JPS60236238A - 基板上の異物除去方法 - Google Patents
基板上の異物除去方法Info
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- JPS60236238A JPS60236238A JP9179484A JP9179484A JPS60236238A JP S60236238 A JPS60236238 A JP S60236238A JP 9179484 A JP9179484 A JP 9179484A JP 9179484 A JP9179484 A JP 9179484A JP S60236238 A JPS60236238 A JP S60236238A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は基板上の異物除去方法に関する。
集積回路や表示器等の電極パターンの形成は近年微細化
してきておシ、電極基板の表面洗浄後のごみの付着等に
よシ、電極間でのショートや電極のパターン切れといっ
た問題が発生していた。
してきておシ、電極基板の表面洗浄後のごみの付着等に
よシ、電極間でのショートや電極のパターン切れといっ
た問題が発生していた。
電極パターンの形成方法としては、例えば第２図に示す
ようなものがある。即ちまず第２図（ａ）に示すように
、基板（Ｉｎに電極となるべき導電膜（２１を形成する
。そして有機化合物蒸気処理或は酸溶液処理等の方法で
基板（１）の表面を洗浄する。次に第２図（ｂｌに示す
ように、導電膜（２）上書−レジスト膜（３）を塗布形
成し、レジスト膜（３）を電極パターンに対応させて露
光した後現像すること（二より、第２図（ｃＨ二示すよ
うに、不要部分のレジスト膜（３）を除去する。そして
第２図（ｄ）に示すように、露出した導電膜（２）をエ
ツチングで除去する。最後に第２図（ｅｌに示すように
、残ったレジスト膜（３）を除去して所定の電極が形成
される。
ようなものがある。即ちまず第２図（ａ）に示すように
、基板（Ｉｎに電極となるべき導電膜（２１を形成する
。そして有機化合物蒸気処理或は酸溶液処理等の方法で
基板（１）の表面を洗浄する。次に第２図（ｂｌに示す
ように、導電膜（２）上書−レジスト膜（３）を塗布形
成し、レジスト膜（３）を電極パターンに対応させて露
光した後現像すること（二より、第２図（ｃＨ二示すよ
うに、不要部分のレジスト膜（３）を除去する。そして
第２図（ｄ）に示すように、露出した導電膜（２）をエ
ツチングで除去する。最後に第２図（ｅｌに示すように
、残ったレジスト膜（３）を除去して所定の電極が形成
される。
ところで第２図（ａ）（二あるように、基板（１１の表
面を洗浄した後、基板（１）上に大気中のごみ（４）が
吸着或は付着しやすい。ごみ（４）は１Ｆ３２図ｆｅ）
において残ったレジスト膜（３）とともに除去されるが
、ごみ（４）がエツチングの妨けとなってこみ（４）の
あった剖３分に不要の導電膜（２，）が残り、電極間で
のショート等の原因となりやすい。
面を洗浄した後、基板（１）上に大気中のごみ（４）が
吸着或は付着しやすい。ごみ（４）は１Ｆ３２図ｆｅ）
において残ったレジスト膜（３）とともに除去されるが
、ごみ（４）がエツチングの妨けとなってこみ（４）の
あった剖３分に不要の導電膜（２，）が残り、電極間で
のショート等の原因となりやすい。
従来このような大気中のごみが基板上に吸着或は付着す
るのを防ぐ異物除去方法として、窒素ガスや空気等によ
り吹き飛１ノシたり、はけ等によりごみ？取り除いたり
することが行なわれてきたが不十分であり、電極間での
ショートや電極のパターン切れといった問題が多数少じ
ていた。
るのを防ぐ異物除去方法として、窒素ガスや空気等によ
り吹き飛１ノシたり、はけ等によりごみ？取り除いたり
することが行なわれてきたが不十分であり、電極間での
ショートや電極のパターン切れといった問題が多数少じ
ていた。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、異物の除去をより完全に行なうことの可能な
基板上の異物除去方法の提供を目的とする。
たもので、異物の除去をより完全に行なうことの可能な
基板上の異物除去方法の提供を目的とする。
即ち本発明は、基板を帯電させる工程と、基板の帯電圧
と同極性で更に高い電圧を有する集塵用電極を基板の近
傍に設置して基板上に付着した異物を静電的に除去する
工程と、基板を除電する工程とを備えたことを特徴とす
る基板上の異物除去方法である。
と同極性で更に高い電圧を有する集塵用電極を基板の近
傍に設置して基板上に付着した異物を静電的に除去する
工程と、基板を除電する工程とを備えたことを特徴とす
る基板上の異物除去方法である。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
いま液晶表示器の電極パターンを形成する際に使用した
本発明の一実施例を第１図に示す。まず第１図（ａｌｌ
二示すように、基板１上に電極となるべき導電膜０１）
を形成し、ａｖａｎを中性洗剤で洗浄した後、基板ＯＩ
を水洗し乾燥させる。この後静電気等１ｍ、より、基板
０１上に異物０７Ｊ例えば大気中のごみが付着しやすい
。次ｆ：第１図（ｂｌに示すように、基板０１を帯電装
置０３（カスガミ気胸）にてＤＣ−１１ＫＶ及び消＊電
力３５ＶＡで帯電させる。このとき異物ｏ擾は、基板０
１と逆極性例えば正に帯電する。次（二重１図（Ｃ）に
示すよう（二、帯電された基板０１の帯電圧と同極性で
更に高い電圧を有する集塵用電極Ｑ４）を、基板０１の
導電膜０υが形成されている側の面の近傍に設置する。
本発明の一実施例を第１図に示す。まず第１図（ａｌｌ
二示すように、基板１上に電極となるべき導電膜０１）
を形成し、ａｖａｎを中性洗剤で洗浄した後、基板ＯＩ
を水洗し乾燥させる。この後静電気等１ｍ、より、基板
０１上に異物０７Ｊ例えば大気中のごみが付着しやすい
。次ｆ：第１図（ｂｌに示すように、基板０１を帯電装
置０３（カスガミ気胸）にてＤＣ−１１ＫＶ及び消＊電
力３５ＶＡで帯電させる。このとき異物ｏ擾は、基板０
１と逆極性例えば正に帯電する。次（二重１図（Ｃ）に
示すよう（二、帯電された基板０１の帯電圧と同極性で
更に高い電圧を有する集塵用電極Ｑ４）を、基板０１の
導電膜０υが形成されている側の面の近傍に設置する。
すると基板ＯＩ上に付着した異物ｆ１３は、集塵用電極
０４の方が引きつける力が強いためにこれに吸着され、
静電的Ｉ：基板ＯＩ上から除去される。
０４の方が引きつける力が強いためにこれに吸着され、
静電的Ｉ：基板ＯＩ上から除去される。
次に第１図（ｄ）に示すように、帯電された基板ｏｅを
帯電除去装置０９（カスガミ気胸）で除電する。続いて
第１図ｆｅ）に示すように、導電膜θ１）上全面にフォ
トレジストαＱとしてＯＭＲ−８３（東京応化製）を塗
布形成した後、閏°Ｃの温度で加分間乾燥する。
帯電除去装置０９（カスガミ気胸）で除電する。続いて
第１図ｆｅ）に示すように、導電膜θ１）上全面にフォ
トレジストαＱとしてＯＭＲ−８３（東京応化製）を塗
布形成した後、閏°Ｃの温度で加分間乾燥する。
次にフォトレジストＯｅを、電極の幅が７０μｍで電極
間の幅が４０μｍの電極パターンに対応させて５００Ｗ
超高圧水銀灯で（資）秒間露光した後現像することによ
り、第１図（ｆ）に示すように、不要部分のフオトレジ
ス） （ｌ［９を除去する。そして第１図（ｇｌに示す
ように、露出した導電膜αυを塩化第二銅のエツチング
液で除去する。最後に第１図（ｈｌに示すように、残っ
たフォトレジストＱｆ９を剥離液にて除去し、基板ｆＩ
Ｇ上に所定の電極が形成される。
間の幅が４０μｍの電極パターンに対応させて５００Ｗ
超高圧水銀灯で（資）秒間露光した後現像することによ
り、第１図（ｆ）に示すように、不要部分のフオトレジ
ス） （ｌ［９を除去する。そして第１図（ｇｌに示す
ように、露出した導電膜αυを塩化第二銅のエツチング
液で除去する。最後に第１図（ｈｌに示すように、残っ
たフォトレジストＱｆ９を剥離液にて除去し、基板ｆＩ
Ｇ上に所定の電極が形成される。
上の方法で形成された電極パターンを顕微鏡で観察した
結果、電極間でのショートや電極のパターン切れは発見
されなかった。丈た電気的に検査しても同様の結果が得
られた。
結果、電極間でのショートや電極のパターン切れは発見
されなかった。丈た電気的に検査しても同様の結果が得
られた。
なお本発明の異物除去方法は種々の用途が考えられ、例
えば液晶表示器の容器作製時の２ビング工程後の異物の
除去に応用することも可能である。
えば液晶表示器の容器作製時の２ビング工程後の異物の
除去に応用することも可能である。
以上説明したように本発明の基板上の異物除去方法は、
基板上５二付着した異物を静電的Ｃ二除去してなるので
、異物が完全に除去でき、例えば表示器等の電極パター
ンを形成する場合に使用すると、従来より電極間でのシ
ョートや電極のパターン切れが生じるのが少なくなる。
基板上５二付着した異物を静電的Ｃ二除去してなるので
、異物が完全に除去でき、例えば表示器等の電極パター
ンを形成する場合に使用すると、従来より電極間でのシ
ョートや電極のパターン切れが生じるのが少なくなる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための図、第２図
は電極パターンの形成方法の一例を示す断面図である。 ａ〔・・・・・・・・・基板 （【２１・・・・・・・・・異物 ０４１・・・・・・・・・集塵用電極 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第 １ 図 （イ２ （Ｃン （ｄ） （ｅン （Ｊλ 第 １ 図 （ソン （ｈ）
は電極パターンの形成方法の一例を示す断面図である。 ａ〔・・・・・・・・・基板 （【２１・・・・・・・・・異物 ０４１・・・・・・・・・集塵用電極 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第 １ 図 （イ２ （Ｃン （ｄ） （ｅン （Ｊλ 第 １ 図 （ソン （ｈ）
Claims (1)
- 基板を帯電させる工程と、前記基板の帯電圧と同極性で
更に高い゛電圧を有する集塵用電極を前記基板の近傍ｆ
二設置して前記基板上に付着した異物を静電的に除去す
る工程と、前記基板を除電する工程とを備えたことを特
徴とする基板上の異物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9179484A JPS60236238A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 基板上の異物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9179484A JPS60236238A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 基板上の異物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236238A true JPS60236238A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14036516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9179484A Pending JPS60236238A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 基板上の異物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0790642A2 (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| WO2024018433A1 (en) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Promethean Limited | Interactive touch-screen display device with static charge dissipation and method of assembling the same |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9179484A patent/JPS60236238A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0790642A2 (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| EP0790642A3 (en) * | 1996-02-02 | 1998-04-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| WO2024018433A1 (en) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Promethean Limited | Interactive touch-screen display device with static charge dissipation and method of assembling the same |
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