JPH038821B2 - - Google Patents
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- JPH038821B2 JPH038821B2 JP62082378A JP8237887A JPH038821B2 JP H038821 B2 JPH038821 B2 JP H038821B2 JP 62082378 A JP62082378 A JP 62082378A JP 8237887 A JP8237887 A JP 8237887A JP H038821 B2 JPH038821 B2 JP H038821B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドラフトチヤンバに係り、特に半導体
製造工程に於けるシリコンウエハ等の化学洗浄及
びエツチングに用いられる薬液槽が設置されるド
ラフトチヤンバに関する。
製造工程に於けるシリコンウエハ等の化学洗浄及
びエツチングに用いられる薬液槽が設置されるド
ラフトチヤンバに関する。
半導体の製造工程にはシリコンウエハを化学洗
浄し、及びエツチングする工程がある。例えば化
学洗浄プロセスに於いてシリコンウエハは高温加
熱（80℃〜120℃）された過酸化水素、アンモニ
ア、塩酸、硫酸などを組成とする溶液等の薬液槽
にそれぞれ10〜20分間浸されて処理されている。
またフツ酸や硝酸を成分とする溶液の薬液槽に数
分間浸してエツチング処理される。
浄し、及びエツチングする工程がある。例えば化
学洗浄プロセスに於いてシリコンウエハは高温加
熱（80℃〜120℃）された過酸化水素、アンモニ
ア、塩酸、硫酸などを組成とする溶液等の薬液槽
にそれぞれ10〜20分間浸されて処理されている。
またフツ酸や硝酸を成分とする溶液の薬液槽に数
分間浸してエツチング処理される。
ところで、このようなシリコンウエハの処理工
程は塵埃の付着着等を防止する為、クリーンルー
ム内に設置されるドラフトチヤンバ内で行われ
る。
程は塵埃の付着着等を防止する為、クリーンルー
ム内に設置されるドラフトチヤンバ内で行われ
る。
従来のこの種のドラフトチヤンバは、薬液槽か
ら発生する有害ガスクリーンルームに漏出するこ
とを防止する為に、排気用のダクトが設置され、
フアン駆動により外部に有害ガスを排気するよう
にしている。
ら発生する有害ガスクリーンルームに漏出するこ
とを防止する為に、排気用のダクトが設置され、
フアン駆動により外部に有害ガスを排気するよう
にしている。
しかし、従来のドラフトチヤンバは、ドラフト
チヤンバ内に有害ガスが拡散混合した状態で排気
するため大容量のフアンによつて有害ガスと共に
クリーンルーム内の空調、清浄空気も大量に排出
する結果を生じている。そのため無駄が多く、又
フアン駆動のための動力が大きくなるという不具
合があつた。
チヤンバ内に有害ガスが拡散混合した状態で排気
するため大容量のフアンによつて有害ガスと共に
クリーンルーム内の空調、清浄空気も大量に排出
する結果を生じている。そのため無駄が多く、又
フアン駆動のための動力が大きくなるという不具
合があつた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
で、薬液槽から発生する有害ガスをスクリーンル
ームに漏出することなく少ない排風量で効率よく
排出することが出来るドラフトチヤンバを提供す
ることを目的とする。
で、薬液槽から発生する有害ガスをスクリーンル
ームに漏出することなく少ない排風量で効率よく
排出することが出来るドラフトチヤンバを提供す
ることを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、クリーン
ルーム内に設置され、複数の液槽を有すると共に
前面にキヤリアの操作窓を有し、前記液槽にキヤ
リアを順次浸漬する処理を行うためのドラフトチ
ヤンバにおいて、前記液槽のうち少なくとも有害
ガスを発生する薬液槽の液面上方でドラフトチヤ
ンバの前方から後方に向かう略水平方向の第１の
空気流を発生する第１の空気流発生手段と、前記
ドラフトチヤンバの天井から下方に向かう第２の
空気流を発生する第２の空気流発生手段とを備
え、前記薬液槽から発生する有害ガスのクリーン
ルームへの漏出を防止するを特徴としている。
ルーム内に設置され、複数の液槽を有すると共に
前面にキヤリアの操作窓を有し、前記液槽にキヤ
リアを順次浸漬する処理を行うためのドラフトチ
ヤンバにおいて、前記液槽のうち少なくとも有害
ガスを発生する薬液槽の液面上方でドラフトチヤ
ンバの前方から後方に向かう略水平方向の第１の
空気流を発生する第１の空気流発生手段と、前記
ドラフトチヤンバの天井から下方に向かう第２の
空気流を発生する第２の空気流発生手段とを備
え、前記薬液槽から発生する有害ガスのクリーン
ルームへの漏出を防止するを特徴としている。
本発明によれば、前記第１の空気流発生手段か
ら発生する略水平方向の第１の空気流により薬液
槽から発生する有害ガスをチヤンバ内へ極力拡散
しないように直接排出し、この第１の空気流によ
るエアシールを越えて拡散する少量の有害ガスは
ドラフトチヤンバの天井から下方に向かう第２の
空気流（ダウンフロー）によつてその拡散が抑制
され、有害ガスが操作用窓側を介してクリーンル
ームに漏出することを防止するようにしている。
ら発生する略水平方向の第１の空気流により薬液
槽から発生する有害ガスをチヤンバ内へ極力拡散
しないように直接排出し、この第１の空気流によ
るエアシールを越えて拡散する少量の有害ガスは
ドラフトチヤンバの天井から下方に向かう第２の
空気流（ダウンフロー）によつてその拡散が抑制
され、有害ガスが操作用窓側を介してクリーンル
ームに漏出することを防止するようにしている。
以下添付図面に従つて本発明に係るドラフトチ
ヤンバの好ましい実施例を詳説する。
ヤンバの好ましい実施例を詳説する。
第１図は本発明に係るドラフトチヤンバの一実
施例を示す正面図であり、第２図は第１図に於け
るＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図は第１図に於け
るＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図は第１図に於け
るＣ−Ｃ線に沿う断面図、及び第５図は第１図に
於けるＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
施例を示す正面図であり、第２図は第１図に於け
るＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図は第１図に於け
るＢ−Ｂ線に沿う断面図、第４図は第１図に於け
るＣ−Ｃ線に沿う断面図、及び第５図は第１図に
於けるＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
このドラフトチヤンバはクリーンルーム内に設
置されるもので、その前面には第１図に示すよう
に操作パネル１０、ウエハキヤリアの操作用窓が
設けられている。この操作用窓には四枚の透明引
戸１２が設けられると共に、左右の透明引戸には
更にキヤリア供給用小引戸１４及びキヤリア取出
用小引戸１６が設けられている。
置されるもので、その前面には第１図に示すよう
に操作パネル１０、ウエハキヤリアの操作用窓が
設けられている。この操作用窓には四枚の透明引
戸１２が設けられると共に、左右の透明引戸には
更にキヤリア供給用小引戸１４及びキヤリア取出
用小引戸１６が設けられている。
又、ドラフトチヤンバ内には、第２図に示すよ
うにNH4OH＋H2O2薬液槽２０、リンス槽２２、
HF薬液槽２４及びリンス槽２６の４槽が順次配
列されている。
うにNH4OH＋H2O2薬液槽２０、リンス槽２２、
HF薬液槽２４及びリンス槽２６の４槽が順次配
列されている。
薬液槽２０にはヒータ３４が配設され、２０，
２４の薬液槽には薬液供給装置（図示せず）より
薬液が供給され、リンス槽２２，２６には超純水
が供給されるようになつている。又各液槽の廃液
は、液槽底面より自動排水弁３２を介して廃液さ
れるようになつている（第４図、第５図参照）。
更に、ドラフトチヤンバ内には、ウエハキヤリア
をキヤリア供給部２７から前記各液槽を介してウ
エハ取出部２８まで搬送するキヤリア搬送装置３
０が設けられている。尚、このキヤリア搬送装置
３０は、第４図に示すようにウウエハキヤリアを
各液槽に浸漬するために上下方向に移動できるよ
うに構成されている。
２４の薬液槽には薬液供給装置（図示せず）より
薬液が供給され、リンス槽２２，２６には超純水
が供給されるようになつている。又各液槽の廃液
は、液槽底面より自動排水弁３２を介して廃液さ
れるようになつている（第４図、第５図参照）。
更に、ドラフトチヤンバ内には、ウエハキヤリア
をキヤリア供給部２７から前記各液槽を介してウ
エハ取出部２８まで搬送するキヤリア搬送装置３
０が設けられている。尚、このキヤリア搬送装置
３０は、第４図に示すようにウウエハキヤリアを
各液槽に浸漬するために上下方向に移動できるよ
うに構成されている。
さて、このドラフトチヤンバの床面にはシール
エアフアン４０が配設され、天井には第１給気フ
アン５０（第５図）及び第２給気フアン６０（第
４図）が配設されている。
エアフアン４０が配設され、天井には第１給気フ
アン５０（第５図）及び第２給気フアン６０（第
４図）が配設されている。
シールエアフアン４０は、第３図及び第４図に
示すようにプレフイルタ付き吸気口４２からクリ
ーンルーム内の清浄空気を吸入し、HEPAフイ
ルタ４４からダクト４６及び４８を介して吹出口
４８Ａ及び４８Ｂよりシールエアを送出する。
尚、ダクト４８は、第３図からも明らかなように
薬液槽２０，２４のみに対応して設けられ、従つ
て薬液層２０，２４の上方のみにシールエアが送
出される。又、上記シールエアは吹出口４８Ａ及
び４８Ｂからそれぞれ上下二層流として送出さ
れ、上段側の流速を速くし（約1m／ｓ）、下段側
の流速を0.2m／ｓ程度になるようにしている。
これは、薬液蒸発量の軽減化を図ると共に、槽縁
の配管類への気流の衝突乱流を防止しミスト飛散
の恐れをなくすためである。
示すようにプレフイルタ付き吸気口４２からクリ
ーンルーム内の清浄空気を吸入し、HEPAフイ
ルタ４４からダクト４６及び４８を介して吹出口
４８Ａ及び４８Ｂよりシールエアを送出する。
尚、ダクト４８は、第３図からも明らかなように
薬液槽２０，２４のみに対応して設けられ、従つ
て薬液層２０，２４の上方のみにシールエアが送
出される。又、上記シールエアは吹出口４８Ａ及
び４８Ｂからそれぞれ上下二層流として送出さ
れ、上段側の流速を速くし（約1m／ｓ）、下段側
の流速を0.2m／ｓ程度になるようにしている。
これは、薬液蒸発量の軽減化を図ると共に、槽縁
の配管類への気流の衝突乱流を防止しミスト飛散
の恐れをなくすためである。
一方、第１給気フアン５０は、第５図に示すよ
うにプレフイルタ付き吸気口５２からクリーンル
ーム内の清浄空気を吸入し、天井のダクト５４及
びHEPAフイルタ５６を介して天井から下方に
向かう空気流（ダウンフロー）を送出している。
うにプレフイルタ付き吸気口５２からクリーンル
ーム内の清浄空気を吸入し、天井のダクト５４及
びHEPAフイルタ５６を介して天井から下方に
向かう空気流（ダウンフロー）を送出している。
又、第２給気フアン６０は、第４図に示すよう
にプレフイルタ付き吸気口６２からクリーンルー
ム内の清浄空気を吸引し、天井のダクト６４及び
HEPAフイルタ６６を介してダウンフローを送
出している。ここで、HEPAフイルタ５６から
吹き出させるダウンフローの流速は0.3m／ｓと
し、これにより前記シールエアの気流を乱さない
ようにしている。又、HEPAフイルタ６６から
吹き出されるダウンフローの流速は最大0.5m／
ｓとし、奥側のダウンフローよりも若干速くし、
有害ガスがキヤリアの操作用窓からクリーンルー
ムに逃げるのを防止している。
にプレフイルタ付き吸気口６２からクリーンルー
ム内の清浄空気を吸引し、天井のダクト６４及び
HEPAフイルタ６６を介してダウンフローを送
出している。ここで、HEPAフイルタ５６から
吹き出させるダウンフローの流速は0.3m／ｓと
し、これにより前記シールエアの気流を乱さない
ようにしている。又、HEPAフイルタ６６から
吹き出されるダウンフローの流速は最大0.5m／
ｓとし、奥側のダウンフローよりも若干速くし、
有害ガスがキヤリアの操作用窓からクリーンルー
ムに逃げるのを防止している。
一方、ドラフトチヤンバの背面には、第４図及
び第５図に示すように排気用のダクト７２，７４
が設けられ、更に薬液槽２０，２４が設けられて
いる部分には前記吹出口４８Ａ，４８Ｂに略対向
する位置に吸気口７６Ａを有するダクト７６が設
けられている（第１図及び第４図参照）。又、リ
ンス槽２２，２６には、第５図に示すようにダク
ト７４に連通するダクト７８が設けられている。
尚、ダクト７２，７４及び７８の吸気口にはそれ
ぞれダンパ７２Ａ，７４Ａ及び７８Ａが設けられ
ている。
び第５図に示すように排気用のダクト７２，７４
が設けられ、更に薬液槽２０，２４が設けられて
いる部分には前記吹出口４８Ａ，４８Ｂに略対向
する位置に吸気口７６Ａを有するダクト７６が設
けられている（第１図及び第４図参照）。又、リ
ンス槽２２，２６には、第５図に示すようにダク
ト７４に連通するダクト７８が設けられている。
尚、ダクト７２，７４及び７８の吸気口にはそれ
ぞれダンパ７２Ａ，７４Ａ及び７８Ａが設けられ
ている。
これらのダクトは順次合流し、第２図に示すよ
うに排気管８０に接続される。尚、この排気管８
０には排気フアン（図示せず）が配設されてい
る。又、９０はコントロールユニツト、９２は蛍
光灯、９４は溶液用フイルタである。
うに排気管８０に接続される。尚、この排気管８
０には排気フアン（図示せず）が配設されてい
る。又、９０はコントロールユニツト、９２は蛍
光灯、９４は溶液用フイルタである。
前記の如く構成された本発明に係るドラフトチ
ヤンバによれば薬液槽２０，２４から発生する有
害ガスは、吹出し口４８Ａ，４８Ｂからガイドダ
クト７６の吸気口７６Ａに向かう略水平方向のシ
ールエアによつてシールされ、このシール外に流
出した有害ガスはHEPAフイルタ５６及び６６
から送出される２層のダウンフローによつてその
拡散が防止される。
ヤンバによれば薬液槽２０，２４から発生する有
害ガスは、吹出し口４８Ａ，４８Ｂからガイドダ
クト７６の吸気口７６Ａに向かう略水平方向のシ
ールエアによつてシールされ、このシール外に流
出した有害ガスはHEPAフイルタ５６及び６６
から送出される２層のダウンフローによつてその
拡散が防止される。
尚、本実施例では前後２層のダウンフローをそ
れぞれ別々の給気フアンによつて発生するように
したが、これに限らず１台の給気フアンから発生
する空気流を所要風量（風速）となるように分岐
させて２層のダウンフローを発生させるようにし
てもよい。また、キヤリヤの搬送など科学処理操
作を完全に自動化した装置にあつては前面操作扉
は開けないので、天井からの空気流を総合しても
よい。そのため送気フアン、HEPAフイルタを
各１個を使用する構成にしてもよい。
れぞれ別々の給気フアンによつて発生するように
したが、これに限らず１台の給気フアンから発生
する空気流を所要風量（風速）となるように分岐
させて２層のダウンフローを発生させるようにし
てもよい。また、キヤリヤの搬送など科学処理操
作を完全に自動化した装置にあつては前面操作扉
は開けないので、天井からの空気流を総合しても
よい。そのため送気フアン、HEPAフイルタを
各１個を使用する構成にしてもよい。
以上説明したように本発明に係るドラフトチヤ
ンバによれば、略水平方向のシールエアと天井か
らのダウンフローによつて薬液槽から発生する有
害ガスを効率良くその拡散を防止するようにした
ため、従来のドラフトチヤンバの約1/3の排風量
でよくなりフアン駆動のための動力を小さくする
ことができると共に、クリーンルーム内の空調さ
れた清浄空気を大量に排出することがなくなると
いう利点がある。
ンバによれば、略水平方向のシールエアと天井か
らのダウンフローによつて薬液槽から発生する有
害ガスを効率良くその拡散を防止するようにした
ため、従来のドラフトチヤンバの約1/3の排風量
でよくなりフアン駆動のための動力を小さくする
ことができると共に、クリーンルーム内の空調さ
れた清浄空気を大量に排出することがなくなると
いう利点がある。
第１図は本発明に係るドラフトチヤンバの一実
施例を示す正面図、第２図は第１図に於けるＡ−
Ａ線に沿う断面図、第３図は第１図に於けるＢ−
Ｂ線に沿う断面図、第４図は第１図に於けるＣ−
Ｃ線に沿う断面図、第５図は第１図に於けるＤ−
Ｄ線に沿う断面図である。 １２……透明引戸、１４……キヤリア供給用小
引戸、１６……キヤリア取出用小引戸、２０，２
４……薬液槽、２２，２６……リンス槽、３０…
…キヤリア搬送装置、４０……シールエアフア
ン、４４，５６，６６……HEPAフイルタ、４
６，４８，５４，６４，７２，７４，７６，７８
……ダクト、５０……第１給気フアン、６０……
第２給気フアン。
施例を示す正面図、第２図は第１図に於けるＡ−
Ａ線に沿う断面図、第３図は第１図に於けるＢ−
Ｂ線に沿う断面図、第４図は第１図に於けるＣ−
Ｃ線に沿う断面図、第５図は第１図に於けるＤ−
Ｄ線に沿う断面図である。 １２……透明引戸、１４……キヤリア供給用小
引戸、１６……キヤリア取出用小引戸、２０，２
４……薬液槽、２２，２６……リンス槽、３０…
…キヤリア搬送装置、４０……シールエアフア
ン、４４，５６，６６……HEPAフイルタ、４
６，４８，５４，６４，７２，７４，７６，７８
……ダクト、５０……第１給気フアン、６０……
第２給気フアン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ クリーンルーム内に設置され、複数の液槽を
有すると共に前面にキヤリアの操作用窓を有し、
前記液槽にキヤリアを順次浸漬する処理を行うた
めのドラフトチヤンバにおいて、 前記液槽のうち少なくとも有害ガスを発生する
薬液槽の液面上方でドラフトチヤンバの前方から
後方に向かう略水平方向の第１の空気流を発生す
る第１の空気流発生手段と、 前記ドラフトチヤンバの天井から下方に向かう
第２の空気流を発生する第２の空気流発生手段
と、 を備え、前記薬液槽から発生する有害ガスのクリ
ーンルームへの漏出を防止することを特徴とする
ドラフトチヤンバ。 ２ 前記浸漬処理の対象がシリコンウエハである
特許請求の範囲第１項記載のドラフトチヤンバ。 ３ 前記第１の空気流発生手段は、上下２層流
で、下段の空気流の流速が上段の空気流の流速よ
りも遅い空気流を発生する特許請求の範囲第１項
記載のドラフトチヤンバ。 ４ 前記上段の空気流の流速は1m／ｓ程度であ
り、下段の空気流の流速は0.2m／ｓ程度とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のド
ラフトチヤンバ。 ５ 前記第２の空気流発生手段は、前記液槽の略
真上と前記操作用窓とを流れる内外２層流で、内
側の空気流の流速が外側の空気流の流速よりも遅
い空気流を発生する特許請求の範囲第１項記載の
ドラフトチヤンバ。 ６ 前記内側の空気流の流速は0.3m／ｓ程度で
あり、外側の空気流の流速は0.5m／ｓ程度であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
ドラフトチヤンバ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082378A JPS63248449A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | ドラフトチヤンバ |
| US07/426,208 US4976815A (en) | 1987-04-03 | 1989-10-25 | Draft chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082378A JPS63248449A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | ドラフトチヤンバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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