RU2534444C2 - Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин - Google Patents
Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2534444C2 RU2534444C2 RU2013109843/28A RU2013109843A RU2534444C2 RU 2534444 C2 RU2534444 C2 RU 2534444C2 RU 2013109843/28 A RU2013109843/28 A RU 2013109843/28A RU 2013109843 A RU2013109843 A RU 2013109843A RU 2534444 C2 RU2534444 C2 RU 2534444C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- processing
- oxide
- silicon wafers
- solution
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NH4HF2) и деионизованную воду (H2O) в соотношении NH4HF2:Н2O=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.
Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.
Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О), при комнатной температуре раствора [2].
Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.
Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.
Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH4HF2), деионизованная вода (Н2О) в следующих соотношениях:
NH4HF2:Н2О=1: 26.
Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:Н2О=1:35.
Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:Н2O=1:30.
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:
NH4HF2:H2O=1:26.
Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.
ЛИТЕРАТУРА
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.
2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.
Claims (1)
- Способ обработки кремниевых пластин перед напылением, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:
NH4HF2:H2O = 1:26,
время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013109843/28A RU2534444C2 (ru) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013109843/28A RU2534444C2 (ru) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013109843A RU2013109843A (ru) | 2014-09-10 |
RU2534444C2 true RU2534444C2 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=51539907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013109843/28A RU2534444C2 (ru) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2534444C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2757762C1 (ru) * | 2021-03-30 | 2021-10-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2119462C1 (ru) * | 1997-03-12 | 1998-09-27 | Новочеркасский государственный технический университет | Травильный раствор |
RU2156015C2 (ru) * | 1997-03-11 | 2000-09-10 | Волков Владимир Владимирович | Способ изготовления кристалла с односторонними контактами для мощного светодиода |
RU2323503C2 (ru) * | 2006-06-05 | 2008-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") | Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния |
RU2376676C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки кристаллов кремния |
US7879736B2 (en) * | 2006-06-29 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same |
-
2013
- 2013-03-05 RU RU2013109843/28A patent/RU2534444C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2156015C2 (ru) * | 1997-03-11 | 2000-09-10 | Волков Владимир Владимирович | Способ изготовления кристалла с односторонними контактами для мощного светодиода |
RU2119462C1 (ru) * | 1997-03-12 | 1998-09-27 | Новочеркасский государственный технический университет | Травильный раствор |
RU2323503C2 (ru) * | 2006-06-05 | 2008-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") | Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния |
US7879736B2 (en) * | 2006-06-29 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same |
RU2376676C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки кристаллов кремния |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2757762C1 (ru) * | 2021-03-30 | 2021-10-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013109843A (ru) | 2014-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019510379A5 (ru) | ||
WO2006132989A3 (en) | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process | |
WO2010068753A3 (en) | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes | |
US7938911B2 (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution | |
WO2012045216A1 (zh) | 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺 | |
TWI545188B (zh) | 半導體基板用洗淨劑、使用其的洗淨方法及半導體元件的製造方法 | |
CN104752551A (zh) | 一种太阳能硅片的清洗方法 | |
CN103241957A (zh) | 一种玻璃基板减薄蚀刻方法 | |
US20150221605A1 (en) | Etching of under bump mettallization layer and resulting device | |
CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
CN101399196A (zh) | 晶圆背面粗糙化处理方法 | |
RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
CN103361734B (zh) | 一种提高多晶硅产出效率的方法 | |
CN104252103A (zh) | 光刻返工后残留光刻胶的去除方法 | |
TW200833824A (en) | Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same | |
JP6529715B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
RU2586266C2 (ru) | Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов | |
CN106783527A (zh) | 半导体晶片的清洗方法 | |
RU2319252C2 (ru) | Способ очистки поверхности кремниевых подложек | |
RU2403648C1 (ru) | Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций | |
TW201522713A (zh) | 用以清洗金屬殘留物的方法及溶液 | |
RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
CN101699615A (zh) | 一种浸蚀硅片方法 | |
RU2419175C2 (ru) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе | |
RU2383965C1 (ru) | Способ обработки кремниевой оснастки |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150306 |