JPH01238022A - 半導体処理装置 - Google Patents

半導体処理装置

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Publication number
JPH01238022A
JPH01238022A JP6460988A JP6460988A JPH01238022A JP H01238022 A JPH01238022 A JP H01238022A JP 6460988 A JP6460988 A JP 6460988A JP 6460988 A JP6460988 A JP 6460988A JP H01238022 A JPH01238022 A JP H01238022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clean air
exhaust
opening
tank
evaporated gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP6460988A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruhiko Furukawa
晴彦 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marine Instr Co Ltd
Original Assignee
Marine Instr Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Marine Instr Co Ltd filed Critical Marine Instr Co Ltd
Priority to JP6460988A priority Critical patent/JPH01238022A/ja
Publication of JPH01238022A publication Critical patent/JPH01238022A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体処理装置の排気手段の改良に関する。
(従来の技術) 従来の半導体処理装置の排気手段を図面を用いて説明す
る。
第2図は従来の半導体処理装置の排気手段の説明図であ
る。同図において、処理槽4には薬液9が入っており、
半導体は薬液9に浸けられてエツチングされたり洗浄さ
れたりする。処理槽4からは薬液9が蒸発して蒸発ガス
6が立ち昇る。
外槽3には処理槽4が複数個収容されており、処理槽4
の上方には、各槽毎にその上縁に沿うように排気フード
11が巡らされている。
排気フード11にはスリット12と排気ダクト5とが設
けられている。スリット12は排気フード11の内周面
に設けられており、蒸発ガス6はスリット12から排気
フード11に入り排気ダクト5へ向かう、外槽3の上方
にはクリーンユニット7が設けられており、外槽3とク
リーンユニット7との間の空間はクリーンエア1と蒸発
ガス6が半導体処理装置のまわりに逃げてしまわないよ
うに囲われている。クリーンエア1は整流板2を通り抜
けることによって外槽3の開口面に向かって均一に流れ
出す。クリーンエア1は、蒸発ガス6が上昇して行くの
を抑えるとともに、スリット12に入って行くクリーン
エア1の流れによって蒸発ガス6のスリット12への流
れを勢い付ける。
排気ダクト5には図示しない排気装置が接続され、クリ
ーンエア1と蒸発ガス6との混合気体10が排出される
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した従来の半導体処理装置の排気手
段には次のような問題点がある。
第2図において、クリーンエア1は整流板2から外槽3
の開口面に向がって下向きに流れ始め、薬液9の液面か
ら立ち昇る蒸発ガス6は上向きに流れ始めるが、スリッ
ト12に吸い込まれる時には流れの向きがいずれもほぼ
水平方向に変えられている。しかし、スリット12から
遠ざかるほど、すなわち処理槽4の開口面の中央部分に
近づくほどクリーンエア1も蒸発ガス6も吸い込まれ方
が弱くなるので流れの向きを上下の方向からスリット1
2に吸い込まれる方向に変えにくくなり、下向きに流れ
るクリーンエア1と上昇する蒸発ガス6とが衝突したり
、薬液9の液面でのクリーンエアの跳ね返り13が蒸発
ガス6のスリット12に向かう流れを妨げたり、クリー
ンエア1とクリーンエアの跳ね返り13とが衝突したり
する。
これらの結果、処理槽4の開口面中央部分での蒸発ガス
6があまり排気されなくなるという問題が生ずる。さら
に処理槽4の処理容量を増そうとすると、その開口面が
広くなるために蒸発ガス6がますます排気されにくくな
るので、該処理容量の向上が難しいという問題もある。
本発明の目的は、整流板から吹き出すクリーンエアと処
理槽の開口面から立ち昇る蒸発ガスとをともに処理槽の
開口面よりも低い位置の排気孔路へ吸い込むことによっ
てクリーンエアが薬液表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝
突したりするのを軽減し、その結果、処理槽開口面中央
部分での蒸発ガスも滑らかに排出でき、したがって処理
槽の開口面を広くして処理容量を増すことも容易な排気
手段を備えた半導体処理装置を提供することである。
(課題を解決するための手段) 本発明の半導体処理装置は上記の目的を達成するために
次の手段構成を有する。
すなわち本発明の半導体処理装置は、クリーンエアを送
出するクリーンユニットと; 送出されたクリーンエア
を整流する整流板と; 半導体を薬液処理する処理槽と
; 処理槽を収容する外槽と; を具備し、外槽は処理
槽の開口面よりも低い位置に排気孔路を有し、かつ処理
槽外面と外槽との間にはクリーンエアおよび前記薬液の
蒸発ガスの排気流路が形成されていることを特徴とする
ものである。
(作 用) 以下に上記の手段構成を有する本発明の半導体処理装置
の作用を説明する。
クリーンユニットから送り出されたクリーンエアは整流
板を通って外槽の開口面に向がって均一に流れ出すが、
処理槽の開口面よりも低い位置で外槽に設けられた排気
孔路に吸い込まれることによって、処理槽の外面と外槽
との間の排気流路へ流れ込む、また排気孔路が処理槽の
開口面よりも低い位置にあるため、処理槽の蒸発ガスは
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。
さらに、処理槽開口面の中央部に近いほどどうしてもク
リーンエアが該処理槽の開口面へ到達するが、これが処
理槽内の薬液表面で跳ね返りを生じても排気孔路が処理
槽の開口面よりも低い位置にあるため、この跳ね返りも
あまり高く上昇せずに前記の排気流路へ流れ込む。した
がって従来の排気手段に比べ、蒸発ガスとクリーンエア
との衝突が減るとともに薬液表面でのクリーンエアの跳
ね返りも小さくなる6以上のようにして排気流路へ流れ
込むクリーンエアと蒸発ガスとは混合気体になり、排気
孔路に接続される排気装置によって半導体処理装置の外
へ排出される。
以上説明したように、本発明の半導体処理装置は、整流
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になる。
(実 施 例) 以下に、本発明の半導体処理装置の実施例を図面に基づ
いて説明する。
第1図は本発明の半導体処理装置の実施例の構成図であ
る。処理槽4には薬液9が入っており、この薬液9によ
って半導体のエツチングや洗浄が行われる。薬液9の液
面からはその蒸発ガス6が立ち昇る。処理槽4は外槽3
に収容されており外槽3の上方にはクリーンエア1を送
り出すクリーンユニット7とクリーンエアを整流する整
流板2とが設けられている。クリーンユニット7と外槽
3との間の空間は、クリーンエア1と蒸発ガス6とが半
導体処理装置のまわりに逃げてしまわないように囲われ
ている。処理槽4の外面と外槽3との間にはクリーンエ
ア1と蒸発ガス6との排気流路が形成されている。外槽
3には処理槽4の開口面よりも低い位置に排気ダクト5
が設けられており、この排気ダクト5には図示しない排
気装置が接続される。クリーンエア1は整流板2から外
槽3の開口面に向かって均一に吹き出すが、排気ダクト
5へ吸い込まれることによって処理槽4の外面と外槽3
との間の排気流路へ導かれる。
蒸発ガス6は、排気ダクト5が処理槽4の開口面より低
い位置にあるため、あまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。また処理槽4の開口面中央部に近いほど
どうしてもクリーンエア1が該処理槽4の開口面へ到達
するが、これが薬液、9の液面で跳ね返りを生じても排
気ダクト5が処理槽4の開口面よりも低い位置にあるた
め、この跳ね返りもあまり高く上昇せずに前記の排気流
路へ導かれる。したがってクリーンエア1と蒸発ガス6
との衝突が減り、薬液9の液面でのクリーンエアの跳ね
返りも小さくなる0以上のようにして排気流路へ流れ込
んだクリーンエア1と蒸発ガス6とは混合気体10とな
り、排気装置によって半導体処理装置の外へ排出される
(発明の効果) 以上説明したように、本発明の半導体処理装置は、整流
板から吹き出すクリーンエアと処理槽の開口面から立ち
昇る蒸発ガスとをともに処理槽の開口面よりも低い位置
の排気孔路へ吸い込むことによってクリーンエアが薬液
表面で跳ね返ったり蒸発ガスと衝突したりするのを軽減
し、その結果、処理槽開口面中央部分での蒸発ガスも滑
らかに排出でき、したがって処理槽の開口面を広くして
処理容量を増すことも容易になるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体処理装置の実施例の構成図、第
2図は従来の半導体処理装置の排気手段の説明図である
。 1・・・・・・クリーンエア、 2・・・・・・整流板
、 3・・・・・・外槽、 4・・・・・・処理槽、 
5・・・・・・排気ダクト、6・・・・・・蒸発ガス、
  7・・・・・・クリーンユニット、8・・・・・・
処理装置本体、 9・・・・・・薬液、 10・・・・
・・混合気体、 11・・・・・・排気フード、 12
・・・・・・スリット、  13・・・・・・クリーン
エアの跳ね返り。 代理人 弁理士  八 幡  義 博 植/ 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  クリーンエアを送出するクリーンユニットと;送出さ
    れたクリーンエアを整流する整流板と;半導体を薬液処
    理する処理槽と;処理槽を収容する外槽と;を具備し、
    外槽は処理槽の開口面よりも低い位置に排気孔路を有し
    、かつ処理槽外面と外槽との間にはクリーンエアおよび
    前記薬液の蒸発ガスの排気流路が形成されていることを
    特徴とする半導体処理装置。
JP6460988A 1988-03-17 1988-03-17 半導体処理装置 Pending JPH01238022A (ja)

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JP6460988A JPH01238022A (ja) 1988-03-17 1988-03-17 半導体処理装置

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JP6460988A JPH01238022A (ja) 1988-03-17 1988-03-17 半導体処理装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02280844A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Fuji Electric Co Ltd クリーンドラフトチャンバ
US5191908A (en) * 1990-12-28 1993-03-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Dipping type surface treatment apparatus
US5676177A (en) * 1994-11-02 1997-10-14 Shofner Engineering Associates, Inc. Method for optimally processing materials in a machine
US5910598A (en) * 1994-11-02 1999-06-08 Shofner Engineering Associates, Inc. Modular process zone and personnel zone environmental control with dedicated air jet cleaning

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358932A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Tokyo Electron Ltd アツシング装置
JPS63209722A (ja) * 1987-02-25 1988-08-31 Hitachi Ltd 薬品処理装置
JPS63248449A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Tadahiro Omi ドラフトチヤンバ

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