JPH01238022A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPH01238022A JPH01238022A JP6460988A JP6460988A JPH01238022A JP H01238022 A JPH01238022 A JP H01238022A JP 6460988 A JP6460988 A JP 6460988A JP 6460988 A JP6460988 A JP 6460988A JP H01238022 A JPH01238022 A JP H01238022A
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- Japan
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- clean air
- exhaust
- opening
- tank
- evaporated gas
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体処理装置の排気手段の改良に関する。
（従来の技術）
従来の半導体処理装置の排気手段を図面を用いて説明す
る。
る。
第２図は従来の半導体処理装置の排気手段の説明図であ
る。同図において、処理槽４には薬液９が入っており、
半導体は薬液９に浸けられてエツチングされたり洗浄さ
れたりする。処理槽４からは薬液９が蒸発して蒸発ガス
６が立ち昇る。
る。同図において、処理槽４には薬液９が入っており、
半導体は薬液９に浸けられてエツチングされたり洗浄さ
れたりする。処理槽４からは薬液９が蒸発して蒸発ガス
６が立ち昇る。
外槽３には処理槽４が複数個収容されており、処理槽４
の上方には、各槽毎にその上縁に沿うように排気フード
１１が巡らされている。
の上方には、各槽毎にその上縁に沿うように排気フード
１１が巡らされている。
排気フード１１にはスリット１２と排気ダクト５とが設
けられている。スリット１２は排気フード１１の内周面
に設けられており、蒸発ガス６はスリット１２から排気
フード１１に入り排気ダクト５へ向かう、外槽３の上方
にはクリーンユニット７が設けられており、外槽３とク
リーンユニット７との間の空間はクリーンエア１と蒸発
ガス６が半導体処理装置のまわりに逃げてしまわないよ
うに囲われている。クリーンエア１は整流板２を通り抜
けることによって外槽３の開口面に向かって均一に流れ
出す。クリーンエア１は、蒸発ガス６が上昇して行くの
を抑えるとともに、スリット１２に入って行くクリーン
エア１の流れによって蒸発ガス６のスリット１２への流
れを勢い付ける。
けられている。スリット１２は排気フード１１の内周面
に設けられており、蒸発ガス６はスリット１２から排気
フード１１に入り排気ダクト５へ向かう、外槽３の上方
にはクリーンユニット７が設けられており、外槽３とク
リーンユニット７との間の空間はクリーンエア１と蒸発
ガス６が半導体処理装置のまわりに逃げてしまわないよ
うに囲われている。クリーンエア１は整流板２を通り抜
けることによって外槽３の開口面に向かって均一に流れ
出す。クリーンエア１は、蒸発ガス６が上昇して行くの
を抑えるとともに、スリット１２に入って行くクリーン
エア１の流れによって蒸発ガス６のスリット１２への流
れを勢い付ける。
排気ダクト５には図示しない排気装置が接続され、クリ
ーンエア１と蒸発ガス６との混合気体１０が排出される
。
ーンエア１と蒸発ガス６との混合気体１０が排出される
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の半導体処理装置の排気手
段には次のような問題点がある。
段には次のような問題点がある。
第２図において、クリーンエア１は整流板２から外槽３
の開口面に向がって下向きに流れ始め、薬液９の液面か
ら立ち昇る蒸発ガス６は上向きに流れ始めるが、スリッ
ト１２に吸い込まれる時には流れの向きがいずれもほぼ
水平方向に変えられている。しかし、スリット１２から
遠ざかるほど、すなわち処理槽４の開口面の中央部分に
近づくほどクリーンエア１も蒸発ガス６も吸い込まれ方
が弱くなるので流れの向きを上下の方向からスリット１
２に吸い込まれる方向に変えにくくなり、下向きに流れ
るクリーンエア１と上昇する蒸発ガス６とが衝突したり
、薬液９の液面でのクリーンエアの跳ね返り１３が蒸発
ガス６のスリット１２に向かう流れを妨げたり、クリー
ンエア１とクリーンエアの跳ね返り１３とが衝突したり
する。
の開口面に向がって下向きに流れ始め、薬液９の液面か
ら立ち昇る蒸発ガス６は上向きに流れ始めるが、スリッ
ト１２に吸い込まれる時には流れの向きがいずれもほぼ
水平方向に変えられている。しかし、スリット１２から
遠ざかるほど、すなわち処理槽４の開口面の中央部分に
近づくほどクリーンエア１も蒸発ガス６も吸い込まれ方
が弱くなるので流れの向きを上下の方向からスリット１
２に吸い込まれる方向に変えにくくなり、下向きに流れ
るクリーンエア１と上昇する蒸発ガス６とが衝突したり
、薬液９の液面でのクリーンエアの跳ね返り１３が蒸発
ガス６のスリット１２に向かう流れを妨げたり、クリー
ンエア１とクリーンエアの跳ね返り１３とが衝突したり
する。
これらの結果、処理槽４の開口面中央部分での蒸発ガス
６があまり排気されなくなるという問題が生ずる。さら
に処理槽４の処理容量を増そうとすると、その開口面が
広くなるために蒸発ガス６がますます排気されにくくな
るので、該処理容量の向上が難しいという問題もある。
６があまり排気されなくなるという問題が生ずる。さら
に処理槽４の処理容量を増そうとすると、その開口面が
広くなるために蒸発ガス６がますます排気されにくくな
るので、該処理容量の向上が難しいという問題もある。
本発明の目的は、整流板から吹き出すクリーンエアと処
理槽の開口面から立ち昇る蒸発ガスとをともに処理槽の
開口面よりも低い位置の排気孔路へ吸い込むことによっ
てクリーンエアが薬液表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝
突したりするのを軽減し、その結果、処理槽開口面中央
部分での蒸発ガスも滑らかに排出でき、したがって処理
槽の開口面を広くして処理容量を増すことも容易な排気
手段を備えた半導体処理装置を提供することである。
理槽の開口面から立ち昇る蒸発ガスとをともに処理槽の
開口面よりも低い位置の排気孔路へ吸い込むことによっ
てクリーンエアが薬液表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝
突したりするのを軽減し、その結果、処理槽開口面中央
部分での蒸発ガスも滑らかに排出でき、したがって処理
槽の開口面を広くして処理容量を増すことも容易な排気
手段を備えた半導体処理装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体処理装置は上記の目的を達成するために
次の手段構成を有する。
次の手段構成を有する。
すなわち本発明の半導体処理装置は、クリーンエアを送
出するクリーンユニットと； 送出されたクリーンエア
を整流する整流板と； 半導体を薬液処理する処理槽と
； 処理槽を収容する外槽と； を具備し、外槽は処理
槽の開口面よりも低い位置に排気孔路を有し、かつ処理
槽外面と外槽との間にはクリーンエアおよび前記薬液の
蒸発ガスの排気流路が形成されていることを特徴とする
ものである。
出するクリーンユニットと； 送出されたクリーンエア
を整流する整流板と； 半導体を薬液処理する処理槽と
； 処理槽を収容する外槽と； を具備し、外槽は処理
槽の開口面よりも低い位置に排気孔路を有し、かつ処理
槽外面と外槽との間にはクリーンエアおよび前記薬液の
蒸発ガスの排気流路が形成されていることを特徴とする
ものである。
（作 用）
以下に上記の手段構成を有する本発明の半導体処理装置
の作用を説明する。
の作用を説明する。
クリーンユニットから送り出されたクリーンエアは整流
板を通って外槽の開口面に向がって均一に流れ出すが、
処理槽の開口面よりも低い位置で外槽に設けられた排気
孔路に吸い込まれることによって、処理槽の外面と外槽
との間の排気流路へ流れ込む、また排気孔路が処理槽の
開口面よりも低い位置にあるため、処理槽の蒸発ガスは
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。
板を通って外槽の開口面に向がって均一に流れ出すが、
処理槽の開口面よりも低い位置で外槽に設けられた排気
孔路に吸い込まれることによって、処理槽の外面と外槽
との間の排気流路へ流れ込む、また排気孔路が処理槽の
開口面よりも低い位置にあるため、処理槽の蒸発ガスは
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。
さらに、処理槽開口面の中央部に近いほどどうしてもク
リーンエアが該処理槽の開口面へ到達するが、これが処
理槽内の薬液表面で跳ね返りを生じても排気孔路が処理
槽の開口面よりも低い位置にあるため、この跳ね返りも
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。した
がって従来の排気手段に比べ、蒸発ガスとクリーンエア
との衝突が減るとともに薬液表面でのクリーンエアの跳
ね返りも小さくなる６以上のようにして排気流路へ流れ
込むクリーンエアと蒸発ガスとは混合気体になり、排気
孔路に接続される排気装置によって半導体処理装置の外
へ排出される。
リーンエアが該処理槽の開口面へ到達するが、これが処
理槽内の薬液表面で跳ね返りを生じても排気孔路が処理
槽の開口面よりも低い位置にあるため、この跳ね返りも
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。した
がって従来の排気手段に比べ、蒸発ガスとクリーンエア
との衝突が減るとともに薬液表面でのクリーンエアの跳
ね返りも小さくなる６以上のようにして排気流路へ流れ
込むクリーンエアと蒸発ガスとは混合気体になり、排気
孔路に接続される排気装置によって半導体処理装置の外
へ排出される。
以上説明したように、本発明の半導体処理装置は、整流
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になる。
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になる。
（実 施 例）
以下に、本発明の半導体処理装置の実施例を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明の半導体処理装置の実施例の構成図であ
る。処理槽４には薬液９が入っており、この薬液９によ
って半導体のエツチングや洗浄が行われる。薬液９の液
面からはその蒸発ガス６が立ち昇る。処理槽４は外槽３
に収容されており外槽３の上方にはクリーンエア１を送
り出すクリーンユニット７とクリーンエアを整流する整
流板２とが設けられている。クリーンユニット７と外槽
３との間の空間は、クリーンエア１と蒸発ガス６とが半
導体処理装置のまわりに逃げてしまわないように囲われ
ている。処理槽４の外面と外槽３との間にはクリーンエ
ア１と蒸発ガス６との排気流路が形成されている。外槽
３には処理槽４の開口面よりも低い位置に排気ダクト５
が設けられており、この排気ダクト５には図示しない排
気装置が接続される。クリーンエア１は整流板２から外
槽３の開口面に向かって均一に吹き出すが、排気ダクト
５へ吸い込まれることによって処理槽４の外面と外槽３
との間の排気流路へ導かれる。
る。処理槽４には薬液９が入っており、この薬液９によ
って半導体のエツチングや洗浄が行われる。薬液９の液
面からはその蒸発ガス６が立ち昇る。処理槽４は外槽３
に収容されており外槽３の上方にはクリーンエア１を送
り出すクリーンユニット７とクリーンエアを整流する整
流板２とが設けられている。クリーンユニット７と外槽
３との間の空間は、クリーンエア１と蒸発ガス６とが半
導体処理装置のまわりに逃げてしまわないように囲われ
ている。処理槽４の外面と外槽３との間にはクリーンエ
ア１と蒸発ガス６との排気流路が形成されている。外槽
３には処理槽４の開口面よりも低い位置に排気ダクト５
が設けられており、この排気ダクト５には図示しない排
気装置が接続される。クリーンエア１は整流板２から外
槽３の開口面に向かって均一に吹き出すが、排気ダクト
５へ吸い込まれることによって処理槽４の外面と外槽３
との間の排気流路へ導かれる。
蒸発ガス６は、排気ダクト５が処理槽４の開口面より低
い位置にあるため、あまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。また処理槽４の開口面中央部に近いほど
どうしてもクリーンエア１が該処理槽４の開口面へ到達
するが、これが薬液、９の液面で跳ね返りを生じても排
気ダクト５が処理槽４の開口面よりも低い位置にあるた
め、この跳ね返りもあまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。したがってクリーンエア１と蒸発ガス６
との衝突が減り、薬液９の液面でのクリーンエアの跳ね
返りも小さくなる０以上のようにして排気流路へ流れ込
んだクリーンエア１と蒸発ガス６とは混合気体１０とな
り、排気装置によって半導体処理装置の外へ排出される
。
い位置にあるため、あまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。また処理槽４の開口面中央部に近いほど
どうしてもクリーンエア１が該処理槽４の開口面へ到達
するが、これが薬液、９の液面で跳ね返りを生じても排
気ダクト５が処理槽４の開口面よりも低い位置にあるた
め、この跳ね返りもあまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。したがってクリーンエア１と蒸発ガス６
との衝突が減り、薬液９の液面でのクリーンエアの跳ね
返りも小さくなる０以上のようにして排気流路へ流れ込
んだクリーンエア１と蒸発ガス６とは混合気体１０とな
り、排気装置によって半導体処理装置の外へ排出される
。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の半導体処理装置は、整流
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になるという利点を有する。
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になるという利点を有する。
第１図は本発明の半導体処理装置の実施例の構成図、第
２図は従来の半導体処理装置の排気手段の説明図である
。 １・・・・・・クリーンエア、 ２・・・・・・整流板
、 ３・・・・・・外槽、 ４・・・・・・処理槽、
５・・・・・・排気ダクト、６・・・・・・蒸発ガス、
７・・・・・・クリーンユニット、８・・・・・・
処理装置本体、 ９・・・・・・薬液、 １０・・・・
・・混合気体、 １１・・・・・・排気フード、 １２
・・・・・・スリット、 １３・・・・・・クリーン
エアの跳ね返り。 代理人 弁理士 八 幡 義 博 植／ 図
２図は従来の半導体処理装置の排気手段の説明図である
。 １・・・・・・クリーンエア、 ２・・・・・・整流板
、 ３・・・・・・外槽、 ４・・・・・・処理槽、
５・・・・・・排気ダクト、６・・・・・・蒸発ガス、
７・・・・・・クリーンユニット、８・・・・・・
処理装置本体、 ９・・・・・・薬液、 １０・・・・
・・混合気体、 １１・・・・・・排気フード、 １２
・・・・・・スリット、 １３・・・・・・クリーン
エアの跳ね返り。 代理人 弁理士 八 幡 義 博 植／ 図
Claims (1)
- クリーンエアを送出するクリーンユニットと；送出さ
れたクリーンエアを整流する整流板と；半導体を薬液処
理する処理槽と；処理槽を収容する外槽と；を具備し、
外槽は処理槽の開口面よりも低い位置に排気孔路を有し
、かつ処理槽外面と外槽との間にはクリーンエアおよび
前記薬液の蒸発ガスの排気流路が形成されていることを
特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6460988A JPH01238022A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6460988A JPH01238022A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238022A true JPH01238022A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13263174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6460988A Pending JPH01238022A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238022A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280844A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Fuji Electric Co Ltd | クリーンドラフトチャンバ |
| US5191908A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Dipping type surface treatment apparatus |
| US5676177A (en) * | 1994-11-02 | 1997-10-14 | Shofner Engineering Associates, Inc. | Method for optimally processing materials in a machine |
| US5910598A (en) * | 1994-11-02 | 1999-06-08 | Shofner Engineering Associates, Inc. | Modular process zone and personnel zone environmental control with dedicated air jet cleaning |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358932A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
| JPS63209722A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Hitachi Ltd | 薬品処理装置 |
| JPS63248449A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Tadahiro Omi | ドラフトチヤンバ |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6460988A patent/JPH01238022A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358932A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
| JPS63209722A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Hitachi Ltd | 薬品処理装置 |
| JPS63248449A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Tadahiro Omi | ドラフトチヤンバ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280844A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Fuji Electric Co Ltd | クリーンドラフトチャンバ |
| US5191908A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Dipping type surface treatment apparatus |
| US5676177A (en) * | 1994-11-02 | 1997-10-14 | Shofner Engineering Associates, Inc. | Method for optimally processing materials in a machine |
| US5910598A (en) * | 1994-11-02 | 1999-06-08 | Shofner Engineering Associates, Inc. | Modular process zone and personnel zone environmental control with dedicated air jet cleaning |
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