JPH05136116A

JPH05136116A - 半導体ウエーハ洗浄装置

Info

Publication number: JPH05136116A
Application number: JP29736791A
Authority: JP
Inventors: Shoji Kanamaru; 正二金丸; Yasushi Inagaki; 靖史稲垣; Shinichi Sato; 真一佐藤; Yoshiki Ito; 芳規伊藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-11-13
Filing date: 1991-11-13
Publication date: 1993-06-01

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ウェーハ洗浄装置の小型化、清浄化、
薬液ミストの防止、洗浄効果の向上等を可能にする。【構成】装置内に配された処理槽にて半導体ウェーハ
を洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置において、装置
３１内の上部から下部に向かって清浄空気を流し、処理
槽３２Ａ、３２Ｂ下面より下側で排気する。各処理槽３
２Ａ、３２Ｂ間には可動式仕切り部５１を設ける。装置
に取付けた排気管６２は、装置より斜め上方に延びる配
管部を有する。さらに処理槽３２Ａ、３２Ｂは洗浄すべ
き半導体ウェーハの輪郭形状と同じ形状又は近似の形状
の底部を有するように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体ウ
ェーハ洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
（いわゆるウエット処理）工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばＮＨ₄ＯＨ＋Ｈ₂Ｏ₂＋
Ｈ₂Ｏの薬液による有機物の洗浄、例えばＨＣｌ＋Ｈ₂
Ｏ₂＋Ｈ₂Ｏの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、之等の洗浄が可能
なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複数
配設される。

【０００３】図１０に洗浄装置の一例を示す。ここで
は、有機物の洗浄を行うための例えばＮＨ₄ＯＨ＋Ｈ₂
Ｏ₂＋Ｈ₂Ｏの薬液を入れた薬液処理槽１、純水を入れ
たリンス処理槽２、自然酸化膜の除去を行うための例え
ばバッファード弗酸の薬液を入れた薬液処理槽３、純水
を入れたリンス処理槽４、金属汚染の洗浄を行うための
例えばＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ₂＋Ｈ₂Ｏの薬液を入れた薬液処
理槽５、純水を入れたリンス処理槽６、同じく純水を入
れた最終リンス処理槽７とを順次配置し、その後に乾燥
処理する乾燥処理部８を配して構成される。

【０００４】キャリア９に収納された複数の半導体ウェ
ーハ１０は、ローダ側に搬送された後、各処理層１〜６
に順次に浸漬されて有機物洗浄、自然酸化膜の除去、金
属汚染の洗浄等を行い、最終リンス処理層７を経て乾燥
処理部８で乾燥されてアンローダ側に搬送され、次の工
程に送られる。

【０００５】半導体ウェーハ洗浄装置においては、洗浄
を完了した半導体ウェーハの乾燥処理時に、薬液処理槽
からの蒸散した酸性蒸気、アルカリ蒸気が半導体ウェー
ハに付着するのを防止するために、最終リンス処理槽７
と乾燥処理部８間に酸性雰囲気或いはアルカリ雰囲気の
遮断対策が施されている。

【０００６】従来、この遮断対策としては次に示す２通
りの方法がある。

【０００７】第１の方法は、図１１Ａに示すように、最
終リンス処理槽７を２倍の容積を有するように構成する
と共に、この処理槽７の上部中央に固定仕切り板１２を
設け、洗浄物即ち半導体ウェーハ１０をキャリア９と共
にリンス処理槽７内に浸漬した後、リンス処理槽７内を
移動し仕切り板１２下を通過かせるようにしている。

【０００８】第２の方法は、図１１Ｂに示すように、最
終リンス処理槽７と乾燥処理部８間に固定仕切り板１３
を配置し、リンス処理槽７に半導体ウェーハ１０を浸漬
した後、リンス処理槽７を仕切り板１３をくぐるように
移動させるようにしている。

【０００９】半導体ウェーハ洗浄装置においては、ウェ
ーハ洗浄を正常な雰囲気中で行う必要があるために、例
えば図１２に示すように、装置１４内に配された処理槽
１５に対し空調手段１６を用いて装置１４内の上部から
下部に向かって清浄な空気を流し、いわゆるダウンブロ
ーの気流中で洗浄処理が行われるようにしている。

【００１０】この場合、排気口２６は装置下部の処理槽
１５に対向する側壁に設けられている。また装置１４の
外に取付ける排気管１７は装置１４の側壁より延長する
水平配管部１７Ａとこれよれ上方に垂直に延長する垂直
配管部１７Ｂを有するように配管されている。

【００１１】一方、半導体ウェーハ１０を浸漬する各処
理槽１５〔１〜７〕は、図１３及び図１４に示すよう
に、角形の処理槽が用いられている。尚、図１３はリン
ス処理槽を示し、槽底部より供給された純水１８は処理
槽１５からあふれて装置１４の下部に流れ、排液口を通
して排出される。図１４は薬液処理槽を示し、この場合
は、処理槽１５よりあふれた薬液１９は一旦受部２０に
流れ、これよりポンプ２１によってフィルタ２２を通し
て再び処理槽１５の底部より処理槽１５内に供給される
循環システムが採られている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体ウェーハ洗浄装置においては、薬液処理槽
１、３及び５から蒸散した酸性蒸気或いはアルカリ蒸気
が乾燥処理部８に流れないようにするために、最終リン
ス処理槽７において固定形の仕切り板１２、１３を配置
しているが、次のような問題点があった。

【００１３】例えば図１１Ａの場合には、リンス処理槽
７が２倍の大きさを必要とするので、処理槽の設置面積
が大きくなり小型化が図られにくいこと、リンス処理槽
７内にウェーハ１０を移動するための機械的な機構が入
るので、清浄化の点で好ましくないこと、さらに、リン
ス処理槽７の上部と仕切り板１２との間に隙間が存在す
るので、遮蔽が不十分であること、等の不都合がある。

【００１４】また、図１１Ｂの場合には、リンス処理槽
７を移動するために最終リンス槽に関して２倍の設置面
積を必要とし、またリンス処理槽、洗浄物（半導体ウェ
ーハ）、リンス液（多くの場合は純水）を移動させるの
で相当な重量となり、移動機構が必要以上に大きくな
り、清浄化に反すること、さらにリンス処理槽７と仕切
り板１３間に隙間が存在するので、遮蔽が不十分である
こと、等の不都合がある。

【００１５】また、従来の洗浄装置では図１２に示すよ
うに、処理槽１５に対応する装置側壁に排気口２６を設
けているため、一番大事な処理槽１５付近でダウンブロ
ーの気流ではなくなっており、外部から不必要な空気の
流入があり、清浄雰囲気を保つのに充分でなかった。さ
らに、排気口２６と逆側は空気の流速が小さくなるため
全体に流速を大きくし、処理槽１５の薬液ミスト（蒸
気）などの飛散を防止していたが、そのため必要以上の
空調された清浄空気を外部に出して必要以上のエネルギ
ーを要していた。

【００１６】一方排気管１７は、図１２に示すように、
装置１４の排気口２６に、水平配管部１７Ａが取付けら
れているために、水蒸気などが水平配管部１７Ａ内にて
凝集液化し、液体が留まるために、水平配管部１７Ａと
装置１４との接続部より液漏れが生じ、あるいは水平配
管部１７Ａの損傷が生じる等の不都合があった。

【００１７】また、半導体ウェーハは円形であるが、こ
れを洗浄処理する処理槽１５は図１３、図１４に示すよ
うに四角形状の角形処理槽を用いているために、処理槽
１５の下部より洗浄液２４を供給して洗浄する際に、洗
浄槽底部のコーナー部に渦流２５が生じ、パーティクル
の除去、リンス処理時の薬液除去が円滑に行えなかっ
た。また、処理槽１５が必要以上の容積になるために必
要以上の薬液、リンス液を要していた。

【００１８】本発明は、上述した問題点を改善した半導
体ウェーハ洗浄装置を提供するものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、装置３１内に
配された処理槽３２にて半導体ウェーハ１０を洗浄処理
する半導体ウェーハ洗浄装置において、装置３１内の上
部から下部に向かって清浄空気を流す給気手段３４を有
し、処理槽３２の下面より下側に排気手段３６を設けて
構成する。

【００２０】また、本発明は、装置３１内に配された薬
液槽３２Ａ及びリンス槽３２Ｂを含む複数の処理槽３２
にて半導体ウェーハ１０を洗浄処理する半導体ウェーハ
洗浄装置において、各処理槽３２間に仕切り部５１を設
けて構成する。特に、この仕切り部５１は処理槽間を開
閉自在となす可動式に構成される。

【００２１】また、本発明は、装置３１内に配された処
理槽３２にて半導体ウェーハ１０を洗浄処理する半導体
ウェーハ洗浄装置において、装置３１に、装置より斜め
上方に延びる配管部６３を有する排気管６２を設けて構
成する。また、本発明は、装置３１内に配された処理槽
にて半導体ウェーハ１０を洗浄処理する半導体ウェーハ
洗浄装置において、その処理槽７１（７２）を洗浄され
るべき半導体ウェーハの輪郭形状と同じ形状、又は近似
形状の底部７１Ａ（７２Ａ）を有するように形成する。

【００２２】

【作用】第１の発明に係る半導体ウェーハ洗浄装置にお
いては、装置３１の上方より清浄な空気を給気し、処理
槽の下面より下側に設けた排気手段３６を通して排気す
る構成であるので、一番重要な処理槽３２近辺で完全な
ダウンブローの気流が得られ、外部からの空気の流入が
少なくなり、清浄な雰囲気が保たれて良好な洗浄処理が
行われる。また、排気手段３６と逆側においても空気の
流速は同じであり、したがって必要以上にダウンブロ
ー、排気を強めることなく薬液ミスト（蒸気）等の飛散
を防止でき、省エネルギーが図れる。

【００２３】また、第２の発明に係る半導体ウェーハ洗
浄装置においては、隣り合う各処理槽３２間に仕切り部
５１を設けているので、特にリンス槽に関して見た場
合、リンス槽の両側に仕切り部５１を有しているので、
処理槽３２間の遮蔽が確実になり、薬液ミストが処理槽
空間外へ飛散するのが防止され、半導体ウェーハ１０に
対する汚染を防止することができる。

【００２４】第３の発明に係る半導体ウェーハ洗浄装置
においては、装置より斜め上方に延びる配管部６３を有
する排気管６２を設けるので、排気の途中で凝集液化す
ることはあっても、その液体が排気管６２内に留まるこ
とがなく、傾斜した配管部６３に沿って装置３１内に戻
される。その後、この液体はいわゆる排液口を通して外
部に排出される。したがって、装置３１と排気管６２と
の接続部での液漏れ、あるいは排気管６２の損傷等が回
避される。

【００２５】第４の発明に係る半導体ウェーハ洗浄装置
においては、処理槽７１（７２）の底部形状を半導体ウ
ェーハの輪郭形状と同じ、又は近似した形状に形成する
ことにより、従来のような角形底部を有する処理槽で底
部コーナ部に生ずる渦流（いわゆる死水）がなくなり、
洗浄効率が向上し、特にリンス処理において、処理時間
の短縮化が図れる。また、処理槽３２自体の容積も従来
より減少することになるので、薬液、リンス液の使用量
が減り処理液の節約が可能になる。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明による半導体ウ
ェーハ洗浄装置の実施例を説明する。

【００２７】図１は、本発明の半導体ウェーハ洗浄装置
の一例、特に給気、排気システムの実施例を示す。本例
においては、装置３１内に洗浄処理液３３を有する処理
槽３２を配置し、この処理槽３２に対して装置上部に清
浄な空気を供給するための空調装置３４を設けると共
に、処理槽３２の真下により排気するように、処理槽３
２の下面より下側の装置下部に例えば網状体３５を介し
て排気口３６を設け、この排気口３６に連通する排気管
３７を装置３１の外に導出して構成する。

【００２８】この構成によれば、装置３１の上方から空
調装置３４により清浄な空気が供給されダウンブローの
気流３８となって処理槽３２の下面より下側にある排気
口３６を通して排気される。したがって、処理槽３２の
部分においては、完全なダウンブローの気流３８となっ
ており、外部から不用な空気が流入することがなくなり
清浄な雰囲気が保たれる。また、処理槽３２の周囲全体
にわたって均一なダウンブローの気流が得られるので、
必要以上にダウンブロー、排気を強めることなく薬液ミ
スト等の飛散を防止することができる。同時に、従来に
比して給、排気量を弱めることができるので、省エネル
ギー化を図ることができる。

【００２９】尚、装置３１の底部を兼用するいわゆるド
レインパン３９には処理槽３２例えばリンス槽から溢れ
出たリンス液すなわち純水を外部に排液する排液口が設
けられるが、例えば図２に示すように排気通路を一部共
用するように排液口４０を設けるようにしてもよい。

【００３０】また、図３に示すように、排気管３７と反
対側に排液口４０を設けてもよく、或いは鎖線で示すよ
うに真下に排液口４０を設けることも可能である。

【００３１】また、図４に示すように、処理槽３２の下
面より下方に配置する網状体として例えば山型をなして
その隣り合う底の部分に開口４１を有する網状体４２を
配置し、その開口４１に対応する下部に排液用の溝状の
受部４３を設け、この溝状の受部４３を通して排液処理
するように構成することもできる。４４は溝状の受部４
３に連通する排液管である。

【００３２】図５は、本発明に係る他の実施例を示す。
本例においては、装置内に、一方向に配列された複数の
処理槽３２〔薬液槽３２Ａ、リンス槽３２Ｂ〕の各隣り
合う間に、特にリンス槽３２Ｂの前後すなわち洗浄物
（半導体ウェーハ）の移動する方向の前、後段に可動式
仕切り部５１を設置する。

【００３３】この可動式仕切り部５１は、処理槽３２の
上面より下側に配した固定の仕切り板５２と、この固定
の仕切り板５２上に処理槽３２の配列方向即ち洗浄物の
移動方向と直交する方向に摺動し得る可動仕切り板５３
とを有して成る。例えば処理槽３２の後方には可動仕切
り板５３が摺動して隣り合う処理槽３２Ａ及び３２Ｂ間
が開かれた状態のとき、可動仕切り板５３を収納する仕
切り板収納部５４が配される。

【００３４】固定の仕切り板５２と可動仕切り板５３と
の摺動部分５５は、処理槽３２の上面より下側位置に設
ける。この理由は、可動仕切り板５３が固定の仕切り板
５２に対して摺動したときに生ずるごみが処理槽３２内
に入らないようにするためである。但し、多くの場合は
上部より清浄気流が吹き出しているので、この清流気流
によってもごみの処理槽３２内への侵入は防止される。

【００３５】可動仕切り板５３は、例えばモータあるい
はシリンダ等を駆動源としてベルト、ギア、ワイヤ、又
はロッド等によって摺動される。これらの駆動系は可動
仕切り板５３の後方下部に設置することが望ましい。

【００３６】可動仕切り板５３及び固定の仕切り板５２
の材料としては例えば塩化ビニール樹脂（ＰＶＣ）が妥
当であるが、その他、テフロン、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）などの他の樹脂板あるいはＳＵＳ、ガラス、石英等
の材料によって形成することも可能である。

【００３７】かかる構成においては、前段の薬液処理槽
３２Ａによって洗浄物即ち半導体ウェーハを洗浄処理し
た後、リンス処理槽３２Ｂの前段の可動仕切り板５３が
摺動して開き、そのとき後段の可動仕切り板５３は閉じ
た状態にあり、前段の薬液処理槽３２Ａからの半導体ウ
ェーハがリンス処理槽３２Ｂ内に移される。その後で前
後の可動仕切り板５３は閉じられる。そして前後両可動
仕切り板５３が閉じられた状態で、リンス処理が行われ
る。リンス処理終了後は後段の可動仕切り板５３が開き
半導体ウェーハは次工程に移動される。このようにして
順次可動仕切り板の開閉によって洗浄される半導体ウェ
ーハが所定の洗浄プロセスに沿って順次洗浄される。

【００３８】この可動式仕切り部５１は例えば停電等に
なった場合には全て閉まった状態に保持される。

【００３９】このような可動式仕切り部５１を設けるこ
とによって、各処理槽３２間の遮蔽が充分に行われ、薬
液処理槽３２Ａから処理槽空間外への薬液ミストの飛散
が防止される。したがって、洗浄処理後の乾燥工程での
半導体ウェーハの汚染を防止することができる。

【００４０】また、従来のように例えばリンス槽内で半
導体ウェーハを収納したキャリアを移動させる必要がな
いので、移動機構に基づくごみの発生がなく、より清浄
化を図ることができる。

【００４１】また、処理槽としては１槽分の設置面積で
よく、このために従来よりも洗浄装置の小型化を図るこ
とができる。

【００４２】尚、図５においては可動仕切り板５３を設
けて処理槽３２の前後方向に移動できるように構成した
が、その他、上下方向に移動させる構成とすることもで
きる。あるいは、フィルム等による巻き取り方式の仕切
り部を設ける構成とすることもできる。

【００４３】図６Ａ及び図６Ｂは半導体ウェーハ洗浄装
置における排気管の例を示す。本例においては、装置３
１の下部側壁に設けた排気口６１から装置３１外に延び
る排気管６２を、排気口６１より斜め上方に延長する傾
斜配管部６３と、これより垂直方向に延長する垂直配管
部６４とより構成する。なお、図６Ａと図６Ｂは排気管
６２の装置３１の取付部分の構造が相違するのみで、基
本的な構成は同じである。

【００４４】このような構成の排気管６２によれば、こ
の排気管６２を通して排気されるが、仮りに結露した薬
液あるいは水が配管部６３、６４内に発生しても、その
液体は傾斜した配管部６３を通して再び装置３１のドレ
インパン３９に流れ落ち、このドレインパン３９より排
液口（図示せず）を通して外部に排液処理される。した
がって、従来のように排気管の接続部より液漏れが生じ
たり、あるいは排気管そのものを損傷するという問題は
解消される。

【００４５】図７及び図８は、半導体ウェーハ洗浄装置
における処理槽の実施例を示す。本例においては、処理
槽の底部の形状を洗浄すべき半導体ウェーハの輪郭形状
と同じ形状、もしくは近似した形状に形成する。

【００４６】即ち、図７の例は、円形の半導体ウェーハ
１０に対応して半円形の底部７１Ａを有する処理槽７１
を構成する。図８の例は、円形半導体ウェーハ１０に対
して多角形状の底部７２Ａを有するように処理槽７２を
構成する。之等処理槽７１、７２においては、処理液７
３が底部７１Ａ、７２Ａより供給される。

【００４７】かかる構成によれば、処理槽７１、７２の
底部７１Ａ、７２Ａが半導体ウェーハ１０の輪郭形状に
同一の形状もしくは近似の形状に形成されているので、
底部７１Ａ又は７２Ａから処理液７３を供給した場合、
半導体ウェーハ１０に沿って処理液７３が流れ、従来の
ような底部コーナー部での渦流が生じることによるいわ
ゆる死水が存在しなくなる。したがって死水の発生に基
づくパーティクルの発生がなくなり、洗浄効果が向上す
る。

【００４８】この結果、より短時間にパーティクルの除
去、リンス処理を行うことができる。因みに、リンス処
理時間は従来の１０分から６分に短縮された。また処理
槽の容積が約１０％減少し、之によって薬液、リンス液
の使用量を節減することができる。リンス処理時間の減
少を加味すると、約４５％のリンス液の節約を図ること
ができる。

【００４９】次に、図９に示す半導体ウェーハ洗浄装置
は、前述した各部分の実施例を総合的に組合わせて構成
した実施例である。

【００５０】本例においては、装置３１内に複数の処理
槽３２、即ち薬液処理槽３２Ａ、リンス処理槽３２Ｂが
交互に順次配置されている。これら各処理槽３２間に前
述した可動式仕切り部５１が設けられ、この可動式仕切
り部５１は装置３１の上部から下部に渡って各処理槽３
２を互いに隔離するように設けられる。各処理槽３２の
下部には網状体３５が配置され、その網状体３５のさら
に下方の側壁に図６と同様の構成をとる排気管６２が設
けられている。装置３１の底部がいわゆるドレインパン
３９を兼用している。そして、本例においては各可動式
仕切り部５１で隔離されたそれぞれの隔離室の上部に独
立に調整可能とした空調装置３４が配置される。さら
に、各処理槽３２〔３２Ａ、３２Ｂ〕は、底部が洗浄さ
れるべき半導体ウェーハの形状に対応するように半円形
に形成したものが用いられる。

【００５１】かかる構成によれば、薬液の種類によって
蒸発度が異なるのでダウンブロー気流の強度をそれぞれ
空調装置３４をコントロールして適時調整することがで
きる。そして、前述した各可動式仕切り部５１、傾斜し
た排気管、処理槽３２直下よりの排気、処理槽の形状等
による効果によって、より清浄な状態で且つ短時間に洗
浄処理することができ、薬液ミストの防止を確実にする
ことができる。また、各独立して空調装置の強さをコン
トロールすることにより、全体としてより省エネルギー
化を可能にするものである。特に、本実施例では、洗浄
装置の更なる小型化を可能にする。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、より清浄な雰囲気での
洗浄処理を可能にし、外部からの空気の流入を阻止し、
また薬液ミスト等の飛散を防止することができ、更に、
洗浄効果の向上を図ることができる。したがって、小型
かつ安定した洗浄処理を可能にする半導体ウェーハ洗浄
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の一例を示す
構成図である。

【図２】図１の半導体ウェーハ洗浄装置の変形例を示す
要部の構成図である。

【図３】図１の半導体ウェーハ洗浄装置の変形例を示す
要部の構成図である。

【図４】図１の半導体ウェーハ洗浄装置の変形例を示す
要部の構成図である。

【図５】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の他例を示す
要部の構成図である。

【図６】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の排気管の例
を示す構成図である。

【図７】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の処理槽の一
例を示す構成図である。

【図８】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置の処理槽の他
の例を示す構成図である。

【図９】本発明の半導体ウェーハ洗浄装置のさらに他の
例を示す構成図である。

【図１０】半導体ウェーハ洗浄装置の概略図である。

【図１１】最終リンス処理槽の説明図である。

【図１２】従来の半導体ウェーハ洗浄装置の例を示す構
成図である。

【図１３】従来の処理槽（リンス槽）の例を示す構成図
である。

【図１４】従来の処理槽（薬液槽）の例を示す構成図で
ある。

【符号の説明】

１０半導体ウェーハ３１装置３２、７１、７２処理槽３３処理液３４空調装置３５網状体３６排気口３７、６２排気管３８気流４０排液口５１可動式仕切り部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤芳規東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】装置内に配された処理槽にて半導体ウェ
ーハを洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置において、
上記装置内の上部から下部に向って清浄空気を流す給気
手段を有し、上記処理槽の下面より下側に排気手段が設
けられて成る半導体ウェーハ洗浄装置。
【請求項２】装置内に配された薬液槽及びリンス槽を
含む複数の処理槽にて半導体ウェーハを洗浄処理する半
導体ウェーハ洗浄装置において、上記各処理槽間に仕切
り部が設けられて成る半導体ウェーハ洗浄装置。
【請求項３】装置内に配された処理槽にて半導体ウェ
ーハを洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置において、
上記装置に該装置より斜め上方に延びる配管部を有する
排気管が設けられてなる半導体ウェーハ洗浄装置。
【請求項４】装置内に配された処理槽にて半導体ウェ
ーハを洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置において、
上記処理槽が洗浄すべき半導体ウェーハの輪郭形状と同
じ形状又は近似形状の底部を有するように形成されて成
る半導体ウェーハ洗浄装置。