RU2383965C1 - Способ обработки кремниевой оснастки - Google Patents

Способ обработки кремниевой оснастки Download PDF

Info

Publication number
RU2383965C1
RU2383965C1 RU2008129541/28A RU2008129541A RU2383965C1 RU 2383965 C1 RU2383965 C1 RU 2383965C1 RU 2008129541/28 A RU2008129541/28 A RU 2008129541/28A RU 2008129541 A RU2008129541 A RU 2008129541A RU 2383965 C1 RU2383965 C1 RU 2383965C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
minutes
deionized water
snap
equipment
Prior art date
Application number
RU2008129541/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2008129541A (ru
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов (RU)
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Бийке Алиевна Шангереева (RU)
Бийке Алиевна Шангереева
Айшат Расуловна Шахмаева (RU)
Айшат Расуловна Шахмаева
Original Assignee
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2008129541/28A priority Critical patent/RU2383965C1/ru
Publication of RU2008129541A publication Critical patent/RU2008129541A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2383965C1 publication Critical patent/RU2383965C1/ru

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства. Сущность изобретения: в способе обработки кремниевой оснастки обработку проводят в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов 18:2,5:1, при комнатной температуре в течение 20±10 минут, с последующей промывкой в деионизованной воде 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.
Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.
Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.
Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NH4F, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - Н2O в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.
Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
19,5:2,8:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:Н2O
19:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
18:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.
Литература
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.

Claims (1)

  1. Способ обработки кремниевой оснастки, включающий обработку кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов фторида аммония (NH4F), фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О) соответственно 18:2,5:1 при комнатной температуре, длительность составляет 20±10 мин, далее промывка в деионизованной воде 30±10 мин.
RU2008129541/28A 2008-07-17 2008-07-17 Способ обработки кремниевой оснастки RU2383965C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ обработки кремниевой оснастки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ обработки кремниевой оснастки

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008129541A RU2008129541A (ru) 2010-01-27
RU2383965C1 true RU2383965C1 (ru) 2010-03-10

Family

ID=42121538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ обработки кремниевой оснастки

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2383965C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544319C1 (ru) * 2013-12-17 2015-03-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") Способ химического никелирования и раствор для его осуществления
RU2792669C1 (ru) * 2022-12-08 2023-03-22 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" Способ химического никелирования поверхности металломатричного композиционного материала алюминий-карбид кремния

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
КУРНОСОВ А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980, с.86-88. Панфилов Ю.В. и др. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные работы. - М.: Радио и связь, 1988, с.48-50. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544319C1 (ru) * 2013-12-17 2015-03-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") Способ химического никелирования и раствор для его осуществления
RU2792669C1 (ru) * 2022-12-08 2023-03-22 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" Способ химического никелирования поверхности металломатричного композиционного материала алюминий-карбид кремния

Also Published As

Publication number Publication date
RU2008129541A (ru) 2010-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008166795A (ja) シリコンウエハーの洗浄方法
JPH0426120A (ja) 半導体基板の処理方法
US20050139230A1 (en) Method for cleaning semiconductor wafers
JP2013004760A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
CN112928017A (zh) 有效去除硅片表面金属的清洗方法
JP2643814B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
RU2383965C1 (ru) Способ обработки кремниевой оснастки
JPH10256211A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP6529715B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP4857738B2 (ja) 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法
JPH09321009A (ja) 半導体装置の製造方法
RU2319252C2 (ru) Способ очистки поверхности кремниевых подложек
US20050045202A1 (en) Method for wafer surface cleaning using hydroxyl radicals in deionized water
EP1562226B1 (en) A method for removing oxides from a Germanium semiconductor substrate surface
RU2534444C2 (ru) Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин
JP2001326209A (ja) シリコン基板の表面処理方法
KR101001307B1 (ko) 기판 세정 방법
JP2005210075A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
RU2386188C1 (ru) Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства
KR100732775B1 (ko) 더미 웨이퍼 재생을 위한 세정조 및 이를 이용한 세정방법
JP4351497B2 (ja) 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
KR20140091327A (ko) 웨이퍼 세정 방법
JPH0750281A (ja) シリコンウェハーの洗浄方法
JPH07321080A (ja) シリコンウェハーの洗浄方法
RU2359357C1 (ru) Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100718