JP2552014B2 - 基板用洗浄処理装置 - Google Patents
基板用洗浄処理装置Info
- Publication number
- JP2552014B2 JP2552014B2 JP2087068A JP8706890A JP2552014B2 JP 2552014 B2 JP2552014 B2 JP 2552014B2 JP 2087068 A JP2087068 A JP 2087068A JP 8706890 A JP8706890 A JP 8706890A JP 2552014 B2 JP2552014 B2 JP 2552014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holding
- vapor
- cleaning
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
液晶表示素子用ガラス基板などの各種基板に対して、エ
ッチング、金属不純物の溶解や除去といった洗浄処理を
行うために、洗浄処理液を貯留する洗浄処理液貯留部
と、その洗浄処理液貯留部内の洗浄処理液より洗浄処理
用蒸気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部と、処理すべ
き基板を保持する基板保持手段と、その基板保持手段に
保持された基板に洗浄処理用蒸気発生部からの洗浄処理
用蒸気を供給する蒸気供給部とを備えた基板用洗浄処理
装置に関する。
62−173720号公報に開示されたものが知られている。
設け、そのハウジングの下方側部に、洗浄処理液として
のフッ化水素酸HFの貯留槽を設け、その貯留槽内空間と
ハウジング内空間とをバルブを介装したパイプを介して
連通接続し、窒素ガスN2によるバブリング、ヒータによ
る加熱、超音波発振子による振動などによってフッ化水
素酸HFの蒸気を発生させ、そのフッ化水素酸HFの蒸気を
ハウジング内に供給することにより、基板表面の酸化膜
を溶解して落下除去するように構成されている。
留槽を設置するためのスペースをハウジングの外部に確
保しなければならず、装置全体として大型化する欠点が
あった。
素酸HFなどの洗浄処理液の蒸気が外部に洩れ出すことを
防止する必要があり、ハウジングはもちろんのこと、貯
留槽自体ならびにパイプと貯留槽およびハウジングそれ
ぞれとの接続箇所に対する洩れ防止用のシール構成が必
要であり、そのシール構成が大掛かりになって高価にな
る欠点があった。
って、装置全体をコンパクトに構成するとともに洗浄処
理液の蒸気の洩れ出し防止のためのシール構成を簡略化
できるようにすることを目的とする。
項第(1)項に係る発明として、洗浄処理液を貯留する
洗浄処理液貯留部と、その洗浄処理液貯留部の上方にお
いて洗浄処理液の蒸気を発生させる洗浄処理用蒸気発生
部と、処理すべき基板を保持する基板保持手段と、その
基板保持手段に保持された基板に洗浄処理用蒸気を供給
する蒸気供給部とを備え、基板1枚ごとに洗浄処理する
枚葉処理用の基板用洗浄処理装置において、洗浄処理液
貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基板保持手段の基板保
持部、および、蒸気供給部を、平面視において重複する
とともに上下方向に近接させてハウジング内に設け、か
つ、基板保持手段の基板保持部は、基板保持部の基板保
持面に基板の非処理面を保持するように構成するととも
に、基板保持手段の基板保持部に保持された基板の処理
面と蒸気供給部とが対向するように基板保持手段の基板
保持部と蒸気供給部とを配置し、さらに、基板保持部の
基板保持面の温度を蒸気供給部の雰囲気温度以上に維持
する温度調節手段を設けて構成する。
(1)項に記載の基板用洗浄処理装置において、少なく
とも基板保持手段の基板保持部と蒸気供給部と内外二重
のハウジングで覆い、内側ハウジング内に対する吸引排
気量が内側ハウジングと外側ハウジングとで囲まれる空
間内にに対する吸引排気量よりも多くなるように吸引排
気量を制御する排気制御手段を備えて構成する。
構成によれば、洗浄処理貯留部、洗浄処理用蒸気発生
部、基板保持手段の基板保持部、および、蒸気供給部の
いずれをも、上下方向に近接して重ねる状態でハウジン
グ内に設け、ハウジングに対するシール構成によって、
洗浄処理液貯留部から蒸気供給部に至るまでの洗浄処理
液の蒸気の外部への洩れ出しに対するシールを行うこと
ができる。
板保持面に基板の非処理面(処理面と反対側の面)を保
持するように構成するとともに、基板保持手段の基板保
持部に保持された基板の処理面と蒸気供給部とが対向す
るように基板保持手段の基板保持部と蒸気供給部とを配
置しているので、基板保持部に保持された処理面に向け
て蒸気供給部から洗浄処理用蒸気が供給される。さら
に、温度調節手段が、基板保持部の基板保持面と温度を
蒸気供給部の雰囲気温度以上に維持するので、基板に供
給された洗浄処理用蒸気が液化することなく蒸気状態を
維持して基板に対する洗浄処理を行うことができる。
装置の構成によれば、内外二重のハウジングによって、
基板に供給した洗浄処理液の蒸気が外部に洩れることを
防止し、かつ、その洗浄処理液の蒸気の排出に対して、
内側ハウジング内に対する吸引排気量を内側ハウジング
と外側ハウジングで囲まれる空間内に対する吸引排気量
よりも多くなるように制御して、内側ハウジング内側の
圧力をそれより外の外側ハウジングで囲まれる空間内側
よりも低くし、内側ハウジングの外側から内部側に向か
ってガスが吸引される雰囲気を現出し、洗浄処理液の蒸
気の排出に際して外部への洩れを防止する。
る。
混合液、97〜98%の濃度の硫酸を含んだ発煙硫酸(H2SO
4+SO3+H2O2)、硫酸水溶液 これらの蒸気は、有機物や無機物を除去するのに有効
であり、共沸組成98.4%で沸点が317℃の硫酸水溶液(H
2SO4+H2O)では、金属不純物と反応して硫酸塩とな
り、それによって金属不純物を溶解除去できる。
煙硝酸(HNO3+NO2+H2O)、硝酸水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応して硝酸塩とな
り、それによって金属不純物を溶解除去できる。但し、
アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、鉄(Fe)は不動態
となる。また、シリコン表面を酸化することができる。
の混合液やその水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応して溶解除去でき
る。また、硝酸による酸化作用とハロゲン化水素の酸化
物分解作用との組み合わせによって、パーティクルや金
属不純物を除去できる。
弗化水素(HF)とアルコール(ROH)との混合液および
その水溶液 これらの蒸気は、自然酸化膜(SiOx)のエッチング除
去に有効であり、金属不純物と反応し、弗化物となって
溶解除去できる。
およびその水溶液、弗化水素(HF)とアルコール(RO
H)と過酸化水素(H2O2)との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、過酸化水素によるシリコン表面の酸
化と弗化水素による酸化物の分解を同時に行い、パーテ
ィクルや金属不純物を除去できる。
(HCl)とアルコール(ROH)との混合液およびその水溶
液、塩化水素(HCl)と過酸化水素(H2O2)との混合液
およびその水溶液、塩化水素(HCl)とアルコール(RO
H)と過酸化水素(H2O2)との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、金属不純物と反応し、塩化物として
溶解除去できる。
3)とアルコール(ROH)との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、アンモニアがシリコン化合物をわず
かに溶かす(シリコンをエッチングする)ことを利用し
てパーティクルを除去できる。
合液およびその水溶液、アンモニア(NH3)とアルコー
ル(ROH)と過酸化水素(H2O2)との混合液およびその
水溶液 これらの蒸気は、アンモニアによるシリコンエッチン
グ作用と過酸化水素による酸化作用とによってパーティ
クルを除去できる。処理後において基板の表面を酸化
し、親水性を呈することができる。
誘導体([(CnH2n+1)4N]OH)、コリン水溶液([(C
H3)3NC2H4OH]OH+H2O)、コリン([(CH3)3NC2H4O
H]OH)とアルコール(ROH)との混合液およびその水溶
液 これらの蒸気は、コリンによるシリコンエッチング作
用によってパーティクルを除去できる。
(H2O2)との混合液およびその水溶液、コリン([(CH
3)3NC2H4OH]OH)とアルコール(ROH)と過酸化水素
(H2O2)との混合液およびその水溶液 これらの蒸気は、コリンによるシリコンエッチング作
用と過酸化水素による酸化作用とによってパーティクル
を除去できる。処理後において基板の表面を酸化し、親
水性を呈することができる。
る。なお、以下の実施例は、洗浄処理液としてフッ化水
素酸(HF+H2O)を使用した実施例についてのものであ
る。
施例を示す全体概略縦断面図であり、ハウジング1内
に、洗浄処理液としてのフッ化水素酸を貯留する洗浄処
理液貯留部としてのフッ化水素酸タンク2が設けられ、
そのフッ化水素酸タンク2の上部がカバー3により密閉
され、フッ化水素酸タンク2の上方にフッ化水素酸より
の蒸気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部4が形成され
ている。
側において、フッ化水素酸タンク2の底壁2aの下向き面
に密接させて内側ハウジング5が設けられ、その内側ハ
ウジング5内に、洗浄処理すべき基板Wを保持する基板
保持手段6が設けられるとともに、底壁2aの下向き面と
基板Wとの間にフッ化水素酸蒸気を供給する蒸気供給部
7が設けられている。
に示すように、鉛直軸芯回りで駆動回転可能に、かつ、
ヒータ(図示せず)を内装したホットプレート8が設け
られるとともに、そのホットプレート8に支軸9が一体
連接されて構成され、そして、支軸9と、ハウジング1
外に設けられた電動モータ10とがベルト式伝動機構11を
介して連動連結されている。
が形成され、基板Wを真空吸着できるように構成されて
いる。ホットプレート8に内装されたヒータは、図示し
ない温度制御手段により制御され、ホットプレート8の
表面温度を蒸気供給部7の雰囲気温度と同一またはそれ
より高い温度に維持しうるように構成されている。
て、内側ハウジング5およびハウジング1それぞれに、
基板W出し入れ用の開口5a,1aが形成されるとともに、
その開口5a,1aそれぞれに、開閉シャッター17が付設さ
れている。そして、ハウジング1の開口1aの外方に設置
された基板搬送アーム18をホットプレート8の上方まで
出退させ、基板Wを内側ハウジング5内に出し入れでき
るように構成されている。すなわち、基板搬送アーム18
に基板Wを吸着保持させた状態で、両開口1a,5aを通じ
てホットプレート8上まで搬入し、その後に基板搬送ア
ーム18をハウジング1外に引退させ、しかる後に、シャ
ッター17,17を閉じるとともに、基板Wをホットプレー
ト8上に吸着保持させる。一方、基板Wをハウジング1
外に取り出すときには、上述の場合と逆の手順により、
シャッター17,17を開き、基板Wを基板基板搬送アーム1
8に保持させ、開口5a,1aを通じてハウジング1外に取り
出すことができる。
ア(図示せず)にピニオンギア(図示せず)を咬合さ
せ、ピニオンギアを電動モータ17aで駆動回転すること
によって開閉できるように構成されている。なお、シャ
ッター17,17としては、基板Wの搬送と気密空間の形成
と可能とするものであれば、任意の構成のものを採用し
うる。
に、温水配管19が図示しないホルダーによって支持さ
れ、また、フッ化水素酸タンク2の底壁2a内には、温水
流路21が形成され、第1図に示す温水供給管22から温水
配管19および温水流路21を介して排水排出管23に至る循
環路に温水を循環させることにより、フッ化水素酸タン
ク2内に貯留されるフッ化水素酸を加熱して蒸発するよ
うに構成されている。上記温水配管19と温水流路21とに
よって、フッ化水素酸を加熱して蒸発する加熱手段が構
成されている。図中S1は、フッ化水素酸タンク2内のフ
ッ化水素酸の温度を測定する温度センサを示しており、
その測定温度に基づいて温水配管19および温水流路21に
流す温水量を調整し、フッ化水素酸の温度を沸騰点未満
の温度に維持するようになっている。
いては、温水配管19を省略し、温水流路21のみにより洗
浄処理液等の加熱を行うようにしても良い。また、温水
に代えて熱媒用オイルを使用することもできる。
ーバーフロー用の流路24が形成されるとともに、そのオ
ーバーフロー用の流路24の途中箇所に自動開閉弁25が設
けられ、初期ならびに補充時において、濃度39.4%のフ
ッ化水素酸を図外の貯留槽からフッ化水素酸供給管26を
介してオーバーフローするまで供給し、オーバーフロー
を生じた段階でバルブ27を閉じて適量のフッ化水素酸を
貯留するように構成されている。なお、フッ化水素酸供
給管26から供給するフッ化水素酸は、予め所定温度まで
加熱されていることが好ましいため、必要に応じ、フッ
化水素酸供給管26に温調手段を配設する。適量のフッ化
水素酸を貯留した後には、自動開閉弁25を閉じておき、
洗浄処理時においてフッ化水素酸蒸気がオーバーフロー
用の流路24を通じて洩れることを防止するようになって
いる。洗浄処理の途中での補充は、基板Wの処理枚数や
処理時間に基づいて適当な時期に行うものである。この
フッ化水素酸タンク2内に適量のフッ化水素酸を供給す
る構成としては、例えば、フッ化水素酸タンク2内に液
面計を設け、設定量まで減少したことを検出し、それに
基づいて設定量のフッ化水素酸を供給するようにしても
良い。
い位置に、すなわち、洗浄処理用蒸気発生部4に連通接
続するように蒸気供給路28が開口され、そして、蒸気供
給路28の端部がフッ化水素酸タンク2の下向き面側から
蒸気供給部7に開口されるとともに、その蒸気供給路28
を自動的に開閉する開閉手段29が設けられている。
スとしての窒素(N2)ガスを供給するキャリアガス供給
管33が連通接続され、かつ、キャリアガス供給管33にバ
ルブ34が介装され、加熱によって洗浄処理用蒸気発生部
4に溜められたフッ化水素酸蒸気を蒸気供給路28に送る
ように構成されている。
窒素(N2)ガスを供給する混合ガス供給管35が連通接続
されるとともに、その混合ガス供給管35にバルブ36が介
装されている。
れぞれには、図示しないが、その内部を流れる窒素
(N2)ガスの温度を設定温度に維持する温調手段が付設
されている。
ッ化水素酸タンク2の底壁2aとの間に蒸気空間38を形成
して構成され、その蒸気空間38に蒸気供給路28が連通接
続され、フッ化水素酸蒸気をホットプレート8上の基板
Wの表面に供給できるように構成されている。この蒸気
供給部7では、フッ化水素酸タンク2の底壁2aに形成さ
れた温水流路21による加熱とホットプレート8からの加
熱とによってフッ化水素酸蒸気の温度が露点を越える温
度に維持されるようになっている。
2、洗浄処理用蒸気発生部4、蒸気供給部7、および、
洗浄処理用蒸気発生部4と蒸気供給部7とを連通する蒸
気供給路28等を上下方向に近接させて配置しているた
め、それらを一括して効率的に加熱・温度制御すること
ができ、それらへの洗浄処理液の蒸気の結露を容易に防
止することが可能である。
第1の流量制御弁39を介装した第1の排気管40が連通接
続されるとともに、内側ハウジング5の外側のハウジン
グ1とで囲まれる空間に第2の流量制御弁41を介装した
第2の排気管42が連通接続されている。第1および第2
の排気管40,42それぞれは図外の吸引排気装置に連通接
続され、そして、第1の流量制御弁39の開度が第2の流
量制御弁41の開度よりも大に設定され、内側ハウジング
5内に対する吸引排気量が内側ハウジング5と外側ハウ
ジング1とで囲まれる空間内に対する吸引排気量よりも
多くなるように吸引排気量を制御し、基板Wに供給され
た後に排出されるフッ化水素酸蒸気の外部への洩れ出し
を良好に防止するように排気制御手段が構成されてい
る。
の排気量より大きくするためには、排気管40の径を排気
管42の径より大きくするとともに、両排気管40,42を同
一の吸引排気装置に連通接続する構成や、排気管40,42
を各々異なる吸引排気装置に連通接続する構成などを採
用することができる。
ング51内に真空吸着によって基板Wを保持する基板保持
手段52が設けられている。
を延設して構成され、その支軸54が鉛直軸芯回りで回転
可能にハウジング51に設けられるとともに、支軸54の上
端に電動モータMが連動連結されている。
孔板55による蒸気供給部56が設けられている。
ッ化水素酸タンク57に形成され、そのフッ化水素酸タン
ク57に、ポンプ58を介装したフッ化水素酸供給管59を介
してフッ化水素酸貯留タンク60が連通接続されるととも
に、フッ化水素酸タンク57にオーバーフロー管61が設け
られ、初期や補充時において、適量のフッ化水素酸をフ
ッ化水素酸タンク57に供給して貯留するように構成され
ている。
処理用蒸気発生部62が形成されるとともに、その洗浄処
理用蒸気発生部62に、キャリアガスおよび混合ガスとし
て窒素(N2)ガスを供給する混合ガス供給管63が連通接
続されている。
56、洗浄処理用蒸気発生部62およびフッ化水素酸タンク
57にわたらせて、ハウジング51の外部に加熱手段として
のヒータ64が設けられ、フッ化水素酸タンク57内のフッ
化水素酸の温度を沸騰点未満の温度に維持するととも
に、ホットプレート53からの加熱との協動によって洗浄
処理用蒸気発生部62におけるフッ化水素酸蒸気の温度が
露点を越える温度に維持されるようになっている。
ように構成しているが、本発明としては、基板Wを回転
させない状態で洗浄処理するものにも適用できる。
よれば、洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基
板保持手段の基板保持部、および、蒸気供給部のいずれ
をも、上下方向に近接して重ねる状態でハウジング内に
設けるから、装置全体をコンパクトに構成できるように
なった。
の洗浄処理液の蒸気の外部への洩れ出しに対するシール
を、ハウジングに対するシール構成そのものを利用して
行うことができるから、従来のように洗浄処理液貯留部
をハウジングの外部に設けて洗浄処理液の蒸気を発生さ
せる場合のような蒸気洩れに対する専用のシール構成が
不要になり、蒸気洩れに対するシール構成を簡略化でき
て経済的である。
板保持面に基板の非処理面を保持するように構成すると
ともに、基板保持手段の基板保持部に保持された基板の
処理面と蒸気供給部とが対向するように基板保持手段の
基板保持部と蒸気供給部とを配置し、さらに、基板保持
部の基板保持面の温度を蒸気供給部の雰囲気温度以上に
維持する温度調節手段を設けたので、基板に対する洗浄
処理用蒸気による洗浄処理を精度良く行うことができ
る。
装置によれば、基板保持手段による基板保持部と蒸気供
給部とを内外二重のハウジングによって覆うから、基板
に供給した洗浄処理液の蒸気の外部への洩れ出しを良好
に防止できるようになった。
側の圧力をそれより外の外側ハウジングで囲まれる空間
内側よりも低くするから、排出される洗浄処理液の蒸気
が内側ハウジング内側から外側ハウジング側に流出する
ことを抑え、洗浄処理液の蒸気の排出に際しての外部へ
の洩れ出しをより確実に防止できるようになった。
の第1実施例を示し、第1図は全体概略縦断面図、第2
図は要部の拡大縦断面図、第3図は、本発明に係る基板
用洗浄処理装置の第2実施例を示す全体概略縦断面図で
ある。 1……ハウジング 2……洗浄処理液貯留部としてのフッ化水素酸タンク 4……洗浄処理用蒸気発生部 5……内側ハウジング 6……基板保持手段 7……蒸気供給部 8……基板保持部としてのホットプレート 39……排気制御手段を構成する第1の流量制御弁 41……排気制御手段を構成する第2の流量制御弁 51……ハウジング 52……基板保持手段 53……基板保持部としてのホットプレート 56……蒸気供給部 57……洗浄処理液貯留部としてのフッ化水素酸タンク 62……洗浄処理用蒸気発生部 W……基板
Claims (2)
- 【請求項1】洗浄処理液を貯留する洗浄処理液貯留部
と、 前記洗浄処理液貯留部の上方において、前記洗浄処理液
の蒸気を発生させる洗浄処理用蒸気発生部と、 処理すべき基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に前記洗浄処理用蒸
気発生部からの洗浄処理用蒸気を供給する蒸気供給部と を備え、基板1枚ごとに洗浄処理する枚葉処理用の基板
用洗浄処理装置において、 前記洗浄処理液貯留部、洗浄処理用蒸気発生部、基板保
持手段の基板保持部、および、蒸気供給部を、平面視に
おいて重複するとともに上下方向に近接させてハウジン
グ内に設け、かつ、 前記基板保持手段の基板保持部は、基板保持部の基板保
持面に基板の非処理面を保持するように構成するととも
に、前記基板保持手段の基板保持部に保持された基板の
処理面と前記蒸気供給部とが対向するように前記基板保
持手段の基板保持部と蒸気供給部とを配置し、 さらに、前記基板保持部の基板保持面の温度を前記蒸気
供給部の雰囲気温度以上の維持する温度調節手段を設け
たことを特徴とする基板用洗浄処理装置。 - 【請求項2】少なくとも基板保持手段の基板保持部と蒸
気供給部とを内外二重のハウジングで覆い、内側ハウジ
ング内に対する吸引排気量が内側ハウジングと外側ハウ
ジングとで囲まれる空間内に対する吸引排気量よりも多
くなるように吸引排気量を制御する排気制御手段を備え
た請求項(1)項に記載の基板用洗浄処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2087068A JP2552014B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 基板用洗浄処理装置 |
US07/518,971 US5158100A (en) | 1989-05-06 | 1990-05-04 | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
US07/921,565 US5288333A (en) | 1989-05-06 | 1992-07-29 | Wafer cleaning method and apparatus therefore |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2087068A JP2552014B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 基板用洗浄処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03284842A JPH03284842A (ja) | 1991-12-16 |
JP2552014B2 true JP2552014B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13904628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2087068A Expired - Lifetime JP2552014B2 (ja) | 1989-05-06 | 1990-03-30 | 基板用洗浄処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2552014B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2896005B2 (ja) * | 1992-02-06 | 1999-05-31 | シャープ株式会社 | ウェハー洗浄方法 |
JP2963443B1 (ja) | 1998-06-19 | 1999-10-18 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
JP6384455B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2018-09-05 | 信越半導体株式会社 | シリコン原料洗浄装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5527032A (en) * | 1978-08-14 | 1980-02-26 | Fujitsu Ltd | Washing method by distilled liquid |
JPS63184335A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Nec Corp | 洗浄装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2087068A patent/JP2552014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03284842A (ja) | 1991-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3080834B2 (ja) | 半導体基板洗浄処理装置 | |
US5158100A (en) | Wafer cleaning method and apparatus therefor | |
US5288333A (en) | Wafer cleaning method and apparatus therefore | |
JP2583152B2 (ja) | 基板回転式表面処理方法 | |
TWI412084B (zh) | A substrate processing apparatus and a substrate processing method | |
JP2768952B2 (ja) | 金属酸化処理装置及び金属酸化処理方法 | |
KR930005946B1 (ko) | 기판의 세정 처리방법 및 장치 | |
JP2833946B2 (ja) | エッチング方法および装置 | |
JPH06204231A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
JP2552014B2 (ja) | 基板用洗浄処理装置 | |
JP2976301B2 (ja) | ステンレス鋼及びその製造方法並びに減圧装置 | |
US7448397B1 (en) | Apparatus for applying disparate etching solutions to interior and exterior surfaces | |
JP2549006B2 (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JPH05326464A (ja) | 基板表面の気相洗浄方法 | |
JPH03204930A (ja) | 絶縁膜の選択的除去方法 | |
KR100266787B1 (ko) | 반도체기판에확산된금속불순물제거방법 | |
JPH05283386A (ja) | 基板表面処理装置 | |
JP2002075955A (ja) | 基板表面処理方法および基板表面処理装置 | |
JP2002203831A (ja) | 洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置及び並びに洗浄乾燥装置 | |
TW511187B (en) | Etching method, processing apparatus and etching apparatus | |
JP3544329B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2015185565A (ja) | シリコン酸化膜形成装置の洗浄方法、シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜形成装置 | |
JP2002066475A (ja) | 基板洗浄装置 | |
KR20000069619A (ko) | 활성 불소의 저장, 수송 및 제조 장치와 방법 | |
JP2005311316A (ja) | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 14 |