JPH02280844A - クリーンドラフトチャンバ - Google Patents

クリーンドラフトチャンバ

Info

Publication number
JPH02280844A
JPH02280844A JP10202589A JP10202589A JPH02280844A JP H02280844 A JPH02280844 A JP H02280844A JP 10202589 A JP10202589 A JP 10202589A JP 10202589 A JP10202589 A JP 10202589A JP H02280844 A JPH02280844 A JP H02280844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
tank
chemical liquid
draft chamber
clean
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10202589A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2570856B2 (ja
Inventor
Tsutomu Nakayama
勉 中山
Kenzou Ichiishi
健三 一石
Takeo Takahashi
高橋 武男
Yutaka Kusaka
日下 豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP1102025A priority Critical patent/JP2570856B2/ja
Publication of JPH02280844A publication Critical patent/JPH02280844A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2570856B2 publication Critical patent/JP2570856B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ventilation (AREA)
  • Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、クリーンルーム内に掘付けて半導体ウェハな
どの薬液処理、もしくは半導体用薬液の4縮処理を行う
クリーンドラフトチャンバに関する。
〔従来の技術〕
半導体の製造工程では、半導体ウエノ1の薬液による化
学洗浄プロセス、並びにエツチングプロセスなどがある
。すなわち、化学洗浄プロセスでは、高温加熱された過
酸化水素、アンモニア、塩酸。
硫酸などを組成とする溶液に半導体ウエノ\を浸漬して
洗浄を行う、また、エツチングプロセスでは、弗酸、硝
酸などを成分とする溶液に浸してエツチングを行う。と
ころで、かかる半導体ウエノ1の薬液処理を行うに際し
ては、半導体ウエノ1に対するパーティクル汚染を種度
に嫌うために、通常はクリーンルーム内に掘付けたクリ
ーンドラフトチャンバで作業を行うようにしている。
このクリーンドラフトチャンバは、チャンバ内に設置し
た薬液槽に対して上方より高性能フィルタ(HEPAフ
ィルタ、ULPAフィルタ)を通じて清浄化したダウン
フロー気流を送気しつつ、薬液処理の過程で薬液槽から
発生した有害な薬液ベーパをダウンフロー気流に包み込
んで一緒に系外に排気し、薬液ベーパがクリーンルーム
内に漏出するのを防止するようにしている。
ここで、従来における基本的なりリーンドラフトチャン
バの構成を第6図に示す6図において、lはクリーンド
ラフトチャンバ、2はチャンバ内の作業台上に設置した
薬液槽、3はチャンバの天井側に配備したtJLPAフ
ィルタなどの高性能フィルタ、4は給気ファン、5はチ
ャンバの背面側に開口した排気口、6は排気口に接続し
た排気ダクト、7は排気ファンである。
かかる構成で、半導体ウェハをキャリアに収容し、ロボ
ットなどのハンドリング操作により薬液槽2に浸漬して
所定の薬液処理プロセスを行う。
なお、2aは薬液槽2内に設置したヒータである。
一方、クリーンドラフトチャンバlの運転時には、クリ
ーンルーム内から取り込んだクリーンエアを高性能フィ
ルタ3によりさらにl#浄化したダウンフロー気流(矢
印A)が薬液槽2に対して上方より流下し、ここで薬液
槽2より発生した有害な薬液ベーパをダウンフロー気?
JLAにより包み込んで気流と一緒に系外に排気するよ
うにしている。
ところで、上記構成のままでは、薬液槽2から発生して
槽外に上昇、拡散する薬液ベーパを抑え込んでクリーン
ルーム内への漏出を阻止するには、ダウンフロー気流A
の風速を高めて多量な清浄空気を系外に強制排気する必
要がある。−万、クリーンルームの室内環境は、年間を
通して一定温度。
’IW度に維持するために空調設備に多量な動力を消費
しており、前記のように系外への排気風量が多くなる程
、クリーンルームのランニングコストが嵩むことになる
そこで、昨今ではランニングコストの低減化を狙いに、
できるだけ少ない排気風量で薬液ベーパを排気処理でき
るようにした小排気量形クリーンドラフトチャンバの開
発が進められており、その−例として第7図に示すよう
な構成のものが特開昭63−248449号公作に提案
されている。
この構成では、第6図に示したクリーンドラフトチャン
バの基本構成に加えて、薬液槽2の上方でナヤンバの前
方から後方の排気口5に向がう水平方向のエアカーテン
Bを吹出し形成する送風手段を追加装備したものである
。ここで、エアカーテンBの送風手段は、送風ファン8
.高性能フィルタ9をV2備した送気ダク1−10で構
成されている。
かかる構成により、薬液槽2から発生する薬液ベーパは
水平方向のエアカーテンBによりtへいされてチャンバ
内への拡散が防止され、その大半はエアカーテンBとと
もに系外に排気される。
方、水平方向のエアカーテンBを超えてチャンバ内に拡
散した少量の薬液ベーパはダウンフロー気流Aと一諸に
系外に排気される。これによりダウンフロー気流Aの風
速、風量を第6図の方式と比べて大幅に低めることが可
能となり、トータル的にクリーンドラフトチャンバから
の排気風量を173程度に減量することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
第7図に示したクリーンドラフトチャンバは第6図の方
式と比べてランニングコストの節減化が図れる利点があ
る反面、半導体ウェハの薬液処理工程、tLびに後述す
る薬液の濃縮処理を行う場合には次記のような問題点が
残る。すなわち、(1)クリーンドラフトチャンバ内に
複数の薬液槽。
リンス槽を並置し、クリーンドラフトチャンバの前面側
からロボット操作で半導体ウェハを薬液槽。
リンス槽の間で移送操作を行う場合には、薬液槽2に対
して昇降するロボットのハンド、およびキャリアが水平
方向のエアカーテンBを横切るためにエアカーテンBの
高速気流がこれらの部材に当たって層流に乱れが生じ、
さらにこの層流の乱れがダウンフロー気流Aに干渉して
その層流を乱し、この結果として薬液ヘーμの抑え込み
機能が低下する。
(2)水平方向のエアカーテンBを吹き出す送気ダクト
の吹出口には例えばハニカム状の整流板が組み込まれて
いるが、このような構造では整流板が発塵源となって薬
液、並びに半導体ウェハが汚染されるおそれがある。
(3)チャンバ内に薬液槽を行列配置したとすると、エ
アカーテンBに対して上流側の薬液槽から発生した不純
物がエアカーテンに乗って下流側の薬液槽を汚染するお
それがある。
(4)一方、半導体製造工程で使用する各種の薬液は高
純度(望ましくはpptレヘル)であることが必要であ
り、その薬液純度の管理のために薬液を分析して不純物
濃度を測定することが行われている。この場合の薬液を
分析する方法としては、まず前処理として薬液試料を蒸
発皿に入れて蒸発濃縮し、濃縮した薬液試料に対して原
子吸収分析装置、炎光分光光度系、螢光X線分析装置な
どの機器を用いて分析する。
この場合に、薬液試料を濃縮する前処理工程での塵埃に
よるコンタミネーシッンを防止するために、最近では薬
液の濃縮作業をクリーンドラフトチャンバ内部の清浄空
間を利用して行うようにしている。具体的には第8図に
示すように、クリーンドラフトチャンバのチャンバ内に
設置した薬液槽2の中に個々に薬液試料を満たした蒸発
皿11を並べ、蒸発皿11をヒータ2aで加熱して薬液
を濃縮しつつ、この濃縮過程で各蒸発皿から発生する薬
液ベーパを系外に排気するようにしている。
しかして第7図と同様に、第8図における薬液槽2に対
し薬液ベーパの拡散を防止するようにその一ト面側に水
平方向のエアカーテンBを吹出し形成すると、エアカー
テン気[Bに対して上流側に並ぶ蒸発皿の薬液から発生
した不純物が下流側に並ぶ蒸発皿の薬液に干渉して薬液
を汚染するといっ・た問題が発生する。
本発明は、上記の点にかんがみなされたものであり、半
導体ウェハなどの薬液処理、並びに半導体用薬液の41
11処理を行うクリーンドラフトチャンバを対象に、排
気風量の低減化を図りつつ、しかも同じクリーンドラフ
トチャンバに配備した薬液槽の相互間、ないしは同じ薬
液槽内に並べた薬液濃縮用の蒸発皿の相互間で干渉汚染
が発生するのを良好に防止できるようにしたクリーンド
ラフトチャンバを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明のクリーンドラフト
チャンバは、チャンバ内に設置した各薬液槽ごとに、薬
液槽の上面周域を包囲して排気系に連通する吸引フード
を配備し、かつ該吸引フードの内周側に薬液槽の上面に
臨む吸気口を開口して構成するものとする。
ここで、前記の吸気口は、吸込フードの全周域に開口す
るのが好ましい。
また、前記の構成に対して、吸引フードの後段に排気流
から薬液成分の結晶生成物を分離捕集するトラップを設
けることもできる。
また、薬液槽内へ薬液を補給する手段として薬液槽に配
管した薬液供給管については、吸引フード外周を迂回し
て薬液槽の上面に引込み配管するのが良い。
一方、薬液濃縮処理を行う薬液槽については、個々に薬
液を収容する複数の蒸発皿を備えるものとする。
そして、前記の蒸発皿については、各蒸発皿ごとに薬液
加熱ヒータを一体に組み込んだ構成とすることができる
〔作用〕
上記の構成で、クリーンドラフトチャンバに対しダウン
フローの送風、並びに系外への吸引排気を行うと、薬液
槽に向けて上方より流下したダウンフロー気流は、薬液
槽の上面に到達したところでその周域に開口する吸気口
を通じて高速吸込気流となって吸引フード内に吸い込ま
れ、ここから排気系を経て系外に排気される。
これにより、ダウンフロー気流の送風、並びに排気系を
通じての排気を行いつつ、薬液槽にて薬液処理、もしく
は薬液濃縮処理を行うと、薬液槽から発生して立ち昇る
有害な薬液ベーパは吸引フードに吸い込まれる前記の高
速吸込気流の誘引作用を受け、チャンバ内の空間に拡散
することなしに薬液槽の上面周域から直ちに吸引フード
内に吸い込まれて系外に排気されることになる。したが
って薬液槽の相互間、および薬液槽内に収容した蒸発皿
の相互間で薬液ベーパが干渉し合う汚染を確実に防止で
きる。
この場合に、吸引フードの全周域に亙って吸気口を開口
しておくことにより、高速吸込気流による薬液ベーパの
誘引作用がより一層効果的に機能する。
また、吸引フードに組合せたトラップは、吸引フードに
吸い込んだ薬液成分の結晶生成物1例えば弗化アンモニ
ウム、塩化アンモニウムの結晶(空気に触れて冷えると
結晶化する)を分離捕集するように働く、シたがって、
これらの結晶生成物が下流側の排気ダクト内に付着堆積
するを防止する。
さらに、薬液槽への薬液供給管を吸引フード外周を迂回
して薬液槽の上面に引込み配管することにより、薬液槽
と吸引フードとの間に余分な配管用スペースを確保する
必要がなく、吸引フードの吸気口を薬液槽の上面周域に
近接開口できる他、薬液供給管を点検する場合でも吸引
フードを取り外すことなく、メンテナンス作業を進める
ことができ。
一方、薬液槽内に蒸発皿を収容して薬液の濃縮処理を行
う際には、蒸発皿から発生して薬液槽内を立ち昇るガス
、蒸気がそのまま薬液槽の上面周域から直ちに吸引フー
ド内へ吸い込まれるので、蒸発皿相互間での薬液ベーパ
による干渉汚染のおそれがなく、同し薬液槽内に複数の
蒸発皿を行列的に並べて同時に薬液濃縮処理を安全に進
めることができる。
また、この場合に各蒸発皿ごとにヒータを一体に組み込
んだ構造とすることで、各蒸発皿の薬液温度を例えばサ
ーモ制御により個別に管理して薬液の突発的な沸騰を防
止できる。
〔実施例〕
第1図ないし第5図は半導体ウェハの薬液処理。
並びに薬液の濃縮処理プロセスに通用する本発明実施例
のクリーンドラフトチャンバの構成図を示すものであり
、第6図ないし第8図に対応する同一部材には同し符号
が付しである。
まず、第1図は半導体ウェハの薬l&処理プロセス用の
クリーンドラフトチャンバであって、チャンバlの上部
にはULPAフィルタとしての高性能フィルタ3.およ
び給気ファン4が設置され、チャンバ内部空間1aを隔
てて下部には薬液槽2が設置されている。また、薬液槽
2を取り囲んで画成された排気風胴12が排気ダクト6
に接続されている。
一方、薬液槽2の上面側には薬液槽2の外周を包囲して
吸引フード13が設置されており、かつ吸引フード13
の内周側端面には薬液槽2の上面周域に臨む吸気口14
が開口している。この吸気口14は、第2図に示すよう
に、吸引フード13の全周域に互って整流板15の間に
スリット状に形成されている。
なお、整流板15の代わりにパンチング板、ないしハニ
カム格子板を用いることもできる。
また、16は薬液貯留タンク17より送液ポンプ18を
介して薬液槽2との間に配管した薬液供給管であり、該
薬液供給管16は前記した吸引フード13の外周を迂回
して薬液槽2の上面に引込み配管されている。
なお、19はチャンバ1の前面開放面を覆う例えば透明
ビニールカーテン、引戸などのカバー、20はキャリア
21に搭載した半導体ウェハである。また、図示されて
ないが、クリーンドラフトチャンバ内には化学洗浄、工
、ソチング処理などの薬液処環プロセスに対応する複数
の薬液槽2がリンス槽と交互に並べて横一列に設置され
ており、さらにその前方ないし後方には薬液槽とリンス
槽の間でキャリア20を移送するロボットが配備されて
いる。
かかる構成で、給気ファン4.排気ファン7を運転すれ
ば、クリーンルームの室内から取り込んだクリーンエア
を高性能フィルタ3で更に清浄化したダウンフロー気流
Aが薬液槽2に向けてチャンバ空間1aを流下する。そ
してダウンフロー気流Aが薬液槽2の上面に到達すると
、その上面周域に開口する吸引フード13の吸気口14
へ高速吸込気流Cとなって流れ込み、ここから排気風胴
12.排気ダウンフロー6を経て系外に排気される。ま
た、ダウンフロー気流Aの一部はチャンバlの背後に開
口した排気口5を通じて排気される。なお、前記した給
気ファン4.排気ファン7は、例えばインバータ制御に
より駆動モータを適正な速度で運転制御するようにして
いる。
ここで、薬液槽2に収容した薬液22をヒータ2aによ
り加熱昇温すると、薬液槽2の液面より立ち昇る薬液ベ
ーパが発生するようになる。そして、この薬液ベーパは
上方から流下するダウンフロー気fiAに抑えこまれて
チャンバ空間1aへ殆ど拡散逸出することなく、かつ前
記した高速吸込気流Cによる誘引作用により薬液槽2の
上面に出たところで直ちに吸引フード13の吸気口14
に吸い込まれるようになる。なお、吸引フード13に吸
い込まれずにチャンバ空間1aに漏出した僅かな量のベ
ーノイはダウンフロー気流Aとともに背面側の排気口5
を通じて排気される。
これにより、少ない排気風量で薬液槽2から発生する薬
液ベーパをクリーンルーム室内に漏出させることなく系
外に排気処理できる。なお発明者の実験によれば、排気
風量は第7図の例と同様に第6図の在来方式と比べて1
/3程度に減量できることが確かめられている。また、
吸引フード13における高速吸込気流Cの風速は2〜4
m/3eC好ましくは3m/sec程度に設定するのが
よい。
さらに、送風状態でロボット操作により薬液槽2に対し
半導体ウェハ20を搭載したキャリア21を上下させた
場合の気流に与える影響を調べた結果でも、ダウンフロ
ー気流A、および高速吸込気流Cの乱れは殆ど発生せず
、ドラフト機能に支障のないことが61認されている。
また、薬液槽2への薬液補給は供給管16を通して行わ
れる。この場合に、図示例のように吸引フード13の外
周を迂回して薬液供給管16を配管したことにより、薬
液槽2と吸引フード13の吸気口14との間に余分な配
管スペースを確保する必要がなく、かつ薬液供給管16
を点槍する場合でも、その都度吸引フード13を取り外
すことな(メンテナンス作業を進めることができる。
次に、薬液の濃縮処理に通用したクリーンドラフトチャ
ンバの実施例を第3図ないし第5図で説明する。この実
施例では、薬液+!2の内部には第5図のように行列配
置に並べて複数の蒸発皿11が配備されており、さらに
薬液槽2に対しては第1図と同様に薬液槽2の上面周域
に吸引フード13を配備している他、吸引フード13の
後段側には排気風胴12との間にトラップ23が設置さ
れている。
ここで、前記の蒸発皿11は、第4図に示すように薬液
に対する耐蝕性の高い白金、もしくはテフロン製の皿1
1aの外周を例えばニッケル製のケースllbで囲み、
その内部に薬液加熱用ヒータllcを一体に組み込んで
構成したものである。なお、ケースllb内には皿11
aの温度検出用センサ、ないしサーモスタンド(図示せ
ず)を組み込んでヒータを1ffi電制御し、蒸発皿に
収容した薬液が突発的に/!l1lRシ溢れ出るトラブ
ルの発生を防止するようにしている。
また、トラップ23は排気流中に発生した薬液成分の結
晶生成物、例えば弗化アンモニウムの結晶を分離捕集す
るものであり、その膨張室の底部には冷却水24を溜め
て排気ガス流を冷却し、結晶化。
および結晶生成物の捕集効率を高めるようにしている。
このトラップ23の設置により結晶生成物が排気流から
分離捕集され、下流側の排気ダクト内に結晶生成物が付
着堆積するのを防止できる。なお、トラップ23は定期
的に洗浄水で洗浄して捕集した結晶生成物を排除する。
かかる構成で、第5図のように薬液槽2の中に複数の蒸
発皿11を行列配置に並べ、ヒータ通電により各蒸発皿
内に収容した薬液試料を加熱して濃縮すると、この濃縮
処理過程で各蒸発皿11から発生した薬液ベーパはその
まま薬液槽内を上昇し、第1図で説明したように薬液槽
2の上面に達したところで高速吸込気流Cの誘引作用を
受けて吸引フード13に吸い込まれる。また、吸引フー
ド13に吸い込まれた後、さらに後段のトラップ23で
結晶生成物が分離捕集され、排気ダクト6を通じて系外
に排気される。
これにより、蒸発皿11に収容した薬液試料は、周囲か
らの塵埃によるコンタミネーション、並びにチャンバ内
を流れる気流の影響を受けることもなく、かつ各蒸発皿
11の相互間で薬液ベーパによる干渉汚染のおそれなし
に、同時に複数の蒸発皿で薬液試料の濃縮処理を進める
ことができる。
、なお、前記したトラップ23は、第1図の実施例にも
適用することができることは勿論である。
〔発明の効果〕
本発明によるクリーンドラフトチャンバは、以上説明し
たように構成されているで、次記の効果を奏する。
+11半導体ウェハなどの薬液処理、並びに半導体用薬
液の濃縮処理を行うクリーンドラフトチャンバを対象に
、系外への排気風量の減量化を図りつつ、しかも同じク
リーンドラフトチャンバに配備した薬液槽の相互間、な
いしは同じ薬液槽内に並べた薬液濃縮用の蒸発皿の相互
間で干渉汚染が発生するのを良好に防止できてその信軒
性の向上が図れる。これにより第7図に示した従来構造
での問題点を解消できる。
(2)そして、吸引フードに対しその吸気口を全周域に
開口することにより、吸引フードへの吸込気流による薬
液ベーパの誘引作用をより効果的に機能させることがで
きる。
(3)また、吸引フードの後段にトラップを組合せたこ
とにより、排気流中に生成した薬液成分の結晶生成物を
分離捕集して下流側の排気ダクトに結晶生成が付着堆積
するのを防止できる。
(4)さらに、薬液槽に対する薬液供給管を、吸引フー
ドの外周を迂回して薬液槽の上面に引込み配管したこと
で、薬液槽と吸引フードとの間に余分な配管スペースを
確保する必要がなく、かつ薬液供給管のメンテナンス作
業を容品に進めることができる。
(5)一方、薬液の濃縮処理を行う際には、薬液ベーパ
の干渉汚染のおそれなしに、同じ薬液槽内に値数の蒸発
皿を行列配置に並べて同時に濃縮処理を行うことができ
る。
(6)また、蒸発皿について、各蒸発皿ごとに薬液加熱
ヒータを一体に組み込んで構成したことにより、蒸発皿
に収容した薬液を個別に温度管理して薬液試料が突発沸
騰するなどのトラブル発生を未然に防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図は本発明の実施例を示すものであり
、第1図は薬液処理用クリーンドラフトチャンバの全体
構成図、第2図は第1図における吸引フードの断面図、
第3図は薬液濃縮処理用クリーンドラフトチャンバの全
体構成図、第4図は蒸発皿の構造断面図、第5図は薬液
槽内に並べた蒸発皿の配置平面図、第6図、第7図はそ
れぞれ従来におけるクリーンドラフトチャンバの構成図
、第8図は第7図のクリーンドラフトチャンバで行う薬
液濃縮処理の状態図である。図において、1:クリーン
ドラフトチャンバ、2;薬2& [,3:高性能フィル
タ、4:給気ファン、6:排気ダクト、7:排気ファン
、11:蒸発皿1lc  :ヒータ、13:吸引フード
、14:吸気口、16:薬液供給管、20;半導体ウェ
ハ、21:キャリア、22:S液、23:トラップ、A
;ダウンフロー気流、C:高速吸込気流。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)クリーンルームの室内に据付けて半導体ウェハなど
    の薬液処理、もしくは半導体用薬液の濃縮処理を行うク
    リーンドラフトチャンバであり、チャンバ内に設置の薬
    液槽に対し、上方より清浄化したダウンフロー気流を送
    風する給気系と、薬液槽から発生する薬液ベーパをダウ
    ンフロー気流に包み込んで系外に排気する排気系とを備
    えたものにおいて、チャンバ内に設置した各薬液槽ごと
    に、薬液槽の上面周域を包囲して排気系に連通する吸引
    フードを配備し、かつ該吸引フードの内周側に薬液槽の
    上面に臨む吸気口を開口したことを特徴とするクリーン
    ドラフトチャンバ。 2)請求項1に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
    て、吸気口が吸込フードの全周域に開口していることを
    特徴とするクリーンドラフトチャンバ。 3)請求項1に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
    て、吸引フードの後段に排気流から薬液成分の結晶生成
    物を分離捕集するトラップを設けたことを特徴とするク
    リーンドラフトチャンバ。 4)請求項1に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
    て、薬液槽に配管した薬液供給管が吸引フードの外周を
    迂回して薬液槽の上面に引込み配管されていることを特
    徴とするクリーンドラフトチャンバ。 5)請求項1に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
    て、薬液濃縮処理を行う薬液槽が個々に薬液を収容する
    蒸発皿を備えていることを特徴とするクリーンドラフト
    チャンバ。 6)請求項5に記載のクリーンドラフトチャンバにおい
    て、蒸発皿が個々に薬液加熱ヒータを装備していること
    を特徴とするクリーンドラフトチャンバ。
JP1102025A 1989-04-21 1989-04-21 クリーンドラフトチャンバ Expired - Lifetime JP2570856B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1102025A JP2570856B2 (ja) 1989-04-21 1989-04-21 クリーンドラフトチャンバ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1102025A JP2570856B2 (ja) 1989-04-21 1989-04-21 クリーンドラフトチャンバ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02280844A true JPH02280844A (ja) 1990-11-16
JP2570856B2 JP2570856B2 (ja) 1997-01-16

Family

ID=14316214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1102025A Expired - Lifetime JP2570856B2 (ja) 1989-04-21 1989-04-21 クリーンドラフトチャンバ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2570856B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223087A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd ドラフトチャンバ
JP2009006267A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Olympus Corp 洗浄装置
JP4567178B2 (ja) * 2000-11-30 2010-10-20 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2015009187A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ヤマト科学株式会社 低風量ドラフトチャンバー
CN107913570A (zh) * 2017-09-22 2018-04-17 广东林顿重工股份有限公司 一种风箱装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63248449A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Tadahiro Omi ドラフトチヤンバ
JPH01238022A (ja) * 1988-03-17 1989-09-22 Marine Instr Co Ltd 半導体処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63248449A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Tadahiro Omi ドラフトチヤンバ
JPH01238022A (ja) * 1988-03-17 1989-09-22 Marine Instr Co Ltd 半導体処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4567178B2 (ja) * 2000-11-30 2010-10-20 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2005223087A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd ドラフトチャンバ
JP2009006267A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Olympus Corp 洗浄装置
JP2015009187A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ヤマト科学株式会社 低風量ドラフトチャンバー
CN107913570A (zh) * 2017-09-22 2018-04-17 广东林顿重工股份有限公司 一种风箱装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2570856B2 (ja) 1997-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100357316B1 (ko) 기판 건조장치 및 기판 건조방법
JP4344593B2 (ja) ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法
JP3225441B2 (ja) 処理装置
US6937691B2 (en) X-ray fluorescence spectrometric system and a program for use therein
KR20000036118A (ko) 분자 오염 제어 시스템
JPS63248449A (ja) ドラフトチヤンバ
JPH06267919A (ja) 半導体洗浄装置及びウエハカセット
JP4973893B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置での整備方法
KR101793885B1 (ko) 프로세스 도구에서 메커니즘들을 이동시킴으로써 생성된 입자 오염의 감소
JP2022505473A (ja) 前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法
JPH02280844A (ja) クリーンドラフトチャンバ
JP2008147303A (ja) 基板処理装置
JPH04104841A (ja) クリーンドラフトチャンバ
JPH11294817A (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JPH07176509A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH0766165A (ja) 洗浄装置
KR0118207B1 (ko) 반도체 세정장치 및 웨이퍼카세트
JPH07183262A (ja) 洗浄装置
JPH05136116A (ja) 半導体ウエーハ洗浄装置
KR100253124B1 (ko) 공기청정장치 및 공기청정방법
CN219998160U (zh) 湿法清洗设备
KR100306087B1 (ko) 세정장치
JP3003017B2 (ja) 洗浄処理装置
JP2852662B2 (ja) クリーン・ドラフト装置
JPH0878381A (ja) 洗浄装置