また、このような基板用洗浄処理装置では、フッ化水素
酸ＨＦなとの洗浄処理液の蒸気が外部に洩れ出すことを
防止する必要があり、ハウジングはもちろんのこと、貯
留槽自体ならびにパイプと貯留槽およびハウジングそれ
ぞれとの接続箇所に対する洩れ防止用のシール構成が必
要であり、そのシール構成が大掛かりになって高価にな
る欠点があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、装置全体をコンパクトに構成するとともに洗浄処理
液の蒸気の洩れ出し防止のためのシール構成を簡略化で
きるようにすることを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、上述のような目的を達成するために、請求項
第（１）項に係る発明として、洗浄処理液を貯留する洗
浄処理液貯留部と、その洗浄処理液貯留部の上方におい
て洗浄処理液の蒸気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部
と、処理すべき基板を保持する基板保持手段と、その基
板保持手段に保持された基板に洗浄処理用蒸気を供給す
る蒸気供給部とを備えた基板用洗浄処理装置において、
洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基板保持手
段の基板保持部、および、蒸気供給部を、平面視におい
て重複するとともに上下方向に近接させてハウジング内
に設けて構成する。

また、請求項第（２）項の発明として、上記第（１）項
に記載の基板用洗浄処理装置において、少なくとも基板
保持手段の基板保持部と蒸気供給部とを内外二重のハウ
ジングで覆い、内側ハウジング内に対する吸引排気量が
内側ハウジングと外側ハウジングとで囲まれる空間内に
対する吸引排気量よりも多くなるように吸引排気量を制
御する排気制御手段を備えて構成する。

〈作用〉 請求項第（１）項に係る発明の基板用洗浄処理装置の構
成によれば、洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部
、基板保持手段の基板保持部、および、蒸気供給部のい
ずれをも、上下方向に近接して重ねる状態でハウジング
内に設け、ハウジングに対するシール構成によって、洗
浄処理液貯留部から蒸気供給部に至るまでの洗浄処理液
の蒸気の外部への洩れ出しに対するシールを行うことが
できる。

また、請求項第（２）項に係る発明の基板用洗浄処理装
置の構成によれば、内外二重のハウジングによって、基
板に供給した洗浄処理液の蒸気が外部に洩れることを防
止し、かつ、その洗浄処理液の蒸気の排出に対して、内
側ハウジング内に対する吸引排気量を内側ハウジングと
外側ハウジングで囲まれる空間内に対する吸引排気量よ
りも多くなるように制御して、内側ハウジング内側の圧
力をそれより外の外側ハウジングで囲まれる空間内側よ
りも低くし、内側ハウジングの外側から内部側に向かっ
てガスが吸引される雰囲気を現出し、洗浄処理液の蒸気
の排出に際しての外部への洩れを防止する。

上述洗浄処理液としては、次の各種のものが使用できる
。

［Ｉ］硫酸（Ｈ，Ｓｏ、）、硫酸と過酸化水素（ＨｚＯ
ｔ）との混合液、９７〜９８％の濃度の硫酸を含んだ発
煙硫酸（Ｈｚ　Ｓ　Ｏａ　＋　Ｓ　Ｏｘ　＋Ｈｔ　Ｏｘ
　）、硫酸水溶液 これらの蒸気は、有機物や無機物を除去するのに有効で
あり、共沸組成９８．４％で沸点が３１７°Ｃの硫酸水
溶液（Ｈ，Ｓ○４＋ＨＺ　Ｏ）では、金属不純物と反応
して硫酸塩となり、それによって金属不純物を溶解除去
できる。

［２］硝酸（ＨＮＯｌ）、８６％以上の濃度の硝酸を含
んだ発煙硝酸（ＨＮＯｓ　＋ＮＯ２＋Ｈｚ　Ｏ）、硝酸
水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応して硝酸塩となり、
それによって金属不純物を溶解除去できる。但し、アル
ミニウム（Ａｆｆｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）は
不動態となる。また、シリコン表面を酸化することがで
きる。

［３］硝酸（ＨＮＯａ）とハロゲン化水素（ＨＦ、ＨＣ
ｌ等）との混合液やその水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応して溶解除去できる
。また、硝酸による酸化作用とハロゲン化水素の酸化物
分解作用との組み合わせによって、パーティクルや金属
不純物を除去できる。

［４］弗化水素水溶液（フッ化水素酸）（ＨＦ＋Ｈｇ０
）、弗化水素（ＨＦ）とアルコール（ＲＯＨ）との混合
液およびその水溶液 これらの蒸気は、自然酸化膜（ＳｉＯ＋＋）のエツチン
グ除去にを効であり、金属不純物と反応し、弗化物とな
って溶解除去できる。

［５］弗化水素（ＨＦ）と過酸化水素（Ｈ２０□）との
混合液およびその水溶液、弗化水素（ＨＦ）とアルコー
ル（ＲＯＨ）と過酸化水素（ＨｉＯ２）との混合液およ
びその水溶液 これらの蒸気は、過酸化水素によるシリコン表面の酸化
と弗化水素による酸化物の分解を同時に行い、パーティ
クルや金属不純物を除去できる。

［６］塩化水素水溶液（塩酸）（ＨＣｊ！＋Ｈｔ　Ｏ）
、塩化水素（ＭＣＩ）とアルコール（ＲＯＨ）との混合
液およびその水溶液、塩化水素（ＨＣｊりと過酸化水素
Ｄｔｚ　ｏｘ　）との混合液およびその水溶液、塩化水
素（ＨＣ／りとアルコール（ＲＯＨ）と過酸化水素（Ｈ
，Ｏｔ）との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応し、塩化物として溶
解除去できる。

［７１アンモニア水溶液（ＮＨ，＋Ｈ，Ｏ）、アンモニ
ア（ＮＨ３）とアルコール（ＲＯＨ）との混合液および
その水溶液 これらの蒸気は、アンモニアがシリコン化合物をわずか
に溶かす（シリコンをエツチングする）ことを利用して
パーティクルを除去できる。

［８］アンモニア（ＮＨｓ）と過酸化水素（ＨｔＯ□）
との混合液およびその水溶液、アンモニア（ＮＨｓ）と
アルコール（ＲＯＭ）と過酸化水素（Ｈ！０．）との混
合液およびその水溶液これらの蒸気は、アンモニアによ
るシリコンエツチング作用と過酸化水素による酸化作用
とによってパーティクルを除去できる。処理後において
基板の表面を酸化し、親水性を呈することができる。

［９］コリン（［（ＣＨ２）ｓ　ＮＣｚ　Ｈａ　ＯＨ］
ＯＨ）およびコリン誘導体（［（ＣＲＨ！、。１）４Ｎ
］ＯＨ）、コリン水溶液（［（ＣＨ２）ｓ　Ｎ（。

Ｈ，ＯＨ］　ＯＨ＋Ｈｚ　Ｏ）　、コリン（［（ＣＨｆ
ｆ）ｆｆＮＣ，Ｈ，０ｆ−１］　ＯＨ）とアルコール（
ＲＯＨ）との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、コリンによるシリコンエツチング作用
によってパーティクルを除去できる。

［１０］コリン（［（ＣＨｆｆ　）　３ＮＣ，Ｈ，○Ｈ
］０）（）と過酸化水素（Ｈ！　Ｏｔ）との混合液およ
びその水溶液、コリン（［（ＣＨ３）　３　ＮＣｚ　Ｈ
、ＯＨ］　ＯＨ）とアルコール（ＲＯＭ）と過酸化水素
（Ｈ！　０１）との混合液およびその水溶液これらの蒸
気は、コリンによるシリコンエツチング作用と過酸化水
素による酸化作用とによってパーティクルを除去できる
。処理後において基板の表面を酸化し、親水性を呈する
ことができる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。なお、以下の実施例は、洗浄処理液としてフッ化水素
酸（ＨＦ＋Ｈ，Ｏ）を使用した実施例についてのもので
ある。

星土尖旌■ 第１図は、本発明に係る基板用洗浄処理装置の第１実施
例を示す全体概略縦断面図であり、ハウジングｌ内に、
洗浄処理液としてのフッ化水素酸を貯留する洗浄処理液
貯留部としてのフッ化水素酸タンク２が設けられ、その
フッ化水素酸タンク２の上部がカバー３により密閉され
、フン化水素酸タンク２の上方にフッ化水素酸よりの蒸
気を発生させる洗浄処理用莫気発生部４が形成されてい
る。

フン化水素酸タンク２の下方でかつハウジング１の内側
において、フッ化水素酸タンク２の底壁２ａの下向き面
に密接させてで内側ハウジング５が設けられ、その内側
ハウジング５内に、洗浄処理すべき基板Ｗを保持する基
板保持手段６が設けられるとともに、底壁２ａの下向き
面と基板Ｗとの間にフッ化水素酸蒸気を供給する蒸気供
給部７が設けられている。

前記基板保持手段６は、第２図の要部の拡大縦断面図に
示すように、鉛直軸芯回りで駆動回転可能に、かつ、ヒ
ータ（図示せず）を内装したホットプレート８が設けら
れるとともに、そのホットプレート８に支軸９が一体連
接されて構成され、そして、支軸９と、ハウジング１外
に設けられた電動モータ１０とがベルト式伝動機構１１
を介して連動連結されている。

ホットプレート８には、支軸９を介して真空吸引路１２
が形成され、基板Ｗを真空吸着できるように構成されて
いる。ホットプレート８に内装されたヒータは、図示し
ない温度制御手段により制御され、ホットプレート８の
表面温度を薄気供給部７の雰囲気温度と同一またはそれ
より高い温度に維持しうるように構成されている。

ホットプレート８の上面とほぼ等しいレベルにおいて、
内側ハウジング５およびハウジング１それぞれに、基板
Ｗ出し入れ用の開口５ａ、ｌａが形成されるとともに、
その開口５ａ、ｌａそれぞれに、開閉シャッター１７が
付設されている。そして、ハウジング１の開口１ａの外
方に設置された基板搬送アーム１８をホットプレート８
の上方まで出退させ、基板Ｗを内側ハウジング５内に出
し入れできるように構成されている。すなわち、基板搬
送アーム１８に基板Ｗを吸着保持させた状態で、両開口
１ａ、５ａを通してホットプレート８上まで搬入し、そ
の後に基板搬送アーム１８をハウジング１外に引退させ
、しかる後に、シャッター１７．１７を閉しるとともに
、基板Ｗをホットプレート８上に吸着保持させる。一方
、基板Ｗをハウジング１外に取り出すときには、上述の
場合と逆の手順により、シャッター１７．１７を開き、
基板Ｗを基板基板搬送アーム１８に保持させ、開口５ａ
、ｌａを通じてハウジング１外に取り出すことができる
。

シャッター１７．１７は、それぞれに形成されたラック
ギア（図示せず）にビニオンギア（図示せず）を咬合さ
せ、ビニオンギアを電動モータ１７ａで駆動回転するこ
とによって開閉できるように構成されている。なお、シ
ャッター１７．１７としては、基板Ｗの搬送と気密空間
の形成とを可能とするものであれば、任意の構成のもの
を採用しろる。

前記フン化水素酸タンク２内には、第２図に示すように
、温水配管１９が図示しないホルダーによって支持され
、また、フン化水素酸タンク２の底壁２ａ内には、温水
流路２１が形成され、第１図に示す温水供給管２２から
温水配管１９および温水流路２１を介して温水排出管２
３に至る循環路に温水を循環させることにより、フン化
水素酸タンク２内に貯留されるフッ化水素酸を加熱して
蒸発するように構成されている。上記温水配管１９と温
水流路２１とによって、フン化水素酸を加熱して蒸発す
る加熱手段が構成されている。図中８１は、フン化水素
酸タンク２内のフッ化水素酸の温度を測定する温度セン
サを示しており、その測定温度に基づいて温水配管１９
および温水流路２１に流す温水量を調整し、フン化水素
酸の温度を沸騰点未満の温度に維持するようになってい
る。

なお、沸点が低い洗浄処理液を使用する場合などにおい
ては、温水配管１９を省略し、温水流路２１のみにより
洗浄処理液等の加熱を行うようにしても良い。また、温
水に代えて熱媒用オイルを使用することもできる。

フッ化水素酸タンク２には、第１図に示すように、オー
バーフロー用の流路２４が形成されるとともに、そのオ
ーバーフロー用の流路２４の途中箇所に自動開閉弁２５
が設けられ、初期ならびに補充時において、濃度３９．
４％のフン化水素酸を図外の貯留槽からフッ化水素酸供
給管２６を介してオーバーフローするまで供給し、オー
バーフローを生した段階でバルブ２７を閉して適量のフ
ッ化水素酸を貯留するように構成されている。なお、フ
ッ化水素酸供給管２６から供給するフッ化水素酸は、予
め所定温度まで加熱されていることが好ましいため、必
要に応じ、フッ化水素酸供給管２６に温調手段を配設す
る。適量のフン化水素酸を貯留した後には、自動開閉弁
２５を閉しておき、洗浄処理時においてフン化水素酸蒸
気がオーバーフロー用の流路２４を通じて洩れることを
防止するようになっている。洗浄処理の途中での補充は
、基板Ｗの処理枚数や処理時間に基づいて適当な時期に
行うものである。このフン化水素酸タンク２内に適量の
フッ化水素酸を供給する構成としては、例えば、フッ化
水素酸タンク２内に液面計を設け、設定量まで減少した
ことを検出し、それに基づいて設定量のフッ化水素酸を
供給するようにしても良い。

また、オーバーフロー用の流路２４が臨む位置よりも高
い位置に、すなわち、洗浄処理用蒸気発生部４に連通接
続するように蒸気供給路２８が開口され、そして、蒸気
供給路２８の端部がフッ化水素酸タンク２の下向き面側
から蒸気供給部７に開口されるとともに、その蒸気供給
路２日を自動的に開閉する開閉手段２９が設けられてい
る。

前記洗浄処理用蒸気発生部４の上部側にはキャリアガス
としての窒素（Ｎ２）ガスを供給するキャリアガス供給
管３３が連通接続され、かつ、キャリアガス供給管３３
にバルブ３４が介装され、加熱によって洗浄処理用蒸気
発生部４に溜められたフッ化水素酸蒸気を蒸気供給路２
８に送るように構成されている。

また、蒸気供給部７に連通して、混合用ガスとしての窒
素（Ｎ２）ガスを供給する混合ガス供給管３５が連通接
続されるとともに、その混合ガス供給管３５にバルブ３
６が介装されている。

上記キャリアガス供給管３３および混合ガス供給管３５
それぞれには、図示しないが、その内部を流れる窒素（
Ｎ２）ガスの温度を設定温度に維持する温調手段が付設
されている。

前記蒸気供給部７は、拡散供給用の多孔板３７によりフ
ン化水素酸タンク２の底壁２ａとの間に蒸気空間３８を
形成して構成され、その蒸気空間３８に蒸気供給路２日
が連通接続され、フン化水素酸蒸気をホントプレート８
上の基板Ｗの表面に供給できるように構成されている。

この蒸気供給部７では、フン化水素酸タンク２の底壁２
ａに形成された温水流路２１による加熱とホットプレー
ト８からの加熱とによってフッ化水素酸蒸気の温度が露
点を越える温度に維持されるようになっている。

以上に記載した構成によると、フッ化水素酸タンク２、
洗浄処理用蒸気発生部４、蒸気供給部７、および、洗浄
処理用蒸気発生部４と蒸気供給部７とを連通ずる茎気供
給路２８等を上下方向に近接させて配置しているため、
それらを−括して効率的に加熱・温度制御することがで
き、それらへの洗浄処理液の茶気の結露を容易に防止す
ることが可能である。

第１図に示すように、内側ハウジング５の内部空間に第
１の流量制御弁３９を介装した第１の排気管４０が連通
接続されるとともに、内側ハウジング５と外側のハウジ
ング１とで囲まれる空間に第２の流量制御弁４１を介装
した第２の排気管４２がｉ１通接続されている。第１お
よび第２の排気管４０．４２それぞれは図外の吸引排気
装置に連通接続され、そして、第１の流量制御弁３９の
開度が第２の流量制御弁４１の開度よりも大に設定され
、内側ハウジング５内に対する吸引排気量が内側ハウジ
ング５と外側のハウジング１とで囲まれる空間内に対す
る吸引排気量よりも多くなるように吸引排気量を制御し
、基板Ｗに供給された後に排出されるフッ化水素酸蒸気
の外部への洩れ出しを良好に防止するように排気制御手
段が構成されている。

なお、内側ハウジング５の排気量を外側ハウジング１の
排気量より大きくするためには、排気管４０の径を排気
管４２の径より大きくするとともに、両排気管４０．４
２を同一の吸引排気装置に連通接続する構成や、排気管
４０．４２を各々異なる吸引排気装置に連通接続する構
成などを採用することができる。

１１！隻■ 第３図は、第２実施例を示す縦断面図であり、ハウジン
グ５１内に真空吸着によって基板Ｗを保持する基板保持
手段５２が設けられている。

基板保持手段５２はホットプレート５３から上方に支軸
５４を延設して構成され、その支軸５４が鉛直軸芯回り
で回転可能にハウジング５１に設けられるとともに、支
軸５４の上端に電動モータＭが連動連結されている。

ホットプレート５３による基板Ｗの保持部の下方に、多
孔板５５による蒸気供給部５６が設けられている。

ハウジング５１の底部側が洗浄処理液貯留部としてのフ
ッ化水素酸タンク５７に形成され、そのフン化水素酸タ
ンク５７に、ポンプ５８を介装したフン化水素酸供給管
５９を介してフッ化水素酸貯留タンク６０が連通接続さ
れるとともに、フッ化水素酸タンク５７にオーバーフロ
ー管６１が設けられ、初期や補充時において、適量のフ
ン化水素酸をフン化水素酸タンク５７に供給して貯留す
るように構成されている。

フッ化水素酸タンク５７の上面と多孔板５５との間に洗
浄処理用蒸気発生部６２が形成されるとともに、その洗
浄処理用蒸気発生部６２に、キャリアガスおよび混合ガ
スとして窒素（Ｎ２）ガスを供給する混合ガス供給管６
３が連通接続されている。

ホントプレート５２による基板Ｗの保持部、蒸気供給部
５６、洗浄処理用蒸気発生部６２およびフッ化水素酸タ
ンク５７にわたらせて、ハウジング５１の外部に加熱手
段としてのヒータ６４が設けられ、フッ化水素酸タンク
５７内のフン化水素酸の温度を沸騰点未満の温度に維持
するとともに、ホットプレート５３からの加熱との協働
によって洗浄処理用蒸気発生部６２におけるフッ化水素
酸蒸気の温度が露点を越える温度に維持されるようにな
っている。

上記実施例では、基板Ｗを回転しながら洗浄処理するよ
うに構成しているが、本発明としては、基板Ｗを回転さ
せない状態で洗浄処理するものにも適用できる。

なお、上記第１、第２の実施例はいずれも、洗浄処理液
を加熱することにより洗浄処理液の蒸気を発生させる場
合について述べたが、沸点が常温より低い洗浄処理液を
使用した場合には、洗浄処理液を冷却制御することによ
り、同様の処理を行うことができる。

〈発明の効果〉 請求項第（１）項に係る発明の基板用洗浄処理装置によ
れば、洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基板
保持手段の基板保持部、および、蒸気供給部のいずれを
も、上下方向に近接して重ねる状態でハウジング内に設
けるから、装置全体をコンパクトに構成できるようにな
った。

しかも、洗浄処理液貯留部から蒸気供給部に至るまでの
洗浄処理液の蒸気の外部への洩れ出しに対するシールを
、ハウジングに対するシール構成そのものを利用して行
うことができるから、従来のように洗浄処理液貯留部を
ハウジングの外部に設けて洗浄処理液の蒸気を発生させ
る場合のような蒸気洩れに対する専用のソール構成が不
要になり、蒸気洩れに対するシール構成を簡略化できて
経済的である。

また、請求項第（２）項に係る発明の基板用洗浄処理装
置によれば、基板保持手段による基板保持部と蒸気供給
部とを内外二重のハウジングによって覆うから、基板に
供給した洗浄処理液の蒸気の外部への洩れ出しを良好に
防止できるようになった。

しかも、吸引排気量の差によって、内側ハウジング内側
の圧力をそれより外の外側ハウジングで囲まれる空間内
側よりも低くするから、排出される洗浄処理液の蒸気が
内側ハウジング内側から外側ハウジング側に流出するこ
とを抑え、洗浄処理液の蒸気の排出に際しての外部への
洩れ出しをより確実に防止できるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明に係る基板用洗浄処理装置
の第１実施例を示し、第１図は全体概略縦断面図、第２
図は要部の拡大縦断面図、第３図は、本発明に係る基板
用洗浄処理装置の第２実施例を示す全体概略縦断面図で
ある。 １・・・ハウジング ２・・・洗浄処理液貯留部としてのフン化水素酸タンク ４・・・洗浄処理用蒸気発生部 ５・・・内側ハウジング ６・・・基板保持手段 ７・・・蒸気供給部 ８・・・基板保持部としてのホットプレート３９・・・
排気制御手段を構成する第１の流量制御弁４１・・・排
気制御手段を構成する第２の流量制御弁５１・・・ハウ
ジング ５２・・・基板保持手段 ５３・・・基板保持部としてのホットプレート５６・・
・蒸気供給部 ５７・・・洗浄処理液貯留部としてのフン化水素酸タン
ク ６２・・・洗浄処理用蒸気発生部 Ｗ・・・基板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）洗浄処理液を貯留する洗浄処理液貯留部と、前記
   洗浄処理液貯留部の上方において、前記洗浄処理液の蒸
   気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部と、 処理すべき基板を保持する基板保持手段と、前記基板保
   持手段に保持された基板に前記洗浄処理用蒸気発生部か
   らの洗浄処理用蒸気を供給する蒸気供給部と を備えた基板用洗浄処理装置において、 前記洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基板保
   持手段の基板保持部、および、蒸気供給部を、平面視に
   おいて重複するとともに上下方向に近接させてハウジン
   グ内に設けたことを特徴とする基板用洗浄処理装置。
2. （２）少なくとも基板保持手段の基板保持部と蒸気供給
   部とを内外二重のハウジングで覆い、内側ハウジング内
   に対する吸引排気量が内側ハウジングと外側ハウジング
   とで囲まれる空間内に対する吸引排気量よりも多くなる
   ように吸引排気量を制御する排気制御手段を備えた請求
   項第（１）項に記載の基板用洗浄処理装置。