DE3688097T2

DE3688097T2 - Verfahren und Einrichtung zur Beseitigung kleiner Teilchen von einer Oberfläche.

Info

Publication number: DE3688097T2
Application number: DE86105296T
Authority: DE
Inventors: Robert Kaiser
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1985-04-19
Filing date: 1986-04-16
Publication date: 1993-10-28
Anticipated expiration: 2006-04-17
Also published as: EP0199288B1; EP0199288A3; EP0199288A2; JPS61292325A; ATE87338T1; US4711256A; DE3688097D1; JPH0666308B2

Description

Die Erfindung betrifft die Entfernung von sehr kleinen Teilchen von unterschiedlichen Oberflächen, insbesondere die Reinigung von Oberflächen, die mit derartigen Teilchen verseucht wurden. Die Erfindung ist besonders vorteilhaft zur Reinigung von Halbleiterplättchen anwendbar, die durch Teilchen während Herstellungsoperationen verseucht wurden und von denen die verseuchenden Stoffe vor der Durchführung folgender Operationen entfernt werden müssen.
Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen müssen eine Anzahl von Operationen durchgeführt werden. Ein Halbleiterplättchen wird zuerst durch Diffusion von p-leitendem oder n-leitendem Material dotiert, wonach eine isolierende Oxidschicht auf der Oberfläche ausgebildet wird, und wonach leitende Wege durch selektive Ätzung der Oxidschicht ausgebildet werden. Das Halbleiterplättchen wird dann mit weiteren Stoffen dotiert. In gewissen Fällen werden diese Operationen wiederholt durchgeführt. Während einigen Operationen dieser Art ist es wichtig, daß die Oberfläche des Plättchens im wesentlichen frei von Verunreinigungen ist.
Die Erfindung betrifft Verunreinigungen in der Form von kleinen Teilchen. Teilchen auf der Oberfläche des Plättchens können mit einigen der Herstellungsoperationen in Wechselwirkung treten. Wenn beispielsweise ein leitender Weg auf der Plättchenoberfläche ausgeätzt wurde und eine Diffusion durch diesen Weg in das Plättchen bewirkt werden soll, kann ein auf diesem Weg angeordnetes Teilchen, das einen Durchmesser entsprechend der Größenordnung der Wegbreite oder mehr hat, einen unerwünschten Spalt in dem Diffusionsmuster verursachen.
Es bedeutet eine gewisse Schwierigkeit, daß diese Teilchen während einiger der Verfahrensschritte erzeugt werden. Wenn beispielsweise Linien in die Oxidschicht eines Siliziumplättchens eingeätzt werden, kann ein Teil des entfernten Materials wieder in Teilchenform an anderen Stellen auf der Oberfläche des Plättchens aufgebracht werden. Diese Teilchen müssen von der Oberfläche des Plättchens entfernt werden, bevor folgende Operationen durchgeführt werden, mit denen diese in Wechselwirkung treten können.
Die Teilchen können von den Plättchen durch chemische Mittel (z. B. Reaktion mit einer Säure oder Base), durch Zentrifugation, Reinigung mit einer Luft- oder Wasserströmung, durch Benutzung mechanischer Mittel, durch Ultraschall oder andere bekannte Verfahren entfernt werden. Die Art der Reinigungswirkung hängt von der Form der Verunreinigung, der Art des zu reinigenden Materials und von dem benötigten Reinheitsgrad ab. Obwohl Zusammensetzungen aus 0,02 bis 1 Prozent von fluorinierten oberflächenaktiven Mitteln und fluorinierten Alkalien vorteilhaft zur Verdrängung von flüssigen organischen Schichten von Oberflächen verwendbar sind (US-A-3 509 061), sind die in dieser Veröffentlichung angesprochenen Probleme unterschiedlich von denjenigen, die bei der Entfernung von Teilchen im Submikronbereich überwunden werden müssen.
Mit den Weiterentwicklungen von Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen wurden immer höhere Schaltungsdichten erzielt, mit entsprechenden verfeinerten Merkmalen auf der Halbleiteroberfläche. Beispielsweise beträgt die minimale interessierende Abmessung eines 1-Megabyte dynamischen RAM-Plättchens etwa 1,25 Mikrometer und Produktionschips mit Strukturen mit Abmessungen mit weniger als einem Mikrometer können erwartet werden. Deshalb können selbst sehr kleine Teilchen Schwierigkeiten verursachen und müssen deshalb von der Plättchenoberfläche entfernt werden. Eine Adhäsion derartig kleiner Teilchen auf der Oberfläche des Plättchens dürfte hauptsächlich auf sekundäre Valenzwechselwirkungen zwischen dem Teilchen und der Plättchenoberfläche (van der Wall'sche Kräfte) zurückzuführen sein. Das Verhältnis der Anziehungskraft zu dem Gewicht der Teilchen steigt mit der abnehmenden Teilchengröße an.
Eine Entfernung von Teilchen mit weniger als einem Mikrometer Größe von einem festen Substrat stellt an sich kein neues Problem dar, da derartige Probleme seit Jahrzehnten bekannt sind (vgl. "Cleaning of Electronic Device Components and Materials", Am. Soc. for Testing and Materials, 1958 und "Symposium on Cleaning and Material Related Processing for Electronics and Space Apparatus", Am. Soc. for Testing and Materials, 1962).
Schwierigkeiten bei der Entfernung von teilchenförmigen Verunreinigungen mit einer Größe von weniger als 1 Mikrometer wurden diskutiert (vgl. J.M. Duffale & J.R. Monkowski "Particulate Contamination and Device Performance", Solid State Technology, März 1984, Seiten 109-114, und O. Hamberg und E.M. Shon "Particle Size Distribution on Surfaces in Clean Rooms", Proceedings-Institute of Environmental Sciences, 1984, Seiten 14-19). Insbesondere Hamberg und Shon haben die Effizienz der Oberflächenreinigung mit Materialien wie Trichlorfluoräthan diskutiert, welches Material von der Firma E.I. DuPont de Nemours & Co., Inc. unter dem Handelsnamen Freon TF vertrieben wird. Wenn die Größe der zu entfernenden Teilchen kleiner als 1 Mikrometer ist, kann nur ein sehr kleiner Anteil derartiger Teilchen durch dieses Verfahren entfernt werden.
Es wird deshalb zur Zeit allgemein angenommen, daß es nicht möglich ist, Teilchen von weniger als 1 Mikron von festen Oberflächen durch bekannte Verfahren zu entfernen, so daß in diesem Zusammenhang erhebliche Schwierigkeiten bestehen (vgl. G.B. Larrabee "Chemical Technology of Microelectronics", Chemtech, März 1985, Seiten 168-174).
Es ist deshalb Ziel der Erfindung, ein effektives Verfahren zur Entfernung von kleinen Teilchen von festen Oberflächen anzugeben, insbesondere von Oberflächen von Halbleiterplättchen.
Das Verfahren gemäß der Erfindung wird durch den Inhalt des Patentanspruchs 1 definiert. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Es wurde festgestellt, daß Lösungen von hochfluorinierten organischen oberflächenaktiven Stoffen mit hohem Molekulargewicht in hochfluorinierten organischen Trägerflüssigkeiten wirkungsvoll verhältnismäßig kleine verseuchende Teilchen von den Oberflächen der Halbleiterplättchen entfernen können. Wenn ein verunreinigtes Plättchen in eine derartige Lösung eingetaucht wird, wird das oberflächenaktive Mittel von der Oberfläche des Plättchens adsorbiert und auch auf den Oberflächen irgendwelcher Fremdteilchen, die auf der Plättchenoberfläche vorhanden sind. Dadurch ergeben sich solvatierte Schichten, welche die Wechselwirkung zwischen diesen Oberflächen und insbesondere zwischen den Oberflächen der Teilchen und der Oberfläche des Plättchens verringern. Die Teilchen können deshalb ohne weiteres von der Plättchenoberfläche abgenommen werden und dispergieren in der Lösung.
Durch mechanische Rührwirkung, die beispielsweise durch einen Ultraschallgenerator verursacht werden kann, kann die Dispersion begünstigt werden. Es wurde jedoch festgestellt, daß die thermische (Braun'sche) Bewegung der Flüssigkeitsmoleküle ausreichen kann, um die Teilchen von der Oberfläche des Plättchens zu entfernen.
Da die Oberfläche des Plättchens durch eine Schicht aus einem oberflächenaktiven Mittel abgedeckt ist, wird das Plättchen in frischer Trägerflüssigkeit nach Entfernung der Teilchen abgespült, um das oberflächenaktive Mittel von der Plättchenoberfläche zu entfernen. Der Spülvorgang wird unter Bedingungen durchgeführt, durch die eine Desorption des oberflächenaktiven Mittels begünstigt wird, beispielsweise bei einer erhöhten Temperatur. Der Vorgang wird wiederholt, bis die Konzentration des adsorbierten oberflächenaktiven Mittels auf ein akzeptierbares Niveau verringert wurde. Irgendwelche restliche Spülflüssigkeit auf der Oberfläche des Plättchens kann in einfacher Weise durch mechanische Mittel entfernt werden (beispielsweise durch Zentrifugation) oder auch verdampft werden.
Die für die Reinigungsoperationen benutzten Trägerflüssigkeiten sollten keine Rückstände hinterlassen. Ferner sollen sie die physikalischen oder chemischen Eigenschaften des Plättchens nicht ändern, abgesehen von der Entfernung der verunreinigenden Teilchen. Sie müssen also verträglich mit den üblichen Arbeitsvorgängen in der Halbleiterindustrie sein. Diese Anforderungen können durch die Benutzung von gewissen hochfluorinierten Flüssigkeiten erfüllt werden.
Die Bezeichnung "hochfluoriniert" umfaßt Flüssigkeiten, welche mindestens 1 Fluoratom pro C-Atom enthalten, wobei bis zur Hälfte der Atome, die mit dem Kohlenstoffatom verbunden sind, Halogenatome oder Wasserstoffatome sind. Diese Klasse von Flüssigkeiten zeigt ein hohes Ausmaß von inerten Eigenschaften und Widerstandsfähigkeit gegen chemische Angriffe. Sie sind ferner unpolar und zeigen im wesentlichen keine Lösungswirkung. Ferner sind sie nicht entzündbar und haben eine geringe Toxizität. Sie haben ferner eine Affinität für andere hochfluorinierte Flüssigkeiten.
Beispiele für hochfluorinierte Trägerflüssigkeiten sind die folgenden Flüssigkeiten, die unter dem Handelsnamen Freon von E.I. DuPont Nemour & Co., Inc. vertrieben werden:
Freon TF - Trichlortrifluoräthan, CCl&sub2;FCClF&sub2;
Freon 114B2 - Dibromotetrafluoräthyn, CBrF&sub2;CBrF&sub2;
Freon 215 - Trichloropentafluoropropan, CCl&sub3;CF&sub2;CF&sub3;
Freon 214 - Tetrachlorotetrafluoropropan, CCl&sub3;CF&sub2;CF&sub2;Cl
Freon E Flüssigkeiten - F (CF-CF&sub2;-OnCHCFCF&sub3;, wobei n=1 bis 3
Bevorzugte Trägerflüssigkeiten für die Zwecke der Erfindung sind perfluorinierte Flüssigkeiten, welche nur Kohlenstoff und Fluor enthalten, sowie in gewissen Fällen andere Atome wie Wasserstoff, wie Sauerstoff oder Stickstoff. Vorzugsweise haben sie einen Siedepunkt bei Umgebungsdruck im Bereich von 35ºC bis 150ºC, um die Entfernung der Trägerflüssigkeit durch Verdampfen bei Temperaturen zu begünstigen, welche für das zu reinigende Objekt nicht schädlich sind.
Im folgenden werden Beispiele von kommerziell verfügbaren bevorzugten Trägerflüssigkeiten genannt:
Fluorocarbon Electronic Liquid FC 104, ein Handelsname für Perfluoroalkan, vorherrschend Perfluorooctan (C&sub8;F&sub1;&sub8;), mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht von 435, welches Material von 3M Corporation vertrieben wird.
Fluorocarbon Electronic Liquid FC 75 ist der Handelsname einer perfluorierten zyklischen Ätherverbindung mit 8 Kohlenstoffatomen und einem durchschnittlichen Molekulargewicht von 420, welches Produkt von der Firma 3M Corporation vertrieben wird.
Fluorocarbon Electronic Liquid FC 77 ist der Handelsname einer azeotropen Mischung von Fluorocarbon Electronic Liquid FC 75 und von Fluorocarbon Electronic Liquid FC 104 mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht von 415.
Die hochfluorinierten oberflächenaktiven Mittel, die bei der Erfindung vorteilhaft verwendbar sind, sind in den Trägerflüssigkeiten löslich. Vorzugsweise handelt es sich um perfluorinierte Verbindungen, die mindestens 10, vorzugsweise 20 bis 100 Kohlenstoffatome und eine oder mehrere polare Gruppen enthalten, die in Wechselwirkung mit einer festen Oberfläche treten können. Diese polaren Gruppen enthalten Arten mit aktiven Wasserstoffatomen, wie Carboxylsäure, Sulfonsäure und Alkohole. Der oberflächenaktive Stoff hat vorzugsweise einen höheren Siedepunkt als die damit benutzte Trägerflüssigkeit.
Es ist wichtig, daß das oberflächenaktive Mittel leicht von der zu reinigenden Oberfläche entfernt werden kann, beispielsweise durch Abspülen mit Trägerflüssigkeit, da sonst der Reinigungsvorgang nur zu einem Austausch einer Verunreinigung mit einer anderen führt. Andere oberflächenaktive Mittel, mit denen Teilchen von der Oberfläche entfernt werden können, sind nicht geeignet, weil sie nicht so leicht wie die Klasse der beschriebenen oberflächenaktiven Mittel entfernt werden können.
Die Kombination von Trägerflüssigkeit und oberflächenaktivem Mittel ist ebenso bedeutsam, da Trägerflüssigkeit und oberflächenaktives Mittel kompatibel sein müssen und die Trägerflüssigkeit die oben genannten Eigenschaften besitzen muß.
Selbst der Zusatz von Spuren eines oberflächenaktiven Mittels zu der Trägerflüssigkeit führt zu einer beträchtlichen Entfernung von Teilchen. Es können Konzentrationen zwischen etwa 0,01 Gewichtsprozent bis zu der Löslichkeitsgrenze benutzt werden. Die bevorzugte Konzentration des oberflächenaktiven Mittels in der Trägerflüssigkeit liegt in dem Bereich zwischen 0,2 und 2.0 Gewichtsprozent.
Das relativ hohe Molekulargewicht des oberflächenaktiven Mittels ist wünschenswert, um das oberflächenaktive Mittel gut mischbar mit der Trägerflüssigkeit zu machen und um die Abtrennung der Teilchen von der zu reinigenden Oberfläche zu begünstigen.
Im folgenden werden Beispiele von im Handel verfügbaren bevorzugten oberflächenaktiven Mitteln genannt:
Krytox 157 FS (L), Handelsname von Perfluoroalkylpolyäther mit einer Carboxylsäure-Endgruppe und einem durchschnittlichen Molekulargewicht von etwa 2000, welches Material von E.I. DuPont de Nemours & Co.,Inc. vertrieben wird.
Krytox 157 FS (M), Handelsname von Perfluoroalkylpolyäther mit einer Carboxylsäure-Endgruppe und einem durchschnittlichen Molekulargewicht von etwa 4000, welches Material von der genannten Firma vertrieben wird.
Krytox 157 FS (H), Handelsname von Perfluoroalkylpolyäther mit einer Carboxylsäure-Endgruppe und einem durchschnittlichen Molekulargewicht von etwa 6000, welches Material von der genannten Firma vertrieben wird.
Fomblin Z Diacid Fluid, Handelsname eines geradlinigen perfluorinierten Polyätherpolymeren mit zwei Carboxylsäure-Endgruppen mit einem angenäherten Molekulargewicht von 2000, welches Material von der Firma Montedison USA, Inc. vertrieben wird.
Perfluorodekalinsäure mit der Formel C&sub9;F&sub1;&sub9;COOH mit einem Molekulargewicht von 514, welches Material von der Firma SCM Specialty Chemicals vertrieben wird.
Da die Trägerflüssigkeiten und die oberflächenaktiven Mittel, die bei der Erfindung verwendbar sind, inert und schlechte Lösungsmittel für andere Klassen von Verbindungen sind, beeinflussen die Chemie und Zusammensetzung der zu reinigenden Oberfläche und der zu entfernenden Teilchen nicht den Prozeß.
Es können beispielsweise Oberflächen von Metallen, keramischen Materialien und Kunststoff gereinigt werden, einschließlich die Oberflächen von hergestellten Objekten, die mehr als ein Material enthalten. Zusätzlich von Halbleitermaterialien in unterschiedlichen Formen können Gegenstände wie Fotomasken zur Herstellung von Halbleitermaterialien durch die Erfindung in vorteilhafter Weise gereinigt werden, sowie Trägerbehälter, Halter und ähnliche Einrichtungen, die bei der Herstellung von Halbleitern benutzt werden, optische Präzisionseinrichtungen und Komponenten davon, sowie elektromechanische Präzisionseinrichtungen und Komponenten davon.
Die US-Patentschrift 3 784 471 von R. Kaier beschreibt die Dispersion von Feststoffteilchen in Lösungen der allgemeinen Art von Trägerflüssigkeit und das darin benutzte oberflächenaktive Mittel. Bisher wurde jedoch nicht erkannt, daß diese Lösungen zur Entfernung von Teilchen mit weniger als 1 Mikrometer von Feststoffoberflächen benutzt werden können. Fachleute auf dem Gebiet von perfluorinierten Flüssigkeiten wiesen bisher darauf hin, daß es nicht möglich ist, Teilchen von weniger als 1 Mikrometer durch die Verwendung von Freon TF von Oberflächen zu entfernen, welches Material eine der hier beschriebenen Trägerflüssigkeiten ist (vgl. O. Hamberg & E.M. Shon, "Particle Size Distribution on Surfaces in Clean Rooms", Proceedings-Institute of Environmental Sciences; 1984, Seiten 14-19).
Im folgenden soll die Erfindung und deren Zielsetzung in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert werden.
Die einzige Figur zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, sind Traggerüste 10 in einem Tank 14 angeordnet, an denen verunreinigte Plättchen 12 befestigt sind. Ein Reinigungsbad 16a enthält eine Lösung eines oberflächenaktiven Mittels in einer Trägerflüssigkeit, welche Flüssigkeit dem Tank 14 von einem Tank 18 über ein Filter F1 zugeführt wird. Der Inhalt des Tanks 14 wird mittels eines Ultraschallrührers 20 umgerührt. Adsorption des oberflächenaktiven Mittels auf den Oberflächen der Plättchen 12 und auch auf den Oberflächen der von den Plättchenoberflächen zu entfernenden Teilchen verringert die Wechselwirkung zwischen diesen Oberflächen. Die Teilchen werden deshalb von den Oberflächen der Plättchen 12 entfernt und in dem Bad 16a dispergiert, in welchem sie sich absetzen können oder in Suspension bleiben, was von Faktoren wie Teilchengröße, dem Ausmaß der Agglomeration und dem Ausmaß des Rührens abhängt. Nach Beendigung des Waschvorgangs (l bis 100 Minuten, einschließlich einer möglichen Vorbehandlungsstufe), wird das Bad 16a langsam durch ein Ventil A und eine Drosseleinrichtung 22 in den Tank 18 zurückgeleitet.
Eine das oberflächenaktive Mittel enthaltende Schicht bleibt auf der Oberfläche jedes der Plättchen 12 zurück und die verbleibenden Schritte des Gesamtverfahrens beziehen sich auf die Entfernung dieses oberflächenaktiven Rückstands. Abspülen erfolgt durch einen Gegenstrom-Verdünnungsprozeß, bei dem die Plättchen 12 durch aufeinanderfolgend reinere Bäder von Trägerflüssigkeit abgespült werden. Deshalb wird ein erstes Reinigungsbad 16b in den Tank 14 von einem Tank 24 durch einen Filter F2 eingeleitet und der Rührer 20 wird wieder eingeschaltet. Nach einer geeigneten Zeitspanne von vorzugsweise 1 bis 10 Minuten wird das erste Reinigungsbad 16b langsam durch ein Ventil B einer Drosseleinrichtung 26 zu einem Tank 28 abgeleitet. Danach wird ein zweites Reinigungsbad 16c dem Tank 14 über ein Filter F3 von einem Tank 30 zugeführt. Nach dem zweiten Spülen wird, das Spülbad 16c langsam durch ein Ventil C und eine Drosseleinrichtung 32 zu dem Tank 24 abgeleitet.
In der Zwischenzeit wird die Spülflüssigkeit in dem Tank 30 durch Destillation des Inhalts des Tanks 28 in einem Destillierapparat 34 nachgefüllt. Der Destillierapparat 34 trennt die Trägerflüssigkeit, die einen verhältnismäßig niedrigen Siedepunkt aufweist, von dem oberflächenaktiven Mittel, welches einen höheren Siedepunkt hat. Deshalb ist die Spülflüssigkeit in dem Tank 30 reine Trägerflüssigkeit.
Die Spülflüssigkeit in dem Tank 24 enthält oberflächenaktive Stoffe mit wesentlich geringerer Konzentration als die Waschflüssigkeit in dem Tank 18. Durch Verdünnung wird deshalb mechanisch die Konzentration des oberflächenaktiven Mittels auf den Oberflächen der Plättchen 12 verringert. In entsprechender Weise verringert die reine Trägerflüssigkeit von dem Tank 30 weiter die Oberflächenkonzentration von oberflächenaktiven Stoffen auf ein akzeptierbares niedriges Niveau.
Jedesmal wenn das Bad 16 aus dem Tank 18 abgelassen wird, wird eine das oberflächenaktive Mittel enthaltende Flüssigkeitsschicht auf der Oberfläche jedes Plättchens 12 zurückgelassen. Die Dicke dieser Schicht hängt von der Rate ab, mit der die Oberfläche aus Flüssigkeit entlang den Oberflächen der Plättchen 12 nach unten fließt, also von der Rate, mit der die Plättchen im Ergebnis aus dem Bad entfernt werden. Diese Schicht ist dünner und hat eine geringere Abflußrate und eine geringere Rate ist deshalb wünschenswert, da die resultierende dünnere Schicht weniger oberflächenaktives Material enthält. Eine bevorzugte Abflußrate ergibt eine effektive Plättchenoberfläche-Abzugsrate von etwa 25,4 mm (1 Zoll) pro Minute. Zusätzliche Spülvorgänge können durchgeführt werden, was von der Rate abhängt, mit der die Bäder 16 abgelassen werden, sowie von der akzeptablen Oberflächenkonzentration des oberflächenaktiven Mittels nach dem Spülen.
Das Niveau der Wasch- und Spülflüssigkeiten wird beibehalten, indem frische Waschlösung und Spülflüssigkeit aus den Behältern 36 bzw. 38 zugeführt wird. Der am Boden des Destillierapparats 34 angesammelte oberflächenaktive Stoff kann zu dem Vorratsbehälter 36 rezirkuliert werden.
Deshalb wurde ein sehr effektives System zur Entfernung von sehr kleinen Teilchen von Oberflächen beschrieben, welche durch diese Teilchen verseucht wurden.
Da die zur Reinigung der Oberflächen benutzten Flüssigkeiten inert sind und sich mit den meisten Substanzen nicht mischen, kann das-beschriebene Verfahren zur Reinigung einer Vielfalt von Materialien benutzt werden, beispielsweise von Metallen, keramischen Materialien und Kunststoff. Die Erfindung ist verhältnismäßig kostensparend durchführbar, und zwar sowohl wegen der relativ schnellen Reinigung der Oberflächen als auch wegen der Möglichkeit, daß die für den Reinigungsprozeß benutzten Flüssigkeiten in einfacher Weise rezirkuliert und erneut benutzt werden können.

Claims

l. Verfahren zur Beseitigung kleiner Teilchen von einer Oberfläche, wobei

A. die Oberfläche in einer Lösung mit mindestens etwa 0,01 Gewichtsprozent eines hochfluorinierten organischen oberflächenaktiven Stoffes mit hohem Molekulargewicht in einer unpolaren hochfluorinierten Kohlenwasserstoff-Trägerflüssigkeit gewaschen wird, um die Teilchen von der Oberfläche zu entfernen und in der Lösung zu dispergieren,

B. danach die Oberfläche in einer hochfluorinierten organischen Flüssigkeit abgespült wird, um die oberflächenaktiven Rückstände davon zu entfernen, und

C. die Spülflüssigkeit von der Oberfläche entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung eine Konzentration des oberflächenaktiven Stoffs in dem Bereich von 0,2 bis 2,0 Gewichtsprozent hat.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spülflüssigkeit die Trägerflüssigkeit ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerflüssigkeit eine Siedetemperatur bei Umgebungsdruck in dem Bereich von 35ºC bis 150ºC hat.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische oberflächenaktive Mittel eine perfluorinierte Flüssigkeit ist, die 20 bis 100 Kohlenstoffatome hat.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spülvorgang bei einer erhöhten Temperatur durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerflüssigkeit eine niedrigere Siedetemperatur als der oberflächenaktive Stoff hat.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß

A. die Oberfläche nach jedem Schritt effektiv aus der Flüssigkeit zurückgezogen wird, und daß

B. die Rate des Zurückziehens nicht größer als etwa 25,4 mm/min (l Zoll pro Minute) ist.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß aufeinanderfolgende Spülschritte durchgeführt werden, die mit einem ersten Schritt beginnen und mit einem letzten Schritt enden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei jedem Spülschritt Flüssigkeit abgespült wird, die eine geringere Konzentration als bei dem vorhergehenden Spülschritt hat.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit bei jedem Spülschritt mit Ausnahme des letzten Spülschrittsflüssigkeit ist, die bei dem folgenden Spülschritt beim Abspülen der Gegenstände benutzt wird, die vorher mit dem Verfahren gereinigt wurden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit beim letzten Schritt aus der Flüssigkeit destilliert wird, die vorher bei dem ersten Spülschritt benutzt wurde.
13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Waschbad durch Zufuhr von Ultraschall gerührt wird.