RU2383965C1 - Способ обработки кремниевой оснастки - Google Patents
Способ обработки кремниевой оснастки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2383965C1 RU2383965C1 RU2008129541/28A RU2008129541A RU2383965C1 RU 2383965 C1 RU2383965 C1 RU 2383965C1 RU 2008129541/28 A RU2008129541/28 A RU 2008129541/28A RU 2008129541 A RU2008129541 A RU 2008129541A RU 2383965 C1 RU2383965 C1 RU 2383965C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- minutes
- deionized water
- snap
- equipment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства. Сущность изобретения: в способе обработки кремниевой оснастки обработку проводят в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов 18:2,5:1, при комнатной температуре в течение 20±10 минут, с последующей промывкой в деионизованной воде 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.
Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.
Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.
Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NH4F, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - Н2O в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.
Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
19,5:2,8:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:Н2O
19:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
18:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.
Литература
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.
Claims (1)
- Способ обработки кремниевой оснастки, включающий обработку кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов фторида аммония (NH4F), фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О) соответственно 18:2,5:1 при комнатной температуре, длительность составляет 20±10 мин, далее промывка в деионизованной воде 30±10 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Способ обработки кремниевой оснастки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Способ обработки кремниевой оснастки |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008129541A RU2008129541A (ru) | 2010-01-27 |
RU2383965C1 true RU2383965C1 (ru) | 2010-03-10 |
Family
ID=42121538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008129541/28A RU2383965C1 (ru) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Способ обработки кремниевой оснастки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2383965C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544319C1 (ru) * | 2013-12-17 | 2015-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Способ химического никелирования и раствор для его осуществления |
RU2792669C1 (ru) * | 2022-12-08 | 2023-03-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" | Способ химического никелирования поверхности металломатричного композиционного материала алюминий-карбид кремния |
-
2008
- 2008-07-17 RU RU2008129541/28A patent/RU2383965C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
КУРНОСОВ А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980, с.86-88. Панфилов Ю.В. и др. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные работы. - М.: Радио и связь, 1988, с.48-50. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544319C1 (ru) * | 2013-12-17 | 2015-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Способ химического никелирования и раствор для его осуществления |
RU2792669C1 (ru) * | 2022-12-08 | 2023-03-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" | Способ химического никелирования поверхности металломатричного композиционного материала алюминий-карбид кремния |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2008129541A (ru) | 2010-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008166795A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
JPH0426120A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
US20050139230A1 (en) | Method for cleaning semiconductor wafers | |
JP2013004760A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
CN112928017A (zh) | 有效去除硅片表面金属的清洗方法 | |
JP2643814B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
RU2383965C1 (ru) | Способ обработки кремниевой оснастки | |
JPH10256211A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP6529715B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
JPH09321009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
RU2319252C2 (ru) | Способ очистки поверхности кремниевых подложек | |
US20050045202A1 (en) | Method for wafer surface cleaning using hydroxyl radicals in deionized water | |
EP1562226B1 (en) | A method for removing oxides from a Germanium semiconductor substrate surface | |
RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
JP2001326209A (ja) | シリコン基板の表面処理方法 | |
KR101001307B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
JP2005210075A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
RU2386188C1 (ru) | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства | |
KR100732775B1 (ko) | 더미 웨이퍼 재생을 위한 세정조 및 이를 이용한 세정방법 | |
JP4351497B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 | |
KR20140091327A (ko) | 웨이퍼 세정 방법 | |
JPH0750281A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
JPH07321080A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
RU2359357C1 (ru) | Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100718 |