JPS61292325A - 小さな粒子を表面から除去する方法 - Google Patents

小さな粒子を表面から除去する方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非常に小さな粒子を種々の表面から除去する
方法及び装置に係り、特に、このような粒子で汚染され
た面を清掃する方法及び装置に係る。本発明は１種々の
製造作業中に粒状物体で汚染されて次の作業を実行する
前に汚染物を除去しなければならないような半導体ウニ
への清掃に特に有用である。
従来の技術 半導体集積回路の製造には、多数の作業が含まれる。半
導体ウェハは、先ず、ｐ型又はｎ型材料で拡散を行なう
ことによってドープされ、次いで、その表面に絶縁酸化
物層が形成され、その後、この酸化物層を選択的にエツ
チングすることにより、導電路が形成される。次いで、
半導体ウェハは、より多くの不純物でドープされる。そ
の後、作業が何回も繰り返される。幾つかの操作の間に
は、ウェハの表面に本質的に汚染物がないことが重要で
ある。
本発明が関与する汚染物は、非常に小さな粒子である。
ウェハの表面に付着した粒子は、幾つかの処理作業の妨
げになることがある。例えば、ウェハの表面上に導電路
がエツチングされ、この導電路を通してウェハに向かっ
て拡散を行なうべき場合には、この導電路上にあって導
電路の巾より大きい直径を有している粒子によって拡散
パターンに不所望なギャップが形成される。
不都合なことに、これらの粒子は、幾つかの処理段階中
に発生される。例えば、シリコンウニへの酸化物層に線
をエツチングする時には、除去された材料の若干が粒子
状の形態でウェハ表面のどこかに再付着することがある
。これらの粒子は、これによって妨げが生じるであろう
次の作業を実行する前に、ウェハの表面から除去しなけ
ればな　　　　゛らない。
これらの粒子は、化学的な除去（例えば、酸又は塩基と
の反応）、遠心力、空気流又は噴水による清掃、機械的
な切削、超音波による振動、或いはその他の既知のプロ
セスによってウェハから清掃することができる。清掃作
用の形式は、汚染物の形態、清掃される材料の種類及び
要求される清潔さの程度によって左右される。
集積回路製造技術の進歩に伴い、非常に高い回路密度が
実現され、これに対応して半導体表面の形状を非常に細
かくできるようになってきた。
例えば、１メガバイトのダイナミックＲＡＭチップの最
小形状寸法は、１．２５ミクロンであり、大きさが１ミ
クロン以下の構造形状を有するチップの生産を期待でき
るに至っている。従って、非常に小さな粒子であっても
、問題が生じることになり、ウェハの表面から除去しな
ければならない。
このような小さな粒子がウェハの表面に付着するのは、
主として１粒子とウェハ表面との間の原子価２の相互作
用（ファン・デル・ワールスカ）によるものであると考
えられる。粒子の重さに対する吸引力の比は、粒子のサ
イズが減少するにつれて増大する。
大きさが１ミクロン以下の粒子をソリッド基体から除去
することは、新たな問題ではない。これは、数十年にわ
たって広く認識されていることである。（１９５８年の
ハエ紐虹Ｊ肛ユ照旺■ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓに掲
載された「電子装置の部品及び材料の洗浄（Ｃｌｅａｎ
ｉｎｇ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ＤｅｖｉｃｅＣ
ｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）Ｊ
及び１９６２年のＡｍ、　Ｓａｃ、　ｆｏｒ　Ｔｅ５ｔ
ｉｎ　　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓに掲載された「電
子装置及び宇宙装置のための清掃及び材料に関連した処
理についてのシンポジウム（Ｓｙｍρ〇−５ｉｕｏ＋　
ｏｎ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　
Ｒｅ１ａｔｅｄ　Ｐｒｏｃｅ−ｓｓｉｎｇ　ｆｏｒ　Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　ａｎｄ　５ｐａｃｅ　Ａｐｐａ
ｒａｔｕｓ）　Ｊを参照されたい。） 発明が解決しようとする問題点 粒子サイズが１ミクロンより小さい粒状汚染物の除去は
、甚だ困難であることが述べられている。（１９８４年
３月の・ソリッドステートテクノロジ（Ｓｏｌｉｄ　５
ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第１０９−１１４
頁に掲載されたＪ、　Ｍ、　Ｄｕｆｆａｌｏ及びＪ、Ｒ
，Ｍｏｎｋｏｔｚｓｋｉ氏の「粒子汚染及び装置の性能
（ＰａｒｔｉｃｕｌａｔｅＣｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ
　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）Ｊ
及び１９８４年のプロシーディンゲス・インステイチュ
ート・オブ・エンピロンメンタル・サイエンス（Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ−Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｅｎｖ
ｉｒｏｎｍｅｎｔａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ）の第１４−１
９頁に掲載された０、　Ｈａｍｂｅｒｇ及びＥ、　Ｍ、
　５ｈｏｎ氏の「清潔な室内における表面上の粒子サイ
ズ分布（Ｐａｒｔｉｃｌｅ　５ｉｚｅ　Ｄｉｓｔｒｉｂ
ｕｔｉｏｎ　ｏｎ　５ｕｒｆａｃｅｓ　ｉｎ　Ｃ１ｅａ
ｎ　Ｒｏｏｍｓ）Ｊを参照されたい。）前記ＨａＩＩｌ
ｂｅｒｇ及び５ｈｏｎ氏は、特に、Ｅ、　Ｉ。
ＤｕＰｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　＆　Ｃｏ、、　
Ｉｎｃ、からフレオン・二フ・ティ（Ｆｒｅｏｎ　ＦＴ
）という商標で販売されているトリクロロトリフルオロ
エタンのような材料での表面清掃効率について述べてい
る。除去しようとする粒子のサイズが１ミクロンより小
さくなるにつれて、この方法で除去される粒子の割合が
非常に小さなものとなる。
実際には、１ミクロン以下の粒子を既知の方法で固体表
面から除去すること（士不可能であると現在一般的に考
えられており、これが、解決すべき重要な問題である。
（１９８５年３月のケムテック（Ｃｈｅｎ＋ｔｅｃｈ）
の第１６８−１７４頁に掲載されたＧ、Ｂ、Ｌａｒｒａ
ｂｅｅ氏の「マイクロエレクトロニツクスの化学的技術
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　Ｍ
ｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）　Ｊを参照されたい
、）問題点を解決するための手段 それ故、本発明の目的は、固体表面、特に、半導体ウェ
ハの表面から小さな粒子を除去する効果的な方法及び装
置を提供することである。
著しくフッ素と化合した有機キャリア液体に含まれた分
子量の大きい著しくフッ素と化合した有機界面活性剤は
、非常に小さな汚染粒子を半導体ウェハの表面から除去
するのに有効であることが分かった。汚染されたウェハ
をこのような溶液に浸漬した時には、界面活性剤がウェ
ハの表面に吸着すると共に、ウェハ表面に存在する異物
粒子の表面にも吸着する。これにより溶媒和フィルムが
形成され、これらフィルムは、これら表面間の相互作用
、より詳細には、粒子の表面とウェハの表面との間の相
互作用を減少する。それ故、粒子はウェハの表面から容
易に外れて溶液中に分散する。
例えば、超音波発生器によって与えられる機械的な攪拌
作用を用いて、上記の分散を促進することができる。然
し乍ら、液体分子の熱移動（ブラウン運動）は、ウェハ
の表面からの粒子を分散するに充分であることが分かっ
た。
ウェハの表面は、界面活性剤のフィルムで覆われている
ので、粒子が除去された後に、ウェハが新鮮なキャリア
液体で洗浄され、界面活性剤がウェハの表面から除去さ
れる。この洗浄工程は、界面活性剤を除去し易い状態１
例えば、高い温度のもとで行われ、吸着した界面活性剤
の密度が許容できるレベルに下がるまで繰り返される。
ウェハの表面に残留する洗浄液体は１機械的に（例えば
、遠心力により）又は蒸発によって容易に除去すること
ができる。
清掃操作に使用されるキャリア液体は、後に残留物を残
すものであっては成らない。又、キャリア液体は、汚染
粒子を除去する以外、ウェハの物理的又は化学的特性を
変えるものであってはならない。更に、キャリア液体は
、半導体業界で決められた作業上の規定に合致するもの
でなければならない。これらの要件は、著しくフッ素と
化合した幾つかの液体を使用することによって満足する
ことができる。
ここで使用する「著しくフッ素と化合した」という用語
は、１つの炭素原子当り少なくとも１つのフッ素原子を
含んでいて、炭素原子に付着する原子のうちの半分まで
がハロゲン原子もしくは水素原子であるような液体を意
味する。これらの液体は、非常に不活性の性質が強く且
つ化学的な侵食に耐える種類のものである。これら液体
は、無極性であり１本質的に溶媒作用を及ぼさないもの
である。又、これら液体は、不燃性であり、毒性の低い
ものである。更に、その他の著しくフッ素と化合した液
体に対して親和性を有している。
著しくフッ素と化合・したキャリア液体の例として次の
ような液体が挙げられるが、これらは、Ｅ、　１．　ｄ
ｕ　Ｐｏｎｔ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　＆　Ｃｏ、、　Ｉｎｃ
、からフレオンという登録商標で市販されているもので
ある。
フレオンＴＦ：　　　トリクロロトリプルオロエタンＣ
ＣＩ、ＦＣＣＩＦ。
フレオン１１４Ｂ２　ニジブロモテトラフルオロエタン
ＣＢｒＦ、ＣＢｔｆ２フレオン２１５ニトリクロロペン
タフルオロプロパンｃＣ１３ＣＦ２ＣＦａフレオン２１
４：　　テトラクロロテトラブルオロプロパンＣＣ１３
ＣＦ、ＣＦ、ＣｌフレオンＥ液体：　Ｆ（ＣＦ−ＣＦ２
−０）ｎ　ＣＨＣＦＣＦ３　　但し、ｎ：１〜３σ。
本発明の目的として好ましいキャリアは、パーフルオリ
ネートされた液体、即ち、炭素とフッ素のみを含む液体
であるが、成る場合には、酸素又は窒素のような非水素
原子も含む液体である。
これらの液体は、清掃されている物体に影響を及ぼさな
い温度で蒸発を行なうことによりキャリア液体を容易に
除去するために、周囲圧力において３５℃ないし１５０
℃の沸点を有するものであるのが好飯しい。
市販の好ましいキャリア液体の例を以下に述べろ。
フルオロカーボン・エレクトロニック・リキッドＦＣ１
０４：これは、パーフルオロオクタン。
主としてパーフルオロオクタン（Ｃｍ　Ｆｌ　ｓ　）の
商標で、平均分子量が４３５で、３Ｍ　Ｃｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎによって販売されているものである。
フルオロカーボン・エレクトロニック・リキッドＦＣ７
５：これは、８個の炭素原子を含むパーフルオロネート
されたサイクリック・エーテルの商標で、平均分子量が
４２０であり、３Ｍ　Ｃｏｒｐ。
ｒａｔｉｏｎによって販売されているものである。
フルオロカーボン・エレクトロニック・リキッドＦＣ７
７：これは、フルオロカーボン・エレクトロニック・リ
キッドＦＣ７５と、フルオロカーボン・エレクトロニッ
ク・リキッドＦＣ１０４の共沸混合物の商標で、平均分
子量が４１５のものである。
本発明に有用な著しくフッ素と化合した界面活性剤は、
これらのキャリア液体に溶解し得る。
これらは、パーフルオリネートされたもので、少なくと
も１０個、好ましくは、２ｏないし３０個の炭素原子と
、固体平面に適合し得る１つ以上の極グループとを含む
のが好ましい。これらの極グループには、カルボン酸や
スルフォン酸やアルコールのような活性水素原子を有す
る種が含まれる。
界面活性剤は、これと共に使用するキャリア液体よりも
沸点が高いのが好ましい。
界面活性剤は、例えば、キャリア液体ですすぎ洗いする
ことによって、清掃される面から容易に除去できること
が重要である。さもなくば、清掃工程は、成る汚染物を
単に別の汚染物に置き換えるだけになってしまう。表面
から粒子を除去することのできる他の界面活性剤は、こ
こに開示する種類の表面活性剤のように容易に除去でき
ないので、適当ではない。
実際には、キャリア液体と表面活性剤の組み合わせも重
要である。というのは、キャリア液体と表面活性剤は互
いに適合しなければならず、然も、キャリア液体は、上
記の特性を有していなければならないからである。
微量の表面活性剤をキャリア液体に加えただけでも、粒
子を著しく除去できる。従って、０゜０１重量％という
低いレベルから可溶限界までの濃度を用いることができ
る。キャリア液体における界面活性剤の好ましい濃度は
、０．２ないし２゜０重量％である。
界面活性剤をキャリア液体と充分に混和できるようにす
ると共に、清掃すべき表面からの粒子の分離を促進させ
るために、比較的高い分子量の界面活性剤が望ましい。
以下は、市販されている望ましい界面活性剤の例である
。
クリドックス（Ｋｒｙｔｏｘ）　１５７　Ｆ　Ｓ　（Ｌ
）　　：これは、カルボン酸の末端基で終わるパーフル
オロアルキルポリエーテルの登録商標で、平均分子量が
約２，０００で、Ｅ、　Ｉ、　ＤｕＰｏｎｔ　ｄｅ　Ｎ
ｅｍｏｕｒｓ　＆Ｇｏ、、Ｉｎｃ、によって販売されて
いるものである。
クリドックス（Ｋｒｙｔｏｘ）　１５７　Ｆ　Ｓ　（Ｍ
）　　：これは、カルボン酸の末端基で終わるパーフル
オロアルキルポリエーテルの登録商標で、平均分子量が
約４，０００で、Ｅ、　１．　ＤｕＰｏｎｔ　ｄａ　Ｎ
ｅｍｏｕｒｓ　＆Ｃｏ、、　Ｉｎｃ、によって販売され
ているものである。
クリドックス（Ｋｒｙｔｏｘ）　１５７　Ｆ　Ｓ　（Ｈ
）　　：これは、カルボン酸の末端基で終わるパーフル
オロアルキルポリエーテルの登録商標で、平均分子量が
約６，０００で、Ｅ、　１．　ＤｕＰｏｎｔ　ｄａ　Ｎ
ｅｍｏｕｒｓ　＆Ｃｏ、、　Ｉｎｃ、によって販売され
゛ているものである。
フォンブリン（Ｆｏｍｂｌｉｎ）　Ｚダイアジッド（Ｄ
ｉａｃｉｄ）フロイド（Ｆｌｕｉｄ）　：これは、２つ
のカルボン酸基で終わる直鎖パーフルオリネート化ポリ
エーテルポリマであり１分子量が約２，０００で、Ｍｏ
ｎｔｅｄｉｓｏｎ　ＵＳＡ、　Ｉｎｃ、によって販売さ
れているものである。
パーフルオロデカノ酸、これは、化学式Ｃ３Ｆ１．Ｃｏ
○Ｈで表わされるもので、分子量５１４で、　ＳＭＳ　
５ｐｅｃｉａｌｉｔｙ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓによって販
売されているものである。
本発明で使用されるキャリア液体と界面活性剤は、他の
種類の化合物に対して不活性な貧溶媒であるから、清掃
すべき表面及び除去すべき粒子の化学的性質及び組成に
よって当該プロセスに影響が及ぶことはない。
清掃することができる表面としては、金属、セラミック
ス及びプラスティックの表面であって、１つ以上の材料
を含む製品の表面が含まれる。本発明の手段によって好
都合に表面を清掃することができる品物としては、種々
の形式の半導体材料に加えて、半導体の製造に使用され
るフォトマスク、半導体の製造に使用されるキャリング
ボックス、ホルダ等の器具、精密な光学装置及び部品、
並びに精密電気化学装置及び部品が含まれる。
Ｒ，カイザー（Ｋａｉｓｅｒ）氏の米国特許第３，７８
４．４７１号には、一般のキャリア液体及びここで使用
する界面活性剤の溶液中に粒状の固体を拡散することに
ついて述べられている。然し乍ら、今までは、これらの
溶液が１ミクロン以下の粒子　。
を固体の表面から除去するのに使用できるということは
認識されていない。実際に、パーフルオリネイトされた
液体を熟知した者の報告によれば、ここに述べたキャリ
ア液体の１つであるフレオンＦＴを用いて１ミクロン以
下の粒子を表面から除去する場合に殆ど成功を収めてい
ない。（１９８４年のプロシーデイングズ・インステイ
チュート・オン・エンピロンメンタル・サイエンスの第
１４−１９頁に掲載されたＯ０ＨａＩＩｌｂｅｒｇ氏及
びＥ、　Ｍ、５ｈｏｎ氏の「清潔な室内における表面上
の粒子サイズ分布（Ｐａｒｔｉｃｌｅ　５ｉｚｅ　Ｄｉ
ｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｏｎ　５ｕｒｆａｃｅ　１ｎＣ
１ｅａｎ　Ｒｏｏｍ）Ｊを参照されたい。）本発明の特
徴及び目的を完全に理解するために、以下の実施例を添
付図面と共に参照されたい。
実施例 第１図に示すように、汚染したウェハ１２を支持するラ
ック１０は、タンク１４内に配置されている。洗浄溶液
１６ａは、キャリア液体中に界面活性剤を含む溶液で、
タンク１８からフィルタＦ１を経てタンク１４に送り込
まれる。タンク１４の中味は、超音波攪拌器２ｏにより
攪拌を受ける。ウェハ１２の表面上と、ウェハ表面から
除去すべき粒子の表面上とに界面活性剤が吸着すること
により、これらの表面間の相互作用が減少される。これ
により、粒子は、ウェハ１２の表面から除去され、洗浄
溶液１６ａ内に分散され、そこで、粒子の寸法、凝集度
及び攪伴度等によって、沈澱するか或いは懸濁状態に保
たれる。洗浄プロセス（洗剤を施す時間も含めて１分な
いし１００分）が完了した後で、洗浄溶液１６ａは、バ
ルブＡと流量制限器２２とを通じてゆっくりと排出され
てタンク１８へ戻る。
各ウェハ１２の表面上には界面活性剤を含むフィルムが
残る。プロセス全体の残りのステップは、この界面活性
剤の残留物を除去することに関するものである。すすぎ
洗いは、ウェハ１２をキャリア液体の純粋な溶液で連続
的にすすぎ洗いする逆流希釈プロセスによって行なう。
この場合、第１のすすぎ溶液１６ｂがタンク２４からフ
ィルタＦ２を経てタンク１４に送り込まれ、攪拌器２０
が再びオンにされる。例えば１−１０分の適当なインタ
ーバルの後、第１のすすぎ溶液１６ｂは。
バルブＢと流量制限器２６とを通じて保持タンク２８へ
ゆっくりと排出される。次に、第２のすすぎ溶液１６ｃ
がタンク３０からフィルタＦ３を経てタンク１４に送り
込まれる。第２のすすぎ洗いが完了した後、すすぎ溶液
１６ｃは、バルブＣと流量制限器３２とを通じてタンク
２４へゆっくりと排出される。
その間に、タンク３０内のすすぎ液体は、蒸溜器３４内
の保持タンク２８の中味を蒸留することによって補充さ
れる。蒸溜器３４は、比較的低い沸点を有するキャリア
液体を、高い沸点を有する界面活性剤から分離する。従
って、タンク３０内のすすぎ液体は、純粋なキャリア液
体となる。
上流タンク２４内のすすぎ液体は、タンク１８内の洗浄
液よりも低い濃度の界面活性剤を含んでいる。従って、
希釈により、ウェハ１２の表面上の界面活性剤の濃度が
機械的に減少される。同様に、タンク３０からの純粋な
キャリア液体により、ウェハ１２の表面上の界面活性剤
の濃度が。
許容できる程度に低いレベルまで更に減少される。
溶液１６がタンク１８に排出される度に、界面活性剤を
含む液体のフィルムがウェハ１２の各々の表面上に浅る
。このフィルムの厚さは、液面がウェハ１２の表面に沿
って下降する速度、換言すれば、ウェハが事実上液体か
ら引き揚げられる速度によって左右される。このフィル
ムは、排出速度が低い程薄くなり、この薄いフィルムに
は界酊活性剤が殆ど含まれないので、低い排出速度が望
ましい。好ましい排出速度においては、約１インチ／分
の効果的なウェハ表面の引き揚げ速度が得られる。溶液
１６が排出される速度と、排出後の表面の界面活性剤の
許容濃度とによって、付加的なすすぎ洗い工程を採り入
れることができる。
洗浄液及びすすぎ液のレベルは、新鮮な洗浄溶液と新鮮
なすすぎ液をそれぞれ容器３６及び３８から加えること
によって維持される。蒸溜器３４の底に堆積した界面活
性剤は、容器３６へ循環処理することができる。
以上、非常に小さい粒子で汚染された表面から粒子を除
去する非常に効果的なシステムを説明した。
効果 表面を清掃するのに伴う液体は不活性であり殆どの物質
と混和することがないので、本発明の方法は、例えば、
金属、セラミックス及びプラスティックのような広い範
囲の材料の清掃に使用することができる。本発明を利用
する場合には、表面を比較的早く清掃できると共に、清
掃プロセスに伴う液体を容易に再生して繰返し使用でき
るので、比較的費用のかからないものとなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明を実施する装置の概略的な図である。 １０・・・ラック　　　　１２・・・ウェハ１４．１８
．２４．３０・・・タンク １６・・・洗浄溶液 ２０・・・超音波攪拌器 ２２．２６．３２・・・流量制限器 ２８・・・保持タンク ３４・・・蒸留器 ３６．３８・・・容器 Ａ、Ｂ、Ｃ・・・バルブ Ｆｌ、Ｆ２、Ｆ３・　・　・フィルり ［４面ゾ侍書・′内容に変更なし） ＦＩＧ、１ 手続補正書（方式） １、事件の表示　　　昭和６１年特許願第８９８５２号
３、補正をする者 事件との関係　　出願人 氏名　　ロパート　カイザー ４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和６１年６月２４日願書に最
初に添付した図面の浄書 （内容に変更なし）

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）粒子を表面から除去する方法において、Ａ、フッ
    素と化合した無極性のキャリア液体にフッ素と化合した
    分子量の大きい界面活性剤を含んだものより成る溶液で
    表面を洗浄して、表面から粒子を除去すると共に、これ
    ら粒子を上記の溶液中に分散させ、 Ｂ、その後、すすぎ液体で上記表面をすすぎ洗いして、
    そこに残留した表面活性剤を除去し、Ｃ、上記すすぎ液
    体を表面から除去するという段階を具備したことを特徴
    とする方法。
  2. （２）上記溶液は、上記界面活性剤の濃度が０． ２ないし２．０重量％のものである特許請求の範囲第１
    項に記載の方法。
  3. （３）上記すすぎ液体は、キャリア液体である特許請求
    の範囲第１項に記載の方法。
  4. （４）上記キャリア液体は、パーフルオリネートされた
    液体である特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  5. （５）上記キャリア液体は、著しくフッ素と化合された
    炭化水素液体である特許請求の範囲第１項に記載の方法
    。
  6. （６）上記キャリア液体は、周囲圧力においてその沸点
    が３５℃ないし１５０℃である特許請求の範囲第１項に
    記載の方法。
  7. （７）上記界面活性剤は、２０ないし１００個の炭素原
    子と、活性水素原子を有する１つ以上の極グループとを
    含むパーフルオリネートされた液体である特許請求の範
    囲第１項に記載の方法。
  8. （８）上記のすすぎ洗い工程は、高い温度で行なう特許
    請求の範囲第１項に記載の方法。
  9. （９）上記のキャリア液体は、界面活性剤よりも沸点が
    低い特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  10. （１０）上記表面は、各工程の後に液体から効果的に引
    き上げられ、この引き上げ速度は、約１インチ／分以下
    である特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  11. （１１）最初の工程で始まりそして最後の工程で終わる
    次々のすすぎ洗い工程を含む特許請求の範囲第１項に記
    載の方法。
  12. （１２）各々のすすぎ洗い工程は、その前のすすぎ洗い
    工程より濃度の低い界面活性剤を含む液体で行なう特許
    請求の範囲第１１項に記載の方法。
  13. （１３）最後の工程を除く各すすぎ洗い工程の液体は、
    上記方法によって既に清掃された物品をすすぎ洗いする
    際にその後のすすぎ洗い工程で使用される液体である特
    許請求の範囲第１１項に記載の方法。
  14. （１４）最後の工程の液体は、最初のすすぎ洗い工程で
    既に用いた液体から希釈される特許請求の範囲第１３項
    に記載の方法。
  15. （１５）洗浄液体に超音波による攪伴を施す特許請求の
    範囲第１項に記載の方法。
  16. （１６）汚染された物品の表面から小さな粒子を除去す
    る装置において、 Ａ、フッ素と化合した無極性のキャリア液体にフッ素と
    化合した分子量の大きい界面活性剤を含んだものより成
    る溶液で物品を洗浄する手段と、Ｂ、上記界面活性剤と
    混合し得るすすぎ液体で物品をすすぎ洗いする手段とを
    具備したことを特徴とする装置。
  17. （１７）上記洗浄手段は、 Ａ、タンクと、 Ｂ、洗浄液をタンクに導入する手段と、 Ｃ、洗浄液に物品を支持する手段と、 Ｄ、物品の面を洗浄液からゆっくりと引き上げる手段と
    を具備する特許請求の範囲第１６項に記載の装置。
  18. （１８）上記すすぎ洗い手段は、 Ａ、タンクと、 Ｂ、最初のすすぎ液から始めて最後のすすぎ液で終わる
    ように次々のすすぎ液を上記タンクに導入する手段と、 Ｃ、物品を上記すすぎ液に支持する手段と、Ｄ、物品の
    面を上記すすぎ液からゆっくりと引き上げる手段とを備
    えている特許請求の範囲第１６項に記載の装置。
  19. （１９）上記最初のすすぎ液に用いた液体を希釈する手
    段を備えた特許請求の範囲第１８項に記載の装置。
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