RU2319252C2 - Способ очистки поверхности кремниевых подложек - Google Patents
Способ очистки поверхности кремниевых подложек Download PDFInfo
- Publication number
- RU2319252C2 RU2319252C2 RU2005123522/28A RU2005123522A RU2319252C2 RU 2319252 C2 RU2319252 C2 RU 2319252C2 RU 2005123522/28 A RU2005123522/28 A RU 2005123522/28A RU 2005123522 A RU2005123522 A RU 2005123522A RU 2319252 C2 RU2319252 C2 RU 2319252C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hydrogen peroxide
- temperature
- cleaning
- silicon substrate
- carried out
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности кремниевых подложек от органических и механических загрязнений перед термическими операциями. Изобретение позволяет полностью удалить органические и механические загрязнения и примеси с поверхности кремниевой подложки и сократить время обработки подложек. Сущность изобретения: способ очистки кремниевых подложек включает двухстадийную обработку в двух ваннах с различными растворами: в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (Н2О2) в соотношении: H2SO4:H2O2=10:1, при температуре Т=125°С, во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2О2) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении: NH4OH:H2O2:H2O=1:4:20, при температуре Т=65°С. В результате количество пылинок на поверхности подложек составляет не более 3-х штук.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к очистке поверхности кремниевых подложек от органических и механических загрязнений перед термическими операциями.
Известны способы очистки поверхности кремниевых подложек, сущности которых состоят в полном удалении органических и механических загрязнений с поверхности кремниевой подложки [1, 2].
Недостатками способа очистки поверхности кремниевых пластин являются недостаточное удаление различных примесей, загрязнений с поверхности кремниевой подложки и длительность процесса.
Известен способ очистки поверхности кремниевых подложек, сущность которого состоит в том, что химическую обработку проводят в горячем растворе - перекисно-аммиачном растворе при температуре (75-80°С), содержащем перекись водорода (Н2О2) и аммиак водный (NH4OH) [3].
Основными недостатками этого способа являются недостаточное удаление различных видов загрязнений (более 10 штук пылинок), длительность процесса - более 20 минут.
Целью изобретения является полное удаление органических и механических загрязнений, примесей с поверхности кремниевой подложки и сокращение времени обработки подложек.
Контроль чистоты поверхности проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.
Поставленная цель достигается тем, что способ очистки кремниевых подложек включает двухстадийную обработку в двух ваннах с различными растворами:
1. В первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (Н2SO4) и перекиси водорода (Н2О2) в соотношении:
Н2SO4:Н2О2=10:1, при температуре Т=125°С;
2. Во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2O2) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении:
NH4OH:Н2О2:Н2O=1:4:20, при температуре Т=65°С.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевых подложек происходит полное удаление органических и механических загрязнений. В 1-й ванне происходит удаление наиболее грубых жировых загрязнений, во 2-й ванне снимаются оставшиеся не растворенными при первой обработке участки жировых покрытий.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что очистка в кислотах (H2SO4) позволяет удалить адсорбированные ионы металлов и растворить оксидные пленки на поверхности полупроводников, а пергидроль разлагается с выделением атомарного кислорода: Н2O2=Н2О+O, и где атомарный кислород окисляет как органические, так и неорганические загрязнения. Щелочь ускоряет реакцию разложения пергидроля, а также связывает в хорошо растворимые комплексные соединения.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
Пример 1. Процесс проводят на установке химической обработки (Лада-1) при соотношении компонентов:
в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (H2O2) в соотношении:
H2SO4:Н2O2=8:1, при температуре Т=125°С,
во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2O2) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении:
NH4OH:Н2O2:Н2O=1:2:20, при температуре Т=65°С.
Количество пылинок составляет 5 штук.
Пример 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (Н2O2) в соотношении:
H2SO4:Н2O2=9:1, при температуре Т=125°C,
во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2O2) и деионизованной воды (Н2O) в соотношении:
NH4OH:Н2O2:Н2О=1:3:20, при температуре Т=65°С.
Количество пылинок составляет не более 4 штук.
Пример 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (Н2O2) в соотношении:
H2SO4:Н2O2=8:1, при температуре Т=125°C,
во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2O2) и деионизованной воды (Н2O) в соотношении:
NH4OH:Н2О2:Н2O=1:2:20, при температуре Т=65°С.
Количество пылинок составляет 3 штуки.
Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных растворов для очистки поверхности кремниевых подложек является раствор, состоящий из следующих компонентов:
в первой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (Н2O2) в соотношении:
H2SO4:Н2O2=8:1, при температуре Т=125°C,
во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2O2) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении:
NH4OH:Н2О2:Н2O=1:2:20, при температуре Т=65°С.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет очистить кремниевую подложку с чистотой не более 3-х штук и сократить время очистки поверхности кремниевых пластин.
Литература
1. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. / Под редакцией А.И.Курносова, В.В.Юдина - М.: «Высшая школа», 1986, - с.107.
2. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. / Под редакцией Л.А.Коледова. - М.: «Радио и связь», 1989, - с.400.
3. Обработка полупроводниковых материалов / Под редакцией В.П.Запорожского, Б.А.Лапшинова. - М., - с.183.
Claims (1)
- Способ очистки поверхности кремниевых подложек, включающий очистку поверхности кремниевых подложек от загрязнений перед термическими операциями, проводимую в две стадии, отличающийся тем, что двухстадийную обработку проводят в двух различных ваннах: в 1-ой ванне содержится раствор, состоящий из серной кислоты (Н2SO4) и перекиси водорода (Н2О2) в соотношении компонентов H2SO4:H2O2=10:1, обработку ведут при температуре Т=125°С, а во второй ванне содержится раствор, состоящий из водного аммиака (NH4OH), перекиси водорода (Н2О2) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении компонентов NH4OH:Н2O3:Н2O=1:4:20, обработку ведут при температуре Т=65°С, контроль чистоты поверхности кремниевых подложек проводится под сфокусированным лучом, где количество пылинок составляет не более трех штук.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005123522/28A RU2319252C2 (ru) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Способ очистки поверхности кремниевых подложек |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005123522/28A RU2319252C2 (ru) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Способ очистки поверхности кремниевых подложек |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2319252C2 true RU2319252C2 (ru) | 2008-03-10 |
Family
ID=39281165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005123522/28A RU2319252C2 (ru) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Способ очистки поверхности кремниевых подложек |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2319252C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2495512C2 (ru) * | 2011-11-23 | 2013-10-10 | Валерий Михайлович Рыков | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
| RU2507630C1 (ru) * | 2012-09-26 | 2014-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Солвэй" | Способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин |
| RU2565380C2 (ru) * | 2014-01-31 | 2015-10-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей |
-
2005
- 2005-07-25 RU RU2005123522/28A patent/RU2319252C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Шуляковский А.Е. и др. Процессы отмывки кремниевых подложек в производстве полупроводниковых приборов. Обзоры по электронной технике. Серия 2 (1016). Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ Электроника, с.13-39. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2495512C2 (ru) * | 2011-11-23 | 2013-10-10 | Валерий Михайлович Рыков | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
| RU2507630C1 (ru) * | 2012-09-26 | 2014-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Солвэй" | Способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин |
| RU2565380C2 (ru) * | 2014-01-31 | 2015-10-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6513538B2 (en) | Method of removing contaminants from integrated circuit substrates using cleaning solutions | |
| KR100340274B1 (ko) | 반도체 기판의 세정 방법 | |
| EP0859404B1 (en) | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same | |
| US20040163681A1 (en) | Dilute sulfuric peroxide at point-of-use | |
| KR100992479B1 (ko) | 세정액을 사용한 반도체 웨이퍼 세정 방법 | |
| JP2009543344A (ja) | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 | |
| US20050139230A1 (en) | Method for cleaning semiconductor wafers | |
| JP2006080501A (ja) | 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法 | |
| US20060042654A1 (en) | Semiconductor wafer treatment method and apparatus therefor | |
| RU2319252C2 (ru) | Способ очистки поверхности кремниевых подложек | |
| RU2329298C2 (ru) | Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь | |
| JPH09321009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11340182A (ja) | 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法 | |
| KR20000029749A (ko) | 반도체기판용세정수용액 | |
| JP3422117B2 (ja) | 新規な表面処理方法及び処理剤 | |
| RU2383965C1 (ru) | Способ обработки кремниевой оснастки | |
| JP3503326B2 (ja) | 半導体表面処理溶液 | |
| JP2001326209A (ja) | シリコン基板の表面処理方法 | |
| JPS62115833A (ja) | 半導体基板表面処理剤 | |
| RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
| KR100235944B1 (ko) | 반도체소자의 세정 방법 | |
| RU2495512C2 (ru) | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин | |
| RU2318267C2 (ru) | Способ удаления резистивной маски | |
| JPH04103124A (ja) | 半導体基板の汚染除去方法 | |
| RU2386188C1 (ru) | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080726 |