JPH10209100A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH10209100A JPH10209100A JP561197A JP561197A JPH10209100A JP H10209100 A JPH10209100 A JP H10209100A JP 561197 A JP561197 A JP 561197A JP 561197 A JP561197 A JP 561197A JP H10209100 A JPH10209100 A JP H10209100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面に付着する金属不純物・微粒子の双
方を良好に除去する。 【解決手段】 半導体基板１１を有機酸とフッ酸を混合
したｐＨが２〜６の混合液１５で洗浄した後、この基板
を酸化液で洗浄する。汚染基板１１を混合液に浸漬する
とフッ酸により基板表面の自然酸化膜１２が除かれ、膜
上の微粒子１３、金属不純物１４及び膜中の金属不純物
が液中に移行する（ｂ）。混合液がｐＨ２〜６の酸性溶
液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電さ
れるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物
イオンはマイナスの錯イオンとなる。この結果、微粒子
も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と
同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防
止される（ｃ）。この基板を酸化液に浸漬すると、酸化
液により基板表面に親水性の酸化膜が形成され、金属不
純物を錯化しないで基板表面に付着していた有機酸や有
機物を分解除去する。
方を良好に除去する。 【解決手段】 半導体基板１１を有機酸とフッ酸を混合
したｐＨが２〜６の混合液１５で洗浄した後、この基板
を酸化液で洗浄する。汚染基板１１を混合液に浸漬する
とフッ酸により基板表面の自然酸化膜１２が除かれ、膜
上の微粒子１３、金属不純物１４及び膜中の金属不純物
が液中に移行する（ｂ）。混合液がｐＨ２〜６の酸性溶
液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電さ
れるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物
イオンはマイナスの錯イオンとなる。この結果、微粒子
も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と
同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防
止される（ｃ）。この基板を酸化液に浸漬すると、酸化
液により基板表面に親水性の酸化膜が形成され、金属不
純物を錯化しないで基板表面に付着していた有機酸や有
機物を分解除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハの
ような半導体基板の表面を洗浄する方法に関するもので
ある。
ような半導体基板の表面を洗浄する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体基板の表面には、その製
造工程中に金属不純物や粒径が１μｍ以下の微粒子等が
付着する。半導体デバイスの高集積化、高機能化に伴っ
て、半導体基板の表面がこれらの金属不純物や微粒子等
で汚染されていないことが益々要求され、そのための半
導体基板の洗浄技術は半導体デバイス技術全体の中で極
めて重要なものとなってきている。従来の半導体基板の
洗浄方法として、過酸化水素と水酸化アンモニウムのＳ
Ｃ１溶液と、過酸化水素と希塩酸のＳＣ２溶液を用いた
ＲＣＡ洗浄法が知られている。このＲＣＡ洗浄法では、
先ず半導体基板をＳＣ１溶液に浸漬して、この溶液の酸
化性及びアルカリ性の性質により基板から微粒子及び有
機残留物を除去する。即ち、このＳＣ１溶液中では酸化
と還元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元
と過酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同
時に水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって
微粒子を基板表面からリフトオフすることにより除去す
る。次いでこの半導体基板をＳＣ２溶液の酸性溶液に浸
漬して、ＳＣ１溶液で不溶のアルカリイオンや金属不純
物を除去する。
造工程中に金属不純物や粒径が１μｍ以下の微粒子等が
付着する。半導体デバイスの高集積化、高機能化に伴っ
て、半導体基板の表面がこれらの金属不純物や微粒子等
で汚染されていないことが益々要求され、そのための半
導体基板の洗浄技術は半導体デバイス技術全体の中で極
めて重要なものとなってきている。従来の半導体基板の
洗浄方法として、過酸化水素と水酸化アンモニウムのＳ
Ｃ１溶液と、過酸化水素と希塩酸のＳＣ２溶液を用いた
ＲＣＡ洗浄法が知られている。このＲＣＡ洗浄法では、
先ず半導体基板をＳＣ１溶液に浸漬して、この溶液の酸
化性及びアルカリ性の性質により基板から微粒子及び有
機残留物を除去する。即ち、このＳＣ１溶液中では酸化
と還元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元
と過酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同
時に水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって
微粒子を基板表面からリフトオフすることにより除去す
る。次いでこの半導体基板をＳＣ２溶液の酸性溶液に浸
漬して、ＳＣ１溶液で不溶のアルカリイオンや金属不純
物を除去する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したＲＣ
Ａ洗浄法は、同一槽で酸化と還元の２つの作用を競合し
て起こるために、第一に基板表面から遊離した金属不純
物はＳＣ１溶液中に留まり、その表面電位により基板表
面に再付着することがあること、第二に有機酸によりＳ
Ｃ１溶液中の金属イオンを錯化して金属錯塩を形成しよ
うとしても、有機酸がＳＣ１溶液で酸化還元処理されて
分解し、その錯化作用が極めて低下するようになる。こ
のためＲＣＡ洗浄法では金属の種類によって金属不純物
が十分に除去されない欠点があった。本発明の目的は、
半導体基板表面に付着する金属不純物及び微粒子の双方
を良好に除去する半導体基板の洗浄方法を提供すること
にある。
Ａ洗浄法は、同一槽で酸化と還元の２つの作用を競合し
て起こるために、第一に基板表面から遊離した金属不純
物はＳＣ１溶液中に留まり、その表面電位により基板表
面に再付着することがあること、第二に有機酸によりＳ
Ｃ１溶液中の金属イオンを錯化して金属錯塩を形成しよ
うとしても、有機酸がＳＣ１溶液で酸化還元処理されて
分解し、その錯化作用が極めて低下するようになる。こ
のためＲＣＡ洗浄法では金属の種類によって金属不純物
が十分に除去されない欠点があった。本発明の目的は、
半導体基板表面に付着する金属不純物及び微粒子の双方
を良好に除去する半導体基板の洗浄方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
半導体基板１１を有機酸とフッ酸を混合したｐＨが２〜
６である混合液１５で洗浄する第１洗浄工程と、この半
導体基板を酸化液で洗浄する第２洗浄工程とを含む半導
体基板の洗浄方法である。図１（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、第１洗浄工程では、汚染された半導体基板１１
を混合液１５に浸漬する。フッ酸（ＨＦ）により半導体
基板１１の表面に形成された自然酸化膜１２が除去さ
れ、自然酸化膜１２上の微粒子１３及び金属不純物１
４、並びに自然酸化膜中に含まれた金属不純物１４が混
合液１５中に移行する。混合液１５がｐＨ２〜６の酸性
溶液であるため、微粒子１３の表面は基板１１表面と同
じマイナスに荷電される。また液中に遊離した金属不純
物１４は有機酸の分子１６と錯体を形成し、金属錯塩１
７になる。この金属錯塩１７の錯イオンはマイナスイオ
ンである。この結果、微粒子１３も金属不純物１４もそ
れぞれの表面電位が基板１１の表面電位と同じマイナス
になるため、基板への付着又は再付着が防止される（図
１（ｃ））。洗浄液１５から半導体基板１１を引上げる
と、清浄化された基板１１が得られる（図１（ｄ））。
第２洗浄工程では、第１洗浄工程で洗浄化された基板を
酸化液に浸漬すると、この酸化液により基板表面に親水
性の酸化膜が形成されるとともに、金属不純物を錯化し
ないで基板表面に付着していた有機酸や有機物を分解除
去する。酸化膜の形成により酸化液から取出した基板表
面への空気中の微粒子の付着が防止される。
半導体基板１１を有機酸とフッ酸を混合したｐＨが２〜
６である混合液１５で洗浄する第１洗浄工程と、この半
導体基板を酸化液で洗浄する第２洗浄工程とを含む半導
体基板の洗浄方法である。図１（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、第１洗浄工程では、汚染された半導体基板１１
を混合液１５に浸漬する。フッ酸（ＨＦ）により半導体
基板１１の表面に形成された自然酸化膜１２が除去さ
れ、自然酸化膜１２上の微粒子１３及び金属不純物１
４、並びに自然酸化膜中に含まれた金属不純物１４が混
合液１５中に移行する。混合液１５がｐＨ２〜６の酸性
溶液であるため、微粒子１３の表面は基板１１表面と同
じマイナスに荷電される。また液中に遊離した金属不純
物１４は有機酸の分子１６と錯体を形成し、金属錯塩１
７になる。この金属錯塩１７の錯イオンはマイナスイオ
ンである。この結果、微粒子１３も金属不純物１４もそ
れぞれの表面電位が基板１１の表面電位と同じマイナス
になるため、基板への付着又は再付着が防止される（図
１（ｃ））。洗浄液１５から半導体基板１１を引上げる
と、清浄化された基板１１が得られる（図１（ｄ））。
第２洗浄工程では、第１洗浄工程で洗浄化された基板を
酸化液に浸漬すると、この酸化液により基板表面に親水
性の酸化膜が形成されるとともに、金属不純物を錯化し
ないで基板表面に付着していた有機酸や有機物を分解除
去する。酸化膜の形成により酸化液から取出した基板表
面への空気中の微粒子の付着が防止される。
【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、第１洗浄工程と第２洗浄工程とを少なくと
も２回ずつ行う半導体基板の洗浄方法である。第１洗浄
工程と第２洗浄工程を繰返すことにより、基板表面がよ
り一層浄化される。
明であって、第１洗浄工程と第２洗浄工程とを少なくと
も２回ずつ行う半導体基板の洗浄方法である。第１洗浄
工程と第２洗浄工程を繰返すことにより、基板表面がよ
り一層浄化される。
【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、第１洗浄工程の混合液が０．０００
１〜０．１重量％の有機酸と０．００５〜０．２５重量
％のフッ酸を含む半導体基板の洗浄方法である。有機酸
の不純物の金属イオンを十分に錯化させるため、微粒子
の基板への再付着を防止するために、上記濃度範囲の有
機酸及びフッ酸が好ましい。
係る発明であって、第１洗浄工程の混合液が０．０００
１〜０．１重量％の有機酸と０．００５〜０．２５重量
％のフッ酸を含む半導体基板の洗浄方法である。有機酸
の不純物の金属イオンを十分に錯化させるため、微粒子
の基板への再付着を防止するために、上記濃度範囲の有
機酸及びフッ酸が好ましい。
【０００７】請求項４に係る発明は、請求項１ないし３
いずれかに係る発明であって、第１洗浄工程の有機酸が
クエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸（以下、
ＥＤＴＡという）、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢
酸又はギ酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の
有機酸である半導体基板の洗浄方法である。上記列挙し
た有機酸は基板を汚染する不純物の金属イオンの錯化作
用がある。
いずれかに係る発明であって、第１洗浄工程の有機酸が
クエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸（以下、
ＥＤＴＡという）、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢
酸又はギ酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の
有機酸である半導体基板の洗浄方法である。上記列挙し
た有機酸は基板を汚染する不純物の金属イオンの錯化作
用がある。
【０００８】請求項５に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、第１洗浄工程の混合液で半導体基板
を超音波洗浄する方法である。超音波洗浄することによ
り、微粒子がより確実に基板表面から除去される。
係る発明であって、第１洗浄工程の混合液で半導体基板
を超音波洗浄する方法である。超音波洗浄することによ
り、微粒子がより確実に基板表面から除去される。
【０００９】請求項６に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、第２洗浄工程の酸化液が溶存オゾン
水溶液、過酸化水素水又は硝酸である半導体基板の洗浄
方法である。上記列挙した酸化液は基板表面の酸化膜の
形成及び基板表面に付着した有機酸又は有機物の分解除
去作用がある。
係る発明であって、第２洗浄工程の酸化液が溶存オゾン
水溶液、過酸化水素水又は硝酸である半導体基板の洗浄
方法である。上記列挙した酸化液は基板表面の酸化膜の
形成及び基板表面に付着した有機酸又は有機物の分解除
去作用がある。
【００１０】
【発明の実施の形態】第１洗浄工程の混合液は、除去し
ようとする金属不純物の種類に応じて、有機酸の種類及
びその濃度が決められる。有機酸とフッ酸を混合したｐ
Ｈは２〜６である。この有機酸の洗浄液中の濃度は０．
０００１〜０．１重量％である。好ましくは０．００３
〜０．００６重量％である。０．０００１重量％未満で
は基板表面から遊離した金属不純物イオンの錯化作用が
十分でなく、また０．１重量％を越えると微粒子の再付
着量が増加する不具合がある。本発明の有機酸として
は、クエン酸、コハク酸、ＥＤＴＡの他に、酒石酸、サ
リチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸などが本発明に適す
る。金属不純物を構成する金属元素に応じて、上記有機
酸から１種又は２種以上の酸が適宜選定される。
ようとする金属不純物の種類に応じて、有機酸の種類及
びその濃度が決められる。有機酸とフッ酸を混合したｐ
Ｈは２〜６である。この有機酸の洗浄液中の濃度は０．
０００１〜０．１重量％である。好ましくは０．００３
〜０．００６重量％である。０．０００１重量％未満で
は基板表面から遊離した金属不純物イオンの錯化作用が
十分でなく、また０．１重量％を越えると微粒子の再付
着量が増加する不具合がある。本発明の有機酸として
は、クエン酸、コハク酸、ＥＤＴＡの他に、酒石酸、サ
リチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸などが本発明に適す
る。金属不純物を構成する金属元素に応じて、上記有機
酸から１種又は２種以上の酸が適宜選定される。
【００１１】また本発明の洗浄液中のフッ酸の濃度は
０．００５〜０．２５重量％である。特に０．００５〜
０．１０重量％が好ましく、０．０５〜０．１重量％が
更に好ましい。０．００５重量％未満では、半導体基板
表面の自然酸化膜の剥離作用に乏しく、また０．２５重
量％を越えると、洗浄液がｐＨが２未満の強酸となり洗
浄液中の有機酸の解離が抑制され、その錯化作用が低下
するとともに、微粒子の表面電位がプラスになり、微粒
子が基板表面に再付着するようになる。
０．００５〜０．２５重量％である。特に０．００５〜
０．１０重量％が好ましく、０．０５〜０．１重量％が
更に好ましい。０．００５重量％未満では、半導体基板
表面の自然酸化膜の剥離作用に乏しく、また０．２５重
量％を越えると、洗浄液がｐＨが２未満の強酸となり洗
浄液中の有機酸の解離が抑制され、その錯化作用が低下
するとともに、微粒子の表面電位がプラスになり、微粒
子が基板表面に再付着するようになる。
【００１２】第２洗浄工程の酸化液としては、溶存オゾ
ン水溶液、過酸化水素水又は硝酸が挙げられる。この中
で溶存オゾン水溶液が高純度であるうえ、低濃度で酸化
力に富み、入手しやすいため好ましい。この溶存オゾン
水溶液のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上であることが好
ましい。０．５ｐｐｍ未満であると基板表面に親水性の
酸化膜を形成することが困難となり、また基板表面に付
着していた有機酸や有機物の分解除去作用が低下する。
純水へのオゾンの溶解限界は約２５ｐｐｍであるため、
溶存オゾン水溶液のオゾン濃度は５〜２５ｐｐｍがより
好ましい。
ン水溶液、過酸化水素水又は硝酸が挙げられる。この中
で溶存オゾン水溶液が高純度であるうえ、低濃度で酸化
力に富み、入手しやすいため好ましい。この溶存オゾン
水溶液のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上であることが好
ましい。０．５ｐｐｍ未満であると基板表面に親水性の
酸化膜を形成することが困難となり、また基板表面に付
着していた有機酸や有機物の分解除去作用が低下する。
純水へのオゾンの溶解限界は約２５ｐｐｍであるため、
溶存オゾン水溶液のオゾン濃度は５〜２５ｐｐｍがより
好ましい。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞予めＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＺｎの金
属と微粒子が表面に付着したシリコンウェーハを次の方
法により用意した。先ずＳＣ１溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30
%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：１：０．２５の混合液）にＡ
ｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＺｎの５つの金属をそれぞれ
１００ｐｐｂ添加して８０℃に昇温し、次いでこの８０
℃の溶液にシリコンウェーハを１０分間浸漬した後、リ
ンスを１０分間行い、遠心力によりウェーハ表面の液滴
を除去し乾燥させた。第１洗浄工程として、純水に対し
て有機酸としてクエン酸を０．００６重量％混合した液
にフッ酸を０．０５重量％添加してｐＨを４．３に調整
した混合液を用意した。この室温の混合液に上記金属不
純物と微粒子で汚染されたシリコンウェーハを浸漬し、
１０分間超音波洗浄した。その後、このシリコンウェー
ハを超純水で１０分間リンスした。
る。 ＜実施例１＞予めＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＺｎの金
属と微粒子が表面に付着したシリコンウェーハを次の方
法により用意した。先ずＳＣ１溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30
%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：１：０．２５の混合液）にＡ
ｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＺｎの５つの金属をそれぞれ
１００ｐｐｂ添加して８０℃に昇温し、次いでこの８０
℃の溶液にシリコンウェーハを１０分間浸漬した後、リ
ンスを１０分間行い、遠心力によりウェーハ表面の液滴
を除去し乾燥させた。第１洗浄工程として、純水に対し
て有機酸としてクエン酸を０．００６重量％混合した液
にフッ酸を０．０５重量％添加してｐＨを４．３に調整
した混合液を用意した。この室温の混合液に上記金属不
純物と微粒子で汚染されたシリコンウェーハを浸漬し、
１０分間超音波洗浄した。その後、このシリコンウェー
ハを超純水で１０分間リンスした。
【００１４】次に第２洗浄工程として、この洗浄された
シリコンウェーハをオゾン濃度が８ｐｐｍの室温の溶存
オゾン水溶液に１０分間浸漬した。その後、このシリコ
ンウェーハを超純水で１０分間リンスした。更に続い
て、このシリコンウェーハを上記第１洗浄工程で再洗浄
した後、上記第２洗浄工程で再洗浄した。即ち、第１洗
浄工程と第２洗浄工程をそれぞれ２回ずつ行った。
シリコンウェーハをオゾン濃度が８ｐｐｍの室温の溶存
オゾン水溶液に１０分間浸漬した。その後、このシリコ
ンウェーハを超純水で１０分間リンスした。更に続い
て、このシリコンウェーハを上記第１洗浄工程で再洗浄
した後、上記第２洗浄工程で再洗浄した。即ち、第１洗
浄工程と第２洗浄工程をそれぞれ２回ずつ行った。
【００１５】＜比較例１＞従来のＲＣＡ洗浄法を比較例
１とした。即ち、先ず実施例１と同様に金属不純物で汚
染されたシリコンウェーハをＳＣ１溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ
2(30%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：１：１の混合液）に浸漬
し、７５〜８０℃に熱し、８０℃で１０分間保持した。
そのシリコンウェーハを超純水でリンスした後、Ｈ
2Ｏ：ＨＦ(49%)＝５０：１の混合液に１５秒間浸漬し、
更に超純水でリンスした。続いてリンスしたシリコンウ
ェーハをＳＣ２溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30%)：ＨＣｌ(37
%)＝６：１：１の混合液）に浸漬し、７５〜８０℃に熱
し、８０℃で１０分間保持した。その後実施例１と同様
にシリコンウェーハを超純水でリンスした。このシリコ
ンウェーハを上記ＳＣ１溶液で再洗浄した後、上記ＳＣ
２溶液で再洗浄した。即ち、ＳＣ１溶液の洗浄とＳＣ２
溶液の洗浄をそれぞれ２回ずつ行った。
１とした。即ち、先ず実施例１と同様に金属不純物で汚
染されたシリコンウェーハをＳＣ１溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ
2(30%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：１：１の混合液）に浸漬
し、７５〜８０℃に熱し、８０℃で１０分間保持した。
そのシリコンウェーハを超純水でリンスした後、Ｈ
2Ｏ：ＨＦ(49%)＝５０：１の混合液に１５秒間浸漬し、
更に超純水でリンスした。続いてリンスしたシリコンウ
ェーハをＳＣ２溶液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30%)：ＨＣｌ(37
%)＝６：１：１の混合液）に浸漬し、７５〜８０℃に熱
し、８０℃で１０分間保持した。その後実施例１と同様
にシリコンウェーハを超純水でリンスした。このシリコ
ンウェーハを上記ＳＣ１溶液で再洗浄した後、上記ＳＣ
２溶液で再洗浄した。即ち、ＳＣ１溶液の洗浄とＳＣ２
溶液の洗浄をそれぞれ２回ずつ行った。
【００１６】＜比較試験と評価＞実施例１と比較例１の
それぞれ洗浄した後のシリコンウェーハ表面の金属不純
物濃度を測定した。この金属不純物濃度は洗浄後のシリ
コンウェーハの中央部にフッ酸と硝酸の混酸を滴下し、
その液滴がウェーハの全表面に行渡るように液滴を巡ら
した後、その液滴を回収して原子吸光分析法で分析する
ことにより測定した。その結果を図２に示す。図２から
明らかなように、実施例１のウェーハは従来のＲＣＡ洗
浄法による比較例１のウェーハと比べて、Ｎｉ濃度が同
等であった以外、他の５種類の金属についてはいずれも
約１桁以上の洗浄効果があることが判った。特にＡｌ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＺｎの４種類の金属はいずれも１０×１
０8原子／cm2以下であった。なお、ＦｅとＮｉの下向き
の矢印は検出限界以下を示す。
それぞれ洗浄した後のシリコンウェーハ表面の金属不純
物濃度を測定した。この金属不純物濃度は洗浄後のシリ
コンウェーハの中央部にフッ酸と硝酸の混酸を滴下し、
その液滴がウェーハの全表面に行渡るように液滴を巡ら
した後、その液滴を回収して原子吸光分析法で分析する
ことにより測定した。その結果を図２に示す。図２から
明らかなように、実施例１のウェーハは従来のＲＣＡ洗
浄法による比較例１のウェーハと比べて、Ｎｉ濃度が同
等であった以外、他の５種類の金属についてはいずれも
約１桁以上の洗浄効果があることが判った。特にＡｌ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＺｎの４種類の金属はいずれも１０×１
０8原子／cm2以下であった。なお、ＦｅとＮｉの下向き
の矢印は検出限界以下を示す。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
１洗浄工程で基板表面の自然酸化膜の剥離と、金属不純
物の錯イオン化と、基板、微粒子及び金属不純物の各表
面電位の制御の３つの作用を行って、半導体基板から金
属不純物及び微粒子の双方を良好に除去した後、第２洗
浄工程で基板表面に酸化膜を形成し同時に基板表面に付
着した有機酸や有機物を分解除去するので、従来のＲＣ
Ａ洗浄法と比べて、微粒子と金属不純物の双方が良好に
除去され、洗浄用の薬液もフッ酸と有機酸と酸化液の３
種類で済み、短時間で小型の装置で洗浄でき、洗浄コス
トを下げることができる。
１洗浄工程で基板表面の自然酸化膜の剥離と、金属不純
物の錯イオン化と、基板、微粒子及び金属不純物の各表
面電位の制御の３つの作用を行って、半導体基板から金
属不純物及び微粒子の双方を良好に除去した後、第２洗
浄工程で基板表面に酸化膜を形成し同時に基板表面に付
着した有機酸や有機物を分解除去するので、従来のＲＣ
Ａ洗浄法と比べて、微粒子と金属不純物の双方が良好に
除去され、洗浄用の薬液もフッ酸と有機酸と酸化液の３
種類で済み、短時間で小型の装置で洗浄でき、洗浄コス
トを下げることができる。
【図１】本発明の第１洗浄工程で洗浄したときの洗浄機
構を示す図。
構を示す図。
【図２】実施例１と比較例１の洗浄後のウェーハ表面の
金属不純物濃度を示す図。
金属不純物濃度を示す図。
１１ 半導体基板 １２ 自然酸化膜 １３ 微粒子 １４ 金属不純物 １５ 洗浄液 １６ 有機酸の分子 １７ 金属錯塩
フロントページの続き (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板を有機酸とフッ酸を混合した
ｐＨが２〜６である混合液で洗浄する第１洗浄工程と、 前記半導体基板を酸化液で洗浄する第２洗浄工程とを含
む半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 第１洗浄工程と第２洗浄工程とを少なく
とも２回ずつ行う請求項１記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項３】 第１洗浄工程の混合液が０．０００１〜
０．１重量％の有機酸と０．００５〜０．２５重量％の
フッ酸を含む請求項１又は２記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項４】 第１洗浄工程の有機酸がクエン酸、コハ
ク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、
シュウ酸、酢酸又はギ酸からなる群より選ばれた１種又
は２種以上の有機酸である請求項１ないし３いずれか記
載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項５】 第１洗浄工程の混合液で半導体基板を超
音波洗浄する請求項１又は２記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項６】 第２洗浄工程の酸化液が溶存オゾン水溶
液、過酸化水素水又は硝酸である請求項１又は２記載の
半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP561197A JPH10209100A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体基板の洗浄方法 |
| US09/004,199 US6296714B1 (en) | 1997-01-16 | 1998-01-08 | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same |
| TW087100206A TW463261B (en) | 1997-01-16 | 1998-01-09 | Cleaning liquid and cleaning method for semiconductor substrates |
| EP98100625.7A EP0859404B1 (en) | 1997-01-16 | 1998-01-15 | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same |
| KR1019980000992A KR100279911B1 (ko) | 1997-01-16 | 1998-01-15 | 반도체기판의세정액및이를사용한세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP561197A JPH10209100A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209100A true JPH10209100A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11616003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP561197A Pending JPH10209100A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585083B1 (ko) * | 2000-04-03 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 초박막 게이트 산화막 형성 방법 |
| JP2010507904A (ja) * | 2006-10-24 | 2010-03-11 | 旭硝子株式会社 | 基板表面から異物を除去する方法 |
| JP2010226089A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-10-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体ウェハをクリーニングする方法 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP561197A patent/JPH10209100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585083B1 (ko) * | 2000-04-03 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 초박막 게이트 산화막 형성 방법 |
| JP2010507904A (ja) * | 2006-10-24 | 2010-03-11 | 旭硝子株式会社 | 基板表面から異物を除去する方法 |
| JP2010226089A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-10-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体ウェハをクリーニングする方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040414 |